a
2.5 ， 1.8 V至5.5 V ， 2.5 V三/四
SPDT开关芯片规模封装
ADG786/ADG788
功能方框图
S1B
D1
S1A
S3A
D3
S3B
S2A
D2
S2B
S2B
逻辑
D2
S2A
A0
A1 A2
EN
S3B
D3
S3A
IN2
IN1
IN4
特点
1.8 V至5.5 V单电源供电
±2.5
V双电源供电
2.5导通电阻
0.5导通电阻平坦度
100 pA的泄漏电流
19 ns的开关时间
三重SPDT ： ADG786
四路SPDT ： ADG788
20引脚4毫米
×
4毫米芯片级封装
低功耗
TTL / CMOS兼容输入
对于采用16引脚TSSOP功能等同设备
包，见ADG733 / ADG734
通过汽车应用认证
应用
数据采集系统
通信系统
继电器更换
音频和视频切换
电池供电系统
ADG786
S1A
D1
S1B
S4A
D2
S4B
ADG788
IN3
开关所对于逻辑“ 1 ”输入
概述
产品亮点
该ADG786和ADG788是低电压， CMOS器件
包括三个独立可选的SPDT （单刀，
双掷）开关和四个独立可选的单刀双掷
开关分别。
低功耗和1.8 V至工作电源电压范围
5.5 V和双
±
2.5 V使ADG786和ADG788理想
对于电池供电的便携式仪表以及许多其他
应用程序。所有通道表现出先开后合作开关
切换时，荷兰国际集团的行动防止瞬时短路
通道。一
EN
输入上的ADG786用于启用或
禁用该设备。禁用时，所有通道被关闭。
这些多路复用器的增强亚微米设计
过程中，提供低功耗，高开关
荷兰国际集团的速度，极低的导通电阻，高信号带宽和
低泄漏电流。导通电阻是在几个区域
欧姆，密切交换机之间的匹配，非常平坦，
在整个信号范围内。这些部件同样可以很好的运行
任一方向的，并有延伸于输入信号范围
耗材。
该ADG786和ADG788采用小型20引脚可用
芯片级封装。
1.小尺寸20引脚4毫米
×
4毫米芯片级封装（ CSP ） 。
2.单/双电源供电。该ADG786和ADG788
完全指定，并保证使用3 V
±
10％和
5 V
±
10 ％的单电源轨，并
±
2.5 V
±
双10 ％
电源轨。
3.低导通电阻（ 2.5
Ω
典型值） 。
4.低功耗（ <0.01
μW).
5.保证先开后合式开关动作。
启示录
A
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯该
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式
在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781 / 329-4700
www.analog.com
传真：
781/461-3113
ADI公司，
2012
ADG786/ADG788–SPECIFICATIONS
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
2
t
ON
t
关闭
ADG786吨
ON
（ EN ）
t
关闭
（ EN ）
突破前先延时，T
D
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
-3 dB带宽
C
S
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
1
(V
DD
= 5 V
10%, V
SS
= 0V ，GND = 0V ，除非另有说明。 ）
B版本
–40 C
+25 C
到+ 85℃
0 V至V
DD
5.0
0.1
0.4
1.2
±
0.01
±
0.1
±
0.01
±
0.1
单位
V
Ω
典型值
Ω
最大
Ω
典型值
Ω
最大
Ω
典型值
Ω
最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA
典型值
μA
最大
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
μA
典型值
μA
最大
测试条件/评论
2.5
4.5
0.5
V
S
= 0 V到V
DD
, I
DS
= 10毫安;
测试电路1
V
S
= 0 V到V
DD
, I
DS
= 10毫安
V
S
= 0 V到V
DD
, I
DS
= 10毫安
V
DD
= 5.5 V
V
D
= 4.5 V/1 V, V
S
= 1 V/4.5 V;
测试电路2
V
D
= V
S
= 1 V或4.5 V ;
测试电路3
±
0.3
±
0.5
2.4
0.8
0.005
4
19
±
0.1
V
IN
= V
INL
或V
INH
34
7
12
20
40
7
12
13
±
3
–72
–67
160
11
34
0.001
1.0
1
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的;
V
S1A
= 3 V, V
S1B
= 0 V ，测试电路4
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的;
V
S
= 3 V ，测试电路4
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的;
V
S
= 3 V ，测试电路5
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的;
V
S
= 3 V ，测试电路5
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的;
V
S
= 3 V ，测试电路6
V
S
= 2 V ，R
S
= 0
Ω,
C
L
= 1 nF的;
测试电路7
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
测试电路8
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
测试电路9
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 pF的，测试电路10
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
V
DD
= 5.5 V
数字输入= 0 V或5.5 V
笔记
1
温度范围如下： B版本： -40 ° C至+ 85°C 。
2
通过设计保证，不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
启示录
A
ADG786/ADG788
特定网络阳离子
1
(V
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
DD
=3V
10%, V
SS
= 0V ，GND = 0V ，除非另有说明。 ）
B版本
–40 C
+25 C
到+ 85℃
0 V至V
DD
12
0.1
0.5
3
单位
V
Ω
典型值
Ω
最大
Ω
典型值
Ω
最大
Ω
典型值
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA
典型值
μA
最大
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
μA
典型值
μA
最大
测试条件/评论
6
11
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
2
t
ON
t
关闭
ADG786吨
ON
（ EN ）
t
关闭
（ EN ）
突破前先延时，T
D
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
-3 dB带宽
C
S
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
±
0.01
±
0.1
±
0.01
±
0.1
V
S
= 0 V到V
DD
, I
DS
= 10毫安;
测试电路1
V
S
= 0 V到V
DD
, I
DS
= 10毫安
V
S
= 0 V到V
DD
, I
DS
= 10毫安
V
DD
= 3.3 V
V
S
= 3 V/1 V, V
D
= 1 V/3 V;
测试电路2
V
S
= V
D
= 1或3V ;
测试电路3
±
0.3
±
0.5
2.0
0.8
0.005
4
28
±
0.1
V
IN
= V
INL
或V
INH
55
9
16
29
60
9
16
22
±
3
–72
–67
160
11
34
0.001
1.0
1
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的;
V
S1A
= 2 V, V
S1B
= 0 V ，测试电路4
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的;
V
S
= 2 V ，测试电路4
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的;
V
S
= 2 V ，测试电路5
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的;
V
S
= 2 V ，测试电路5
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的;
V
S
= 2 V ，测试电路6
V
S
= 1 V ，R
S
= 0
Ω,
C
L
= 1 nF的;
测试电路7
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
测试电路8
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
测试电路9
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 pF的，测试电路10
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
V
DD
= 3.3 V
数字输入= 0 V或3.3 V
笔记
1
温度范围如下： B版本： -40 ° C至+ 85°C 。
2
通过设计保证，不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
启示录
A
–3–
ADG786/ADG788–SPECIFICATIONS
双电源
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
2
t
ON
t
关闭
ADG786吨
ON
（ EN ）
t
关闭
（ EN ）
突破前先延时，T
D
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
-3 dB带宽
C
S
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
I
SS
1
(V
DD
= +2.5 V
10%, V
SS
= –2.5 V
的10％ ，GND = 0V ，除非另有说明。 ）
B版本
–40 C
+25 C
到+ 85℃
V
SS
到V
DD
5.0
0.1
0.4
1.2
±
0.01
±
0.1
±
0.01
±
0.1
单位
V
Ω
典型值
Ω
最大
Ω
典型值
Ω
最大
Ω
典型值
Ω
最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA
典型值
μA
最大
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
μA
典型值
μA
最大
μA
典型值
μA
最大
测试条件/评论
2.5
4.5
0.5
V
S
= V
SS
到V
DD
, I
DS
= 10毫安;
测试电路1
V
S
= V
SS
到V
DD
, I
DS
= 10毫安
V
S
= V
SS
到V
DD
, I
DS
= 10毫安
V
DD
= +2.75 V, V
SS
= –2.75 V
V
S
= +2.25 V/–1.25 V, V
D
= –1.25 V/+2.25 V;
测试电路2
V
S
= V
D
= 2.25 V / -1.25 V，测试电路3
±
0.3
±
0.5
1.7
0.7
0.005
4
21
±
0.1
V
IN
= V
INL
或V
INH
35
10
16
21
40
10
16
13
±
5
–72
–67
160
11
34
0.001
1.0
0.001
1.0
1
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的;
V
S1A
= 1.5 V, V
S1B
= 0 V ，测试电路4
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的;
V
S
= 1.5 V，测试电路4
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的;
V
S
= 1.5 V，测试电路5
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的;
V
S
= 1.5 V，测试电路5
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的;
V
S
= 1.5 V，测试电路6
V
S
= 0 V ，R
S
= 0
Ω,
C
L
= 1 nF的;
测试电路7
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
测试电路8
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
测试电路9
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 pF的，测试电路10
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
V
DD
= +2.75 V
数字输入= 0 V或2.75 V
V
SS
= –2.75 V
数字输入= 0 V或2.75 V
笔记
1
温度范围如下： B版本： -40 ° C至+ 85°C 。
2
通过设计保证，不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–4–
启示录
A
ADG786/ADG788
绝对最大额定值
1
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
V
DD
到V
SS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7 V
V
DD
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+7 V
V
SS
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +0.3 V至-3.5 V
模拟输入
2
. . . . . . . . . . . . . . V
SS
- 0.3 V到V
DD
+ 0.3 V或
30毫安，以先到为准
2
数字输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
DD
+ 0.3 V或
30毫安，以先到为准
峰值电流，S或D 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安
（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比最大）
连续电流，S或D 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
工作温度范围
工业（ A，B版本） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65∞C至+ 150∞C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
20引脚CSP ，
θ
JA
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 32 ° C / W
焊接温度，焊接（ 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
IR回流焊峰值温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 220℃
笔记
1
注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作
器件在这些或以上的运作中列出的任何其他条件
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。只有一个绝对的
最大额定值可在任一时间施加。
2
过压A， EN ，IN ，S或D将由内部二极管钳位。当前
应限制在给定的最大额定值。
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然
该ADG786 / ADG788具有专用ESD保护电路，可能永久的损坏
发生在经受高能量静电放电设备。因此，适当的ESD防范措施
建议，以避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
销刀豆网络gurations
S2B
S1A
S4A
V
DD
IN1
IN4
NC
NC
NC
20 19 18 17 16
S2A 1
S3B 2
D3 3
S3A 4
EN
5
6
V
SS
销1
识别码
20 19 18 17 16
15 D2
14 NC
D1 1
S1B 2
V
SS
3
GND 4
S2B 5
6
D2
销1
识别码
D4
15 S4B
14 V
DD
13 S3B
12 D3
11 S3A
ADG786
顶视图
（不按比例）
13 D1
12 S1B
11 S1A
ADG788
顶视图
（不按比例）
7
GND
8
A2
9
A1
10
A0
7
S2A
8
IN2
9
IN3
10
NC
NC =无连接
裸露焊盘连接到基板上， V
SS
启示录
A
–5–
QQ：2880707522 复制
