【<1 Ω CMOS ， 1.8 V至5.5 V ，双通道SPST开关ADG821/ADG822】,IC型号ADG822BRM-REEL,ADG822BRM-REEL PDF资料,ADG822BRM-REEL经销商,ic,电子元器件-51电子网

<1 Ω CMOS ， 1.8 V至5.5 V ，

双通道SPST开关

ADG821/ADG822/ADG823

特点

0.8 Ω最大导通电阻@ 125°C

0.3 Ω最大导通电阻平坦度@ 125°C

1.8 V至5.5 V单电源供电

200毫安电流承载能力

汽车级温度范围： -40 ° C至+ 125°C

轨到轨工作

8引脚MSOP

33 ns的开关时间

典型功耗： <0.01 μW

TTL / CMOS兼容输入

引脚兼容的ADG721 / ADG722 / ADG723

功能方框图

ADG821

IN1

IN2

02851-001

ADG822

IN1

IN2

02851-002

示于开关

逻辑0输入。

示于开关

逻辑0输入。

图1 。

图2中。

应用

ADG823

IN1

IN2

02851-003

电源布线

电池供电系统

通信系统

数据采集系统

音频和视频信号路由

手机

调制解调器

PCMCIA卡

硬盘驱动器

继电器更换

示于开关

逻辑0输入。

网络连接gure 3 。

概述

该ADG821 / ADG822 / ADG823均为单芯片CMOS单

单刀单掷（SPST ）开关。这些开关的设计

采用先进的亚微米工艺，提供低功耗

功耗，高开关速度，低导通电阻，

和低泄漏电流。

该ADG821 / ADG822 / ADG823被设计成从操作

一个单一的1.8 V至5.5 V电源供电，非常适合用在

电池供电的仪器。

该ADG821 / ADG822 / ADG823行为的每个开关

同样在两个方向上的时候。该ADG821 /

ADG822 / ADG823包含两个独立的SPST开关。

该ADG821和ADG822的区别仅在于这两个开关都

常开和常闭，分别。在ADG823 ，

开关1是常开开关2是常闭的。该

ADG823展品先开后合式开关动作。

该ADG821 / ADG822 / ADG823是可用的

8引脚MSOP封装。

产品亮点

非常低的导通电阻为0.5 Ω （典型值）。

导通电阻平坦度（R

平（ON）的

）： 0.15 Ω （典型值）。

汽车级温度范围： -40 ° C至+ 125°C 。

载流能力：200 mA的电流。

低功耗。 CMOS结构确保了低

功耗。

8引脚MSOP封装。

REV 。一

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一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.

联系电话： 781.329.4700

www.analog.com

ADG821/ADG822/ADG823

特点................................................. ............................................. 1

应用................................................. ...................................... 1

功能框图............................................... .............. 1

概述................................................ ......................... 1

产品亮点................................................ ........................... 1

修订历史................................................ ............................... 2

规格................................................. .................................... 3

绝对最大额定值............................................... ............. 5

ESD注意事项................................................ ................................... 5

引脚配置和功能描述.............................. 6

典型性能特征.............................................. 7

测试电路................................................ ........................................ 9

术语................................................. ................................... 11

外形尺寸................................................ ....................... 12

订购指南................................................ .......................... 12

修订历史

4月8日 - 修订版。 0到版本A

更新格式................................................ ..................通用

添加表6 ............................................... ..................................... 6

更新的外形尺寸............................................... ........ 12

更改订购指南.............................................. ............ 12

8月2日 - 修订版0 ：初始版

版本A |第12页2

ADG821/ADG822/ADG823

特定网络阳离子

= 5 V± 10 ％， GND = 0 V ;牛逼

= -40° C到+ 125 ℃，除非另有说明。

表1中。

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻（R

)

导通电阻之间的匹配

通道（ ΔR

)

导通电阻平坦度（R

平（ON）的

)

漏电流

源关闭泄漏，我

（关闭）

流掉泄漏，我

（关闭）

渠道渗漏，我

, I

（上）

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流

INL

还是我

INH

数字输入电容，C

动态特性

关闭

突破前先延时，T

BBM

（仅ADG823 ）

电荷注入

关断隔离

通道到通道的串扰

带宽的-3 dB

（关闭）

, C

（上）

电源要求

25°C

-40 ° C至

+85°C

-40 ° C至

+125°C

0 V至V

0.5

0.6

0.16

0.2

0.15

0.23

±0.01

±0.25

±0.01

±0.25

±0.01

±0.25

0.7

0.25

0.26

0.8

0.28

0.3

单位

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

μA （典型值）

μA（最大值）

pF的典型值

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最小值）

pC的典型值

dB典型值

兆赫（典型值）

pF的典型值

μA （典型值）

μA（最大值）

= V

INL

或V

INH

测试条件/评论

= 0 V到V

, I

= 100毫安，见图17

= 0 V到V

, I

= 100毫安

= 0 V到V

, I

= 100毫安

= 5.5 V

= 4.5 V/1 V, V

= 1 V / 4.5 V ，见图18

= 4.5 V/1 V, V

= 1 V / 4.5 V ，见图18

= V

= 1 V或V

= V

= 4.5 V ，见图19

±3

±25

2.0

0.8

0.005

±0.1

230

0.001

1.0

2.0

= 50 Ω, C

= 35 pF的，V

= 3 V ，见图20

= 50 Ω, C

= 35 pF的，V

= 3 V ，见图20

= 50 Ω, C

= 35 pF的，V

= V

= 3 V,

见图21

= 2.5 V ;

= 0 Ω, C

= 1 nF的，见图22

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 1MHz时，见图23

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 1MHz时，见图24

= 50 Ω, C

= 5 pF的，见图25

F = 1 MHz的

= 5.5 V ，数字输入= 0 V或5.5 V

导通电阻的参数与我测试

= 10 mA的电流。

通过设计保证，不受生产测试。

版本A |第12页3

ADG821/ADG822/ADG823

= 2.7 V至3.6 V ， GND = 0 V ，T

= -40° C到+ 125 ℃，除非另有说明。

表2中。

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻（R

)

导通电阻之间的匹配

通道（ ΔR

)

导通电阻平坦度（R

平（ON）的

)

漏电流

源关闭泄漏，我

（关闭）

流掉泄漏，我

（关闭）

渠道渗漏，我

, I

（上）

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流

INL

还是我

INH

数字输入电容，C

动态特性

关闭

突破前先延时，T

BBM

（仅ADG823 ）

电荷注入

关断隔离

通道到通道的串扰

带宽的-3 dB

（关闭）

, C

（上）

电源要求

25°C

-40 ° C至

+85°C

-40 ° C至

+125°C

0 V至V

0.7

1.4

0.16

0.2

0.3

±0.01

±0.25

±0.01

±0.25

±0.01

±0.25

1.5

0.25

1.6

0.28

0.33

单位

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

= （典型值）

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

μA （典型值）

μA（最大值）

pF的典型值

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最小值）

pC的典型值

dB典型值

兆赫（典型值）

pF的典型值

μA （典型值）

μA（最大值）

= V

INL

或V

INH

测试条件/评论

= 0 V到V

, I

= 100毫安，见图17

= 0 V到V

, I

= 100毫安

= 0 V到V

, I

= 100毫安

= 3.6 V

= 3.3 V/1 V, V

= 1 V / 3.3 V ，见图18

= 3.3 V/1 V, V

= 1 V / 3.3 V ，见图18

= V

= 1 V或3.3 V ，见图19

±3

±15

±25

2.0

0.8

0.005

±0.1

±2

230

0.001

1.0

2.0

= 50 Ω, C

= 35 pF的，V

= 1.5 V，见图20

= 50 Ω, C

= 35 pF的，V

= 1.5 V，见图20

= 50 Ω, C

= 35 pF的，V

= V

= 1.5 V,

见图21

= 1.5 V ;

= 0 Ω, C

= 1 nF的，见图22

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 1MHz时，见图23

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 1MHz时，见图24

= 50 Ω, C

= 5 pF的，见图25

F = 1 MHz的

= 3.6 V ，数字输入= 0 V或3.6 V

导通电阻的参数与我测试

= 10 mA的电流。

通过设计保证，不受生产测试。

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ADG821/ADG822/ADG823

绝对最大额定值

= 25 ℃，除非另有说明。

表3中。

参数

到GND

模拟输入

数字输入

峰值电流，S或D

连续电流，S或D

工作温度范围

汽车

存储温度范围

结温（T

MAX ）

封装功耗

8引脚MSOP封装的热阻抗

焊接温度，

焊接（ 10秒）

IR回流焊，峰值温度（ <20

秒）

等级

-0.3 V至+7 V

0.3 V到V

+ 0.3 V或30 mA时，

以先到为准科幻RST

0.3 V到V

+ 0.3 V或30 mA时，

以先到为准科幻RST

400毫安（脉冲为1毫秒，

10 ％占空比的最大值）

200毫安

-40 ° C至+ 125°C

-65 ° C至+ 150°C

150°C

马克斯 - T的

)/θ

206°C/W

44°C/W

300°C

235°C

注意，超出上述绝对最大额定值

可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力

只有等级;该器件在这些或任何功能操作

上述其他条件下的作战指示

本规范的部分，是不是暗示。暴露在绝对

最大额定值条件下工作会影响

器件的可靠性。

表4.真值表为ADG821 / ADG822

ADG821 INx的

ADG822 INx的

交换机X条件

关闭

表5.真值表为ADG823

IN1

IN2

开关S1

关闭

开关S2

关闭

ESD警告

过压IN ，S或D是由内部二极管钳位。当前应

限于给出的最大额定值。

版本A |第12页5