a
特点
0.8最大导通电阻@ 125℃
0.28最大导通电阻平坦度@ 125℃
1.8 V至5.5 V单电源供电
200毫安电流承载能力
汽车级温度范围： -40°C至+ 125
轨到轨工作
8引脚MSOP封装
33 ns的开关时间
典型功耗（ <0.01 W）
TTL / CMOS兼容输入
引脚兼容ADG721 / 723分之722
应用
电源布线
电池供电系统
通信系统
数据采集系统
音频和视频信号路由
手机
调制解调器
PCMCIA卡
硬盘驱动器
继电器更换
S1
<1
CMOS 1.8 V至5.5 V ，
双通道SPST开关
ADG821/ADG822/ADG823
功能框图
ADG821
S1
IN1
D1
D2
IN2
S2
IN2
S2
D1
D2
IN1
ADG822
ADG823
S1
IN1
D1
D2
IN2
S2
开关所对于逻辑“ 0 ”
输入
概述
产品亮点
该ADG821 ， ADG822和ADG823均为单芯片CMOS
SPST （单刀单掷）开关。这些开关
设计采用先进的亚微米工艺，提供低
功耗，高开关速度，低导通
性和低漏电流。
该ADG821 ， ADG822和ADG823被设计成操作
从单一1.8 V至5.5 V电源供电，非常适合用
在电池供电的仪器。
该ADG821 / ADG822 / ADG823的各开关的导电性能相同
在两个方向上的时候。该ADG821 ， ADG822和
ADG823包含两个独立的SPST开关。该ADG821
和ADG822的区别仅在于这两个开关为常开
和常闭，分别在ADG823 ，开关1
常开开关2是常闭的。该ADG823
展品先开后合式开关动作。
该ADG821 ， ADG822和ADG823均采用8引脚
MSOP封装。
1.非常低的导通电阻（ 0.5
典型值）
2.导通电阻平坦度（R
平（ON）的
) (0.15
典型值）
3.汽车级温度范围-40 ° C至+ 125°C
4. 200毫安电流承载能力
5.低功耗。 CMOS结构确保了低
功耗。
6. 8引脚MSOP封装
第0版
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯该
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式
在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781 / 329-4700
www.analog.com
传真： 781 / 326-8703
ADI公司， 2002年
±
10 ％ ， GND = 0 V，所有规格
ADG821/ADG822/ADG823–SPECIFICATIONS
1
（V = C 5toV + 125 ℃，除非另有说明。 ）
–40
DD
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
流掉泄漏我
D
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
3
t
ON
t
关闭
25 C
-40 ℃
+85 C
-40 ℃
+125 C
2
0 V至V
DD
单位
V
典型值
最大
典型值
最大
典型值
最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
A
典型值
A
最大
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
测试条件/评论
0.5
0.6
0.16
0.2
0.15
0.23
±
0.01
±
0.25
±
0.01
±
0.25
±
0.01
±
0.25
0.7
0.8
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= 100毫安;
测试电路1
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= 100毫安
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= 100毫安
V
DD
= 5.5 V
V
S
= 4.5 V/1 V, V
D
= 1 V/4.5 V;
测试电路2
V
S
= 4.5 V/1 V, V
D
= 1 V/4.5 V;
测试电路2
V
S
= V
D
= 1 V或V
S
= V
D
= 4.5 V;
测试电路3
0.25
0.26
0.28
0.3
±
3
±
3
±
3
±
25
±
25
±
25
2.0
0.8
0.005
±
0.1
4
33
45
11
16
32
V
IN
= V
INL
或V
INH
48
19
52
21
1
突破前先延时，T
BBM
（仅ADG823 ）
电荷注入
15
关断隔离
通道到通道的串扰
带宽的-3 dB
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
0.001
1.0
笔记
1
温度范围：汽车范围： -40 ° C至+ 125°C 。
2
导通电阻的参数与我测试
S
= 10 mA的电流。
3
通过设计保证，不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–52
–82
24
85
98
230
R
L
= 50
,
C
L
= 35 pF的，
V
S
= 3 V ;测试电路4
R
L
= 50
,
C
L
= 35 pF的，
V
S
= 3 V ;测试电路4
R
L
= 50
,
C
L
= 35 pF的，
V
S1
= V
S2
= 3 V ;测试电路5
V
S
= 2.5 V ;
S
= 0
,
C
L
= 1 nF的;
测试电路6
R
L
= 50
,
C
L
= 5 pF的，
F = 1兆赫;测试电路7
R
L
= 50
,
C
L
= 5 pF的
F = 1兆赫;测试电路9
R
L
= 50
,
C
L
= 5 pF的;
测试电路8
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
V
DD
= 5.5 V
数字输入= 0 V或5.5 V
2.0
A
典型值
A
最大
–2–
第0版
(V
DD
= 2.7 V至3.6 V ， GND = 0 V.所有规格-40℃ + 125 ℃，除非另有说明。 ）
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
流掉泄漏我
D
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
3
t
ON
t
关闭
突破前先延时，T
BBM
（仅ADG823 ）
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
带宽的-3 dB
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
0.001
1.0
笔记
1
温度范围：汽车范围： -40 ° C至+ 125°C 。
2
导通电阻的参数与我测试
S
= 10 mA的电流。
3
通过设计保证，不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
1
ADG821/ADG822/ADG823
测试条件/评论
25 C
-40 ℃
+85 C
-40 ℃
+125 C
2
0 V至V
DD
单位
V
典型值
最大
典型值
最大
典型值
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
A
典型值
A
最大
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
0.7
1.4
0.16
0.2
0.3
±
0.01
±
0.25
±
0.01
±
0.25
±
0.01
±
0.25
1.5
0.25
1.6
0.28
0.33
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= 100毫安;
测试电路1
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= 100毫安
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= 100毫安
V
DD
= 3.6 V
V
S
= 3.3 V/1 V, V
D
= 1 V/3.3 V;
测试电路2
V
S
= 3.3 V/1 V, V
D
= 1 V/3.3 V;
测试电路2
V
S
= V
D
= 1 V或3.3 V ;
测试电路3
±
3
±
3
±
3
±
15
±
25
±
25
2.0
0.8
0.005
±
0.1
4
48
67
12
18
40
±
2
–52
–82
24
85
98
230
V
IN
= V
INL
或V
INH
74
20
78
23
1
R
L
= 50
,
C
L
= 35 pF的，
V
S
= 1.5 V ;测试电路4
R
L
= 50
,
C
L
= 35 pF的，
V
S
= 1.5 V ;测试电路4
R
L
= 50
,
C
L
= 35 pF的，
V
S1
= V
S2
= 1.5V ;测试电路5
V
S
= 1.5 V ;
S
= 0
,
C
L
= 1 nF的;
测试电路6
R
L
= 50
,
C
L
= 5 pF的，
F = 1兆赫;测试电路7
R
L
= 50
,
C
L
= 5 pF的，
F = 1兆赫;测试电路9
R
L
= 50
,
C
L
= 5 pF的;
测试电路8
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
V
DD
= 3.6 V
数字输入= 0 V或3.6 V
2.0
A
典型值
A
最大
第0版
–3–
规格RIGHT
ADG821/ADG822/ADG823
绝对最大额定值
1
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明。 ）
V
DD
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+7 V
模拟输入
2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
0.3 V到V
DD
+ 0.3 V或
30毫安，以先到为准
2
数字输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
DD
+ 0.3 V或
30毫安，以先到为准
峰值电流，S或D 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 400毫安
（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比最大）
连续电流，S或D 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200毫安
工作温度范围
汽车。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 125°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65∞C至+ 150∞C
结温（T
j
最大值）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
封装功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （T
j
马克斯 - T的
A
)/θ
JA
8引脚MSOP封装
θ
JA
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 206 ° C / W
θ
JC
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 44 ° C / W
焊接温度，焊接（ 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
IR回流焊，峰值温度（ <20秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 235℃
笔记
1
注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作
器件在这些或以上的运作中列出的任何其他条件
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。只有一个绝对的
最大额定值可在任一时间施加。
2
过电压在IN ，S或D将通过内部二极管钳位。当前应
限于给出的最大额定值。
表Ⅰ真值表为ADG821 / ADG822
表II中。真值表为ADG823
ADG821 INx的
0
1
ADG822 INx的
1
0
交换机X条件
关闭
ON
IN1
0
0
1
1
IN2
0
1
0
1
开关S1
关闭
关闭
ON
ON
开关S2
ON
关闭
ON
关闭
订购指南
型号选
ADG821BRM
ADG822BRM
ADG823BRM
*
温度范围
-40 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 125°C
BRAND
*
SQB
SRB
SSB
包装说明
MSOP （ microSmall外形集成电路）
MSOP （ microSmall外形集成电路）
MSOP （ microSmall外形集成电路）
包
RM-8
RM-8
RM-8
品牌的MSOP封装限制为三个字符，由于空间的限制。
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然
ADG821 / ADG822 / ADG823具有专用ESD保护电路，可能永久的损坏
发生在受到高能静电放电设备。因此，适当的ESD防范措施
建议，以避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
–4–
第0版
ADG821/ADG822/ADG823
引脚配置
8引脚MSOP
(RM-8)
V
顶视图
8
DD
（不按比例）
D1 2
7
IN1
IN2 3
GND 4
S1 1
ADG821/
ADG822/
ADG823
6
D2
5
S2
术语
V
DD
GND
I
DD
S
D
IN
R
ON
R
ON
R
平（ON）的
I
S
（关闭）
I
D
（关闭）
I
D
, I
S
（上）
V
D
(V
S
)
V
INL
V
INH
I
INL
(I
INH
)
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
t
ON
t
关闭
t
BBM
电荷注入
相声
关断隔离
带宽
ON响应
插入损耗
最正电源电位
接地（ 0 V ）参考
正电源电流
源终端。可以是输入或输出。
漏极。可以是输入或输出。
逻辑控制输入
D和S之间的欧姆电阻
导通电阻匹配任意两个通道之间（即，R
ON
马克斯 - R的
ON
分）
平整度是指在电阻的最大值和最小值之间的差
测量在指定的模拟信号范围。
源极漏电流的开关OFF
漏极漏电流开关断开
道泄漏电流与交换机上
模拟电压的端子D和S
最大输入电压为逻辑“ 0 ”
最小输入电压为逻辑“ 1 ”
数字输入的输入电流
OFF开关源极电容
OFF开关漏极电容
ON开关电容
运用数字控制输入和输出开关ON之间的延迟
运用数字控制输入和输出开关关之间的延迟
断开时间或接通两个开关的90 ％的点之间测得的时间，从一个切换时
解决状态到另一个状态。
它是在切换期间从数字输入传送到模拟输出的干扰脉冲的测量值。
它是衡量无用信号是通过从一个信道耦合到另一结果
的寄生电容。
耦合的无用信号通过关切换功能的措施
在其输出由-3分贝衰减频率
ON开关的频率响应
由于开关的导通电阻的损耗
第0版
–5–
a
特点
0.8最大导通电阻@ 125℃
0.28最大导通电阻平坦度@ 125℃
1.8 V至5.5 V单电源供电
200毫安电流承载能力
汽车级温度范围： -40°C至+ 125
轨到轨工作
8引脚MSOP封装
33 ns的开关时间
典型功耗（ <0.01 W）
TTL / CMOS兼容输入
引脚兼容ADG721 / 723分之722
应用
电源布线
电池供电系统
通信系统
数据采集系统
音频和视频信号路由
手机
调制解调器
PCMCIA卡
硬盘驱动器
继电器更换
S1
<1
CMOS 1.8 V至5.5 V ，
双通道SPST开关
ADG821/ADG822/ADG823
功能框图
ADG821
S1
IN1
D1
D2
IN2
S2
IN2
S2
D1
D2
IN1
ADG822
ADG823
S1
IN1
D1
D2
IN2
S2
开关所对于逻辑“ 0 ”
输入
概述
产品亮点
该ADG821 ， ADG822和ADG823均为单芯片CMOS
SPST （单刀单掷）开关。这些开关
设计采用先进的亚微米工艺，提供低
功耗，高开关速度，低导通
性和低漏电流。
该ADG821 ， ADG822和ADG823被设计成操作
从单一1.8 V至5.5 V电源供电，非常适合用
在电池供电的仪器。
该ADG821 / ADG822 / ADG823的各开关的导电性能相同
在两个方向上的时候。该ADG821 ， ADG822和
ADG823包含两个独立的SPST开关。该ADG821
和ADG822的区别仅在于这两个开关为常开
和常闭，分别在ADG823 ，开关1
常开开关2是常闭的。该ADG823
展品先开后合式开关动作。
该ADG821 ， ADG822和ADG823均采用8引脚
MSOP封装。
1.非常低的导通电阻（ 0.5
典型值）
2.导通电阻平坦度（R
平（ON）的
) (0.15
典型值）
3.汽车级温度范围-40 ° C至+ 125°C
4. 200毫安电流承载能力
5.低功耗。 CMOS结构确保了低
功耗。
6. 8引脚MSOP封装
第0版
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯该
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式
在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781 / 329-4700
www.analog.com
传真： 781 / 326-8703
ADI公司， 2002年
±
10 ％ ， GND = 0 V，所有规格
ADG821/ADG822/ADG823–SPECIFICATIONS
1
（V = C 5toV + 125 ℃，除非另有说明。 ）
–40
DD
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
流掉泄漏我
D
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
3
t
ON
t
关闭
25 C
-40 ℃
+85 C
-40 ℃
+125 C
2
0 V至V
DD
单位
V
典型值
最大
典型值
最大
典型值
最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
A
典型值
A
最大
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
测试条件/评论
0.5
0.6
0.16
0.2
0.15
0.23
±
0.01
±
0.25
±
0.01
±
0.25
±
0.01
±
0.25
0.7
0.8
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= 100毫安;
测试电路1
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= 100毫安
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= 100毫安
V
DD
= 5.5 V
V
S
= 4.5 V/1 V, V
D
= 1 V/4.5 V;
测试电路2
V
S
= 4.5 V/1 V, V
D
= 1 V/4.5 V;
测试电路2
V
S
= V
D
= 1 V或V
S
= V
D
= 4.5 V;
测试电路3
0.25
0.26
0.28
0.3
±
3
±
3
±
3
±
25
±
25
±
25
2.0
0.8
0.005
±
0.1
4
33
45
11
16
32
V
IN
= V
INL
或V
INH
48
19
52
21
1
突破前先延时，T
BBM
（仅ADG823 ）
电荷注入
15
关断隔离
通道到通道的串扰
带宽的-3 dB
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
0.001
1.0
笔记
1
温度范围：汽车范围： -40 ° C至+ 125°C 。
2
导通电阻的参数与我测试
S
= 10 mA的电流。
3
通过设计保证，不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–52
–82
24
85
98
230
R
L
= 50
,
C
L
= 35 pF的，
V
S
= 3 V ;测试电路4
R
L
= 50
,
C
L
= 35 pF的，
V
S
= 3 V ;测试电路4
R
L
= 50
,
C
L
= 35 pF的，
V
S1
= V
S2
= 3 V ;测试电路5
V
S
= 2.5 V ;
S
= 0
,
C
L
= 1 nF的;
测试电路6
R
L
= 50
,
C
L
= 5 pF的，
F = 1兆赫;测试电路7
R
L
= 50
,
C
L
= 5 pF的
F = 1兆赫;测试电路9
R
L
= 50
,
C
L
= 5 pF的;
测试电路8
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
V
DD
= 5.5 V
数字输入= 0 V或5.5 V
2.0
A
典型值
A
最大
–2–
第0版
(V
DD
= 2.7 V至3.6 V ， GND = 0 V.所有规格-40℃ + 125 ℃，除非另有说明。 ）
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
流掉泄漏我
D
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
3
t
ON
t
关闭
突破前先延时，T
BBM
（仅ADG823 ）
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
带宽的-3 dB
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
0.001
1.0
笔记
1
温度范围：汽车范围： -40 ° C至+ 125°C 。
2
导通电阻的参数与我测试
S
= 10 mA的电流。
3
通过设计保证，不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
1
ADG821/ADG822/ADG823
测试条件/评论
25 C
-40 ℃
+85 C
-40 ℃
+125 C
2
0 V至V
DD
单位
V
典型值
最大
典型值
最大
典型值
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
A
典型值
A
最大
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
0.7
1.4
0.16
0.2
0.3
±
0.01
±
0.25
±
0.01
±
0.25
±
0.01
±
0.25
1.5
0.25
1.6
0.28
0.33
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= 100毫安;
测试电路1
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= 100毫安
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= 100毫安
V
DD
= 3.6 V
V
S
= 3.3 V/1 V, V
D
= 1 V/3.3 V;
测试电路2
V
S
= 3.3 V/1 V, V
D
= 1 V/3.3 V;
测试电路2
V
S
= V
D
= 1 V或3.3 V ;
测试电路3
±
3
±
3
±
3
±
15
±
25
±
25
2.0
0.8
0.005
±
0.1
4
48
67
12
18
40
±
2
–52
–82
24
85
98
230
V
IN
= V
INL
或V
INH
74
20
78
23
1
R
L
= 50
,
C
L
= 35 pF的，
V
S
= 1.5 V ;测试电路4
R
L
= 50
,
C
L
= 35 pF的，
V
S
= 1.5 V ;测试电路4
R
L
= 50
,
C
L
= 35 pF的，
V
S1
= V
S2
= 1.5V ;测试电路5
V
S
= 1.5 V ;
S
= 0
,
C
L
= 1 nF的;
测试电路6
R
L
= 50
,
C
L
= 5 pF的，
F = 1兆赫;测试电路7
R
L
= 50
,
C
L
= 5 pF的，
F = 1兆赫;测试电路9
R
L
= 50
,
C
L
= 5 pF的;
测试电路8
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
V
DD
= 3.6 V
数字输入= 0 V或3.6 V
2.0
A
典型值
A
最大
第0版
–3–
规格RIGHT
ADG821/ADG822/ADG823
绝对最大额定值
1
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明。 ）
V
DD
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+7 V
模拟输入
2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
0.3 V到V
DD
+ 0.3 V或
30毫安，以先到为准
2
数字输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
DD
+ 0.3 V或
30毫安，以先到为准
峰值电流，S或D 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 400毫安
（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比最大）
连续电流，S或D 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200毫安
工作温度范围
汽车。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 125°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65∞C至+ 150∞C
结温（T
j
最大值）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
封装功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （T
j
马克斯 - T的
A
)/θ
JA
8引脚MSOP封装
θ
JA
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 206 ° C / W
θ
JC
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 44 ° C / W
焊接温度，焊接（ 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
IR回流焊，峰值温度（ <20秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 235℃
笔记
1
注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作
器件在这些或以上的运作中列出的任何其他条件
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。只有一个绝对的
最大额定值可在任一时间施加。
2
过电压在IN ，S或D将通过内部二极管钳位。当前应
限于给出的最大额定值。
表Ⅰ真值表为ADG821 / ADG822
表II中。真值表为ADG823
ADG821 INx的
0
1
ADG822 INx的
1
0
交换机X条件
关闭
ON
IN1
0
0
1
1
IN2
0
1
0
1
开关S1
关闭
关闭
ON
ON
开关S2
ON
关闭
ON
关闭
订购指南
型号选
ADG821BRM
ADG822BRM
ADG823BRM
*
温度范围
-40 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 125°C
BRAND
*
SQB
SRB
SSB
包装说明
MSOP （ microSmall外形集成电路）
MSOP （ microSmall外形集成电路）
MSOP （ microSmall外形集成电路）
包
RM-8
RM-8
RM-8
品牌的MSOP封装限制为三个字符，由于空间的限制。
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然
ADG821 / ADG822 / ADG823具有专用ESD保护电路，可能永久的损坏
发生在受到高能静电放电设备。因此，适当的ESD防范措施
建议，以避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
–4–
第0版
ADG821/ADG822/ADG823
引脚配置
8引脚MSOP
(RM-8)
V
顶视图
8
DD
（不按比例）
D1 2
7
IN1
IN2 3
GND 4
S1 1
ADG821/
ADG822/
ADG823
6
D2
5
S2
术语
V
DD
GND
I
DD
S
D
IN
R
ON
R
ON
R
平（ON）的
I
S
（关闭）
I
D
（关闭）
I
D
, I
S
（上）
V
D
(V
S
)
V
INL
V
INH
I
INL
(I
INH
)
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
t
ON
t
关闭
t
BBM
电荷注入
相声
关断隔离
带宽
ON响应
插入损耗
最正电源电位
接地（ 0 V ）参考
正电源电流
源终端。可以是输入或输出。
漏极。可以是输入或输出。
逻辑控制输入
D和S之间的欧姆电阻
导通电阻匹配任意两个通道之间（即，R
ON
马克斯 - R的
ON
分）
平整度是指在电阻的最大值和最小值之间的差
测量在指定的模拟信号范围。
源极漏电流的开关OFF
漏极漏电流开关断开
道泄漏电流与交换机上
模拟电压的端子D和S
最大输入电压为逻辑“ 0 ”
最小输入电压为逻辑“ 1 ”
数字输入的输入电流
OFF开关源极电容
OFF开关漏极电容
ON开关电容
运用数字控制输入和输出开关ON之间的延迟
运用数字控制输入和输出开关关之间的延迟
断开时间或接通两个开关的90 ％的点之间测得的时间，从一个切换时
解决状态到另一个状态。
它是在切换期间从数字输入传送到模拟输出的干扰脉冲的测量值。
它是衡量无用信号是通过从一个信道耦合到另一结果
的寄生电容。
耦合的无用信号通过关切换功能的措施
在其输出由-3分贝衰减频率
ON开关的频率响应
由于开关的导通电阻的损耗
第0版
–5–
QQ：2880707522 复制
