【<0.5 Ω CMOS ， 1.65 V至3.6 V ，四通道SPST开关ADG811/ADG】,IC型号ADG812YRUZ-REEL7,ADG812YRUZ-REEL7 PDF资料,ADG812YRUZ-REEL7经销商,ic,电子元器件-51电子网

<0.5 Ω CMOS ， 1.65 V至3.6 V ，

四通道SPST开关

ADG811/ADG812/ADG813

特点

0.5 Ω典型导通电阻

0.8 Ω最大导通电阻在125°C

1.65 V至3.6 V的操作

汽车级温度范围： -40 ° C至+ 125°C

高载流能力：300 mA连续

轨到轨开关工作

快速开关时间： <25 NS

典型功耗<0.1 μW

IN1

IN2

功能方框图

IN1

IN2

IN1

ADG811

IN3

ADG812

IN3

IN4

ADG813

04306-A-001

应用

手机

MP3播放器

电源布线

电池供电系统

PCMCIA卡

调制解调器

音频和视频信号路由

通信系统

IN4

开关所对于逻辑1输入

图1 。

概述

该ADG811 / ADG812 / ADG813是低电压CMOS器件

包含四个独立可选的开关。这些开关

提供超低导小于0.8 Ω ，在整个电阻

温度范围。数字输入可以处理1.8 V逻辑

与2.7 V至3.6 V电源。

这些器件包含四个独立的单刀/单

扔（ SPST）开关。该ADG811和ADG812的区别仅在于

在数字控制逻辑相反。该ADG811

开关导通与逻辑低上的相应

控制输入端，而逻辑高，需要打开

该ADG812的开关。该ADG813有两个开关

其数字控制逻辑类似于ADG811 ，而

逻辑相反的其它两个开关。

每个开关进行同样在两个方向开启时，

并具有延伸到电源的输入信号范围。该

ADG813展品先开后合式开关动作。

该ADG811 / ADG812 / ADG813完全为3.3 V指定，

2.5 V和1.8 V电源供电。该ADG811是一个可

16引脚TSSOP封装和16引脚LFCSP封装，

ADG812 / ADG813采用16引脚TSSOP封装。

产品亮点

<0.8 Ω在-40 ° C至+ 125°C的整个温度范围内。

单1.65 V至3.6 V的操作。

操作与1.8 V CMOS逻辑。

高电流处理能力（300 mA连续

电流在3.3 V）。

低THD + N （典型值0.02 ％）。

小3毫米×3 mm LFCSP封装和16引脚TSSOP

封装。

版本B

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第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更，恕不另行通知。没有

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ADG811/ADG812/ADG813

特点................................................. ............................................. 1

应用................................................. ...................................... 1

概述................................................ ......................... 1

功能框图............................................... .............. 1

产品亮点................................................ ........................... 1

修订历史................................................ ............................... 2

规格................................................. .................................... 3

绝对最大额定值............................................... ............. 6

ESD注意事项................................................ .................................. 6

引脚配置和功能描述............................ 7

典型性能特征.............................................. 8

测试电路................................................ ..................................... 11

术语................................................. ................................... 13

外形尺寸................................................ ....................... 14

订购指南................................................ .......................... 15

修订历史

11月9日 - 修订版。 A到版本B

增加了16引脚LFCSP封装............................................. ..........通用

更改表4 .............................................. .............................. 6

更改引脚配置和功能描述

部分................................................. ............................................... 7

移动名词科............................................... .......... 13

更新的外形尺寸............................................... ........ 14

更改订购指南.............................................. ............ 15

5月4日 - 修订版。 0到版本A

更新格式................................................ ..................通用

更新软件包的选择...............................................环球..

11月3日 - 修订版0 ：初始版

版本B |第2页

ADG811/ADG812/ADG813

特定网络阳离子

= 2.7 V至3.6 V ，GND = 0V ，除非另有说明。温度范围为Y版为-40 ° C至+ 125°C 。

表1中。

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻，R

+25°C

-40 ° C至+ 85°C

-40 ° C至+ 125°C

0 V至V

0.5

0.65

0.04

0.75

0.8

单位

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

nA的典型值

±8

±80

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

μA （典型值）

μA（最大值）

pF的典型值

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最小值）

pC的典型值

dB典型值

兆赫（典型值）

pF的典型值

μA （典型值）

μA（最大值）

测试条件/评论

= 2.7 V, V

= 0 V到V

, I

= 10毫安;

见图19

= 2.7 V, V

= 0.5 V，I

= 10毫安

导通电阻之间的匹配

渠道， ΔR

导通电阻平坦度，R

平（ON）的

漏电流

源关闭泄漏，我

（关闭）

0.075

0.1

0.15

±0.2

±1

±0.2

±1

±0.2

±1

0.08

0.16

= 2.7 V, V

= 0 V到V

, I

= 10毫安

= 3.6 V

= 0.6 V/3.3 V, V

= 3.3 V/0.6 V;

见图20

= 0.6 V/3.3 V, V

= 3.3 V/0.6 V;

见图20

= V

= 0.6 V或3.3 V ;参见图21

流掉泄漏，我

（关闭）

±8

±15

±80

±90

0.8

渠道渗漏，我

, I

（上）

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流I

INL

还是我

INH

数字输入电容

动态特性

关闭

突破前先延时，T

BBM

（仅ADG813 ）

电荷注入

关断隔离

通道到通道的串扰

总谐波失真（ THD + N）

插入损耗

-3 dB带宽

（关闭）

, C

（上）

电源要求

0.005

±0.1

= V

INL

或V

INH

= 50 Ω, C

= 35 pF的

= 1.5 V / 0 V ;参见图22

= 50 Ω, C

= 35 pF的

= 1.5 V ;参见图22

= 50 Ω, C

= 35 pF的

= V

= 1.5 V ;参见图23

= 1.5 V ，R

= 0 Ω, C

= 1 nF的;

见图24

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 100千赫;

见图25

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 100千赫;

参见图27

= 32 Ω ， F = 20 Hz到20 kHz ，

= 2 V P-P

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 100千赫

= 50 Ω, C

= 5 pF的;参见图26

0.02

0.05

0.003

1.0

= 3.6 V

数字输入= 0 V或3.6 V

通过设计保证，但未经生产测试。

版本B |第3页

ADG811/ADG812/ADG813

= 2.5 V± 0.2 V ，GND = 0V ，除非另有说明。温度范围为Y版为-40 ° C至+ 125°C 。

表2中。

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻，R

+25°C

-40 ° C至+ 85°C

-40 ° C至+ 125°C

0 V至V

0.65

0.72

0.04

0.8

0.88

单位

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

nA的典型值

±6

±35

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

μA （典型值）

μA（最大值）

pF的典型值

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最小值）

pC的典型值

dB典型值

兆赫（典型值）

pF的典型值

μA （典型值）

μA（最大值）

测试条件/评论

= 2.3 V, V

= 0 V到V

, I

= 10毫安;

见图19

= 2.3 V, V

= 0.55 V，I

= 10毫安

导通电阻之间的匹配

渠道， ΔR

导通电阻平坦度，R

平（ON）的

漏电流

源关闭泄漏，我

（关闭）

0.08

0.16

0.23

±0.2

±1

±0.2

±1

±0.2

±1

0.085

0.24

= 2.3 V, V

= 0 V到V

, I

= 10毫安

= 2.7 V

= 0.6 V/2.4 V, V

= 2.4 V/0.6 V;

见图20

= 0.6 V/2.4 V, V

= 2.4 V/0.6 V;

见图20

= V

= 0.6 V或2.4 V ;参见图21

流掉泄漏，我

（关闭）

±6

±11

±35

±70

1.7

0.7

渠道渗漏，我

, I

（上）

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流I

INL

还是我

INH

数字输入电容

动态特性

关闭

突破前先延时，T

BBM

（仅ADG813 ）

电荷注入

关断隔离

通道到通道的串扰

总谐波失真（ THD + N）

插入损耗

-3 dB带宽

（关闭）

, C

（上）

电源要求

0.005

±0.1

= V

INL

或V

INH

= 50 Ω, C

= 35 pF的

= 1.5 V / 0 V ;参见图22

= 50 Ω, C

= 35 pF的

= 1.5 V ;参见图22

= 50 Ω, C

= 35 pF的

= V

= 1.5 V ;参见图23

= 1.25 V ，R

= 0 Ω, C

= 1 nF的;

见图24

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 100千赫;

见图25

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 100千赫;

参见图27

= 32 Ω ， F = 20 Hz到20 kHz ，

= 1.5 V P-P

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 100千赫

= 50 Ω, C

= 5 pF的;参见图26

0.022

0.06

0.003

1.0

= 2.7 V

数字输入= 0 V或2.7 V

通过设计保证，但未经生产测试。

版本B |第4页

ADG811/ADG812/ADG813

= 1.65 V至1.95伏， GND = 0V，除非另有说明。温度范围为Y版为-40 ° C至+ 125°C 。

表3中。

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻，R

+25°C

-40 ° C至+ 85°C

-40 ° C至+ 125°C

0 V至V

1.4

2.5

0.1

2.2

单位

= （典型值）

=最大

= （典型值）

测试条件/评论

= 1.8 V, V

= 0 V到V

, I

= 10毫安;

见图19

= 1.65 V, V

= 0 V到V

, I

= 10毫安

= 1.65 V, V

= 0.7 V，I

= 10毫安

= 1.95 V

= 0.6 V/1.65 V, V

= 1.65 V/0.6 V;

见图20

= 0.6 V/1.65 V, V

= 1.65 V/0.6 V;

见图20

= V

= 0.6 V或1.65 V ;参见图21

导通电阻之间的匹配

渠道， ΔR

漏电流

来源OFF漏我

（关闭）

±0.2

±1

±0.2

±1

±0.2

±1

±5

±30

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

μA （典型值）

μA（最大值）

pF的典型值

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最小值）

pC的典型值

dB典型值

兆赫（典型值）

pF的典型值

μA （典型值）

μA（最大值）

流掉泄漏我

（关闭）

±5

±9

±30

±60

0.65V

0.35V

渠道渗漏我

, I

（上）

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流I

INL

还是我

INH

CIN ，数字输入电容

动态特性

关闭

突破前先延时，T

BBM

（仅ADG813 ）

电荷注入

关断隔离

通道到通道的串扰

总谐波失真（ THD + N）

插入损耗

-3 dB带宽

（关闭）

, C

（上）

电源要求

0.005

±0.1

= V

INL

或V

INH

= 50 Ω, C

= 35 pF的

= 1.5 V / 0 V ;参见图22

= 50 Ω, C

= 35 pF的

= 1.5 V ;参见图22

= 50 Ω, C

= 35 pF的

= V

= 1V ;参见图23

= 1 V ，R

= 0 Ω, C

= 1 nF的;

见图24

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 100千赫;

图25

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 100千赫;

参见图27

= 32 Ω ， F = 20 Hz到20 kHz ，

= 1.2 V P-P

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 100千赫

= 50 Ω, C

= 5 pF的;参见图26

0.14

0.08

0.003

1.0

= 1.95 V

数字输入= 0 V或1.95 V

通过设计保证，但未经生产测试。

版本B |第5