【低电压， 400兆赫，四2 ： 1复用3 ns开关时间ADG774A特点带宽： >400兆赫低】,IC型号ADG774ABRQZ,ADG774ABRQZ PDF资料,ADG774ABRQZ经销商,ic,电子元器件-51电子网

低电压， 400兆赫，四2 ： 1

复用3 ns开关时间

ADG774A

特点

带宽： >400兆赫

低插入损耗和导通电阻： 2.2 Ω典型

导通电阻平坦度： 0.3 Ω典型

单3 V / 5 V电源供电

极低的失真： <0.3 ％

低静态电流： 1 nA的典型

快速开关时间

= 6纳秒

关闭

= 3纳秒

TTL / CMOS兼容

无铅封装

16引脚QSSOP

16引脚3 mm ×3 mm的机身LFCSP

功能框图

ADG774A

S1A

S1B

S2A

S2B

S3A

S3B

S4A

S4B

1 2

解码器

02373-001

图1 。

概述

该ADG774A是由四个单片CMOS器件

2 ： 1多路复用器/多路分解器具有高阻抗输出。

CMOS工艺提供了低功耗，报价

高开关速度和低导通电阻。导通电阻

变化通常小于0.5 Ω以上的输入信号范围。

该ADG774A的带宽通常是400兆赫和此

再加上低失真（通常为0.3 ％），使得部分

适合于高速数据信号的切换。

导通电阻曲线都非常平坦，在整个模拟输入

范围确保了出色的线性度和低失真。 CMOS

建设，确保超低功耗。

该ADG774A采用单3.3 V / 5 V电源供电，

TTL逻辑兼容。每个开关的控制逻辑是

在该真值表中所示（见表5）。

这些开关进行同样在两个方向的时

上。在关断状态下，最多的信号电平在耗材

受阻。该ADG774A开关展览突破前先

开关动作。

产品亮点

对>400 MHz的宽带数据传输速率。

超低功耗。

低泄漏过温。

先开后合式开关防止短路通道

当开关被配置为多路复用器。

串扰是典型的-70分贝@ 10兆赫。

关闭隔离通常是-65分贝@ 10兆赫。

可在紧凑的3毫米× 3 mm LFCSP封装。

版本B

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ADG774A

特点................................................. ............................................. 1

功能框图............................................... ............... 1

概述................................................ ......................... 1

产品亮点................................................ ........................... 1

修订历史................................................ ............................... 2

规格................................................. .................................... 3

单电源................................................ ................................. 3

绝对最大额定值............................................... ............. 5

ESD注意事项................................................ ................................... 5

引脚配置和功能描述............................ 6

典型性能特征.............................................. 7

测试电路................................................ ........................................ 9

术语................................................. ................................... 11

应用电路................................................ ....................... 12

外形尺寸................................................ ....................... 13

订购指南................................................ .......................... 13

修订历史

8月6日 - 修订版。 A到版本B

更新格式................................................ ..................通用

加入LFCSP型号...............................................通用...........

增加了无铅模型.............................................通用.....

更改表3 .............................................. ............................... 5

更新的外形尺寸............................................... ........ 13

更改订购指南.............................................. ............ 13

4月3日 - 修订版。 0到版本A

更改的TPC 9-11 ............................................ .......................... 5

更新的外形尺寸............................................... ........... 8

7月1日 - 修订版0 ：初始版

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ADG774A

特定网络阳离子

单电源

= 5 V± 10 ％， GND = 0 V ，规格全牛逼

民

给T

最大

中，除非另有说明。

表1中。

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻，R

导通电阻匹配通道间， ΔR

导通电阻平坦度，R

平（ON）的

漏电流

源关闭泄漏，我

（关闭）

流掉泄漏，我

（关闭）

渠道渗漏，我

, I

（上）

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流

INL

还是我

INH

数字输入电容，C

动态特性

, t

（ EN ）

关闭

, t

关闭

（ EN ）

突破前先延时，T

关断隔离

通道到通道的串扰

带宽的-3 dB

失真

电荷注入

（关闭）

, C

（上）

电源要求

0.001

B版本

25°C

民

给T

最大

02.5

2.2

3.5

0.15

0.3

0.6

±0.001

±0.1

±0.001

±0.1

±0.001

±0.1

0.5

单位

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

μA （典型值）

μA（最大值）

pF的典型值

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最小值）

dB典型值

兆赫（典型值）

％（典型值）

pC的典型值

pF的典型值

测试条件/评论

= 0 V至1 V，I

= -10毫安

= 0 V至1 V，I

= -10毫安

= 0 V至1 V，I

= -10毫安

= 3 V/1 V, V

= 1 V / 3 V ，见图17

= 3 V/1 V, V

= 1 V / 3 V ，见图17

= V

= 3 V / 1 V ，见图18

±0.25

2.4

0.8

0.001

±0.1

400

0.3

7.5

= V

INL

或V

INH

= 35 pF的，R

= 50 Ω, V

= 2V，见图22

= 35 pF的，R

= 50 Ω, V

= 2V，见图22

= 35 pF的，R

= 50 Ω, V

= V

= 2V，参见图23

F = 10MHz的，R

= 50 Ω ，见图20

F = 10MHz的，R

= 50 Ω ，见图21

= 50 Ω ，见图19

= 100 Ω

= 1 NF，见图24 ，V

= 0 V

= 5.5 V

数字输入= 0 V或V

μA（最大值）

μA （典型值）

温度范围为B版本为-40 ° C至+ 85°C 。

通过设计保证，不受生产测试。

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ADG774A

= 3 V± 10 ％， GND = 0 V ，规格全牛逼

民

给T

最大

中，除非另有说明。

表2中。

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻，R

导通电阻匹配通道间，

导通电阻平坦度，R

平（ON）的

漏电流

源关闭泄漏，我

（关闭）

流掉泄漏，我

（关闭）

渠道渗漏，我

, I

（上）

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流

INL

还是我

INH

数字输入电容，C

动态特性

, t

（ EN ）

关闭

, t

关闭

（ EN ）

突破前先延时，T

关断隔离

通道到通道的串扰

带宽的-3 dB

失真

电荷注入

（关闭）

, C

（上）

电源要求

0.001

B版本

25°C

民

给T

最大

0-1.5

0.15

1.5

±0.001

±0.1

±0.001

±0.1

±0.001

±0.1

0.5

单位

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

μA （典型值）

μA（最大值）

pF的典型值

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最小值）

dB典型值

兆赫（典型值）

％（典型值）

pC的典型值

pF的典型值

测试条件/评论

= 0 V至1 V ;我

= -10毫安

= 0 V至1 V，I

= -10毫安

= 0 V至1 V，I

= -10毫安

= 2 V/1 V, V

= 1 V / 2 V ，见图17

= 2 V/1 V, V

= 1 V / 2 V ，见图17

= V

= 2 V / 1 V ，见图18

±0.25

2.0

0.4

0.001

±0.1

400

1.5

7.5

= V

INL

或V

INH

= 35 pF的，R

= 50 Ω, V

= 1.5 V，见图22

= 35 pF的，R

= 50 Ω, V

= 1.5 V，见图22

= 35 pF的，R

= 50 Ω, V

= V

= 1.5 V，见图23

F = 10MHz的，R

= 50 Ω

F = 10MHz的，R

= 50 Ω ，见图21

= 50 Ω ，见图19

= 100 Ω

= 1 NF，见图24 ，V

= 0 V

= 3.3 V

数字输入= 0 V或V

μA（最大值）

μA （典型值）

温度范围为B版本为-40 ° C至+ 85°C 。

通过设计保证，不受生产测试。

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ADG774A

绝对最大额定值

= 25 ℃，除非另有说明。

表3中。

参数

到GND

模拟，数字输入

连续电流，S或D

峰值电流，S或D

工作温度范围

工业（B版）

存储温度范围

结温

热阻抗， θ

16引脚QSSOP

16引脚LFCSP （ 3毫米× 3毫米），

无铅焊接温度

气相（60秒）

红外（ 15秒）

回流焊接（无铅）

峰值温度

在峰值温度的时间

等级

0.3 V至6 V

0.3 V到V

+ 0.3 V或30 mA时，

以先到为准科幻RST

百毫安

300毫安（脉冲为1毫秒，

10 ％占空比最大）

-40 ° C至+ 85°C

-65 ° C至+ 150°C

150°C

105.44°C/W

48.7°C/W

215°C

220°C

260°C (+0°C/–5°C)

10秒40秒

注意，超出上述绝对最大额定值

可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力

只有等级;该器件在这些或任何功能操作

上述其他条件的业务部门上市

本规范是不是暗示。暴露在绝对

最大额定值条件下工作会影响

器件的可靠性。只有一个绝对最大额定值可能

在任一时间施加。

ESD警告

过压IN ，S或D是由内部二极管钳位。当前应

限于给出的最大额定值。

测量焊接在四层板的设备。

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