a
16位/ 32通道，串行控制4
1.8 V至5.5 V ， 2.5 V ，模拟多路复用器
ADG725/ADG731
功能框图
ADG731
S1
S1A
DA
S16A
D
S1B
DB
S32
输入移位
注册
S16B
输入移位
注册
特点
3线SPI兼容串行接口
1.8 V至5.5 V单电源供电
2.5 V双电源供电
4导通电阻
0.5导通电阻平坦度
7毫米X 7毫米48引脚芯片级封装（ LFCSP ）
或48引脚TQFP封装
轨到轨工作
上电复位
42 ns的开关时间
一个32 ：1的通道多路复用器
双/差分16至1通道多路复用器
TTL / CMOS兼容输入
对于功能等效的设备与并行
接口方面，请参见ADG726 / ADG732
应用
光学应用
数据采集系统
通信系统
继电器更换
音频和视频切换
电池供电系统
医疗器械
自动测试设备
ADG725
SCLK DIN
SYNC
SCLK DIN
SYNC
概述
该ADG731 / ADG725均为单芯片， CMOS ， 32通道/
双16通道模拟多路复用器与串行控制
3线接口。该ADG731开关32的一个输入
（S1 - S32），以共同的输出， D的ADG725以被配置
置的作为双多路复用器开关16的一个输入到一个输出，或者一个
差分复用器开关1 16输入到差分输出。
这些mulitplexers利用三线式串行接口的COM -
与兼容SPI
， QSPI
， MICROWIRE
和某些DSP
接口标准。上电时，内部移位寄存器
包含全零，并且所有开关都处于断开状态。
这些多路复用器的增强亚微米设计
过程中，提供低功耗，高开关
荷兰国际集团速度非常低的导通电阻和漏电流。
他们从1.8 V单电源供电，以5.5 V或
±
2.5 V双电源供电，使它们非常适合于各种
应用程序。导通电阻是在几欧姆的区域中，是
交换机之间的紧密匹配，并且是非常平坦的，在整个
信号范围。
这些部件可以同样出色工作为多路复用器或
多路分解器和具有延伸至所述输入信号范围
耗材。在OFF状态时，信号电平最高的耗材
被阻止。所有通道表现出先开后合式开关
行动，防止短路瞬时切换频道时。
该ADG731和ADG725串行控制32通道，
双/差分16通道多路复用器，分别。他们
是在任何一个48引脚LFCSP或TQFP封装。
产品亮点
1.
2.
3线串行接口。
1.8 V至5.5 V单电源或
±
2.5 V双电源供电
操作。这些部件被指定，并保证
与5 V
±
10%, 3 V
±
10 ％单电源，
和
±
2.5 V
±
10 ％的双电源轨。
在4电阻
W.
保证先开后合式开关动作。
7 mm
7毫米48引脚芯片级封装（ LFCSP ）或
48引脚TQFP封装。
3.
4.
5.
REV 。一
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ADG725/ADG731–SPECIFICATIONS
1
(V
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
流掉泄漏我
D
（关闭）
ADG725
ADG731
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
ADG725
ADG731
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
2
t
过渡
突破前先延时，T
D
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
-3 dB带宽
ADG725
ADG731
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
ADG725
ADG731
C
D
, C
S
（上）
ADG725
ADG731
电源要求
I
DD
B版本
+25 C
-40°C至+ 85°C
0到V
DD
4
5.5
6
0.3
0.8
1
±
0.01
±
0.25
±
0.05
±
0.5
±
1
±
0.05
±
0.5
±
1
DD
= 5 V
±
10%, V
SS
= 0V ，GND = 0V ，除非另有说明。 ）
单位
V
典型值
最大
典型值
最大
典型值
最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的最大
V分钟
V最大
A
典型值
A
最大
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
测试条件/评论
V
S
= 0 V到V
DD
, I
DS
= 10毫安;
测试电路1
V
S
= 0 V到V
DD
, I
DS
= 10毫安
V
S
= 0 V到V
DD
, I
DS
= 10毫安
V
DD
= 5.5 V
V
D
= 4.5 V/1 V, V
S
= 1 V/4.5 V;
测试电路2
V
D
= 4.5 V/1 V, V
S
= 1 V/4.5 V;
测试电路3
V
D
= V
S
= 1 V或4.5 V ;
测试电路4
0.5
±
1
±
2.5
±
5
±
2.5
±
5
2.4
0.8
0.005
±
0.5
5
42
53
30
5
–72
–72
V
IN
= V
INL
或V
INH
62
1
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;测试电路5
V
S1
= 3 V/0 V, V
S32
= 0 V/3 V
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 3 V ;测试电路6
V
S
= 2.5 V ，R
S
= 0
,
C
L
= 1 nF的;
测试电路7
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
测试电路8
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
测试电路9
R
L
= 50
,
C
L
= 5 pF的;测试电路10
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
V
DD
= 5.5 V
数字输入= 0 V或5.5 V
34
18
15
170
340
175
350
10
20
兆赫（典型值）
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
A
典型值
A
最大
笔记
1
温度范围如下： B版本： -40 ° C至+ 85°C 。
2
通过设计保证，不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
REV 。一
ADG725/ADG731
特定网络阳离子
1
(V
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
DD
=3V
10%, V
SS
= 0V ，GND = 0V ，除非另有说明。 ）
B版本
+25 C
-40°C至+ 85°C
0到V
DD
7
11
12
0.35
1
3
单位
V
典型值
最大
典型值
最大
最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的最大
V分钟
V最大
A
典型值
A
最大
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
V
IN
= V
INL
或V
INH
测试条件/评论
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
流掉泄漏我
D
（关闭）
ADG725
ADG731
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
ADG725
ADG731
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
2
t
过渡
突破前先延时，T
D
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
-3 dB带宽
ADG725
ADG731
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
ADG725
ADG731
C
D
, C
S
（上）
ADG725
ADG731
电源要求
I
DD
±
0.01
±
0.25
±
0.05
±
0.5
±
1
±
0.05
±
0.5
±
1
V
S
= 0 V到V
DD
, I
DS
= 10毫安;
测试电路1
V
S
= 0 V到V
DD
, I
DS
= 10毫安
V
S
= 0 V到V
DD
, I
DS
= 10毫安
V
DD
= 3.3 V
V
S
= 3 V/1 V, V
D
= 1 V/3 V;
测试电路2
V
S
= 1 V/3 V, V
D
= 3 V/1 V;
测试电路3
V
S
= V
D
= 1或3V ;
测试电路4
±
1
±
2.5
±
5
±
2.5
±
5
2.0
0.7
0.005
±
0.5
5
60
80
30
1
–72
–72
90
1
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;测试电路5
V
S1
= 2 V/0 V, V
S32
= 0 V/2 V
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 2 V ;测试电路6
V
S
= 0 V ，R
S
= 0
,
C
L
= 1 nF的;
测试电路7
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
测试电路8
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
测试电路9
R
L
= 50
,
C
L
= 5 pF的;测试电路10
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
V
DD
= 3.3 V
数字输入= 0 V或3.3 V
34
18
15
170
340
175
350
5
10
兆赫（典型值）
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
A
典型值
A
最大
笔记
1
温度范围如下： B版本： -40 ° C至+ 85°C 。
2
通过设计保证，不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
REV 。一
–3–
ADG725/ADG731
双电源规格
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
流掉泄漏我
D
（关闭）
ADG725
ADG731
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
ADG725
ADG731
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
2
t
过渡
突破前先延时，T
D
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
-3 dB带宽
ADG725
ADG731
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
ADG725
ADG731
C
D
, C
S
（上）
ADG725
ADG731
电源要求
I
DD
I
SS
1
(V
DD
= +2.5 V
10%, V
SS
= –2.5 V
除非另有说明）。
10 ％ ， GND = 0 V ，
B版本
+25 C
-40°C至+ 85°C
V
SS
到V
DD
4
5.5
6
0.3
0.8
1
±
0.01
±
0.25
±
0.05
±
0.5
±
1
±
0.01
±
0.5
±
1
单位
V
典型值
最大
典型值
最大
典型值
最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的最大
V分钟
V最大
A
典型值
A
最大
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
测试条件/评论
V
S
= V
SS
到V
DD
, I
DS
= 10毫安;
测试电路1
V
S
= V
SS
到V
DD
, I
DS
= 10毫安
V
S
= V
SS
到V
DD
, I
DS
= 10毫安
V
DD
= +2.75 V, V
SS
= –2.75 V
V
S
= +2.25 V/–1.25 V, V
D
= –1.25 V/+2.25 V;
测试电路2
V
S
= +2.25 V/–1.25 V, V
D
= –1.25 V/+2.25 V;
测试电路3
V
S
= V
D
= 2.25 V / -1.25 V ;测试电路4
0.5
±
0.5
±
2.5
±
5
±
2.5
±
5
1.7
0.7
0.005
±
0.5
5
55
75
15
1
–72
–72
V
IN
= V
INL
或V
INH
84
1
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;测试电路5
V
S1
= 1.5 V/0 V, V
S32
= 0 V/1.5 V
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 V ;测试电路6
V
S
= 0 V ，R
S
= 0
,
C
L
= 1 nF的;测试电路7
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
测试电路8
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
测试电路9
R
L
= 50
,
C
L
= 5 pF的;测试电路10
34
18
13
130
260
150
300
10
20
10
20
兆赫（典型值）
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
A
典型值
A
最大
A
典型值
A
最大
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
V
DD
= +2.75 V
数字输入= 0 V或2.75 V
V
SS
= –2.75 V
数字输入= 0 V或2.75 V
笔记
1
温度范围如下： B版本： -40 ° C至+ 85°C 。
2
通过设计保证，不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–4–
REV 。一
ADG725/ADG731
时序特性
1, 2
参数
f
SCLK
t
1
t
2
t
3
t
4
t
5
t
6
t
7
t
8
在T限制
民
, T
最大
30
33
13
13
13
40
5
4.5
33
单位
兆赫最大
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
条件/评论
SCLK周期频率
SCLK周期时间
SCLK高电平时间
SCLK低电平时间
SYNC
到SCLK下降沿建立时间
最低
SYNC
低电平时间
数据建立时间
数据保持时间
最低
SYNC
高时间
笔记
1
参见图1 。
2
所有的输入信号是特定网络连接编辑与指定tR = tF = 5纳秒（10％ 90 ％的V
DD
）和定时从一个电压电平（V
IL
+ V
IH
)/2.
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
t
1
SCLK
t
2
t
8
t
4
t
5
SYNC
t
3
t
7
t
6
DIN
DB7
DB0
图1. 3线串行接口时序图
DB7 （MSB）
EN
CSA CSB
X
A3
A2
DB0 （ LSB ）
A1
A0
DB7 （MSB）
EN
CS
X
A4
A3
A2
DB0 （ LSB ）
A1
A0
数据位
数据位
图2. ADG725输入移位寄存器的内容
图3. ADG731输入移位寄存器的内容
REV 。一
–5–
QQ：2881677436 复制
