a
特点
高关断隔离-80 dB的30 MHz的
-3 dB信号带宽250 MHz的
+ 1.8V至+ 5.5V单电源供电
低导通电阻（通常15 ）
低导通电阻平坦度
快速开关时间
t
ON
通常为8 ns
t
关闭
一般为3纳秒
典型功耗< 0.01 W
TTL / CMOS兼容
应用
音频和视频切换
RF开关
网络应用
电池供电系统
通信系统
继电器更换
采样保持系统
CMOS ，低压
RF /视频， SPDT开关
ADG752
功能框图
ADG752
S1
D
S2
IN
开关如图所示为逻辑"1"输入
概述
产品亮点
该ADG752是低电压的SPDT （单刀双掷）
开关。它是使用在T形开关的配置开关的构造
化，这导致优良的关断隔离，同时保持
在ON状态良好的频率响应。
高关断隔离和宽信号带宽，使这部分
合适的用于切换的RF信号和视频信号。低功率变
消费和操作电压范围的+1.8 V至+5.5 V化妆
它非常适用于电池供电的便携式仪器。
该ADG752设计上的亚微米工艺提供
低功耗，高开关速度和低导通
性。这部分是一个完全的双向开关，并且可以处理
信号直至并包括电源轨。突破前先
开关动作保证了输入信号免受
通道间瞬时短路切换时。
该ADG752是6引脚SOT- 23和8引脚
μSOIC
包。
1.高关断隔离-80分贝在30兆赫。
2， -3 dB信号带宽250 MHz的。
3.低导通电阻（ 15
).
4.低功耗，典型<0.01
W.
5.先开后合式开关动作。
6.微型6引脚SOT- 23和8引脚
μSOIC
包。
第0版
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传真： 781 / 326-8703
ADI公司， 1999
ADG752–SPECIFICATIONS
(V
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
1
t
ON
t
关闭
突破前先延时
关断隔离
相声
-3 dB带宽
C
S
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
笔记
1
通过设计保证，不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
DD
= +5 V
的10％ ，GND = 0V ，除非另有说明。 ）
B版本
–40 C
+25 C
到+ 85℃
0 V至V
DD
15
18
0.1
0.6
2
20
0.6
3
±
0.01
±
0.25
±
0.01
±
0.25
单位
V
典型值
最大
典型值
最大
典型值
最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
A
典型值
A
最大
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
dB典型值
dB典型值
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
A
典型值
A
最大
测试条件/评论
V
S
= 0 V到V
DD
, I
DS
= 10毫安;
测试电路1
V
S
= 0 V到V
DD
, I
DS
= 10毫安
V
S
= 0 V至2.5 V，I
DS
= 10毫安
V
DD
= + 4.5 V
V
D
= 4.5 V/1 V, V
S
= 1 V/4.5 V;
测试电路2
V
D
= V
S
= 1 V或4.5 V ;
测试电路3
±
3.0
±
3.0
2.4
0.8
0.001
2
8
±
0.5
V
IN
= V
INL
或V
INH
13
3
5
6
1
–80
–80
250
4
15
0.001
0.1
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;
V
S
= 3 V ，测试电路4
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;
V
S
= 3 V ，测试电路4
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;
V
S
= 3 V ，测试电路5
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 30 MHz的;
测试电路6
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 30 MHz的;
测试电路7
R
L
= 50
,
C
L
= 5 pF的，测试电路8
V
DD
= +5.5 V
数字输入= 0 V或5.5 V
0.5
–2–
第0版
特定网络阳离子
(V
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
DD
= +3 V
的10％ ，GND = 0V ，除非另有说明。 ）
B版本
–40 C
+25 C
到+ 85℃
0 V至V
DD
35
50
0.2
2.5
±
0.01
±
0.25
±
0.01
±
0.25
2.5
ADG752
测试条件/评论
单位
V
典型值
最大
典型值
最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
A
典型值
A
最大
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
dB典型值
dB典型值
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
A
典型值
A
最大
V
S
= 0 V到V
DD
, I
DS
= 10毫安;
测试电路1
V
S
= 0 V到V
DD
, I
DS
= 10毫安
V
DD
= +3.3 V
V
S
= 3 V/1 V, V
D
= 1 V/3 V;
测试电路2
V
S
= V
D
= 1或3V ;
测试电路3
±
3.0
±
3.0
2.0
0.4
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
1
t
ON
t
关闭
突破前先延时
关断隔离
相声
-3 dB带宽
C
S
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
笔记
1
通过设计保证，不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
0.001
2
10
±
0.5
V
IN
= V
INL
或V
INH
18
4
8
6
1
–80
–80
250
4
15
0.001
0.1
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;
V
S
= 2 V ，测试电路4
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;
V
S
= 2 V ，测试电路4
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;
V
S
= 2 V ，测试电路5
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 30 MHz的;
测试电路6
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 30 MHz的;
测试电路7
R
L
= 50
,
C
L
= 5 pF的，测试电路8
V
DD
= +3.3 V
数字输入= 0 V或3.3 V
0.5
第0版
–3–
ADG752
绝对最大额定值
1
(T
A
= + 25 ° C除非另有说明）
术语
V
DD
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至6 V
模拟，数字输入
2
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
DD
+0.3 V或
30毫安，以先到为准
峰值电流，S或D 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.100毫安
（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比最大）
连续电流，S或D 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
工作温度范围
工业（B版） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （T
J
最大-T
A
)/θ
JA
结温（T
J
马克斯） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
μSOIC
包
θ
JA
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 206 ° C / W
θ
JC
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 44 ° C / W
SOT- 23封装
θ
JA
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 229.6 ° C / W
θ
JC
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 91.99 ° C / W
焊接温度，焊接
气相（60秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 215℃
红外（ 15秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 220℃
笔记
1
注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作
器件在这些或以上的业务部门所列出的任何其他条件
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。只有一个绝对的马克西 -
妈妈等级可能在任一时刻被应用。
2
过压IN ，S或D由内部二极管钳位。当前应
限于给出的最大额定值。
V
DD
GND
S
D
IN
R
ON
R
ON
R
平（ON）的
I
S
（关闭）
I
D
, I
S
（上）
V
D
(V
S
)
C
S
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
t
ON
t
关闭
t
D
关断隔离
相声
销刀豆网络gurations
8引脚SOIC
(RM-8)
NC 1
S2 2
8 D
6引脚SOT- 23
(RT-6)
D 1
V
DD
2
6
S2
最积极的供电潜力。
接地（ 0 V ）参考。
源终端。可以是输入或输出。
漏极。可以是输入或输出。
逻辑控制输入。
D和S之间的欧姆电阻
在通道之间的电阻匹配，即，
R
ON
最大-R
ON
分钟。
平整度是指之间的差
对电阻的最大值和最小值
tance测量在指定的模拟
信号范围。
源漏电流与开关“OFF”。
信道的泄漏电流与开关“ON”。
在端子D和S.模拟电压
“ OFF”开关的源极电容。
“ON”的开关电容。
施加所述数字控制之间的延迟
输入和输出开关上。见测试
电路4 。
施加所述数字控制之间的延迟
输入和输出的开关关闭。
“ON”时间“关”的时间或测量之间
两个开关的90 ％分，当开关
从一个地址状态，荷兰国际集团到另一个。
耦合的无用信号的测量
通过一个“关”的开关。
衡量无用信号的耦合
通过从一个频道到另一个为
寄生电容的结果。
时的频率输出为衰减
由-3分贝ated 。
“ON”的开关的频率响应。
损失是由于在开关的电阻。
最大输入电压为逻辑“0”。
最小输入电压为逻辑“ 1”。
输入电流的数字输入。
正电源电流。
带宽
ON响应
插入损耗
V
INL
V
INH
I
INL
(I
INH
)
I
DD
7 V
DD
顶视图
GND 3 （不按比例） 6 S1
在4
5 NC
ADG752
ADG752
5 GND
顶视图
S1 3 （不按比例） 4 IN
NC =无连接
表一，表真相
ADG752 IN
0
1
开关S1
ON
关闭
开关S2
关闭
ON
订购指南
模型
ADG752BRM
ADG752BRT
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
品牌*
SEB
SEB
包装说明
μSOIC
SOT-23
封装选项
RM-8
RT-6
*品牌的这些包被限制为三个字符由于空间的限制。
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。
虽然ADG752具有专用ESD保护电路，可能永久的损坏
发生在受到高能静电放电设备。因此，适当的ESD
预防措施建议，以避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
–4–
第0版
QQ：2880707522 复制
