<0.5 Ω CMOS 1.65 V至3.6 V
四通道SPST开关
ADG811/ADG812/ADG813
特点
0.5 Ω （典型值）导通电阻
0.8 Ω最大导通电阻在125°C
1.65 V至3.6 V的操作
汽车级温度范围： -40 ° C至+ 125°C
高载流能力：300 mA连续
轨到轨开关工作
快速开关时间： <25 NS
典型功耗< 0.1 μW
IN1
D1
S2
IN2
D2
IN2
D2
功能方框图
S1
IN1
D1
S2
IN2
D2
S1
IN1
D1
S2
S1
ADG811
S3
IN3
D3
IN3
ADG812
S3
IN3
D3
S4
IN4
D4
D4
IN4
ADG813
S3
D3
S4
04306-A-001
应用
手机
MP3播放器
电源布线
电池供电系统
PCMCIA卡
调制解调器
音频和视频信号路由
通信系统
IN4
S4
D4
开关所对于逻辑1输入
图1 。
概述
该ADG811 ， ADG812和ADG813是低压CMOS
包含四个独立可选的开关设备。
这些开关提供超低导小于0.8 Ω电阻
在整个温度范围内。数字输入可以处理
1.8 V逻辑与2.7 V至3.6 V电源。
这些器件包含四个独立的单刀/单
扔（ SPST）开关。该ADG811和ADG812的区别仅在于
在数字控制逻辑相反。该ADG811
开关导通与逻辑低上的相应
控制输入端，而逻辑高，需要打开
该ADG812的开关。该ADG813有两个开关
其数字控制逻辑类似于ADG811 ，而
逻辑相反的其它两个开关。
每个开关进行同样在两个方向开启时，
并具有延伸到电源的输入信号范围。该
ADG813展品先开后合式开关动作。
该ADG811 ， ADG812和ADG813是为全面指定
3.3 V ， 2.5 V和1.8 V电源供电。它们是在一个可用的
16引脚TSSOP封装。
产品亮点
1.
2.
3.
4.
5.
<0.8 Ω在-40 ° C至+ 125°C的整个温度范围内。
单1.65 V至3.6 V的操作。
操作与1.8 V CMOS逻辑。
高电流处理能力（300 mA连续
电流在3.3 V） 。
低THD + N（ 0.02 ％典型值） 。
REV 。一
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。
但是，没有责任承担由Analog Devices供其使用，也不对任何
侵犯第三方专利或其他权利，可能导致其使用的。
规格如有变更，恕不另行通知。没有获发牌照以暗示
或者以其他方式在ADI公司的任何专利或专利权。商标
注册商标均为其各自所有者的财产。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781.329.4700
www.analog.com
传真： 781.326.8703
2004 ADI公司保留所有权利。
ADG811/ADG812/ADG813
目录
ADG811 / ADG812 / ADG813 -规格.............................. 3
绝对最大额定值............................................... ............. 6
ESD注意事项................................................ .................................. 6
引脚配置和功能说明............................. 7
典型性能特征.............................................. 8
测试电路................................................ ..................................... 11
外形尺寸................................................ ....................... 13
订购指南................................................ .......................... 13
修订历史
5月4日，数据表，从第0更改为版本A
更新格式................................................ ..............通用
更新软件包的选择..............................................通用
11月3日 - 修订版0 ：初始版
版本A |第16页2
ADG811/ADG812/ADG813
ADG811/ADG812/ADG813—SPECIFICATIONS
表1. V
DD
= 2.7 V至3.6 V ， GND = 0V ，除非另有说明
1
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
流掉泄漏我
D
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
2
t
ON
t
关闭
突破前先延时（T
BBM
)
（仅ADG813 ）
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
总谐波失真（ THD + N）
插入损耗
-3 dB带宽
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
+25°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 125°C
0 V至V
DD
0.5
0.65
0.04
0.1
0.15
±0.2
±1
±0.2
±1
±0.2
±1
0.16
0.75
0.075
0.8
0.08
单位
V
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
%
dB典型值
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
μA （典型值）
μA（最大值）
测试条件/评论
V
DD
= 2.7 V, V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= 10毫安;
图18
V
DD
= 2.7 V, V
S
= 0.5 V，I
S
= 10毫安
V
DD
= 2.7 V, V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= 10毫安
V
DD
= 3.6 V
V
S
= 0.6 V/3.3 V, V
D
= 3.3 V/0.6 V;
图19
V
S
= 0.6 V/3.3 V, V
D
= 3.3 V/0.6 V;
图19
V
S
= V
D
= 0.6 V或3.3 V ;图20
±8
±8
±15
±80
±80
±90
2
0.8
0.005
±0.1
6
21
25
4
5
17
30
–67
–90
0.02
–0.05
90
30
35
60
0.003
1.0
4
V
IN
= V
INL
或V
INH
26
6
28
7
5
R
L
= 50 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 V / 0 V ;图21
R
L
= 50 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 V ;图21
R
L
= 50 , C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 1.5 V ;图22
V
S
= 1.5 V ，R
S
= 0 , C
L
= 1 nF的;
图23
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 100千赫;
图24
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 100千赫;
图26
R
L
= 32 Ω ， F = 20 Hz到20 kHz ，
V
S
= 2 V P-P
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 100千赫
R
L
= 50 , C
L
= 5 pF的;图25
V
DD
= 3.6 V
数字输入= 0 V或3.6 V
1
2
温度范围为Y版为-40 ° C至+ 125°C 。
通过设计保证，不受生产测试。
版本A |第16页3
ADG811/ADG812/ADG813
表2. V
DD
= 2.5 V± 0.2 V ，GND = 0V ，除非另有说明
1
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
流掉泄漏我
D
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
2
t
ON
t
关闭
突破前先延时（T
BBM
)
（仅ADG813 ）
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
总谐波失真（ THD + N）
插入损耗
-3 dB带宽
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
+25°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 125°C
0 V至V
DD
0.65
0.72
0.04
0.16
0.23
±0.2
±1
±0.2
±1
±0.2
±1
0.24
0.8
0.08
0.88
0.085
单位
V
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
%
dB典型值
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
μA （典型值）
μA（最大值）
测试条件/评论
V
DD
= 2.3 V, V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= 10毫安;
图18
V
DD
= 2.3 V; V
S
= 0.55 V，I
S
= 10毫安
V
DD
= 2.3 V; V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= 10毫安
V
DD
= 2.7 V
V
S
= 0.6 V/2.4 V, V
D
= 2.4 V/0.6 V;
图19
V
S
= 0.6 V/2.4 V, V
D
= 2.4 V/0.6 V;
图19
V
S
= V
D
= 0.6 V或2.4 V ;图20
±6
±6
±11
±35
±35
±70
1.7
0.7
0.005
±0.1
6
22
27
4
6
18
25
–67
–90
0.022
–0.06
90
32
37
60
0.003
1.0
4
V
IN
= V
INL
或V
INH
29
7
30
8
5
R
L
= 50 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 V / 0 V ;图21
R
L
= 50 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 V ;图21
R
L
= 50 , C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 1.5 V ;图22
V
S
= 1.25 V ，R
S
= 0 , C
L
= 1 nF的;
图23
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 100千赫;
图24
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 100千赫;
图26
R
L
= 32 Ω ， F = 20 Hz到20 kHz ，
V
S
= 1.5 V P-P
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 100千赫
R
L
= 50 , C
L
= 5 pF的;图25
V
DD
= 2.7 V
数字输入= 0 V或2.7 V
1
2
温度范围为Y版为-40 ° C至+ 125°C 。
通过设计保证，不受生产测试。
版本A |第16页4
ADG811/ADG812/ADG813
表3. V
DD
= 1.65 V至1.95伏， GND = 0V，除非另有说明
1
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
+25°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 125°C
0 V至V
DD
1
1.4
2.5
0.1
2.2
4
2.2
4
单位
V
= （典型值）
=最大
=最大
= （典型值）
测试条件/评论
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
流掉泄漏我
D
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流I
INL
还是我
INH
CIN ，数字输入电容
动态特性
2
t
ON
t
关闭
突破前先延时（T
BBM
)
（仅ADG813 ）
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
总谐波失真（ THD + N）
插入损耗
-3 dB带宽
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
V
DD
= 1.8 V, V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= 10毫安;
图18
V
DD
= 1.65 V, V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= 10毫安
V
DD
= 1.65 V, V
S
= 0.7 V，I
S
= 10毫安
V
DD
= 1.95 V
V
S
= 0.6 V/1.65 V, V
D
= 1.65 V/0.6 V;
图19
V
S
= 0.6 V/1.65 V, V
D
= 1.65 V/0.6 V;
图19
V
S
= V
D
= 0.6 V或1.65 V ;图20
±0.2
±1
±0.2
±1
±0.2
±1
±5
±5
±9
±30
±30
±60
0.65V
DD
0.35V
DD
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
%
dB典型值
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
μA （典型值）
μA（最大值）
0.005
±0.1
6
27
35
6
8
20
15
–67
–90
0.14
–0.08
90
32
38
60
0.003
1.0
4
V
IN
= V
INL
或V
INH
36
9
37
10
5
R
L
= 50 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 V / 0 V ;图21
R
L
= 50 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 V ;图21
R
L
= 50 , C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 1V ;图22
V
S
= 1 V ，R
S
= 0 , C
L
= 1 nF的;
图23
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 100千赫;
图24
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 100千赫;
图26
R
L
= 32 Ω ， F = 20 Hz到20 kHz ，
V
S
= 1.2 V P-P
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 100千赫
R
L
= 50 , C
L
= 5 pF的;图25
V
DD
= 1.95 V
数字输入= 0 V或1.95 V
1
2
温度范围为Y版为-40 ° C至+ 125°C 。
通过设计保证，不受生产测试。
版本A |第16页5
<0.5 Ω CMOS 1.65 V至3.6 V
四通道SPST开关
ADG811/ADG812/ADG813
特点
0.5 Ω （典型值）导通电阻
0.8 Ω最大导通电阻在125°C
1.65 V至3.6 V的操作
汽车级温度范围： -40 ° C至+ 125°C
高载流能力：300 mA连续
轨到轨开关工作
快速开关时间： <25 NS
典型功耗< 0.1 μW
IN1
D1
S2
IN2
D2
IN2
D2
功能方框图
S1
IN1
D1
S2
IN2
D2
S1
IN1
D1
S2
S1
ADG811
S3
IN3
D3
IN3
ADG812
S3
IN3
D3
S4
IN4
D4
D4
IN4
ADG813
S3
D3
S4
04306-A-001
应用
手机
MP3播放器
电源布线
电池供电系统
PCMCIA卡
调制解调器
音频和视频信号路由
通信系统
IN4
S4
D4
开关所对于逻辑1输入
图1 。
概述
该ADG811 ， ADG812和ADG813是低压CMOS
包含四个独立可选的开关设备。
这些开关提供超低导小于0.8 Ω电阻
在整个温度范围内。数字输入可以处理
1.8 V逻辑与2.7 V至3.6 V电源。
这些器件包含四个独立的单刀/单
扔（ SPST）开关。该ADG811和ADG812的区别仅在于
在数字控制逻辑相反。该ADG811
开关导通与逻辑低上的相应
控制输入端，而逻辑高，需要打开
该ADG812的开关。该ADG813有两个开关
其数字控制逻辑类似于ADG811 ，而
逻辑相反的其它两个开关。
每个开关进行同样在两个方向开启时，
并具有延伸到电源的输入信号范围。该
ADG813展品先开后合式开关动作。
该ADG811 ， ADG812和ADG813是为全面指定
3.3 V ， 2.5 V和1.8 V电源供电。它们是在一个可用的
16引脚TSSOP封装。
产品亮点
1.
2.
3.
4.
5.
<0.8 Ω在-40 ° C至+ 125°C的整个温度范围内。
单1.65 V至3.6 V的操作。
操作与1.8 V CMOS逻辑。
高电流处理能力（300 mA连续
电流在3.3 V） 。
低THD + N（ 0.02 ％典型值） 。
REV 。一
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。
但是，没有责任承担由Analog Devices供其使用，也不对任何
侵犯第三方专利或其他权利，可能导致其使用的。
规格如有变更，恕不另行通知。没有获发牌照以暗示
或者以其他方式在ADI公司的任何专利或专利权。商标
注册商标均为其各自所有者的财产。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781.329.4700
www.analog.com
传真： 781.326.8703
2004 ADI公司保留所有权利。
ADG811/ADG812/ADG813
目录
ADG811 / ADG812 / ADG813 -规格.............................. 3
绝对最大额定值............................................... ............. 6
ESD注意事项................................................ .................................. 6
引脚配置和功能说明............................. 7
典型性能特征.............................................. 8
测试电路................................................ ..................................... 11
外形尺寸................................................ ....................... 13
订购指南................................................ .......................... 13
修订历史
5月4日，数据表，从第0更改为版本A
更新格式................................................ ..............通用
更新软件包的选择..............................................通用
11月3日 - 修订版0 ：初始版
版本A |第16页2
ADG811/ADG812/ADG813
ADG811/ADG812/ADG813—SPECIFICATIONS
表1. V
DD
= 2.7 V至3.6 V ， GND = 0V ，除非另有说明
1
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
流掉泄漏我
D
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
2
t
ON
t
关闭
突破前先延时（T
BBM
)
（仅ADG813 ）
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
总谐波失真（ THD + N）
插入损耗
-3 dB带宽
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
+25°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 125°C
0 V至V
DD
0.5
0.65
0.04
0.1
0.15
±0.2
±1
±0.2
±1
±0.2
±1
0.16
0.75
0.075
0.8
0.08
单位
V
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
%
dB典型值
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
μA （典型值）
μA（最大值）
测试条件/评论
V
DD
= 2.7 V, V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= 10毫安;
图18
V
DD
= 2.7 V, V
S
= 0.5 V，I
S
= 10毫安
V
DD
= 2.7 V, V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= 10毫安
V
DD
= 3.6 V
V
S
= 0.6 V/3.3 V, V
D
= 3.3 V/0.6 V;
图19
V
S
= 0.6 V/3.3 V, V
D
= 3.3 V/0.6 V;
图19
V
S
= V
D
= 0.6 V或3.3 V ;图20
±8
±8
±15
±80
±80
±90
2
0.8
0.005
±0.1
6
21
25
4
5
17
30
–67
–90
0.02
–0.05
90
30
35
60
0.003
1.0
4
V
IN
= V
INL
或V
INH
26
6
28
7
5
R
L
= 50 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 V / 0 V ;图21
R
L
= 50 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 V ;图21
R
L
= 50 , C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 1.5 V ;图22
V
S
= 1.5 V ，R
S
= 0 , C
L
= 1 nF的;
图23
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 100千赫;
图24
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 100千赫;
图26
R
L
= 32 Ω ， F = 20 Hz到20 kHz ，
V
S
= 2 V P-P
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 100千赫
R
L
= 50 , C
L
= 5 pF的;图25
V
DD
= 3.6 V
数字输入= 0 V或3.6 V
1
2
温度范围为Y版为-40 ° C至+ 125°C 。
通过设计保证，不受生产测试。
版本A |第16页3
ADG811/ADG812/ADG813
表2. V
DD
= 2.5 V± 0.2 V ，GND = 0V ，除非另有说明
1
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
流掉泄漏我
D
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
2
t
ON
t
关闭
突破前先延时（T
BBM
)
（仅ADG813 ）
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
总谐波失真（ THD + N）
插入损耗
-3 dB带宽
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
+25°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 125°C
0 V至V
DD
0.65
0.72
0.04
0.16
0.23
±0.2
±1
±0.2
±1
±0.2
±1
0.24
0.8
0.08
0.88
0.085
单位
V
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
%
dB典型值
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
μA （典型值）
μA（最大值）
测试条件/评论
V
DD
= 2.3 V, V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= 10毫安;
图18
V
DD
= 2.3 V; V
S
= 0.55 V，I
S
= 10毫安
V
DD
= 2.3 V; V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= 10毫安
V
DD
= 2.7 V
V
S
= 0.6 V/2.4 V, V
D
= 2.4 V/0.6 V;
图19
V
S
= 0.6 V/2.4 V, V
D
= 2.4 V/0.6 V;
图19
V
S
= V
D
= 0.6 V或2.4 V ;图20
±6
±6
±11
±35
±35
±70
1.7
0.7
0.005
±0.1
6
22
27
4
6
18
25
–67
–90
0.022
–0.06
90
32
37
60
0.003
1.0
4
V
IN
= V
INL
或V
INH
29
7
30
8
5
R
L
= 50 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 V / 0 V ;图21
R
L
= 50 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 V ;图21
R
L
= 50 , C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 1.5 V ;图22
V
S
= 1.25 V ，R
S
= 0 , C
L
= 1 nF的;
图23
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 100千赫;
图24
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 100千赫;
图26
R
L
= 32 Ω ， F = 20 Hz到20 kHz ，
V
S
= 1.5 V P-P
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 100千赫
R
L
= 50 , C
L
= 5 pF的;图25
V
DD
= 2.7 V
数字输入= 0 V或2.7 V
1
2
温度范围为Y版为-40 ° C至+ 125°C 。
通过设计保证，不受生产测试。
版本A |第16页4
ADG811/ADG812/ADG813
表3. V
DD
= 1.65 V至1.95伏， GND = 0V，除非另有说明
1
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
+25°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 125°C
0 V至V
DD
1
1.4
2.5
0.1
2.2
4
2.2
4
单位
V
= （典型值）
=最大
=最大
= （典型值）
测试条件/评论
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
流掉泄漏我
D
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流I
INL
还是我
INH
CIN ，数字输入电容
动态特性
2
t
ON
t
关闭
突破前先延时（T
BBM
)
（仅ADG813 ）
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
总谐波失真（ THD + N）
插入损耗
-3 dB带宽
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
V
DD
= 1.8 V, V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= 10毫安;
图18
V
DD
= 1.65 V, V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= 10毫安
V
DD
= 1.65 V, V
S
= 0.7 V，I
S
= 10毫安
V
DD
= 1.95 V
V
S
= 0.6 V/1.65 V, V
D
= 1.65 V/0.6 V;
图19
V
S
= 0.6 V/1.65 V, V
D
= 1.65 V/0.6 V;
图19
V
S
= V
D
= 0.6 V或1.65 V ;图20
±0.2
±1
±0.2
±1
±0.2
±1
±5
±5
±9
±30
±30
±60
0.65V
DD
0.35V
DD
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
%
dB典型值
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
μA （典型值）
μA（最大值）
0.005
±0.1
6
27
35
6
8
20
15
–67
–90
0.14
–0.08
90
32
38
60
0.003
1.0
4
V
IN
= V
INL
或V
INH
36
9
37
10
5
R
L
= 50 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 V / 0 V ;图21
R
L
= 50 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 V ;图21
R
L
= 50 , C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 1V ;图22
V
S
= 1 V ，R
S
= 0 , C
L
= 1 nF的;
图23
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 100千赫;
图24
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 100千赫;
图26
R
L
= 32 Ω ， F = 20 Hz到20 kHz ，
V
S
= 1.2 V P-P
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 100千赫
R
L
= 50 , C
L
= 5 pF的;图25
V
DD
= 1.95 V
数字输入= 0 V或1.95 V
1
2
温度范围为Y版为-40 ° C至+ 125°C 。
通过设计保证，不受生产测试。
版本A |第16页5
QQ：2880707522 复制
