a
特点
1.8 V至5.5 V单电源供电
2.5导通电阻
0.75导通电阻平坦度
-3 dB带宽>200兆赫
轨到轨工作
6引脚SC70封装
快速开关时间
t
ON
20纳秒
t
关闭
6纳秒
典型功耗（ <0.01
TTL / CMOS兼容
应用
电池供电系统
通信系统
采样保持系统
音频信号路由
视频切换
机械式舌簧继电器更换
CMOS 1.8 V至5.5 V ， 2.5
单刀双掷开关/ 2 ： 1多路复用器，采用微型SC70封装
ADG779
功能框图
ADG779
S2
D
S1
IN
W)
示于开关
逻辑输入"1"
概述
产品亮点
该ADG779是一款单芯片CMOS SPDT （单刀，
双掷）开关。这个开关被设计在一个submi-
cron进程，提供低功耗，
高开关速度，低导通电阻和低泄漏
电流。
该ADG779从1.8 V单电源范围内工作
至5.5 V ，因此非常适合于电池供电的仪器使用
ments ，并使用从新一代DAC和ADC的
ADI公司。
该ADG779的各开关导电性能相同，在两个
方向时。该ADG779展品突破前先
开关动作。
由于先进的亚微米工艺， -3 dB带宽
大于200兆赫，可实现的。
该ADG779是采用6引脚SC70封装。
1.微型6引脚SC70封装。
2. 1.8 V至5.5 V单电源供电。该ADG779
提供高的性能，包括低导通电阻和
快速的切换时间，并且被完全指定，并保证
3 V和5 V电源轨。
3.非常低R
ON
(5
最多在5 V ， 10
最多在3 V ） 。在1.8 V
操作中，R
ON
通常为40
在整个温度范围内。
4.导通电阻平坦度（R
平（ON）的
) (0.75
典型值）。
5， -3 dB带宽>200兆赫。
6.低功耗。 CMOS结构确保了低
功耗。
7. 14 ns的开关时间。
第0版
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可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
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可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式
在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781 / 329-4700
www.analog.com
传真： 781 / 326-8703
ADI公司， 2001
ADG779–SPECIFICATIONS
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
2
来源OFF漏我
S
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
动态特性
2
t
ON
t
关闭
突破前先延时，T
D
关断隔离
0.75
1
(V
DD
= 5 V
的10％ ， GND = 0V）
B版本
-40 ℃
25 C
+85 C
0 V至V
DD
2 .5
5
6
0.1
0.8
1.2
±
0.01
±
0.01
±
0.05
±
0.05
单位
V
典型值
最大
典型值
最大
典型值
最大
nA的典型值
nA的典型值
测试条件/评论
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= -10毫安，
测试电路1
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= -10毫安
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= -10毫安
V
DD
= 5.5 V
V
S
= 4.5 V/1 V, V
D
= 1 V/4.5 V,
测试电路2
V
S
= V
D
= 1 V或V
S
= V
D
= 4.5 V,
测试电路3
2.4
0.8
0.005
±
0.1
14
20
3
6
8
1
–67
–87
–62
–82
200
7
27
V分钟
V最大
A
典型值
A
最大
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
dB典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
V
IN
= V
INL
或V
INH
通道到通道的串扰
带宽的-3 dB
C
S
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 3 V ，测试电路4
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 3 V ，测试电路4
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的，
V
S1
= V
S2
= 3 V ，测试电路5
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 10 MHz的
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1MHz时，
测试电路6
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 10 MHz的
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1MHz时，
测试电路7
R
L
= 50
,
C
L
= 5 pF的，测试电路8
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
V
DD
= 5.5 V
数字输入= 0 V或5 V
0.001
1.0
A
典型值
A
最大
笔记
1
温度范围如下： B版本， -40 ° C至+ 85°C 。
2
通过设计保证，不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
第0版
特定网络阳离子
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
1
ADG779
(V
DD
= 3 V
的10％ ， GND = 0V）
B版本
-40 ℃
25 C
+85 C
0 V至V
DD
7
10
0.1
0.8
2.5
±
0.01
±
0.01
±
0.05
±
0.05
单位
V
典型值
最大
典型值
最大
典型值
nA的典型值
nA的典型值
测试条件/评论
6
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= -10毫安，
测试电路1
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= -10毫安
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= -10毫安
V
DD
= 3.3 V
V
S
= 3 V/1 V, V
D
= 1 V/3 V,
测试电路2
V
S
= V
D
= 1 V或V
S
= V
D
= 3 V,
测试电路3
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
2
来源OFF漏我
S
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
动态特性
2
t
ON
t
关闭
突破前先延时，T
D
关断隔离
2.0
0.8
0.005
±
0.1
16
24
4
7
8
1
–67
–87
–62
–82
200
7
27
V分钟
V最大
A
典型值
A
最大
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
dB典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
V
IN
= V
INL
或V
INH
通道到通道的串扰
带宽的-3 dB
C
S
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 2 V ，测试电路4
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 2 V ，测试电路4
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 2 V ，测试电路5
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 10 MHz的
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1MHz时，
测试电路6
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 10 MHz的
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1MHz时，
测试电路7
R
L
= 50
,
C
L
= 5 pF的，测试电路8
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
V
DD
= 3.3 V
数字输入= 0 V或3 V
0.001
1.0
A
典型值
A
最大
笔记
1
温度范围如下： B版本， -40 ° C至+ 85°C 。
2
通过设计保证，不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
第0版
–3–
ADG779
绝对最大额定值
1
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
术语
V
DD
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+7 V
模拟，数字输入
2
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
DD
+ 0.3 V或
30毫安，以先到为准
峰值电流，S或D 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安
（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比最大）
连续电流，S或D 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
工作温度范围
工业（B版） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
SC70封装，功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 315毫瓦
θ
JA
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 332 ° C / W
θ
JC
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 120 ° C / W
焊接温度，焊接
气相（60秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 215∞C
红外（ 15秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 220℃
笔记
1
注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作
器件在这些或以上的运作中列出的任何其他条件
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。只有一个绝对的
最大额定值可在任一时间施加。
2
过压IN ，S或D由内部二极管钳位。当前应
限于给出的最大额定值。
表一，表真相
ADG779 IN
0
1
开关S1
ON
关闭
开关S2
关闭
ON
最积极的供电潜力。
接地（ 0 V ）参考。
源终端。可以是输入或输出。
漏极。可以是输入或输出。
逻辑控制输入。
D和S之间的欧姆电阻
导通电阻任意两个通道之间的匹配
即，R
ON
马克斯 - R的
ON
分钟。
R
平（ON）的
平整度是指之间的差
的导通电阻为最大值和最小值
测量在指定的模拟信号范围。
源漏电流与开关“OFF”。
I
S
（关闭）
I
D
, I
S
（ON）的信道的泄漏电流与开关“ON”。
V
D
(V
S
)
在端D ，S模拟电压
C
S
（关闭）
“ OFF”开关的源极电容。
C
D
, C
S
（ON）的“ON”的开关电容。
t
ON
施加的数字控制输入之间的延迟
和输出开关上。
t
关闭
施加的数字控制输入之间的延迟
并输出开关关闭。
t
D
“ON”的时间之间所测量的“关”的时间或
两个开关的90 ％点，切换时
从一个地址状态到另一个状态。
相声
衡量无用信号的耦合
通过从一个通道到另一个作为结果
的寄生电容。
关断隔离，通过衡量耦合的无用信号
一个“关闭”开关。
于响应所述“接通”开关的频率响应。
损耗
由于开关的“ON”位置的电阻损耗。
V
DD
GND
S
D
IN
R
ON
R
ON
引脚配置
6引脚SC70
IN
1
V
DD 2
6
S2
顶视图
5
D
（不按比例）
4
S1
GND
3
ADG779
订购指南
模型
ADG779BKS
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
包装说明
SC70 （塑料表面贴装）
封装选项
KS-6
品牌信息*
SKB
*品牌
=品牌对这些包被限制为三个字符由于空间的限制。
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。
虽然ADG779具有专用ESD保护电路，可能永久的损坏
发生在经受高能量静电放电设备。因此，适当的ESD
预防措施建议，以避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
–4–
第0版
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