0.5 Ω CMOS 1.65 V至3.6 V
双路SPDT / 2 ： 1 MUX
ADG836L
特点
0.5 Ω典型导通电阻
0.8 Ω最大导通电阻在125°C
1.65 V至3.6 V的操作
汽车级温度范围： -40 ° C至+ 125°C
保证漏电规格达125°C
高载流能力：300 mA连续
轨到轨开关工作
快速开关时间<20 NS
典型功耗： <0.1 μW
功能框图
ADG836L
S1A
D1
S1B
IN1
IN2
S2A
D2
S2B
04753-0-001
应用
手机
掌上电脑
MP3播放器
电源布线
电池供电系统
PCMCIA卡
调制解调器
音频和视频信号路由
通信系统
开关所对于逻辑1输入
图1 。
概述
该ADG836L是含有两个低电压CMOS器件
独立可选的单刀双掷（ SPDT ）
开关。该器件具有超低的不足性
0.8 Ω ，在整个温度范围内。该ADG836L完全
对于3.3 V指定， 2.5 V和1.8 V电源供电。
每个开关进行同样在两个方向开启时，
并具有延伸到电源的输入信号范围。该
ADG836L展品先开后合式开关动作。
该ADG836L可在一个10引脚封装。
产品亮点
1.
2.
3.
4.
5.
6.
小于0.8 Ω在全温度范围内
40°C
至+ 125°C 。
单1.65 V至3.6 V的操作。
兼容1.8 V CMOS逻辑。
高电流处理能力（300 mA连续
电流在3.3 V） 。
低THD + N（ 0.02 ％典型值） 。
小型10引脚MSOP封装。
REV 。一
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www.analog.com
传真： 781.326.8703
2004 ADI公司保留所有权利。
ADG836L
目录
规格................................................. .................................... 3
绝对最大额定值............................................... ............. 6
真值表................................................ ........................................ 6
销术语................................................ ............................... 7
典型性能特征............................................. 8
测试电路................................................ ..................................... 11
外形尺寸................................................ ....................... 13
订购指南................................................ ........................... 14
修订历史
5月4日，数据表，从第0更改为版本A
更新订购指南............................................... ................ 14
4月4日 - 修订版0 ：初始版
版本A |第16页2
ADG836L
特定网络阳离子
表1. V
DD
= 2.7 V至3.6 V ，GND = 0V ，除非另有说明。
1
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
2
t
ON
t
关闭
突破前先延时
(t
BBM
)
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
+25°C
40°C – +85°C
40°C – +125°C
0 V至V
DD
0.5
0.65
0.04
0.1
0.15
±0.2
±1
±0.2
±1
0.16
0.75
0.075
0.8
0.08
单位
V
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
%
dB典型值
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
μA （典型值）
μA（最大值）
测试条件/评论
V
DD
= 2.7 V
V
DD
= 2.7 V, V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= 10毫安
（图18）
V
DD
= 2.7 V, V
S
= 0.65 V，I
S
= 10毫安
V
DD
= 2.7 V, V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= 10毫安
V
DD
= 3.6 V
V
S
= 0.6 V/3.3 V, V
D
= 3.3 V/0.6 V
（图19）
V
S
= V
D
= 0.6 V或3.3 V （图20）
±10
±15
±100
±120
2
0.8
0.005
±0.1
4
21
26
4
7
17
V
IN
= V
INL
或V
INH
28
8
29
9
R
L
= 50 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 V / 0 V （图21）
R
L
= 50 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5伏（图21）
R
L
= 50 , C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 1.5 V（图22）
V
S
= 1.5 V ，R
S
= 0 , C
L
= 1 nF的（图23）
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 100千赫（图24）
S1A ， S2A / S1B - S2B （图27）
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 100千赫
S1A ， S1B / S2A - S2B （图26）
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 100千赫
R
L
= 32 Ω ， F = 20 Hz到20 kHz ，V
S
= 2 V P-P
R
L
= 50 , C
L
= 5 pF的（图25）
R
L
= 50 , C
L
= 5 pF的（图25）
5
40
67
90
67
总谐波失真
（ THD + N）
插入损耗
-3 dB带宽
C
S
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
0.02
0.05
57
25
75
0.003
1
温度范围Y的版本
40°C
至+ 125°C 。
通过设计保证，不受生产测试。
V
DD
= 3.6 V
数字输入= 0 V或3.6 V
4
1
2
版本A |第16页3
ADG836L
表2. V
DD
= 2.5 V± 0.2 V ，GND = 0V ，除非另有说明。
1
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
2
t
ON
t
关闭
突破前先延时
(t
BBM
)
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
+25°C
40°C – +85°C 40°C – +125°C
0 V至V
DD
0.65
0.72
0.04
0.16
0.23
±0.2
±0.4
±0.2
±0.6
0.24
0.8
0.08
0.88
0.085
单位
V
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
%
dB典型值
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
μA （典型值）
μA（最大值）
V
IN
= V
INL
或V
INH
测试条件/评论
V
DD
= 2.3 V, V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= 10毫安
（图18）
V
DD
= 2.3 V, V
S
= 0.7 V，I
S
= 10毫安
V
DD
= 2.3 V, V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= 10毫安
V
DD
= 2.7 V
V
S
= 0.6 V/2.4 V, V
D
= 2.4 V/0.6 V
（图19）
V
S
= V
D
= 0.6 V或2.4 V （图20）
±4
±12
±45
±90
1.7
0.7
0.005
±0.1
4
23
29
5
7
17
30
8
31
9
R
L
= 50 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 V / 0 V （图21）
R
L
= 50 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5伏（图21）
R
L
= 50 , C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 1.5 V（图22）
V
S
= 1.25 V ，R
S
= 0 , C
L
= 1 nF的（图23）
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 100千赫（图24）
S1AS2A/S1BS2B;
R
L
= 50 V ，C
L
= 5 PF， F = 100千赫;图27
S1AS1B/S2AS2B;
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 100千赫图25
R
L
= 32 Ω ， F = 20 Hz到20 kHz ，V
S
= 1.5 V P-P
R
L
= 50 , C
L
= 5 pF的（图25）
R
L
= 50 , C
L
= 5 pF的（图25）
5
30
67
90
67
总谐波失真
（ THD + N）
插入损耗
-3 dB带宽
C
S
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
0.022
0.06
57
25
75
0.003
1
温度范围Y的版本
40°C
至+ 125°C 。
通过设计保证，不受生产测试。
V
DD
= 2.7 V
数字输入= 0 V或2.7 V
4
1
2
版本A |第16页4
ADG836L
表3. V
DD
= 1.65 V± 1.95 V， GND = 0V，除非另有说明。
1
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
+25°C
40°C – +85°C
40°C – +125°C
0 V至V
DD
1
1.4
2
0.1
2.2
4
2.2
4
单位
V
= （典型值）
=最大
= （典型值）
= （典型值）
测试条件/评论
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
2
t
ON
t
关闭
突破前先延时
(t
BBM
)
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
V
DD
= 1.8 V, V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= 10毫安
（图18）
V
DD
= 1.65 V, V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= 10毫安
V
DD
= 1.65 V, V
S
= 0.7 V，I
S
= 10毫安
V
DD
= 1.95 V
V
S
= 0.6 V/1.65 V, V
D
= 1.65 V/0.6 V
（图19）
V
S
= V
D
= 0.6 V或1.65 V图20
±0.2
±0.4
±0.2
±0.6
±4
±10
±25
±75
0.65 V
DD
0.35 V
DD
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
0.005
±0.1
4
28
37
7
9
21
V
IN
= V
INL
或V
INH
38
10
39
11
R
L
= 50 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 Ω / 0V（图21）
R
L
= 50 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5伏（图21）
R
L
= 50 , C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 1 V （图22）
V
S
= 1 V ，R
S
= 0 V ，C
L
= 1 nF的（图23）
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 100 kHz时，
（图24）
S1AS2A/S1BS2B;
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 100千赫
（图27）
S1AS1B/S2AS2B;
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 100千赫
（图25）
R
L
= 32 Ω ， F = 20 Hz到20 kHz ，
V
S
= 1.2 V P-P
R
L
= 50 , C
L
= 5 pF的（图25）
R
L
= 50 , C
L
= 5 pF的（图25）
5
20
67
90
67
dB典型值
总谐波失真
（ THD + N）
插入损耗
-3 dB带宽
C
S
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
0.14
0.08
57
25
75
0.003
1.0
4
%
dB典型值
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
μA （典型值）
μA（最大值）
V
DD
= 1.95 V
数字输入= 0 V或1.95 V
1
2
温度范围Y的版本
40°C
至+ 125°C 。
通过设计保证，不受生产测试。
版本A |第16页5
QQ：2880707522 复制
