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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1266页 > ADG836YRM-REEL7
0.5
CMOS 1.65 V至3.6 V
双路SPDT / 2 ： 1 MUX
ADG836
特点
0.5
典型导通电阻
0.8
最大导通电阻在125°C
1.65 V至3.6 V的操作
汽车级温度范围： -40 ° C至+ 125°C
高载流能力：300 mA连续
轨到轨开关工作
快速开关时间<20 NS
典型功耗（ <0.1
W)
应用
手机
掌上电脑
MP3播放器
电源布线
电池供电系统
PCMCIA卡
调制解调器
音频和视频信号路由
通信系统
概述
功能框图
½½½½½½
½½½
½½
½½½
½½½
½½½
½½½
½½
½½½
½½½½½½½½ ½½½½½ ½½½ ½ ½½½½½ ½ ½½½½½
产品亮点
该ADG836是含有两个低电压CMOS器件
独立可选的单刀双掷（ SPDT ）
开关。该器件具有超低的不足性
0.8
在整个温度范围内。该ADG836是完全
对于3.3 V指定， 2.5 V和1.8 V电源供电。
每个开关进行同样在两个方向开启时，
并具有延伸到电源的输入信号范围。该
ADG836展品先开后合式开关动作。
该ADG836是10引脚MSOP和3mm可用
3 mm
12引脚LFCSP封装。
1. <0.8
在-40 ° C至+ 125°C的整个温度范围内。
2.单1.65 V至3.6 V的操作。
3.兼容1.8 V CMOS逻辑。
4.高电流处理能力（300 mA连续电流
在3.3 V ） 。
5.低THD + N（ 0.02 ％典型值） 。
6. 3 mm
3 mm LFCSP封装封装和10引线MSOP封装。
第0版
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或oth-
在ADI公司的任何专利或专利权erwise 。商标
和注册商标均为其各自公司的财产。
一个技术的方式，P盒9106 ，诺伍德，MA 02062-9106 ， USA
.O.
联系电话： 781 / 329-4700
www.analog.com
传真： 781 / 326-8703
2003 ADI公司保留所有权利。
ADG836–SPECIFICATIONS
1
(V
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
2
t
ON
t
关闭
突破前先延时（T
BBM
)
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
DD
= 2.7 V至3.6 V ， GND = 0V ，除非另有说明。 ）
–40
C
+125
C
0 V至V
DD
+25
C
–40
C
+85
C
单位
V
测试条件/评论
V
DD
= 2.7 V
V
DD
= 2.7 V, V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= 10毫安;
测试电路1
V
DD
= 2.7 V, V
S
= 0.65 V，I
S
= 10毫安
V
DD
= 2.7 V, V
S
= 0 V到V
DD
,
I
S
= 10毫安
V
DD
= 3.6 V
V
S
= 0.6 V/3.3 V, V
D
= 3.3 V/0.6 V;
测试电路2
V
S
= V
D
= 0.6 V或3.3 V ;测试电路3
0.5
0.65
0.04
0.1
0.75
0.075
0.15
0.8
0.08
0.16
典型值
最大
典型值
最大
典型值
最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
±0.2
±1
±0.2
±1
±10
±15
±100
±120
2
0.8
0.005
±0.1
4
21
26
4
7
17
40
–67
–90
V
IN
= V
INL
或V
INH
28
8
29
9
5
–67
dB典型值
总谐波失真（ THD + N）
插入损耗
-3 dB带宽
C
S
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
0.02
–0.05
57
25
75
0.003
1
4
%
dB典型值
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
μA （典型值）
μA（最大值）
R
L
= 50
, C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 V / 0 V ;测试电路4
R
L
= 50
, C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 V ;测试电路4
R
L
= 50
, C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 1.5 V ;测试电路5
V
S
= 1.5 V ，R
S
= 0
, C
L
= 1 nF的;
测试电路6
R
L
= 50
, C
L
= 5 PF， F = 100千赫;
测试电路7
S1A–S2A/S1B–S2B;
R
L
= 50
, C
L
= 5 PF， F = 100千赫;
测试电路10
S1A–S1B/S2A–S2B;
R
L
= 50
, C
L
= 5 PF， F = 100千赫;
测试电路9
R
L
= 32
中，f = 20 Hz至20 kHz ，
V
S
= 2 V P-P
R
L
= 50
, C
L
= 5 pF的;测试电路8
R
L
= 50
, C
L
= 5 pF的;测试电路8
V
DD
= 3.6 V
数字输入= 0 V或3.6 V
笔记
1
温度范围如下：Y版本： -40°C至+ 125°C 。
2
通过设计保证，不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
第0版
ADG836
特定网络阳离子
1
(V
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
2
t
ON
t
关闭
突破前先延时（T
BBM
)
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
DD
= 2.5 V± 0.2 V ，GND = 0V ，除非另有说明。 ）
+25
C
–40
C
+85
C
–40
C
+125
C
0 V至V
DD
0.8
0.08
0.16
0.23
±0.2
±0.4
±0.2
±0.6
0.24
0.88
0.085
单位
V
测试条件/评论
0.65
0.72
0.04
典型值
最大
典型值
最大
典型值
最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
V
DD
= 2.3 V, V
S
= 0 V到V
DD
,
I
S
= 10毫安;测试电路1
V
DD
= 2.3 V, V
S
= 0.7 V;
I
S
= 10毫安
V
DD
= 2.3 V, V
S
= 0 V到V
DD
,
I
S
= 10毫安
V
DD
= 2.7 V
V
S
= 0.6 V/2.4 V, V
D
= 2.4 V/0.6 V;
测试电路2
V
S
= V
D
= 0.6 V或2.4 V ;测试电路3
±4
±12
±45
±90
1.7
0.7
0.005
±0.1
4
23
29
5
7
17
30
–67
–90
V
IN
= V
INL
或V
INH
30
8
31
9
5
–67
dB典型值
总谐波失真（ THD + N）
插入损耗
-3 dB带宽
C
S
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
0.022
–0.06
57
25
75
0.003
1.0
4.0
%
dB典型值
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
μA （典型值）
μA（最大值）
R
L
= 50
, C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 V / 0 V ;测试电路4
R
L
= 50
, C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 V ;测试电路4
R
L
= 50
, C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 1.5 V ;测试电路5
V
S
= 1.25 V ，R
S
= 0
, C
L
= 1 nF的;
测试电路6
R
L
= 50
, C
L
= 5 PF， F = 100千赫;
测试电路7
S1A–S2A/S1B–S2B;
R
L
= 50
, C
L
= 5 PF， F = 100千赫;
测试电路10
S1A–S1B/S2A–S2B;
R
L
= 50
, C
L
= 5 PF， F = 100千赫;
测试电路9
R
L
= 32
中，f = 20 Hz至20 kHz ，
V
S
= 1.5 V P-P
R
L
= 50
, C
L
= 5 pF的;测试电路8
R
L
= 50
, C
L
= 5 pF的;测试电路8
V
DD
= 2.7 V
数字输入= 0 V或2.7 V
笔记
1
温度范围如下：Y版本： -40°C至+ 125°C 。
2
通过设计保证，不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
第0版
–3–
ADG836
特定网络阳离子
1
(V
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
2
t
ON
t
关闭
突破前先延时（T
BBM
)
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
DD
= 1.65 V至1.95伏， GND = 0V，除非另有说明。 ）
+25
C
–40
C
+85
C
–40
C
+125
C
0 V至V
DD
2.2
4
2.2
4
单位
V
测试条件/评论
1
1.4
2
0.1
典型值
最大
最大
典型值
V
DD
= 1.8 V, V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= 10毫安;
测试电路1
V
DD
= 1.65 V, V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= 10毫安
V
DD
= 1.65 V, V
S
= 0.7 V，I
S
= 10毫安
V
DD
= 1.95 V
V
S
= 0.6 V/1.65 V, V
D
= 1.65 V/0.6 V;
测试电路2
V
S
= V
D
= 0.6 V或1.65 V ;测试电路3
±0.2
±0.4
±0.2
±0.6
±4
±10
±25
±75
0.65 V
DD
0.35 V
DD
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
0.005
±0.1
4
28
37
7
9
21
20
–67
–90
V
IN
= V
INL
或V
INH
38
10
39
11
5
–67
dB典型值
总谐波失真THD
插入损耗
-3 dB带宽
C
S
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
0.14
–0.08
57
25
75
0.003
1.0
4
%
dB典型值
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
μA （典型值）
μA（最大值）
R
L
= 50
, C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 V / 0 V ;测试电路4
R
L
= 50
, C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 V / 0 V ;测试电路4
R
L
= 50
, C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 1V ;测试电路5
V
S
= 1 V ，R
S
= 0
, C
L
= 1 nF的;
测试电路6
R
L
= 50
, C
L
= 5 PF， F = 100千赫;
测试电路7
S1A–S2A/S1B–S2B;
R
L
= 50
, C
L
= 5 PF， F = 100千赫;
测试电路10
S1A–S1B/S2A–S2B;
R
L
= 50
, C
L
= 5 PF， F = 100千赫;
测试电路9
R
L
= 32
中，f = 20 Hz至20 kHz ，
V
S
= 1.2 V P-P
R
L
= 50
, C
L
= 5 pF的;测试电路8
R
L
= 50
, C
L
= 5 pF的;测试电路8
V
DD
= 1.95 V
数字输入= 0 V或1.95 V
笔记
1
温度范围如下：Y版本： -40°C至+ 125°C 。
2
通过设计保证，不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–4–
第0版
ADG836
绝对最大额定值
1
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明。 ）
表一， ADG836真值表
V
DD
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至4.6 V
模拟输入
2
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
数字输入
2
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至4.6 V
或10毫安，以先到为准
峰值电流，S或D
3.3 V操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫安
2.5 V操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 460毫安
1.8 V操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 420毫安
（脉冲在1毫秒，10％占空比的最大值）
连续电流，S或D
3.3 V工作电压
300毫安
2.5 V工作电压
275毫安
1.8 V操作
250毫安
工作温度范围
汽车（Y版） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 125°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .150 ℃，
MSOP封装
JA
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 206 ° C / W
JC
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 44 ° C / W
LFCSP封装
JA
热阻抗（ 3层板） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 61.1 ° C / W
IR回流焊，峰值温度<20秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.235 ℃，
笔记
1
注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致永久性的
损坏设备。这是一个压力只有额定值。该装置的功能操作
在这些或以上的在这个业务部门所列出的条件
特定网络阳离子是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间可能会影响器件的可靠性。只有一个绝对最大额定值
可以在任一时刻被应用。
2
过电压在IN ，S或D将通过内部二极管钳位。当前应
限于给出的最大额定值。
逻辑
0
1
开关A
关闭
On
交换机B
On
关闭
订购指南
模型
ADG836YRM
ADG836YRM-REEL
ADG836YRM-REEL7
ADG836YCP
ADG836YCP-REEL
ADG836YCP-REEL7
温度范围
-40 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 125°C
包装说明
微型小外形封装（ MSOP ）
微型小外形封装（ MSOP ）
微型小外形封装（ MSOP ）
引脚架构芯片级封装（ LFCSP ）
引脚架构芯片级封装（ LFCSP ）
引脚架构芯片级封装（ LFCSP ）
封装选项
RM-10
RM-10
RM-10
CP-12
CP-12
CP-12
品牌*
S9A
S9A
S9A
S9A
S9A
S9A
*品牌
在此包被限制为三个字符由于空间的限制。
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000V容易堆积
对人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然ADG836
具有专用ESD保护电路，永久性的损害可能受到高设备发生
能量静电放电。因此，适当的ESD防范措施建议，以避免性能
下降或功能丧失。
第0版
–5–
0.5
CMOS 1.65 V至3.6 V
双路SPDT / 2 ： 1 MUX
ADG836
特点
0.5
典型导通电阻
0.8
最大导通电阻在125°C
1.65 V至3.6 V的操作
汽车级温度范围： -40 ° C至+ 125°C
高载流能力：300 mA连续
轨到轨开关工作
快速开关时间<20 NS
典型功耗（ <0.1
W)
应用
手机
掌上电脑
MP3播放器
电源布线
电池供电系统
PCMCIA卡
调制解调器
音频和视频信号路由
通信系统
概述
功能框图
½½½½½½
½½½
½½
½½½
½½½
½½½
½½½
½½
½½½
½½½½½½½½ ½½½½½ ½½½ ½ ½½½½½ ½ ½½½½½
产品亮点
该ADG836是含有两个低电压CMOS器件
独立可选的单刀双掷（ SPDT ）
开关。该器件具有超低的不足性
0.8
在整个温度范围内。该ADG836是完全
对于3.3 V指定， 2.5 V和1.8 V电源供电。
每个开关进行同样在两个方向开启时，
并具有延伸到电源的输入信号范围。该
ADG836展品先开后合式开关动作。
该ADG836是10引脚MSOP和3mm可用
3 mm
12引脚LFCSP封装。
1. <0.8
在-40 ° C至+ 125°C的整个温度范围内。
2.单1.65 V至3.6 V的操作。
3.兼容1.8 V CMOS逻辑。
4.高电流处理能力（300 mA连续电流
在3.3 V ） 。
5.低THD + N（ 0.02 ％典型值） 。
6. 3 mm
3 mm LFCSP封装封装和10引线MSOP封装。
第0版
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或oth-
在ADI公司的任何专利或专利权erwise 。商标
和注册商标均为其各自公司的财产。
一个技术的方式，P盒9106 ，诺伍德，MA 02062-9106 ， USA
.O.
联系电话： 781 / 329-4700
www.analog.com
传真： 781 / 326-8703
2003 ADI公司保留所有权利。
ADG836–SPECIFICATIONS
1
(V
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
2
t
ON
t
关闭
突破前先延时（T
BBM
)
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
DD
= 2.7 V至3.6 V ， GND = 0V ，除非另有说明。 ）
–40
C
+125
C
0 V至V
DD
+25
C
–40
C
+85
C
单位
V
测试条件/评论
V
DD
= 2.7 V
V
DD
= 2.7 V, V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= 10毫安;
测试电路1
V
DD
= 2.7 V, V
S
= 0.65 V，I
S
= 10毫安
V
DD
= 2.7 V, V
S
= 0 V到V
DD
,
I
S
= 10毫安
V
DD
= 3.6 V
V
S
= 0.6 V/3.3 V, V
D
= 3.3 V/0.6 V;
测试电路2
V
S
= V
D
= 0.6 V或3.3 V ;测试电路3
0.5
0.65
0.04
0.1
0.75
0.075
0.15
0.8
0.08
0.16
典型值
最大
典型值
最大
典型值
最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
±0.2
±1
±0.2
±1
±10
±15
±100
±120
2
0.8
0.005
±0.1
4
21
26
4
7
17
40
–67
–90
V
IN
= V
INL
或V
INH
28
8
29
9
5
–67
dB典型值
总谐波失真（ THD + N）
插入损耗
-3 dB带宽
C
S
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
0.02
–0.05
57
25
75
0.003
1
4
%
dB典型值
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
μA （典型值）
μA（最大值）
R
L
= 50
, C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 V / 0 V ;测试电路4
R
L
= 50
, C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 V ;测试电路4
R
L
= 50
, C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 1.5 V ;测试电路5
V
S
= 1.5 V ，R
S
= 0
, C
L
= 1 nF的;
测试电路6
R
L
= 50
, C
L
= 5 PF， F = 100千赫;
测试电路7
S1A–S2A/S1B–S2B;
R
L
= 50
, C
L
= 5 PF， F = 100千赫;
测试电路10
S1A–S1B/S2A–S2B;
R
L
= 50
, C
L
= 5 PF， F = 100千赫;
测试电路9
R
L
= 32
中，f = 20 Hz至20 kHz ，
V
S
= 2 V P-P
R
L
= 50
, C
L
= 5 pF的;测试电路8
R
L
= 50
, C
L
= 5 pF的;测试电路8
V
DD
= 3.6 V
数字输入= 0 V或3.6 V
笔记
1
温度范围如下：Y版本： -40°C至+ 125°C 。
2
通过设计保证，不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
第0版
ADG836
特定网络阳离子
1
(V
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
2
t
ON
t
关闭
突破前先延时（T
BBM
)
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
DD
= 2.5 V± 0.2 V ，GND = 0V ，除非另有说明。 ）
+25
C
–40
C
+85
C
–40
C
+125
C
0 V至V
DD
0.8
0.08
0.16
0.23
±0.2
±0.4
±0.2
±0.6
0.24
0.88
0.085
单位
V
测试条件/评论
0.65
0.72
0.04
典型值
最大
典型值
最大
典型值
最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
V
DD
= 2.3 V, V
S
= 0 V到V
DD
,
I
S
= 10毫安;测试电路1
V
DD
= 2.3 V, V
S
= 0.7 V;
I
S
= 10毫安
V
DD
= 2.3 V, V
S
= 0 V到V
DD
,
I
S
= 10毫安
V
DD
= 2.7 V
V
S
= 0.6 V/2.4 V, V
D
= 2.4 V/0.6 V;
测试电路2
V
S
= V
D
= 0.6 V或2.4 V ;测试电路3
±4
±12
±45
±90
1.7
0.7
0.005
±0.1
4
23
29
5
7
17
30
–67
–90
V
IN
= V
INL
或V
INH
30
8
31
9
5
–67
dB典型值
总谐波失真（ THD + N）
插入损耗
-3 dB带宽
C
S
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
0.022
–0.06
57
25
75
0.003
1.0
4.0
%
dB典型值
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
μA （典型值）
μA（最大值）
R
L
= 50
, C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 V / 0 V ;测试电路4
R
L
= 50
, C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 V ;测试电路4
R
L
= 50
, C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 1.5 V ;测试电路5
V
S
= 1.25 V ，R
S
= 0
, C
L
= 1 nF的;
测试电路6
R
L
= 50
, C
L
= 5 PF， F = 100千赫;
测试电路7
S1A–S2A/S1B–S2B;
R
L
= 50
, C
L
= 5 PF， F = 100千赫;
测试电路10
S1A–S1B/S2A–S2B;
R
L
= 50
, C
L
= 5 PF， F = 100千赫;
测试电路9
R
L
= 32
中，f = 20 Hz至20 kHz ，
V
S
= 1.5 V P-P
R
L
= 50
, C
L
= 5 pF的;测试电路8
R
L
= 50
, C
L
= 5 pF的;测试电路8
V
DD
= 2.7 V
数字输入= 0 V或2.7 V
笔记
1
温度范围如下：Y版本： -40°C至+ 125°C 。
2
通过设计保证，不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
第0版
–3–
ADG836
特定网络阳离子
1
(V
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
2
t
ON
t
关闭
突破前先延时（T
BBM
)
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
DD
= 1.65 V至1.95伏， GND = 0V，除非另有说明。 ）
+25
C
–40
C
+85
C
–40
C
+125
C
0 V至V
DD
2.2
4
2.2
4
单位
V
测试条件/评论
1
1.4
2
0.1
典型值
最大
最大
典型值
V
DD
= 1.8 V, V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= 10毫安;
测试电路1
V
DD
= 1.65 V, V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= 10毫安
V
DD
= 1.65 V, V
S
= 0.7 V，I
S
= 10毫安
V
DD
= 1.95 V
V
S
= 0.6 V/1.65 V, V
D
= 1.65 V/0.6 V;
测试电路2
V
S
= V
D
= 0.6 V或1.65 V ;测试电路3
±0.2
±0.4
±0.2
±0.6
±4
±10
±25
±75
0.65 V
DD
0.35 V
DD
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
0.005
±0.1
4
28
37
7
9
21
20
–67
–90
V
IN
= V
INL
或V
INH
38
10
39
11
5
–67
dB典型值
总谐波失真THD
插入损耗
-3 dB带宽
C
S
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
0.14
–0.08
57
25
75
0.003
1.0
4
%
dB典型值
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
μA （典型值）
μA（最大值）
R
L
= 50
, C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 V / 0 V ;测试电路4
R
L
= 50
, C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 V / 0 V ;测试电路4
R
L
= 50
, C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 1V ;测试电路5
V
S
= 1 V ，R
S
= 0
, C
L
= 1 nF的;
测试电路6
R
L
= 50
, C
L
= 5 PF， F = 100千赫;
测试电路7
S1A–S2A/S1B–S2B;
R
L
= 50
, C
L
= 5 PF， F = 100千赫;
测试电路10
S1A–S1B/S2A–S2B;
R
L
= 50
, C
L
= 5 PF， F = 100千赫;
测试电路9
R
L
= 32
中，f = 20 Hz至20 kHz ，
V
S
= 1.2 V P-P
R
L
= 50
, C
L
= 5 pF的;测试电路8
R
L
= 50
, C
L
= 5 pF的;测试电路8
V
DD
= 1.95 V
数字输入= 0 V或1.95 V
笔记
1
温度范围如下：Y版本： -40°C至+ 125°C 。
2
通过设计保证，不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–4–
第0版
ADG836
绝对最大额定值
1
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明。 ）
表一， ADG836真值表
V
DD
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至4.6 V
模拟输入
2
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
数字输入
2
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至4.6 V
或10毫安，以先到为准
峰值电流，S或D
3.3 V操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫安
2.5 V操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 460毫安
1.8 V操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 420毫安
（脉冲在1毫秒，10％占空比的最大值）
连续电流，S或D
3.3 V工作电压
300毫安
2.5 V工作电压
275毫安
1.8 V操作
250毫安
工作温度范围
汽车（Y版） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 125°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .150 ℃，
MSOP封装
JA
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 206 ° C / W
JC
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 44 ° C / W
LFCSP封装
JA
热阻抗（ 3层板） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 61.1 ° C / W
IR回流焊，峰值温度<20秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.235 ℃，
笔记
1
注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致永久性的
损坏设备。这是一个压力只有额定值。该装置的功能操作
在这些或以上的在这个业务部门所列出的条件
特定网络阳离子是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间可能会影响器件的可靠性。只有一个绝对最大额定值
可以在任一时刻被应用。
2
过电压在IN ，S或D将通过内部二极管钳位。当前应
限于给出的最大额定值。
逻辑
0
1
开关A
关闭
On
交换机B
On
关闭
订购指南
模型
ADG836YRM
ADG836YRM-REEL
ADG836YRM-REEL7
ADG836YCP
ADG836YCP-REEL
ADG836YCP-REEL7
温度范围
-40 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 125°C
包装说明
微型小外形封装（ MSOP ）
微型小外形封装（ MSOP ）
微型小外形封装（ MSOP ）
引脚架构芯片级封装（ LFCSP ）
引脚架构芯片级封装（ LFCSP ）
引脚架构芯片级封装（ LFCSP ）
封装选项
RM-10
RM-10
RM-10
CP-12
CP-12
CP-12
品牌*
S9A
S9A
S9A
S9A
S9A
S9A
*品牌
在此包被限制为三个字符由于空间的限制。
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000V容易堆积
对人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然ADG836
具有专用ESD保护电路，永久性的损害可能受到高设备发生
能量静电放电。因此，适当的ESD防范措施建议，以避免性能
下降或功能丧失。
第0版
–5–
0.5 Ω CMOS 1.65 V至3.6 V
双路SPDT / 2 ： 1 MUX
ADG836
特点
0.5 Ω典型导通电阻
0.8 Ω最大导通电阻在125°C
1.65 V至3.6 V的操作
汽车级温度范围： -40 ° C至+ 125°C
高载流能力：300 mA连续
轨到轨开关工作
快速开关时间<20 NS
典型功耗（ <0.1 μW ）
S1A
D1
S1B
IN1
IN2
S2A
D2
S2B
04308-001
ADG836
应用
手机
掌上电脑
MP3播放器
电源布线
电池供电系统
PCMCIA卡
调制解调器
音频和视频信号路由
通信系统
开关所对于逻辑1输入
图1 。
概述
该ADG836是含有两个低电压CMOS器件
独立可选的单刀双掷（ SPDT ）
开关。该器件具有超低的不足性
0.8 Ω ，在整个温度范围内。该ADG836是完全
对于3.3 V指定， 2.5 V和1.8 V电源供电。
每个开关进行同样在两个方向上时，
并具有延伸到电源的输入信号范围。该
ADG836展品先开后合式开关动作。
该ADG836是采用10引脚MSOP和3毫米× 3毫米
12引脚LFCSP封装。
产品亮点
1.
2.
3.
4.
5.
6.
<0.8 Ω在-40 ° C至+ 125°C的整个温度范围内。
单1.65 V至3.6 V的操作。
兼容1.8 V CMOS逻辑。
高电流处理能力（300 mA连续
电流在3.3 V） 。
低THD + N（ 0.02 ％典型值） 。
3毫米×3 mm LFCSP封装和10引线MSOP封装。
REV 。一
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。
但是，没有责任承担由Analog Devices供其使用，也不对任何
侵犯第三方专利或其他权利，可能导致其使用的。
规格如有变更，恕不另行通知。没有获发牌照以暗示
或者以其他方式在ADI公司的任何专利或专利权。商标
注册商标均为其各自所有者的财产。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781.329.4700
www.analog.com
传真： 781.461.3113
2005 ADI公司保留所有权利。
ADG836
目录
规格................................................. .................................... 3
绝对最大额定值............................................... ............. 6
ESD注意事项................................................ .................................. 6
引脚配置................................................ ........................... 7
典型性能特征.............................................. 8
测试电路................................................ ..................................... 11
外形尺寸................................................ ....................... 13
订购指南................................................ .......................... 13
修订历史
4月5日 - 修订版。 0到版本A
更新格式................................................ ..................通用
更改表1 .............................................. .............................. 3
更改表2 .............................................. .............................. 4
更改表3 .............................................. .............................. 5
更改订购指南.............................................. ............ 13
修订版0 ：初始版
版本A |第16页2
ADG836
特定网络阳离子
V
DD
= 2.7 V至3.6 V ，GND = 0V ，除非另有说明。
表1中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻匹配
通道之间（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
2
t
ON
t
关闭
突破前先延时
(t
BBM
)
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
+25°C
温度
1
-40 ° C至+ 85 ° C -40 ° C至+ 125°C
0 V至V
DD
0.5
0.65
0.04
0.1
0.15
±0.2
±0.2
2
0.8
0.005
±0.1
4
21
26
4
7
17
40
67
90
67
总谐波失真（ THD + N）
插入损耗
-3 dB带宽
C
S
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
0.02
0.05
57
25
75
0.003
1
1
2
单位
V
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
nA的典型值
nA的典型值
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
%
dB典型值
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
μA （典型值）
μA（最大值）
测试条件/评论
0.75
0.075
0.8
0.08
0.16
V
DD
= 2.7 V, V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= 100毫安;
图19
V
DD
= 2.7 V, V
S
= 0.65 V，I
S
= 100毫安
V
DD
= 2.7 V, V
S
= 0 V到V
DD
I
S
= 100毫安
V
DD
= 3.6 V
V
S
= 0.6 V/3.3 V, V
D
= 3.3 V/0.6 V;
图20
V
S
= V
D
= 0.6 V或3.3 V ;图21
V
IN
= V
INL
或V
INH
28
8
29
9
5
R
L
= 50 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 V / 0 V ;图22
R
L
= 50 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 V ;图22
R
L
= 50 , C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 1.5 V ;图23
V
S
= 1.5 V ，R
S
= 0 , C
L
= 1 nF的;图24
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 100千赫;
图25
S1A ， S2A / S1B - S2B ，R
L
= 50 ,
C
L
= 5 PF， F = 100千赫;图28
S1A ， S1B / S2A - S2B ，R
L
= 50 ,
C
L
= 5 PF， F = 100千赫;图27
R
L
= 32 Ω ， F = 20 Hz到20 kHz ，
V
S
= 2 V P-P
R
L
= 50 , C
L
= 5 pF的;图26
R
L
= 50 , C
L
= 5 pF的;图26
V
DD
= 3.6 V
数字输入= 0 V或3.6 V
4
温度范围Y的版本为-40 ° C至+ 125°C 。
通过设计保证，不受生产测试。
版本A |第16页3
ADG836
V
DD
= 2.5 V± 0.2 V ，GND = 0V ，除非另有说明。
表2中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
2
t
ON
温度
1
+ 25 ° C -40 ° C至+ 85 ° C -40 ° C至+ 125°C单位
0 V至V
DD
0.65
0.72
0.04
0.16
0.23
±0.2
±0.2
1.7
0.7
0.005
±0.1
4
0.24
0.8
0.08
0.88
0.085
V
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
nA的典型值
nA的典型值
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
V
IN
= V
INL
或V
INH
测试条件/评论
V
DD
= 2.3 V, V
S
= 0 V到V
DD,
I
S
= 100毫安;
图19
V
DD
= 2.3 V, V
S
= 0.7 V，I
S
= 100毫安
V
DD
= 2.3 V, V
S
= 0 V到V
DD,
I
S
= 100毫安
V
DD
= 2.7 V
V
S
= 0.6 V/2.4 V, V
D
= 2.4 V / 0.6 V ;图20
V
S
= V
D
= 0.6 V或2.4 V ;图21
23
29
t
关闭
5
7
突破前先延时（T
BBM
) 17
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
30
67
90
67
30
8
31
9
5
总谐波失真（ THD + N）
插入损耗
-3 dB带宽
C
S
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
0.022
0.06
57
25
75
0.003
1
4
R
L
= 50 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 V / 0 V ;图22
R
L
= 50 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 V ;图22
R
L
= 50 , C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 1.5 V ;图23
V
S
= 1.25 V ，R
S
= 0 , C
L
= 1 nF的;图24
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 100千赫;图25
S1AS2A/S1BS2B,
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 100千赫;图28
dB典型值
S1AS1B/S2AS2B,
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 100千赫;图27
%
R
L
= 32 Ω ， F = 20 Hz到20 kHz ，V
S
= 1.5 V P-P
dB典型值
R
L
= 50 , C
L
= 5 pF的;图26
MHz的典型
L
= 50 , C
L
= 5 pF的;图26
pF的典型值
pF的典型值
V
DD
= 2.7 V
μA （典型值）
数字输入= 0 V或2.7 V
μA（最大值）
1
2
温度范围Y的版本为-40 ° C至+ 125°C 。
通过设计保证，不受生产测试。
版本A |第16页4
ADG836
V
DD
= 1.65 V± 1.95 V， GND = 0V，除非另有说明。
表3中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
+25°C
温度
1
-40 ° C至+ 85 ° C -40 ° C至+ 125°C
0 V至V
DD
1
1.4
2
0.1
2.2
4
2.2
4
单位
V
= （典型值）
=最大
=最大
= （典型值）
测试条件/评论
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
2
t
ON
t
关闭
突破前先延时（T
BBM
)
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
V
DD
= 1.8 V, V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= 100毫安;
图19
V
DD
= 1.65 V, V
S
= 0 V到V
DD
,
I
S
= 100毫安;图19
V
DD
= 1.65 V, V
S
= 0.7 V，I
S
= 100毫安
V
DD
= 1.95 V
V
S
= 0.6 V/1.65 V, V
D
= 1.65 V/0.6 V;
图20
V
S
= V
D
= 0.6 V或1.65 V ;图21
±0.2
±0.2
0.65 V
DD
0.35 V
DD
0.005
±0.1
4
28
37
7
9
21
20
67
90
nA的典型值
nA的典型值
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
V
IN
= V
INL
或V
INH
38
10
39
11
5
67
dB典型值
总谐波失真THD
插入损耗
-3 dB带宽
C
S
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
0.14
0.08
57
25
75
0.003
1.0
4
%
dB典型值
兆赫
典型值
pF的典型值
pF的典型值
μA （典型值）
μA（最大值）
R
L
= 50 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 V / 0 V ;图22
R
L
= 50 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 V ;图22
R
L
= 50 , C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 1V ;图23
V
S
= 1 V ，R
S
= 0 V ，C
L
= 1 nF的;图24
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 100千赫;
图25
S1AS2A/S1BS2B;
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 100千赫;
图28
S1AS1B/S2AS2B;
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 100千赫;
图27
R
L
= 32 Ω ， F = 20 Hz到20 kHz ，
V
S
= 1.2 V P-P
R
L
= 50 , C
L
= 5 pF的;图26
R
L
= 50 , C
L
= 5 pF的;图26
V
DD
= 1.95 V
数字输入= 0 V或1.95 V
1
2
温度范围Y的版本为-40 ° C至+ 125°C 。
通过设计保证，不受生产测试。
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