初步的技术数据
a
特点
低导通电阻0.5 <
最多在5 V电源
0.1
导通电阻平坦度
+ 1.8V至+ 5.5V单电源供电
为100pA漏电流
14ns开关时间
扩展温度范围-40
o
C至+ 125
o
C
高电流承载能力
微型6引脚SOT23与8引脚
SOIC封装
低功耗
TTL / CMOS兼容输入
引脚兼容ADG701 / ADG702
应用
电源布线
音频和视频信号路由
手机
调制解调器
PCMCIA卡
硬盘驱动器
数据采集系统
通信系统
继电器更换
音频和视频切换
电池供电系统
<0.5
CMOS ，低压，单刀单掷开关
ADG801/ADG802
功能方框图
ADG801
S
D
ADG802
S
D
IN
IN
开关所对于逻辑"1"输入
概述
产品亮点
该ADG801 / ADG802均为单芯片CMOS单刀单掷（单
单刀单掷）开关小于导通电阻
0.5Ω 。这些开关采用先进的亚微米设计
过程中，提供极低的导通电阻，高开关
荷兰国际集团的速度和低泄漏电流。
低开<0.5Ω电阻意味着这些部件的理想选择
对于应用中的低导通电阻的开关是至关重要的。
该ADG801为常开（NO）开关，而
ADG802为常闭（ NC ） 。每个开关导通
同样在两个方向上的时候。
该ADG801和ADG802采用6引线提供SOT- 23
和8引脚
μSOIC
包。
1.低导通电阻（ 0.25
典型值） 。
2， + 1.8V至+ 5.5V单电源供电。
3.微型6引脚SOT23封装和8引脚
μSOIC
包。
4.引脚兼容ADG701 （ ADG801 ）
引脚兼容ADG702 （ ADG802 ） 。
REV 。预一月'02
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ADI公司， 2002年
初步的技术数据
ADG801/ADG802–SPECIFICATIONS
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
+25
o
C
–40
o
C到
+85
o
C
1
单位
测试条件/评论
(V
DD
= 5 V ±10%, V
SS
= GND = 0 V ，所有规格-40 ° C至+ 125°C ，除非另有说明。 ）
–40
o
C到
+125
o
C
0.25
0.4
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
) 0.05
0.5
0.1
0 V至V
DD
V
0.75
0.2
典型值
最大
典型值
最大
典型值
最大
典型值
最大
典型值
最大
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= -10毫安;
测试电路1
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= -10毫安
V
DD
= +5.5 V
V
S
= 4.5 V/1 V, V
D
= 1 V/4.5 V;
测试电路2
V
S
= 4.5 V/1 V, V
D
= 1 V/4.5 V;
测试电路2
V
S
= V
D
= 1 V或4.5 V ;
测试电路3
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
±0.01
±0.5
流掉泄漏我
D
（关闭）
±0.01
±0.5
渠道渗漏我
D
, I
S
（ON）的± 0.01
±0.5
±1
±1
±1
待定
待定
待定
2.4
0.8
nA
nA
nA
nA
nA
nA
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
2
t
ON
t
关闭
电荷注入
关断隔离
带宽的-3 dB
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
V分钟
V最大
μA （典型值） V
IN
= V
INL
或V
INH
μA（最大值）
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
pC的典型值
R
L
= 50
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 3 V ;测试电路4
0.005
±0.1
5
30
待定
20
待定
±20
–65
30
55
55
110
0.001
1.0
待定
待定
R
L
= 50
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 3 V ;测试电路4
V
S
= 0 V ，R
S
= 0
,
C
L
= 1 NF，测试
电路5
dB典型值
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1MHz时，
测试电路6
MHz的典型
L
= 50
,
C
L
= 5 pF的，测试电路7
pF的典型值F = 1兆赫
pF的典型值F = 1兆赫
pF的典型值F = 1兆赫
μA （典型值）
μA（最大值）
V
DD
= +5.5 V
数字输入= 0 V或5.5 V
笔记
1
温度范围如下：扩展级温度范围： - 40 ° C至+ 125°C 。
2
通过设计保证，不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
REV 。预
初步的技术数据
ADG801/ADG802
特定网络阳离子
(V
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
1
DD
= 2.7 V至3.6 V ，V
SS
= GND = 0 V ，所有规格-40 ° C至+ 125°C ，除非另有说明。 ）
+25 C
o
–40
o
C至-40
o
C到
+85
o
C
+125
o
C
单位
测试条件/评论
0.3
0.7
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
) 0.1
±0.01
±0.5
流掉泄漏我
D
（关闭）
±0.01
±0.5
渠道渗漏我
D
, I
S
（ON）的± 0.01
±0.5
0.8
0 V至V
DD
V
1
典型值
最大
0.3
典型值
nA
nA
nA
nA
nA
nA
典型值
最大
典型值
最大
典型值
最大
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= -10毫安;
测试电路1
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= -10毫安
V
DD
= +3.3 V
V
S
= 3 V/1 V, V
D
= 1 V/3 V;
测试电路2
V
S
= 3 V/1 V, V
D
= 1 V/3 V;
测试电路2
V
S
= V
D
= 1 V或3伏;
测试电路3
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
±0.1
±0.1
±0.1
待定
待定
待定
2.0
0.4
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
V
IN
= V
INL
或V
INH
0.005
±0.1
5
动态特性
2
t
ON
50
待定
t
关闭
40
待定
电荷注入
±20
关断隔离
带宽的-3 dB
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
–65
30
55
55
110
0.001
待定
待定
R
L
= 50
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 V，测试电路4
R
L
= 50
,
C
L
= 35 pF的
ns（最大值）
V
S
= 1.5 V，测试电路4
pC的典型值
V
S
= 0 V ，R
S
= 0
,
C
L
= 1 NF，测试
电路5
dB典型值
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1MHz时，
测试电路6
MHz的典型
L
= 50
,
C
L
= 5 pF的，测试电路7
pF的典型值
F = 1 MHz的
pF的典型值
F = 1 MHz的
pF的典型值
F = 1 MHz的
μA （典型值）
μA（最大值）
V
DD
= +3.3 V
数字输入= 0 V或3.3 V
1.0
笔记
1
温度范围如下：扩展级温度范围： -40 ° C至+ 125°C 。
2
通过设计保证，不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
REV 。预
–3–
初步的技术数据
ADG801/ADG802
绝对最大额定值
1
(T
A
= + 25 ° C除非另有说明）
V
DD
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+7 V
模拟输入
2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
- 0.3 V到V
DD
+0.3 V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。或30毫安，以先到为准
连续电流，S或D 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 400毫安
峰值电流，S或D 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 800毫安
（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比最大）
工作温度范围
扩展。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 125°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
μSOIC封装，功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 315毫瓦
θ
JA
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 206 ° C / W
θ
JC
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 44 ° C / W
SOT- 23封装，功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 282毫瓦
θ
JA
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 229.6 ° C / W
θ
JC
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 91.99 ° C / W
焊接温度，焊接（ 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 300℃
IR回流焊峰值温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 220℃
ESD.....................................................................2kV
笔记
1
注意，超出上述绝对最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值。
该器件在这些或以上的任何其他条件的功能操作
那些在本规范的业务部门所列出的是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下长时间
可能会影响器件的可靠性。只有一个绝对最大额定值可能
在任一时刻被应用。
2
过压IN ，S或D由内部二极管钳位。当前应
限于给出的最大额定值。
表一，表真相
ADG801在
0
1
ADG802在
1
0
开关状态
关闭
ON
销刀豆网络gurations
6引脚塑料表面贴装（ SOT -23 ）
(RT-6)
D
1
S
2
GND
3
6
8引脚小外形
SOIC
(RM-8)
D
1
8
ADG801/
ADG802
V
DD
NC
IN
S
GND
5
NC
2
NC
3
顶视图
4
（不按比例）
ADG801/
ADG802
7
NC =无连接
顶视图
6
IN
V
DD 4
（不按比例）
5
NC
NC =无连接
订购指南
模型
ADG801BRT
ADG801BRM
ADG802BRT
ADG802BRM
1
温度范围
–40°C
–40°C
–40°C
–40°C
to
to
to
to
+125°C
+125°C
+125°C
+125°C
电源选项
1
BRAND
1
3
3
3
3
V,
V,
V,
V,
5
5
5
5
V
V
V
V
SLB
SLB
SMB
SMB
包装说明
封装选项
SOT- 23 （塑料表面贴装）， RT- 6
μSOIC （小外形封装）
RM-8
SOT- 23 （塑料表面贴装）， RT- 6
μSOIC （小外形封装）
RM-8
品牌的SOT -23和
μSOIC
包被限制到3个字符，由于空间的限制。
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然
该ADG801 / ADG802具有专用ESD保护电路，可能永久的损坏
发生在受到高能静电放电设备。因此，适当的ESD
预防措施建议，以避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
–4–
REV 。预
初步的技术数据
ADG801/ADG802
术语
V
DD
I
DD
GND
S
D
IN
V
D
(V
S
)
R
ON
R
平（ON）的
I
S
（关闭）
I
D
（关闭）
I
D
, I
S
（上）
V
INL
V
INH
I
INL
(I
INH
)
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
C
D
,C
S
（上）
C
IN
t
ON
t
关闭
收费
注射
关断隔离
相声
带宽
插入
损失
最积极的供电潜力。
正电源电流。
接地（ 0 V ）参考。
源终端。可以是输入或输出。
漏极。可以是输入或输出。
逻辑控制输入。
在终端D，S模拟电压
D和S之间的欧姆电阻
测量平直度被定义为在最大和的导通电阻的最小值之间的差
在指定的模拟信号范围。
源漏电流与开关“OFF”。
漏极漏电流与开关“OFF”。
信道的泄漏电流与开关“ON”。
最大输入电压为逻辑“0”。
最小输入电压为逻辑“ 1 ” 。
输入电流的数字输入。
“OFF”开关源极电容。测量参考接地。
“ OFF”开关漏极电容。测量参考接地。
“ON”的开关电容。测量参考接地。
数字输入电容。
运用数字控制输入和输出开关上的延迟。见测试电路4 。
运用数字控制输入和输出开关关之间的延迟。
衡量开关期间从数字输入传输到模拟输出的毛刺脉冲。
度量耦合的无用信号，通过一个“关”的开关。
度量无用信号是从一个信道通过耦合到另一个作为寄生的结果
电容。
时的频率，输出由3dBs衰减。
由于在开关的电阻损失。
于响应所述“接通”开关的频率响应。
REV 。预
–5–
QQ：2881677436 复制
