a
特点
高关断隔离-75 dB的频率为100 MHz
-3 dB信号带宽300 MHz的
+ 1.8V至+ 5.5V单电源供电
低导通电阻（ 15 ）
快速开关时间
t
ON
通常情况下9 NS
t
关闭
一般为3纳秒
典型功耗<0.01 W
TTL / CMOS兼容
应用
音频和视频切换
RF开关
网络应用
电池供电系统
通信系统
继电器更换
采样保持系统
S
CMOS ，低压
RF /视频，单刀单掷开关
ADG751
功能框图
ADG751
D
IN
开关如图所示为逻辑"1"输入
概述
产品亮点
该ADG751是低电压的SPST （单刀单掷）
开关。它是在T形开关结构，构建了
结果在良好的关断隔离，同时保持良好的频
在ON状态昆西响应。
高关断隔离和宽信号带宽，使这部分
合适的用于切换的RF信号和视频信号。低功率变
消费和操作电压范围的+1.8 V至+5.5 V化妆
它非常适用于电池供电的便携式仪器。
该ADG751设计上的亚微米工艺提供
低功耗，高开关速度和低导通
性。这部分是一个完全的双向开关，并且可以处理
信号直至并包括电源轨。
该ADG751是6引脚SOT- 23和8引脚
μSOIC
包。
1.高关断隔离-75 dB的频率为100 MHz 。
2， -3 dB信号带宽300 MHz的。
3.低导通电阻（ 15
).
4.低功耗，典型<0.01
W.
5.微型6引脚SOT- 23和8引脚
μSOIC
包。
第0版
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则，在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781 / 329-4700
万维网网站： http://www.analog.com
传真： 781 / 326-8703
ADI公司， 1999
ADG751–SPECIFICATIONS
(V
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
流掉泄漏我
D
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
1
t
ON
t
关闭
电荷注入
关断隔离
-3 dB带宽
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
DD
= +5 V
的10％ ，GND = 0V ，除非另有说明。 ）
A级
-40 ℃
+25 C
+85 C
0 V至V
DD
15
18
2
20
3
±
0.01
±
0.25
±
0.01
±
0.25
±
0.01
±
0.25
B级
-40 ℃
+25 C
+85 C
0 V至V
DD
28
35
3
40
5
±
0.01
±
0.25
±
0.01
±
0.25
±
0.01
±
0.25
单位
V
典型值
最大
典型值
最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
A
典型值
A
最大
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
pC的典型值
测试条件/评论
V
S
= 0 V到V
DD
, I
DS
= 10毫安;
测试电路1
V
S
= 0 V至2.5 V，I
DS
= 10毫安
V
DD
= 4.5 V
V
DD
= +5.5 V
V
D
= 4.5 V/1 V, V
S
= 1 V/4.5 V;
测试电路2
V
D
= 4.5 V/1 V, V
S
= 1 V/4.5 V;
测试电路2
V
D
= V
S
= 1 V或4.5 V ;
测试电路3
±
3.0
±
3.0
±
3.0
2.4
0.8
±
3.0
±
3.0
±
3.0
2.4
0.8
0.001
±
0.5
2
9
13
3
5
1
–75
180
4
4
26
0.001
0.1
0.001
±
0.5
2
9
13
3
5
1
–65
300
4
4
15
0.001
0.1
V
IN
= V
INL
或V
INH
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;
V
S
= 3 V ，测试电路4
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;
V
S
= 3 V ，测试电路4
V
S
= 1 V ，R
S
= 0
,
C
L
= 1.0 nF的;
测试电路5
dB典型值
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 100 MHz的;
测试电路6
MHz的典型
L
= 50
,
C
L
= 5 pF的，测试电路7
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
A
典型值
A
最大
V
DD
= +5.5 V
数字输入= 0 V或5.5 V
0.5
0.5
笔记
1
通过设计保证，不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
第0版
特定网络阳离子
(V
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
流掉泄漏我
D
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
1
t
ON
t
关闭
电荷注入
关断隔离
-3 dB带宽
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
ADG751
DD
= +3 V
的10％ ，GND = 0V ，除非另有说明。 ）
A级
-40 ℃
+25 C
+85 C
0 V至V
DD
35
90
50
±
0.01
±
0.25
±
0.01
±
0.25
±
0.01
±
0.25
B级
-40 ℃
+25 C
+85 C
0 V至V
DD
60
单位
V
典型值
最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
A
典型值
A
最大
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
pC的典型值
测试条件/评论
V
S
= 0 V到V
DD
, I
DS
= -10毫安;
测试电路1
V
DD
= +3.3 V
V
D
= 3 V/1 V, V
S
= 1 V/3 V;
测试电路2
V
D
= 1 V/3 V, V
S
= 3 V/1 V;
测试电路2
V
D
= V
S
= 1 V或3伏;
测试电路3
±
0.01
±
0.25
±
0.01
±
0.25
±
0.01
±
0.25
±
3.0
±
3.0
±
3.0
2.0
0.4
±
3.0
±
3.0
±
3.0
2.0
0.4
0.001
±
0.5
2
12
19
4
6
1
–75
180
4
4
26
0.001
0.1
0.001
±
0.5
2
12
19
4
6
1
–65
280
4
4
15
0.001
0.1
V
IN
= V
INL
或V
INH
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;
V
S
= 2 V ，测试电路4
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;
V
S
= 2 V ，测试电路4
V
S
= 1 V ，R
S
= 0
,
C
L
= 1.0 nF的;
测试电路5
dB典型值
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 100 MHz的;
测试电路6
MHz的典型
L
= 50
,
C
L
= 5 pF的，测试电路7
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
A
典型值
A
最大
V
DD
= +3.3 V
数字输入= 0 V或3.3 V
0.5
0.5
笔记
1
通过设计保证，不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
第0版
–3–
ADG751
绝对最大额定值
1
(T
A
= + 25 ° C除非另有说明）
V
DD
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至6 V
模拟，数字输入
2
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
DD
+0.3 V或
30毫安，以先到为准
峰值电流，S或D 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.100毫安
（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比最大）
连续电流，S或D 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
工作温度范围
工业（ A，B版本） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
结温（T
J
马克斯） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （T
J
最大-T
A
)/θ
JA
μSOIC
包
θ
JA
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 206 ° C / W
θ
JC
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 44 ° C / W
SOT- 23封装
θ
JA
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 229.6 ° C / W
θ
JC
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 91.99 ° C / W
焊接温度，焊接
气相（60秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 215℃
红外（ 15秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 220℃
笔记
1
注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作
器件在这些或以上的运作中列出的任何其他条件
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。只有一个绝对的
最大额定值可在任一时间施加。
2
过压IN ，S或D由内部二极管钳位。当前应
限于给出的最大额定值。
订购指南
模型
ADG751BRM
ADG751BRT
ADG751ARM
ADG751ART
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
品牌*
深圳发展银行
深圳发展银行
SDA
SDA
包装说明
μSOIC
SOT-23
μSOIC
SOT-23
封装选项
RM-8
RT-6
RM-8
RT-6
*品牌的这些包被限制为三个字符由于空间的限制。
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。
虽然ADG751具有专用ESD保护电路，可能永久的损坏
发生在受到高能静电放电设备。因此，适当的ESD
预防措施建议，以避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
–4–
第0版
QQ：2881677436 复制
