【CMOS 1.8 V至5.5 V ， 2.5 Ω单刀双掷开关/ 2 ： 1多路复用器，采用微型SC7】,IC型号ADG779BKSZ-REEL72,ADG779BKSZ-REEL72 PDF资料,ADG779BKSZ-REEL72经销商,ic,电子元器件-51电子网

CMOS 1.8 V至5.5 V ， 2.5 Ω

单刀双掷开关/ 2 ： 1多路复用器，采用微型SC70封装

ADG779

特点

1.8 V至5.5 V单电源供电

2.5 Ω导通电阻

0.75 Ω导通电阻平坦度

-3 dB带宽>200兆赫

轨到轨工作

6引脚SC70封装

快速开关时间

20纳秒

关闭

6纳秒

典型功耗（ <0.01 μW ）

TTL / CMOS兼容

功能框图

ADG779

示于开关

逻辑1输入

02491-001

图1 。

应用

电池供电系统

通信系统

采样保持系统

音频信号路由

视频切换

机械式舌簧继电器的替代品

概述

该ADG779是一款单芯片CMOS SPDT （单刀，

双掷）开关。这个开关被设计上的亚微米

过程中，提供低功耗，高

开关速度，低导通电阻和低泄漏电流。

该ADG779从1.8 V至单电源范围内工作

5.5 V ，因此非常适合于电池供电的仪器使用

与新一代的模拟DAC和ADC

设备公司

该ADG779的各开关导电性能相同，在两个

方向时。该ADG779展品突破前先

开关动作。

由于先进的亚微米工艺， -3 dB带宽

大于200兆赫，可实现的。

该ADG779是采用6引脚SC70封装。

产品亮点

微型6引脚SC70封装。

1.8 V至5.5 V单电源供电。该ADG779

提供高的性能，包括低导通电阻和

快速的切换时间，并且被完全指定，并保证

3 V和5 V电源轨。

非常低R

（ 5 Ω最大为5 V，10 Ω最大为3 V）。在1.8 V

操作中，R

是在整个温度范围通常为40 Ω 。

导通电阻平坦度（R

平（ON）的

）（ 0.75 Ω典型值）。

-3 dB带宽> 200兆赫。

低功耗。 CMOS结构确保了低

功耗。

14 ns的开关时间。

REV 。一

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ADG779

特点................................................. ............................................. 1

应用................................................. ...................................... 1

功能框图............................................... ............... 1

概述................................................ ......................... 1

产品亮点................................................ ........................... 1

修订历史................................................ ............................... 2

规格................................................. .................................... 3

绝对最大额定值............................................... ............. 5

ESD注意事项................................................ .................................. 5

引脚配置和功能描述.............................. 6

术语................................................. ...................................... 7

典型性能特征.............................................. 8

测试电路................................................ ..................................... 10

外形尺寸................................................ ....................... 12

订购指南................................................ .......................... 12

修订历史

10月5日 - 修订版。 0到版本A

更新格式................................................ ..................通用

更改表1 .............................................. .............................. 3

更改表2 .............................................. .............................. 4

更改表3 .............................................. .............................. 5

更改名词科.............................................. ...... 7

更改订购指南.............................................. ............ 12

7月1日 - 修订版0 ：初始版

版本A |第12页2

ADG779

特定网络阳离子

= 5 V± 10 ％， GND = 0 V

表1中。

B版本

-40 ° C至

+85°C

0 V至V

2.5

0.1

0.75

1.2

漏电流

来源OFF漏我

（关闭）

渠道渗漏我

, I

（上）

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流

INL

还是我

INH

动态特性

关闭

突破前先延时，T

关断隔离

通道到通道的串扰

带宽的-3 dB

（关闭）

, C

（上）

电源要求

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻（R

)

导通电阻匹配通道间（ ΔR

)

导通电阻平坦度（R

平（ON）的

)

25°C

单位

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

nA的典型值

V分钟

V最大

μA （典型值）

μA（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最小值）

dB典型值

兆赫（典型值）

pF的典型值

测试条件/评论

= 0 V到V

, I

= -10毫安，见图12

= 0 V到V

, I

= -10毫安

= 0 V到V

, I

= -10毫安

= 5.5 V

= 4.5 V/1 V, V

= 1 V / 4.5 V ，见图13

= V

= 1 V或V

= V

= 4.5 V ，见图14

0.8

±0.01

±0.05

2.4

0.8

0.005

±0.1

200

= V

INL

或V

INH

= 300 Ω, C

= 35 pF的

= 3 V ，见图15

= 300 Ω, C

= 35 pF的

= 3 V ，见图15

= 300 Ω, C

= 35 pF的

= V

= 3 V ，见图16

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 10 MHz的

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 1MHz时，见图17

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 10 MHz的

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 1MHz时，见图18

= 50 Ω, C

= 5 pF的，见图19

F = 1 MHz的

= 5.5 V

数字输入= 0 V或5 V

0.001

1.0

μA （典型值）

μA（最大值）

温度范围为B版本， -40 ° C至+ 85°C 。

通过设计保证，不受生产测试。

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ADG779

= 3V ±10％，GND = 0V

表2中。

B版本

-40 ° C至

+85°C

0 V至V

0.8

导通电阻平坦度（R

平（ON）的

)

漏电流

来源OFF漏我

（关闭）

渠道渗漏我

, I

（上）

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流

INL

还是我

INH

动态特性

关闭

突破前先延时，T

关断隔离

通道到通道的串扰

带宽的-3 dB

（关闭）

, C

（上）

电源要求

2.5

±0.01

±0.05

2.0

0.8

0.005

±0.1

–67

–87

–62

–82

200

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻（R

)

导通电阻匹配通道间（ ΔR

)

25°C

单位

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

= （典型值）

nA的典型值

V分钟

V最大

μA （典型值）

μA（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最小值）

dB典型值

兆赫（典型值）

pF的典型值

测试条件/评论

0.1

= 0 V到V

, I

= -10毫安，见图12

= 0 V到V

, I

= -10毫安

= 0 V到V

, I

= -10毫安

= 3.3 V

= 3 V/1 V, V

= 1 V / 3 V ，见图13

= V

= 1 V或V

= V

= 3 V ，见图14

= V

INL

或V

INH

= 300 Ω, C

= 35 pF的

= 2 V ，见图15

= 300 Ω, C

= 35 pF的

= 2 V ，见图15

= 300 Ω, C

= 35 pF的

= V

= 2 V ，见图16

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 10 MHz的

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 1MHz时，见图17

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 10 MHz的

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 1MHz时，见图18

= 50 Ω, C

= 5 pF的，见图19

F = 1 MHz的

= 3.3 V

数字输入= 0 V或3 V

0.001

1.0

μA （典型值）

μA（最大值）

温度范围为B版本， -40 ° C至+ 85°C 。

通过设计保证，不受生产测试。

版本A |第12页4

ADG779

绝对最大额定值

= 25 ℃，除非另有说明。

表3中。

参数

到GND

模拟，数字输入

峰值电流，S或D

连续电流，S或D

工作温度范围

工业（B版）

存储温度范围

结温

SC70封装，功耗

热阻抗

焊接温度，焊接

气相（60秒）

红外（ 15秒）

回流焊接（无铅）

峰值温度

在峰值温度的时间

等级

-0.3 V至+7 V

0.3 V到V

+ 0.3 V或30 mA时，

以先到为准科幻RST

百毫安（脉冲为1毫秒，

10 ％占空比最大）

30毫安

-40 ° C至+ 85°C

-65 ° C至+ 150°C

150°C

315毫瓦

332°C/W

120°C/W

215°C

220°C

260 (+0/5)°C

10秒40秒

注意，超出上述绝对最大额定值

可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力

只有等级;该器件在这些或任何功能操作

上述其他条件下的作战指示

本规范的部分，是不是暗示。暴露在绝对

最大额定值条件下工作会影响

器件的可靠性。

表4.真值表

ADG779 IN

开关S1

关闭

开关S2

关闭

过压IN ，S或D是由内部二极管钳位。当前应

限于给出的最大额定值。

ESD警告

ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易堆积在

人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然这款产品的特点

专用ESD保护电路，永久性的损害可能在遇到高能量发生装置

静电放电。因此，适当的ESD防范措施建议，以避免性能

下降或功能丧失。

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