【a0.5 CMOS1.8 V至5.5 V 2 ： 1多路复用器/ SPDT开关ADG819/ADG8】,IC型号ADG820BRM,ADG820BRM PDF资料,ADG820BRM经销商,ic,电子元器件-51电子网

0.5 CMOS

1.8 V至5.5 V 2 ： 1多路复用器/ SPDT开关

ADG819/ADG820

功能框图

ADG819/

ADG820

开关所

对于逻辑“ 1 ”输入

特点

低导通电阻0.8最大在125℃

0.25最大导通电阻平坦度

1.8 V至5.5 V单电源供电

200毫安电流承载能力

汽车级温度范围： -40°C至+ 125

轨到轨工作

6引脚SOT- 23封装， 8引脚SOIC封装，以及

6焊球MicroCSP （微型芯片级封装） ADG819

快速开关时间

典型功耗（ <0.01 W）

TTL / CMOS兼容输入

引脚兼容于ADG719 （ ADG819 ）

应用

电源布线

电池供电系统

通信系统

数据采集系统

手机

调制解调器

PCMCIA卡

硬盘驱动器

继电器更换

概述

产品亮点

该ADG819和ADG820均为单芯片， CMOS ，单刀双掷

（单刀双掷）开关。这些开关的设计

在亚微米工艺，可提供低功耗，

高开关速度，低导通电阻和低泄漏

电流。

低功耗和1.8 V的工作电压范围

以5.5 V使ADG819和ADG820的理想于电池供电

ERED ，便携式仪器。

该ADG819和ADG820的各开关的导电性能相同

在两个方向上的时候。该ADG819展品突破性

前合式开关动作，从而防止瞬时短路

切换频道时。该ADG820展品制作，直至─

突破的动作。

的ADG819和ADG820是在6引脚可用的SOT-23

包和8引线

μSOIC

封装。该ADG819还

在2可用

3凹凸1.14毫米

2.18毫米MicroCSP

封装。该芯片只占用一个1.14毫米

2.18毫米区，

使其成为空间受限应用的理想人选。

1.非常低的导通电阻， 0.5

典型

2. 1.8 V至5.5 V单电源供电

3.高电流承载能力

4.微型6引脚SOT- 23封装， 8引脚

μSOIC

包装，

和2

3凹凸1.14毫米

2.18毫米MicroCSP包

（仅ADG819 ）

第0版

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一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.

联系电话： 781 / 329-4700

www.analog.com

传真： 781 / 326-8703

ADI公司， 2002年

ADG819/ADG820–SPECIFICATIONS

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻（R

)

导通电阻之间的匹配

通道（ ΔR

)

导通电阻平坦度（R

平（ON）的

)

漏电流

来源OFF漏我

（关闭）

渠道渗漏我

, I

（上）

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流

INL

还是我

INH

IN，

数字输入电容

动态特性

ADG819

关闭

突破前先延时，T

BBM

ADG820

关闭

先接后断延时，T

MBB

电荷注入

关断隔离

通道到通道的串扰

带宽的-3 dB

（关闭）

（上）

电源要求

笔记

温度范围为： -40 ° C至+ 125°C 。

导通电阻的参数与我测试

= 10 mA的电流。

通过设计保证，不受生产测试。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

的10％， GND = 0V。）

单位

典型值

最大

典型值

最大

典型值

最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

典型值

最大

pF的典型值

= V

INL

或V

INH

测试条件/评论

25 C

-40℃至-40℃到

+85 C

+125 C

0 V至V

0.5

0.6

0.06

0.08

0.1

0.17

0.01

0.25

0.01

0.25

0.7

0.8

= 0 V到V

, I

= 100毫安;

测试电路1

= 0 V到V

, I

= 100毫安

= 0 V到V

, I

= 100毫安

= 5.5 V

= 4.5 V/1 V, V

= 1 V/4.5 V;

测试电路2

= V

= 1 V或V

= V

= 4.5 V;

测试电路3

0.1

0.2

0.12

0.25

2.0

0.8

0.005

0.1

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最小值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最小值）

pC的典型值

dB典型值

兆赫（典型值）

pF的典型值

= 50

= 35 pF的，

= 3 V ;测试电路4

= 50

= 35 pF的，

= 3 V ;测试电路4

= 50

= 35 pF的，

= V

= 3 V ;测试电路5

= 50

= 35 pF的，

= 3 V ;测试电路4

= 50

= 35 pF的，

= 3 V ;测试电路4

= 50

= 35 pF的，

= 0 V ;测试电路6

= 2.5 V ，R

= 0

= 1 nF的;

测试电路7

= 50

= 5 PF， F = 100千赫;

测试电路8

= 50

= 5 PF， F = 100千赫;

测试电路10

= 50

= 5 pF的;测试电路9

F = 1 MHz的

= 5.5 V

数字输入= 0 V或5.5 V

–71

–72

300

0.001

1.0

2.0

典型值

最大

–2–

第0版

ADG819/ADG820

特定网络阳离子

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻（R

)

导通电阻之间的匹配

通道（ ΔR

)

= 2.7 V至3.6 V ， GND = 0 V ）

25 C

-40℃至-40℃到

+85 C

+125 C

0 V至V

0.7

1.4

0.06

0.13

0.25

0.01

0.25

0.01

0.25

1.5

1.6

单位

典型值

最大

典型值

最大

典型值

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

典型值

最大

pF的典型值

= V

INL

或V

INH

测试条件/评论

= 0 V到V

, I

= 100毫安;

测试电路1

= 0 V到V

, I

= 100毫安

= 0 V到V

, I

= 100毫安

= 3.6 V

= 3.3 V/1 V, V

= 1 V/3.3 V;

测试电路2

= V

= 1 V或V

= V

= 3.3 V;

测试电路3

导通电阻平坦度（R

平（ON）的

)

漏电流

来源OFF漏我

（关闭）

渠道渗漏我

, I

（上）

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流

INL

还是我

INH

IN，

数字输入电容

动态特性

ADG819

关闭

突破前先延时，T

BBM

ADG820

关闭

先接后断延时，T

MBB

电荷注入

关断隔离

通道到通道的串扰

带宽的-3 dB

（关闭）

, C

（上）

电源要求

笔记

温度范围为： -40 ° C至+ 125°C 。

导通电阻的参数与我测试

= 10 mA的电流。

通过设计保证，不受生产测试。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

2.0

0.8

0.005

0.1

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最小值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最小值）

pC的典型值

dB典型值

兆赫（典型值）

pF的典型值

= 50

= 35 pF的，

= 1.5 V ;测试电路4

= 50

= 35 pF的，

= 1.5 V ;测试电路

= 50

= 35 pF的，

= V

= 1.5 V ;测试电路5

= 50

= 35 pF的，

= 1.5 V ;测试电路4

= 50

= 35 pF的，

= 1.5 V ;测试电路4

= 50

= 35 pF的，

= 1.5 V ;测试电路6

= 1.5 V ，R

= 0

= 1 nF的;

测试电路7

= 50

= 5 PF， F = 100千赫;

测试电路8

= 50

= 5 PF， F = 100千赫;

测试电路10

= 50

= 5 pF的;测试电路9

F = 1 MHz的

= 3.6 V

数字输入= 0 V或3.6 V

–71

–72

300

0.001

1.0

2.0

典型值

最大

第0版

–3–

ADG819/ADG820

绝对最大额定值

= 25 ℃，除非另有说明。）

到GND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3 V至+7 V

模拟输入

。。。。。。。。。。。。。。。。。 0.3 V到V

+ 0.3 V或

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 30毫安，以先到为准

数字输入

。。。。。。。。。。。。。。。。。 0.3 V到V

+ 0.3 V或

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 30毫安，以先到为准

峰值电流，S或D 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 400毫安

。。。。。。。。。。。。。。。。（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比最大）

连续电流，S或D 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 200毫安

工作温度范围

工业。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -40 ° C至+ 85°C

汽车。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -40 ° C至+ 125°C

存储温度范围。。。。。。。。。。。。 -65∞C至+ 150∞C

结温。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 150℃

μSOIC

包

热阻抗。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 206 ° C / W

热阻抗。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 44 ° C / W

SOT- 23封装（ 4层板）

热阻抗。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 119 ° C / W

MicroCSP套餐

热阻抗。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 TBD

焊接温度，焊接（ 10秒）。。。。。。。。。。。。 300℃

IR回流焊，峰值温度（ <20秒）。。。。。。。。。。。 235℃

笔记

注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-

新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作

器件在这些或以上的运作中列出的任何其他条件

本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值

长时间条件下可能影响器件的可靠性。只有一个绝对的

最大额定值可在任一时间施加。

过电压在IN ，S或D将通过内部二极管钳位。当前应

限于给出的最大额定值。

表Ⅰ真值表为ADG819 / ADG820

开关S1

关闭

开关S2

关闭

销刀豆网络gurations

6引脚SOT- 23

(RT-6)

8-Lead

μSOIC

(RM-8)

3 MicroCSP

顶视图

（ BUMPS在底部）

不按比例

DD 2

ADG819/

ADG820

GND

顶视图

GND

（不按比例）

ADG819/

ADG820

顶视图

（不按比例）

DD 4

NC =无连接

GND

ADG819 ONLY

订购指南

型号选

ADG819BRM

ADG819BRT

ADG819BCB

ADG820BRM

ADG820BRT

温度范围

-40 ° C至+ 125°C

-40 ° C至+ 85°C

-40 ° C至+ 125°C

BRAND

SNB

SPB

包装说明

μSOIC

（ MicroSmall外形集成电路）

SOT- 23 （塑料表面贴装）

MicroCSP （微型芯片级封装）

μSOIC

（ MicroSmall外形集成电路）

SOT- 23 （塑料表面贴装）

包

RM-8

RT-6

CB-6

RM-8

RT-6

笔记

印记在这些包被限制为三个字符由于空间的限制。

联系厂方。

–4–

第0版

ADG819/ADG820

术语

GND

平（ON）的

（关闭）

, I

（上）

)

INL

INH

INL

INH

)

（关闭）

, C

（上）

关闭

BBM

MBB

电荷注入

相声

关断隔离

带宽

ON响应

插入损耗

最正电源电位

接地（ 0 V ）参考

正电源电流

源终端。可以是输入或输出。

漏极。可以是输入或输出。

逻辑控制输入

D和S之间的欧姆电阻

导通电阻匹配任意两个通道之间，也就是说，R

马克斯 - R的

民

平整度是指在电阻的最大值和最小值之间的差

测量在指定的模拟信号范围。

源极漏电流的开关OFF

道泄漏电流与交换机上

在终端D，S模拟电压

最大输入电压为逻辑“ 0 ”

最小输入电压为逻辑“ 1 ”

数字输入的输入电流

OFF开关源极电容

ON开关电容

运用数字控制输入和输出开关上的延迟。

运用数字控制输入和输出开关关之间的延迟。

切换时，关闭时间，或在两台交换机的90 ％点之间测得的时间

从一个地址状态到另一个状态。

对从一个切换时，两个开关的80 ％点之间测量的时间

解决状态到另一个状态。

衡量开关期间从数字输入传输到模拟输出的毛刺脉冲。

干扰信号的测量，通过加上从一个频道到另一个的寄生结果

电容。

衡量耦合的无用信号通过一个开关。

频率处的输出由-3 dB的衰减。

ON开关的频率响应

亏损由于开关的导通电阻

小心

ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易堆积

对人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然ADG819 /

ADG820具有专用ESD保护电路，永久性的损害可能对设备产生

受到高能量静电放电。因此，适当的ESD防范措施建议

以避免性能下降或功能丧失。

警告！

ESD敏感器件

第0版

–5–