a
特点
1.8 V至5.5 V单电源供电
低导通电阻（典型值2.5 ）
低导通电阻平坦度（ 0.5 ）
-3 dB带宽> 200兆赫
轨到轨工作
20引脚4毫米4毫米芯片级封装
快速开关时间
t
ON
= 16 ns的
t
关闭
= 10纳秒
典型功耗（ < 0.01 W）
TTL / CMOS兼容
对于采用16引脚TSSOP封装功能等效装置
和SOIC封装，见ADG711 / ADG712 / ADG713
应用
电池供电系统
通信系统
采样保持系统
音频信号路由
视频切换
机械式舌簧继电器更换
IN1
IN2
2.5
四通道SPST开关
在芯片级封装
ADG781/ADG782/ADG783
功能方框图
S1
IN1
S1
IN1
S1
D1
S2
IN2
D2
S3
D3
S4
IN4
D4
D1
S2
IN2
D1
S2
D2
S3
IN3
D2
ADG781
IN3
S3
IN3
ADG782
ADG783
D3
S4
IN4
D4
IN4
D3
S4
D4
开关所对于逻辑“ 1 ”输入
概述
产品亮点
该ADG781 ， ADG782和ADG783均为单芯片CMOS
包含四个独立可选的开关设备。这些
开关采用先进的亚微米工艺设计的
具有低功耗和高开关速度，低导通
电阻，低漏电流和高带宽。
他们的目的是从一个单一的1.8 V至5.5 V支持操作
层，使它们非常适合于电池供电的仪器使用
与新一代的模拟DAC和ADC
设备。快速开关时间和高带宽使
部分适合视频信号切换。
该ADG781 ， ADG782和ADG783包含四个独立的
单刀/单掷（ SPST）开关。该ADG781和
ADG782的区别仅在于，数字控制逻辑被反转。
该ADG781开关接通与在逻辑低
合适的控制输入，而需要一个逻辑高以启
在ADG782的开关。该ADG783有两个
开关的数字控制逻辑类似于ADG781 ，
而逻辑相反的其它两个开关。
每个开关导电性能相同，在两个方向的时候打开。
该ADG783展品先开后合式开关动作。
该ADG781 / ADG782 / ADG783采用20引脚芯片提供
级封装。
1. 20引脚4毫米
4毫米芯片级封装（ CSP ） 。
2. 1.8 V至5.5 V单电源供电。该ADG781 ，
ADG782和ADG783提供高性能且
完全指定，并保证有3 V和5 V电源
轨。
3.非常低R
ON
(4.5
最多在5 V ， 8
最多在3 V ） 。在供应
1.8 V ，R电压
ON
通常35
在整个温度
范围内。
4.低导通电阻平坦度。
5， -3 dB带宽>200兆赫。
6.低功耗。 CMOS结构确保了低
功耗。
7.快速吨
ON
/t
关。
8.先开后合式开关。这可以防止短路通道
当开关被配置为多路复用器（ ADG783
只） 。
REV 。一
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可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯该
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式
在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781 / 329-4700
www.analog.com
传真： 781 / 326-8703
ADI公司， 2002年
ADG781/ADG782/ADG783–SPECIFICATIONS
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
流掉泄漏我
D
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
动态特性
2
t
ON
t
关闭
突破前先延时，T
D
（仅ADG783 ）
电荷注入
关断隔离
B版本
-40 ℃
+25 C
+85 C
0 V至V
DD
2.5
4
4.5
0.05
0.4
1.0
±
0.01
±
0.1
±
0.01
±
0.1
±
0.01
±
0.1
单位
V
典型值
最大
典型值
最大
典型值
最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
A
典型值
A
最大
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
A
典型值
A
最大
(V
DD
= 5 V 10 ％ ， GND = 0 V，所有规格
-40°C至+ 85°C ，除非另有说明。 ）
测试条件/评论
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= -10毫安;
测试电路1
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= -10毫安
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= -10毫安
V
DD
= 5.5 V;
V
S
= 4.5 V/1 V, V
D
= 1 V/4.5 V;
测试电路2
V
S
= 4.5 V/1 V, V
D
= 1 V/4.5 V;
测试电路2
V
S
= V
D
= 1 V或4.5 V ;
测试电路3
0.5
±
0.2
±
0.2
±
0.2
2.4
0.8
0.005
±
0.1
11
16
6
10
6
1
3
–58
–78
–90
200
10
10
22
0.001
1.0
V
IN
= V
INL
或V
INH
通道到通道的串扰
带宽的-3 dB
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的，
V
S
= 3 V ;测试电路4
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的，
V
S
= 3 V ;测试电路4
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的，
V
S1
= V
S2
= 3 V ;测试电路5
V
S
= 2 V ;
S
= 0
,
C
L
= 1 nF的;
测试电路6
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 10 MHz的
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
测试电路7
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 10 MHz的;
测试电路8
R
L
= 50
,
C
L
= 5 pF的;测试电路9
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
V
DD
= 5.5 V
数字输入= 0 V或5.5 V
笔记
1
温度范围如下： B版本： -40 ° C至+ 85°C 。
2
通过设计保证，不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
REV 。一
ADG781/ADG782/ADG783
特定网络阳离子
1
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
(V
DD
= 3 V
10 ％ ， GND = 0 V，所有规格-40 ℃ + 85℃ ，除非另有说明。 ）
B版本
-40 ℃
+25 C
+85 C
0 V至V
DD
5.5
10
0.5
2.5
单位
V
典型值
最大
典型值
最大
典型值
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
A
典型值
A
最大
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
A
典型值
A
最大
测试条件/评论
5
0.1
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
流掉泄漏我
D
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
动态特性
2
t
ON
t
关闭
突破前先延时，T
D
（仅ADG783 ）
电荷注入
关断隔离
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= -10毫安;
测试电路1
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= -10毫安
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= -10毫安
V
DD
= 3.3 V;
V
S
= 3 V/1 V, V
D
= 1 V/3 V;
测试电路2
V
S
= 3 V/1 V, V
D
= 1 V/3 V;
测试电路2
V
S
= V
D
= 1 V或3伏;
测试电路3
±
0.01
±
0.1
±
0.01
±
0.1
±
0.01
±
0.1
±
0.2
±
0.2
±
0.2
2.0
0.8
0.005
±
0.1
13
20
7
12
7
1
3
–58
–78
–90
200
10
10
22
0.001
1.0
V
IN
= V
INL
或V
INH
通道到通道的串扰
带宽的-3 dB
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的，
V
S
= 2 V ;测试电路4
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的，
V
S
= 2 V ;测试电路4
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的，
V
S1
= V
S2
= 2 V ;测试电路5
V
S
= 1.5 V ;
S
= 0
,
C
L
= 1 nF的;
测试电路6
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 10 MHz的
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
测试电路7
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 10 MHz的;
测试电路8
R
L
= 50
,
C
L
= 5 pF的;测试电路9
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
V
DD
= 3.3 V
数字输入= 0 V或3.3 V
笔记
1
温度范围如下： B版本： -40 ° C至+ 85°C 。
2
通过设计保证，不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
REV 。一
–3–
ADG781/ADG782/ADG783
绝对最大额定值
1
(T
A
= 25 ° C除非另有说明。 ）
焊接温度，焊接（ 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
IR回流焊（ <20秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 235℃
笔记
1
注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作
器件在这些或以上的运作中列出的任何其他条件
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。只有一个绝对的
最大额定值可在任一时间施加。
2
过电压在IN ，S或D将通过内部二极管钳位。当前应
限于给出的最大额定值。
V
DD
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至6 V
模拟，数字输入
2
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
DD
+ 0.3 V或
30毫安，以先到为准
连续电流，S或D 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
峰值电流，S或D 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安
（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比最大）
工作温度范围
工业（B版） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40∞C至+ 85∞C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65∞C至+ 150∞C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
芯片级封装
θ
JA
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 32 ° C / W
订购指南
模型
ADG781BCP
ADG782BCP
ADG783BCP
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
包装说明
20引脚芯片级（ CSP ）
20引脚芯片级（ CSP ）
20引脚芯片级（ CSP ）
封装选项
CP-20
CP-20
CP-20
表一，真值表（ ADG781 / ADG782 ）
ADG781在
0
1
ADG782在
1
0
开关状态
ON
关闭
引脚配置
（ CSP ）
IN1
IN2
NC
NC
NC
20 19 18 17 16
D1 1
销1
识别码
15 D2
14 S2
13 V
DD
12 S3
11 D3
表II中。真值表（ ADG783 ）
S1 2
GND 3
ADG781/ADG782/
ADG783
顶视图
（不按比例）
逻辑
0
1
开关1,4
关闭
ON
开关2,3
ON
关闭
S4 4
D4 5
6
NC
7
IN4
8
NC
9
IN3
10
NC
NC =无连接
裸露焊盘绑基板， GND
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。
虽然ADG781 / ADG782 / ADG783配备专用ESD保护电路，永久
破坏可能发生在经受高能量静电放电设备。因此，适当的
ESD预防措施建议，以避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
–4–
REV 。一
QQ：2881677436 复制
