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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第222页 > ADG802BRM
初步的技术数据
a
特点
低导通电阻0.5 <
最多在5 V电源
0.1
导通电阻平坦度
+ 1.8V至+ 5.5V单电源供电
为100pA漏电流
14ns开关时间
扩展温度范围-40
o
C至+ 125
o
C
高电流承载能力
微型6引脚SOT23与8引脚
SOIC封装
低功耗
TTL / CMOS兼容输入
引脚兼容ADG701 / ADG702
应用
电源布线
音频和视频信号路由
手机
调制解调器
PCMCIA卡
硬盘驱动器
数据采集系统
通信系统
继电器更换
音频和视频切换
电池供电系统
<0.5
CMOS ,低压,单刀单掷开关
ADG801/ADG802
功能方框图
ADG801
S
D
ADG802
S
D
IN
IN
开关所对于逻辑"1"输入
概述
产品亮点
该ADG801 / ADG802均为单芯片CMOS单刀单掷(单
单刀单掷)开关小于导通电阻
0.5Ω 。这些开关采用先进的亚微米设计
过程中,提供极低的导通电阻,高开关
荷兰国际集团的速度和低泄漏电流。
低开<0.5Ω电阻意味着这些部件的理想选择
对于应用中的低导通电阻的开关是至关重要的。
该ADG801为常开(NO)开关,而
ADG802为常闭( NC ) 。每个开关导通
同样在两个方向上的时候。
该ADG801和ADG802采用6引线提供SOT- 23
和8引脚
μSOIC
包。
1.低导通电阻( 0.25
典型值) 。
2, + 1.8V至+ 5.5V单电源供电。
3.微型6引脚SOT23封装和8引脚
μSOIC
包。
4.引脚兼容ADG701 ( ADG801 )
引脚兼容ADG702 ( ADG802 ) 。
REV 。预一月'02
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是,没有责任承担由Analog Devices其
使用,也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则,在ADI公司的任何专利或专利权。
一个科技路,邮政信箱9106 ,诺伍德,MA 02062-9106 , USA
联系电话: 781 / 329-4700
www.analog.com
传真: 781 / 326-8703
ADI公司, 2002年
初步的技术数据
ADG801/ADG802–SPECIFICATIONS
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻(R
ON
)
+25
o
C
–40
o
C到
+85
o
C
1
单位
测试条件/评论
(V
DD
= 5 V ±10%, V
SS
= GND = 0 V ,所有规格-40 ° C至+ 125°C ,除非另有说明。 )
–40
o
C到
+125
o
C
0.25
0.4
导通电阻平坦度(R
平(ON)的
) 0.05
0.5
0.1
0 V至V
DD
V
0.75
0.2
典型值
最大
典型值
最大
典型值
最大
典型值
最大
典型值
最大
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= -10毫安;
测试电路1
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= -10毫安
V
DD
= +5.5 V
V
S
= 4.5 V/1 V, V
D
= 1 V/4.5 V;
测试电路2
V
S
= 4.5 V/1 V, V
D
= 1 V/4.5 V;
测试电路2
V
S
= V
D
= 1 V或4.5 V ;
测试电路3
漏电流
来源OFF漏我
S
(关闭)
±0.01
±0.5
流掉泄漏我
D
(关闭)
±0.01
±0.5
渠道渗漏我
D
, I
S
(ON)的± 0.01
±0.5
±1
±1
±1
待定
待定
待定
2.4
0.8
nA
nA
nA
nA
nA
nA
数字输入
输入高电压,V
INH
输入低电压,V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
2
t
ON
t
关闭
电荷注入
关断隔离
带宽的-3 dB
C
S
(关闭)
C
D
(关闭)
C
D
, C
S
(上)
电源要求
I
DD
V分钟
V最大
μA (典型值) V
IN
= V
INL
或V
INH
μA(最大值)
pF的典型值
纳秒(典型值)
ns(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最大值)
pC的典型值
R
L
= 50
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 3 V ;测试电路4
0.005
±0.1
5
30
待定
20
待定
±20
–65
30
55
55
110
0.001
1.0
待定
待定
R
L
= 50
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 3 V ;测试电路4
V
S
= 0 V ,R
S
= 0
,
C
L
= 1 NF,测试
电路5
dB典型值
L
= 50
,
C
L
= 5 PF, F = 1MHz时,
测试电路6
MHz的典型
L
= 50
,
C
L
= 5 pF的,测试电路7
pF的典型值F = 1兆赫
pF的典型值F = 1兆赫
pF的典型值F = 1兆赫
μA (典型值)
μA(最大值)
V
DD
= +5.5 V
数字输入= 0 V或5.5 V
笔记
1
温度范围如下:扩展级温度范围: - 40 ° C至+ 125°C 。
2
通过设计保证,不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
–2–
REV 。预
初步的技术数据
ADG801/ADG802
特定网络阳离子
(V
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻(R
ON
)
1
DD
= 2.7 V至3.6 V ,V
SS
= GND = 0 V ,所有规格-40 ° C至+ 125°C ,除非另有说明。 )
+25 C
o
–40
o
C至-40
o
C到
+85
o
C
+125
o
C
单位
测试条件/评论
0.3
0.7
导通电阻平坦度(R
平(ON)的
) 0.1
±0.01
±0.5
流掉泄漏我
D
(关闭)
±0.01
±0.5
渠道渗漏我
D
, I
S
(ON)的± 0.01
±0.5
0.8
0 V至V
DD
V
1
典型值
最大
0.3
典型值
nA
nA
nA
nA
nA
nA
典型值
最大
典型值
最大
典型值
最大
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= -10毫安;
测试电路1
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= -10毫安
V
DD
= +3.3 V
V
S
= 3 V/1 V, V
D
= 1 V/3 V;
测试电路2
V
S
= 3 V/1 V, V
D
= 1 V/3 V;
测试电路2
V
S
= V
D
= 1 V或3伏;
测试电路3
漏电流
来源OFF漏我
S
(关闭)
±0.1
±0.1
±0.1
待定
待定
待定
2.0
0.4
数字输入
输入高电压,V
INH
输入低电压,V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
V分钟
V最大
μA (典型值)
μA(最大值)
pF的典型值
纳秒(典型值)
ns(最大值)
纳秒(典型值)
V
IN
= V
INL
或V
INH
0.005
±0.1
5
动态特性
2
t
ON
50
待定
t
关闭
40
待定
电荷注入
±20
关断隔离
带宽的-3 dB
C
S
(关闭)
C
D
(关闭)
C
D
, C
S
(上)
电源要求
I
DD
–65
30
55
55
110
0.001
待定
待定
R
L
= 50
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 V,测试电路4
R
L
= 50
,
C
L
= 35 pF的
ns(最大值)
V
S
= 1.5 V,测试电路4
pC的典型值
V
S
= 0 V ,R
S
= 0
,
C
L
= 1 NF,测试
电路5
dB典型值
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF, F = 1MHz时,
测试电路6
MHz的典型
L
= 50
,
C
L
= 5 pF的,测试电路7
pF的典型值
F = 1 MHz的
pF的典型值
F = 1 MHz的
pF的典型值
F = 1 MHz的
μA (典型值)
μA(最大值)
V
DD
= +3.3 V
数字输入= 0 V或3.3 V
1.0
笔记
1
温度范围如下:扩展级温度范围: -40 ° C至+ 125°C 。
2
通过设计保证,不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
REV 。预
–3–
初步的技术数据
ADG801/ADG802
绝对最大额定值
1
(T
A
= + 25 ° C除非另有说明)
V
DD
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+7 V
模拟输入
2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
- 0.3 V到V
DD
+0.3 V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。或30毫安,以先到为准
连续电流,S或D 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 400毫安
峰值电流,S或D 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 800毫安
(脉冲在1毫秒, 10 %占空比最大)
工作温度范围
扩展。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 125°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
μSOIC封装,功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 315毫瓦
θ
JA
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 206 ° C / W
θ
JC
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 44 ° C / W
SOT- 23封装,功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 282毫瓦
θ
JA
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 229.6 ° C / W
θ
JC
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 91.99 ° C / W
焊接温度,焊接( 10秒) 。 。 。 。 。 。 。 300℃
IR回流焊峰值温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 220℃
ESD.....................................................................2kV
笔记
1
注意,超出上述绝对最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值。
该器件在这些或以上的任何其他条件的功能操作
那些在本规范的业务部门所列出的是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下长时间
可能会影响器件的可靠性。只有一个绝对最大额定值可能
在任一时刻被应用。
2
过压IN ,S或D由内部二极管钳位。当前应
限于给出的最大额定值。
表一,表真相
ADG801在
0
1
ADG802在
1
0
开关状态
关闭
ON
销刀豆网络gurations
6引脚塑料表面贴装( SOT -23 )
(RT-6)
D
1
S
2
GND
3
6
8引脚小外形
SOIC
(RM-8)
D
1
8
ADG801/
ADG802
V
DD
NC
IN
S
GND
5
NC
2
NC
3
顶视图
4
(不按比例)
ADG801/
ADG802
7
NC =无连接
顶视图
6
IN
V
DD 4
(不按比例)
5
NC
NC =无连接
订购指南
模型
ADG801BRT
ADG801BRM
ADG802BRT
ADG802BRM
1
温度范围
–40°C
–40°C
–40°C
–40°C
to
to
to
to
+125°C
+125°C
+125°C
+125°C
电源选项
1
BRAND
1
3
3
3
3
V,
V,
V,
V,
5
5
5
5
V
V
V
V
SLB
SLB
SMB
SMB
包装说明
封装选项
SOT- 23 (塑料表面贴装), RT- 6
μSOIC (小外形封装)
RM-8
SOT- 23 (塑料表面贴装), RT- 6
μSOIC (小外形封装)
RM-8
品牌的SOT -23和
μSOIC
包被限制到3个字符,由于空间的限制。
小心
ESD (静电放电)敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备,可排出而不被发现。虽然
该ADG801 / ADG802具有专用ESD保护电路,可能永久的损坏
发生在受到高能静电放电设备。因此,适当的ESD
预防措施建议,以避免性能下降或功能丧失。
警告!
ESD敏感器件
–4–
REV 。预
初步的技术数据
ADG801/ADG802
术语
V
DD
I
DD
GND
S
D
IN
V
D
(V
S
)
R
ON
R
平(ON)的
I
S
(关闭)
I
D
(关闭)
I
D
, I
S
(上)
V
INL
V
INH
I
INL
(I
INH
)
C
S
(关闭)
C
D
(关闭)
C
D
,C
S
(上)
C
IN
t
ON
t
关闭
收费
注射
关断隔离
相声
带宽
插入
损失
最积极的供电潜力。
正电源电流。
接地( 0 V )参考。
源终端。可以是输入或输出。
漏极。可以是输入或输出。
逻辑控制输入。
在终端D,S模拟电压
D和S之间的欧姆电阻
测量平直度被定义为在最大和的导通电阻的最小值之间的差
在指定的模拟信号范围。
源漏电流与开关“OFF”。
漏极漏电流与开关“OFF”。
信道的泄漏电流与开关“ON”。
最大输入电压为逻辑“0”。
最小输入电压为逻辑“ 1 ” 。
输入电流的数字输入。
“OFF”开关源极电容。测量参考接地。
“ OFF”开关漏极电容。测量参考接地。
“ON”的开关电容。测量参考接地。
数字输入电容。
运用数字控制输入和输出开关上的延迟。见测试电路4 。
运用数字控制输入和输出开关关之间的延迟。
衡量开关期间从数字输入传输到模拟输出的毛刺脉冲。
度量耦合的无用信号,通过一个“关”的开关。
度量无用信号是从一个信道通过耦合到另一个作为寄生的结果
电容。
时的频率,输出由3dBs衰减。
由于在开关的电阻损失。
于响应所述“接通”开关的频率响应。
REV 。预
–5–
数据表
特点
0.4 Ω最大导通电阻在125°C
0.08 Ω最大导通电阻平坦度为125°C
1.8 V至5.5 V单电源供电
汽车级温度范围为-40 ° C至+ 125°C
400毫安电流承载能力
微型6引脚SOT- 23和8引脚MSOP封装
35 ns的开关时间
低功耗
TTL / CMOS兼容输入
引脚兼容
ADG701/ADG702
<0.4 Ω CMOS 1.8 V至5.5 V
SPST开关
ADG801/ADG802
功能框图
ADG801
S
D
IN
ADG802
S
D
应用
电源布线
手机
调制解调器
PCMCIA卡
硬盘驱动器
数据采集系统
通信系统
继电器更换
电池供电系统
图1 。
IN
02800-001
示于开关
逻辑1输入
概述
ADG801
ADG802
有单片式CMOS ,单刀,
单掷( SPST)开关,具有上小于0.4 Ω的电阻。
这些开关采用先进的亚微米工艺设计
可提供极低的导通电阻,高开关速度,
和低泄漏电流。
对<0.4 Ω电阻低,使这些器件非常适合
应用中,低导通电阻的开关是至关重要的。
ADG801
开关是常开(NO ),而
ADG802
是常闭( NC ) 。每个开关导电性能相同,在
上时,两个方向上。
产品亮点
1.
2.
3.
4.
5.
6.
低导通电阻( 0.25 Ω典型值) 。
1.8 V至5.5 V单电源供电。
微型6引脚SOT- 23和8引脚MSOP封装。
400毫安电流承载能力。
汽车级温度范围为-40 ° C至+ 125°C 。
引脚兼容
ADG701
( ADG801 )和
ADG702
(ADG802).
版本B
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而,没有
责任承担ADI公司供其使用,也为专利或其他任何侵权行为
第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更,恕不另行通知。没有
获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。
商标和注册商标均为其各自所有者的财产。
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
联系电话: 781.329.4700
www.analog.com
传真: 781.461.3113 2002-2012 ADI公司保留所有权利。
ADG801/ADG802
目录
特点................................................. ............................................. 1
应用................................................. ...................................... 1
功能框图............................................... ............... 1
概述................................................ ......................... 1
产品亮点................................................ ........................... 1
修订历史................................................ ............................... 2
规格................................................. .................................... 3
绝对最大额定值............................................... ............. 5
数据表
ESD注意事项................................................ ................................... 5
引脚配置和功能描述............................ 6
典型性能特征.............................................. 7
术语................................................. ...................................... 9
测试电路................................................ ..................................... 10
外形尺寸................................................ ....................... 12
订购指南................................................ .......................... 13
修订历史
1月12日 - 修订版。 A到版本B
删除6引脚WLCSP封装........................................通用
添加表标题表3 ;重新编号按顺序............ 5
删除图4 ;重新编号,按顺序................................. 6
更改表5 .............................................. .............................. 6
移动名词科............................................... ............ 9
更新的外形尺寸............................................... ........ 12
删除图23 ............................................... ............................. 13
更改订购指南.............................................. ............ 13
3月7日 - 修订版。 0到版本A
更新格式................................................ ..................通用
增加了6引脚WLCSP封装(文本和数字) ........通用
取代典型性能特性部分.............. 8
更新的外形尺寸............................................... ........ 12
更改订购指南.............................................. ............ 14
5月2日 - 修订版0 :初始版
版本B |第16页2
数据表
特定网络阳离子
V
DD
= 5伏±10% ,GND = 0V ,除非另有说明。汽车级温度范围为-40 ° C至+ 125°C 。
表1中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻(R
ON
)
导通电阻平坦度(R
平(ON)的
)
漏电流
源关闭泄漏,我
S
(关闭)
流掉泄漏,我
D
(关闭)
渠道渗漏,我
D
, I
S
(上)
数字输入
输入高电压,V
INH
输入低电压,V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
2
t
ON
t
关闭
电荷注入
关断隔离
带宽的-3 dB
C
S
(关闭)
C
D
(关闭)
C
D
, C
S
(上)
电源要求
I
DD
25°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 125°C
1
0 V至V
DD
0.25
0.3
0.05
0.35
0.07
±0.01
±0.25
±0.01
±0.25
±0.01
±0.25
0.4
0.08
单位
V
= (典型值)
=最大
= (典型值)
=最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA (典型值)
μA(最大值)
pF的典型值
纳秒(典型值)
ns(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最大值)
pC的典型值
dB典型值
兆赫(典型值)
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
μA (典型值)
μA(最大值)
ADG801/ADG802
测试条件/评论
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= 100毫安;参见图13
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= 100毫安;参见图13
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= 100毫安
V
DD
= 5.5 V
V
S
= 4.5 V/1 V, V
D
= 1 V / 4.5 V ;参见图14
V
S
= 4.5 V/1 V, V
D
= 1 V / 4.5 V ;参见图14
V
S
= 4.5 V/1 V, V
D
= 1 V / 4.5 V ;参见图14
V
S
= 4.5 V/1 V, V
D
= 1 V / 4.5 V ;参见图14
V
S
= V
D
= 1 V或4.5 V ;参见图15
V
S
= V
D
= 1 V或4.5 V ;参见图15
±3
±3
±3
±30
±30
±30
2.0
0.8
0.005
±0.1
5
35
45
9
15
50
61
12
180
180
420
0.001
1.0
2.0
V
IN
= V
INL
或V
INH
50
18
55
21
R
L
= 50 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 3 V ;参见图16
R
L
= 50 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 3 V ;参见图16
V
S
= 2.5 V ,R
S
= 0 Ω; C
L
= 1 nF的;参见图17
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 pF的; F = 100千赫;
见图18
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 pF的;参见图19
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
V
DD
= 5.5 V
数字输入= 0 V或5.5 V
1
2
导通电阻的参数与我测试
S
= 10 mA的电流。
通过设计保证,不受生产测试。
版本B |第16页3
ADG801/ADG802
V
DD
= 2.7 V至3.6 V ,GND = 0V ,除非另有说明。汽车级温度范围为-40 ° C至+ 125°C 。
表2中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻(R
ON
)
导通电阻平坦度(R
平(ON)的
)
漏电流
源关闭泄漏,我
S
(关闭)
流掉泄漏,我
D
(关闭)
渠道渗漏,我
D
, I
S
(上)
数字输入
输入高电压,V
INH
输入低电压,V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
2
t
ON
t
关闭
电荷注入
关断隔离
带宽的-3 dB
C
S
(关闭)
C
D
(关闭)
C
D
, C
S
(上)
电源要求
I
DD
25°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 125°C
1
0 V至V
DD
0.4
0.6
0.1
±0.01
±0.25
±0.01
±0.25
±0.01
±0.25
0.65
0.1
0.7
0.1
单位
V
= (典型值)
=最大
= (典型值)
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA (典型值)
μA(最大值)
pF的典型值
纳秒(典型值)
ns(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最大值)
pC的典型值
dB典型值
兆赫(典型值)
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
μA (典型值)
μA(最大值)
V
IN
= V
INL
或V
INH
数据表
测试条件/评论
±3
±3
±3
±30
±30
±30
2.0
0.8
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= 100毫安;参见图13
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= 100毫安;参见图13
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= 100毫安
V
DD
= 3.6 V
V
S
= 3.3 V/1 V, V
D
= 1 V / 3.3 V ;参见图14
V
S
= 3.3 V/1 V, V
D
= 1 V / 3.3 V ;参见图14
V
S
= 3.3 V/1 V, V
D
= 1 V / 3.3 V ;参见图14
V
S
= 3.3 V/1 V, V
D
= 1 V / 3.3 V ;参见图14
V
S
= V
D
= 1 V或3.3 V ;参见图15
V
S
= V
D
= 1 V或3.3 V ;参见图15
0.005
±0.1
5
40
55
9
15
10
61
12
180
180
420
0.001
1.0
2.0
60
18
65
21
R
L
= 50 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 V ;参见图16
R
L
= 50 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 V ;参见图16
V
S
= 1.5 V ,R
S
= 0 Ω, C
L
= 1 nF的;参见图17
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF, F = 100千赫;
见图18
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 pF的;参见图19
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
V
DD
= 3.6 V
数字输入= 0 V或3.6 V
1
2
导通电阻的参数与我测试
S
= 10 mA的电流。
通过设计保证,不受生产测试。
版本B |第16页4
数据表
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃,除非另有说明。
表3中。
参数
V
DD
到GND
模拟输入
1
数字输入
1
连续电流,针S或针D
峰值电流,针S或针D
工作温度范围
汽车
存储温度范围
结温(T
JMAX
)
封装功耗
MSOP
θ
JA
热阻抗
θ
JC
热阻抗
SOT - 23 ( 4层板)
θ
JA
热阻抗
θ
JC
热阻抗
焊接温度,焊接
(10秒)的
IR回流焊,峰值温度
( <20秒)
回流焊接(无铅)
峰值温度
在峰值温度的时间
1
ADG801/ADG802
等级
-0.3 V至+7 V
0.3 V至VDD + 0.3 V或
30毫安,以先到为准
0.3 V至VDD + 0.3 V或
30毫安,以先到为准
400毫安
800毫安,脉冲为1毫秒,
10 %占空比的最大
-40 ° C至+ 125°C
-65 ° C至+ 150°C
150°C
(T
JMAX
– T
A
)/θ
JA
206°C/W
44°C/W
119°C/W
91.99°C/W
300°C
235°C
注意,超出上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有等级;该器件在这些或任何功能操作
上述其他条件下的作战指示
本规范的部分,是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
器件的可靠性。
表4.真值表
ADG801 (销)
0
1
ADG802 (销)
1
0
开关状态
关闭
On
ESD警告
260(+0/5)°C
10秒40秒
在过电压引脚,引脚S,或针D是由内部二极管钳位。
当前应限制在规定的最大额定值。
版本B |第16页5
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