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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1772页 > ADG711BRUZ-REEL7
CMOS低压, 4 Ω四,
SPST开关
ADG711/ADG712/ADG713
特点
1.8 V至5.5 V单电源供电
低导通电阻( Ω 2.5典型值)
低导通电阻平坦度
-3 dB带宽> 200兆赫
轨到轨工作
16引脚TSSOP和SOIC封装
快速开关时间:吨
ON
= 16纳秒,T
关闭
± 10纳秒
典型功耗( < 0.01 μW )
TTL / CMOS兼容
通过汽车应用认证
IN1
D1
S2
IN2
IN2
D2
S3
IN3
D3
S4
IN4
D4
IN4
D4
D3
S4
IN4
00042-001
功能框图
S1
IN1
D1
S2
IN2
D2
S3
IN3
D3
S4
D4
S1
IN1
D1
S2
D2
S3
S1
ADG711
IN3
ADG712
ADG713
应用
USB 1.1信号开关电路
手机
掌上电脑
电池供电系统
通信系统
采样保持系统
音频信号路由
视频切换
机械式舌簧继电器更换
开关所对于逻辑“ 1 ”输入
图1 。
概述
ADG711 , ADG712 ,
ADG713
是单片CMOS
包含四个独立可选的开关设备。这些
开关采用先进的亚微米工艺设计的
具有低功耗,高开关速度,低
上电阻,低泄漏电流和高带宽。
他们的目的是从一个单一的1.8 V至5.5 V电源供电,
使它们非常适合于电池供电的仪器和使用
随着新一代ADI公司的DAC和ADC ,
公司快速的开关时间和高带宽使部分
合适的用于切换USB 1.1的数据信号和视频信号。
ADG711 , ADG712 ,
ADG713
包含四个独立的
单刀/单掷( SPST)开关。该
ADG711
ADG712
不同之处仅在于,数字控制逻辑被反转。该
ADG711
开关导通与逻辑低上的相应
控制输入端,而逻辑高才能接通开关
ADG712.
ADG713
有两个开关的数字
控制逻辑是类似的
ADG711,
而逻辑反相
在其它两个开关。
每个开关导电性能相同,在两个方向上的时候。该
ADG713
展品先开后合式开关动作。
8.
ADG711/ADG712/ADG713
采用16引线TSSOP封装
和16引脚SOIC封装。
产品亮点
1.
1.8 V至5.5 V单电源供电。
ADG711 , ADG712 ,
ADG713
提供高性能
并完全指定,并保证有3 V和5 V
电源轨。
非常低R
ON
( 4.5 Ω最大为5 V , 8 Ω最大为3 V ) 。
以1.8 V,R 1电源电压
ON
是在通常为35 Ω
温度范围。
低导通电阻平坦度。
-3 dB带宽>200兆赫。
低功耗。 CMOS结构确保了低
功耗。
快速吨
ON
/t
关闭
.
先开后合式开关。
这可以防止当开关通道短路
配置为一个多路转换器(仅ADG713 ) 。
16引脚TSSOP和16引脚SOIC两种封装。
2.
3.
4.
5.
6.
7.
版本B
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而,没有
责任承担ADI公司供其使用,也为专利或其他任何侵权行为
第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更,恕不另行通知。没有
获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。
商标和注册商标均为其各自所有者的财产。
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
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传真: 781.461.3113 2004-2011 ADI公司保留所有权利。
ADG711/ADG712/ADG713
目录
特点................................................. ............................................. 1
应用................................................. ...................................... 1
功能框图............................................... ............... 1
概述................................................ ......................... 1
产品亮点................................................ ........................... 1
修订历史................................................ ............................... 2
规格................................................. .................................... 3
绝对最大额定值............................................... ............. 5
ESD注意事项................................................ .................................. 5
引脚配置和功能描述.............................. 6
典型性能特征.............................................. 7
测试电路................................................ ........................................ 9
术语................................................. ................................... 11
应用信息................................................ .............. 12
外形尺寸................................................ ....................... 13
订购指南................................................ .......................... 14
汽车产品................................................ ................. 14
修订历史
6月11日 - 修订版。 A到版本B
更新格式................................................ ..................通用
更改功能部分.............................................. .............. 1
更改绝对最大额定值表............................. 5
更改订购指南.............................................. ............ 14
新增汽车产品第.......................................... 14
3月4日 - 修订版。 0到版本A
添加应用程序................................................ .......................... 1
更改订购指南.............................................. .............. 4
更新的外形尺寸............................................... ........ 10
版本B |第16页2
ADG711/ADG712/ADG713
特定网络阳离子
V
DD
= + 5V ±10 % , GND = 0 V,所有规格-40 ° C至+ 85°C ,除非另有说明。
表1中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻(R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道( ΔR
ON
)
导通电阻平坦度(R
平(ON)的
)
漏电流
来源OFF漏我
S
(关闭)
流掉泄漏我
D
(关闭)
渠道渗漏我
D
, I
S
(上)
数字输入
输入高电压,V
INH
输入低电压,V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
动态特性
1
t
ON
t
关闭
突破前先延时,T
D
(仅ADG713 )
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
带宽的-3 dB
C
S
C
D
C
D
, C
S
(上)
电源要求
I
DD
+25°C
-40 ° C至+ 85°C
0 V至V
DD
2.5
4
4.5
0.05
0.3
1.0
±0.01
±0.1
±0.01
±0.1
±0.01
±0.1
单位
V
= (典型值)
=最大
= (典型值)
=最大
= (典型值)
=最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA (典型值)
μA(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最小值)
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
兆赫(典型值)
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
μA (典型值)
=最大
V
IN
= V
INL
或V
INH
测试条件/评论
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= -10毫安;
见图11
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= -10毫安
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= -10毫安
V
DD
= +5.5 V
V
S
= 4.5 V/1 V, V
D
= 1 V/4.5 V
见图12
V
S
= 4.5 V/1 V, V
D
= 1 V/4.5 V
见图12
V
S
= V
D
= 1 V或4.5 V
见图13
0.5
±0.2
±0.2
±0.2
2.4
0.8
0.005
±0.1
11
16
6
10
6
1
3
58
78
90
200
10
10
22
0.001
1.0
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 3 V ;参见图14
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 3 V ;参见图14
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 3 V ;参见图15
V
S
= 2 V ;
S
= 0 Ω, C
L
= 1 nF的;参见图16
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF, F = 10 MHz的
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF, F = 1MHz的;参见图17
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF, F = 10 MHz的;参见图18
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 pF的;参见图19
V
DD
= +5.5 V
数字输入= 0 V或5 V
1
通过设计保证,不受生产测试。
版本B |第16页3
ADG711/ADG712/ADG713
V
DD
= 3 V± 10 % , GND = 0 V ,所有规格-40 ° C至+ 85°C ,除非另有说明。
表2中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻(R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道( ΔR
ON
)
导通电阻平坦度(R
平(ON)的
)
漏电流
来源OFF漏我
S
(关闭)
流掉泄漏我
D
(关闭)
渠道渗漏我
D
, I
S
(上)
数字输入
输入高电压,V
INH
输入低电压,V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
动态特性
t
ON
t
关闭
突破前先延时,T
D
(仅ADG713 )
电荷注入
关断隔离
1
+25°C
-40 ° C至+ 85°C
0 V至V
DD
5.5
8
0.3
2.5
单位
V
= (典型值)
=最大
= (典型值)
=最大
= (典型值)
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA (典型值)
μA(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最小值)
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
兆赫(典型值)
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
μA (典型值)
=最大
测试条件/评论
5
0.1
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= -10毫安;
见图11
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= -10毫安
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= -10毫安
V
DD
= +3.3 V
V
S
= 3 V/1 V, V
D
= 1 V/3 V
见图12
V
S
= 3 V/1 V, V
D
= 1 V/ 3 V
见图12
V
S
= V
D
= 1 V或3V的
见图13
±0.01
±0.1
±0.01
±0.1
±0.01
±0.1
±0.2
±0.2
±0.2
2.0
0.4
0.005
±0.1
13
20
7
12
7
1
3
58
78
90
200
10
10
22
0.001
1.0
V
IN
= V
INL
或V
INH
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 2 V ;参见图14
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 2 V ;参见图14
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 2 V ;参见图15
V
S
= 1.5 V ;
S
= 0 Ω, C
L
= 1 nF的;参见图16
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF, F = 10 MHz的
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF, F = 1MHz的;参见图17
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF, F = 10 MHz的;参见图18
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 pF的;参见图19
通道到通道的串扰
带宽的-3 dB
C
S
C
D
C
D
, C
S
(上)
电源要求
I
DD
V
DD
= +3.3 V
数字输入= 0 V或3 V
1
通过设计保证,不受生产测试。
版本B |第16页4
ADG711/ADG712/ADG713
绝对最大额定值
T
A
= + 25 ℃,除非另有说明。
表3中。
参数
V
DD
到GND
模拟,数字输入
1
等级
0.3 V至6 V
0.3 V到V
DD
+0.3 V或
30毫安,以先到为准
第一次
30毫安
百毫安(脉冲为1毫秒,
10 %占空比的最大值)
-40 ° C至+ 85°C
-65 ° C至+ 150°C
150°C
430毫瓦
150°C/W
27°C/W
520毫瓦
125°C/W
42°C/W
215°C
220°C
260(+0/5)°C
20秒40秒
2千伏
注意,超出上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有等级;该器件在这些或任何功能操作
上述其他条件下的作战指示
本规范的部分,是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
器件的可靠性。
只有一个绝对最大额定值可以在任何应用
一度。
连续电流,S或D
峰值电流,S或D
工作温度范围
存储温度范围
结温
TSSOP封装,功耗
θ
JA
热阻抗
θ
JC
热阻抗
SOIC封装,功耗
θ
JA
热阻抗
θ
JC
热阻抗
焊接温度,焊接
气相(60秒)
红外( 15秒)
焊接(无铅)
回流焊,峰值温度
在峰值温度的时间
ESD
1
ESD警告
过压IN ,S或D由内部二极管钳位。电流
应限制在给定的最大额定值。
版本B |第16页5
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