a
特点
+ 1.8V至+ 5.5V单电源供电
2.5 V双电源供电
2.5导通电阻
0.5导通电阻平坦度
100 pA的泄漏电流
40 ns的开关时间
一个16 ：1的多路复用器ADG706
差分8 ：1多路复用器ADG707
28引脚TSSOP封装
低功耗
TTL / CMOS兼容输入
应用
数据采集系统
通信系统
继电器更换
音频和视频切换
电池供电系统
概述
CMOS ， +1.8 V至+5.5 V / 2.5 V ， 2.5
低电压， 8 / 16通道多路复用器
ADG706/ADG707
功能方框图
ADG706
S1
S1A
DA
S8A
D
S1B
DB
S16
1-OF-16
解码器
S8B
1-OF-8
解码器
ADG707
A0 A1 A2 A3 EN
A0
A1
A2 EN
产品亮点
该ADG706和ADG707是低电压， CMOS模拟
多路复用器包含16个单声道和8差
通道。该ADG706开关16的一个输入
（S1 - S16），以共同的输出，D，如由4位确定
二进制地址线A0，A1 ， A2和A3 。该ADG707开关
八个差分输入之一到作为公共差分输出
由3位二进制地址线A0， A1和A2所确定的。
提供EN输入，两个设备上，用于启用或禁用
装置。禁用时，所有通道被关闭。
低功耗和1.8 V至工作电源电压范围
5.5 V使ADG706和ADG707适合电池供电，
便携式仪器。所有通道表现出突破前先
开关动作防止瞬时短路时开关
荷兰国际集团的渠道。这些设备也被设计为从操作
双电源
±
2.5 V.
这些多路复用器的增强亚微米工艺设计
提供低功耗，高开关速度，
非常低的导通电阻，以及漏电流。导通电阻是在
几欧姆区域与交换机之间是紧密匹配
和非常平坦，在整个信号范围。这些部件可以操作
同样如任一复用器或解复用器，并有一个
延伸到所述电源的输入信号范围。
该ADG706和ADG707采用小型28引脚TSSOP封装
包。
1.单/双电源供电。该ADG706和ADG707是
完全指定，并保证有3 V和5 V单电源供电
和
±
2.5 V双电源轨。
2.低导通电阻（ 2.5
典型）
3.低功耗（ <0.01
W)
4.保证先开后合式开关动作
5.小型28引脚TSSOP封装
REV 。一
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯该
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式
在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781 / 329-4700
www.analog.com
传真： 781 / 326-8703
ADI公司， 2002年
ADG706/ADG707–SPECIFICATIONS
1
(V
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
流掉泄漏我
D
（关闭）
ADG706
ADG707
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
ADG706
ADG707
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
2
t
过渡
突破前先延时，T
D
t
ON
（ EN ）
t
关闭
（ EN ）
电荷注入
关断隔离
25 C
–40 C
到+ 85℃
0 V至V
DD
2.5
4.5
5
0.3
0.8
1.2
±
0.01
±
0.1
±
0.01
±
0.4
±
0.2
±
0.01
±
0.4
±
0.2
DD
=5V
10%, V
SS
= 0V ，GND = 0V ，除非另有说明。 ）
单位
V
典型值
最大
典型值
最大
典型值
最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的最大
V分钟
V最大
A
典型值
A
最大
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
测试条件/评论
V
S
= 0 V到V
DD
, I
DS
= 10毫安;
测试电路1
V
S
= 0 V到V
DD,
I
DS
= 10毫安
V
S
= 0 V到V
DD
, I
DS
= 10毫安
V
DD
= 5.5 V
V
D
= 4.5 V/1 V, V
S
= 1 V/4.5 V;
测试电路2
V
D
= 4.5 V/1 V, V
S
= 1 V/4.5 V;
测试电路3
V
D
= V
S
= 1 V或4.5 V ;
测试电路4
0.5
±
0.3
±
1.5
±
1
±
1.5
±
1
2.4
0.8
0.005
±
0.1
5
40
60
30
1
32
50
10
14
±
5
–60
–80
–60
–80
V
IN
= V
INL
或V
INH
通道到通道的串扰
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的，测试电路5 ;
V
S1
= 3 V/0 V, V
S16
= 0 V/3 V
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;
V
S
= 3 V ，测试电路6
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;
V
S
= 3 V ，测试电路7
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;
V
S
= 3 V ，测试电路7
V
S
= 1 V ，R
S
= 0
,
C
L
= 1 nF的;
测试电路8
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 10 MHz的;
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
测试电路9
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 10 MHz的;
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
测试电路10
R
L
= 50
,
C
L
= 5 pF的，测试电路9
R
L
= 50
,
C
L
= 5 pF的，测试电路9
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
V
DD
= 5.5 V
数字输入= 0 V或5.5 V
-3 dB带宽
ADG706
ADG707
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
ADG706
ADG707
C
D
, C
S
（上）
ADG706
ADG707
电源要求
I
DD
笔记
1
温度范围为-40 ° C至+ 85°C 。
2
通过设计保证，不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
25
36
13
180
90
200
100
0.001
1.0
兆赫（典型值）
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
A
典型值
A
最大
–2–
REV 。一
特定网络阳离子
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
1
ADG706/ADG707
(V
DD
= 3 V
10%, V
SS
= 0V ，GND = 0V ，除非另有说明。 ）
25 C
–40 C
到+ 85℃
0 V至V
DD
6
11
12
0.4
1.2
3
单位
V
典型值
最大
典型值
最大
典型值
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的最大
V分钟
V最大
A
典型值
A
最大
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
V
IN
= V
INL
或V
INH
测试条件/评论
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
流掉泄漏我
D
（关闭）
ADG706
ADG707
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
ADG706
ADG707
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
2
t
过渡
突破前先延时，T
D
t
ON
（ EN ）
t
关闭
（ EN ）
电荷注入
关断隔离
±
0.01
±
0.1
±
0.01
±
0.4
±
0.2
±
0.01
±
0.4
±
0.2
V
S
= 0 V到V
DD
, I
DS
= 10毫安;
测试电路1
V
S
= 0 V到V
DD,
I
DS
= 10毫安
V
S
= 0 V到V
DD
, I
DS
= 10毫安
V
DD
= 3.3 V
V
S
= 3 V/1 V, V
D
= 1 V/3 V;
测试电路2
V
S
= 3 V/1 V, V
D
= 1 V/3 V;
测试电路3
V
S
= V
D
= 1或3V ;
测试电路4
±
0.3
±
1.5
±
1
±
1.5
±
1
2.0
0.8
0.005
±
0.1
5
45
75
30
1
40
70
20
28
±
5
–60
–80
–60
–80
通道到通道的串扰
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的，测试电路5
V
S1
= 2 V/0 V, V
S16
= 0 V/2 V
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;
V
S
= 2 V ，测试电路6
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;
V
S
= 2 V ，测试电路7
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;
V
S
= 2 V ，测试电路7
V
S
= 1 V ，R
S
= 0
,
C
L
= 1 nF的;
测试电路8
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 10 MHz的;
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
测试电路9
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 10 MHz的;
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
测试电路10
R
L
= 50
,
C
L
= 5 pF的，测试电路9
R
L
= 50
,
C
L
= 5 pF的，测试电路9
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
V
DD
= 3.3 V
数字输入= 0 V或3.3 V
-3 dB带宽
ADG706
ADG707
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
ADG706
ADG707
C
D
, C
S
（上）
ADG706
ADG707
电源要求
I
DD
笔记
1
温度范围为-40 ° C至+ 85°C 。
2
通过设计保证，不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
25
36
13
180
90
200
100
0.001
1.0
兆赫（典型值）
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
A
典型值
A
最大
REV 。一
–3–
ADG706/ADG707
双电源
1
(V = +2.5 V
DD
10%, V
SS
= –2.5 V
25 C
的10％ ，GND = 0V ，除非另有说明。 ）
–40 C
到+ 85℃
V
SS
到V
DD
单位
V
典型值
最大
典型值
最大
典型值
最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的最大
V分钟
V最大
A
典型值
A
最大
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
兆赫（典型值）
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
A
典型值
A
最大
A
典型值
A
最大
V
IN
= V
INL
或V
INH
测试条件/评论
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
流掉泄漏我
D
（关闭）
ADG706
ADG707
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
ADG706
ADG707
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
2
t
过渡
突破前先延时，T
D
t
ON
（ EN ）
t
关闭
（ EN ）
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
-3 dB带宽
ADG706
ADG707
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
ADG706
ADG707
C
D
, C
S
（上）
ADG706
ADG707
电源要求
I
DD
I
SS
笔记
1
温度范围为-40 ° C至+ 85°C 。
2
通过设计保证，不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
2.5
4.5
0.5
5
0.3
0.8
1.2
V
S
= V
SS
到V
DD
, I
DS
= 10毫安;
测试电路1
V
S
= V
SS
到V
DD
, I
DS
= 10毫安
V
S
= V
SS
到V
DD
, I
DS
= 10毫安
V
DD
= +2.75 V, V
SS
= –2.75 V
V
S
= +2.25 V/–1.25 V, V
D
= –1.25 V/+2.25 V;
测试电路2
V
S
= +2.25 V/–1.25 V, V
D
= –1.25 V/+2.25 V;
测试电路3
V
S
= V
D
= 2.25 V / -1.25 V，测试电路4
±
0.01
±
0.1
±
0.01
±
0.4
±
0.2
±
0.01
±
0.4
±
0.2
±
0.3
±
1.5
±
1
±
1.5
±
1
1.7
0.7
0.005
5
40
±
0.1
60
15
1
32
50
16
±
8
–60
–80
–60
–80
25
36
13
180
90
200
100
0.001
1.0
0.001
1.0
26
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的，测试电路5
V
S1
= 1.5 V/0 V, V
S16
= 0 V/1.5 V
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;
V
S
= 1.5 V，测试电路6
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;
V
S
= 1.5 V，测试电路7
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;
V
S
= 1.5 V，测试电路7
V
S
= 0 V ，R
S
= 0
,
C
L
= 1 nF的;
测试电路8
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 10 MHz的;
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
测试电路9
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 10 MHz的;
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
测试电路10
R
L
= 50
,
C
L
= 5 pF的，测试电路9
R
L
= 50
,
C
L
= 5 pF的，测试电路9
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
V
DD
= +2.75 V
数字输入= 0 V或2.75 V
V
SS
= –2.75 V
数字输入= 0 V或2.75 V
–4–
REV 。一
ADG706/ADG707
绝对最大额定值
1
(T
A
= 25 ° C除非另有说明。 ）
V
DD
到V
SS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7 V
V
DD
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+7 V
V
SS
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +0.3 V至-3.5 V
模拟输入
2
. . . . . . . . . . . . . . V
SS
- 0.3 V到V
DD
+ 0.3 V或
30毫安，以先到为准
2
数字输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
DD
+ 0.3 V或
30毫安，以先到为准
峰值电流，S或D 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安
（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比最大）
连续电流，S或D 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
工作温度范围
工业。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65∞C至+ 150∞C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
TSSOP封装
θ
JA
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 97.9 ° C / W
θ
JC
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14 ° C / W
焊接温度，焊接（ 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
IR回流焊峰值温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 220℃
笔记
1
注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作
器件在这些或以上的业务部门所列出的任何其他条件
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。只有一个绝对最大
评级可以在任一时刻被应用。
2
过压A， EN ，S或D将由内部二极管钳位。电流应
限于给出的最大额定值。
订购指南
模型
ADG706BRU
ADG707BRU
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
包装说明
超薄紧缩小型封装（ TSSOP ）
超薄紧缩小型封装（ TSSOP ）
封装选项
RU-28
RU-28
销刀豆网络gurations
V
DD 1
NC
2
NC
3
S16
4
S15
5
28
27
26
25
24
D
V
SS
S8
S7
S6
S5
V
DD 1
DB
2
NC
3
S8B
4
S7B
5
28
27
26
25
24
DA
V
SS
S8A
S7A
S6A
S5A
S14
6
S13
7
ADG706
23
S6B
6
S5B
7
顶视图
22
S4
（不按比例）
21
S3
S12
8
S11
9
S10
10
S9
11
20
19
18
17
16
15
S4A
顶视图
22
（不按比例）
21
S3A
S4B
8
S3B
9
S2B
10
S1B
11
GND
12
NC
13
NC
14
20
19
18
17
16
15
ADG707
23
S2
S1
EN
A0
A1
A2
S2A
S1A
EN
A0
A1
A2
GND
12
NC
13
A3
14
NC =无连接
NC =无连接
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然
该ADG706 / ADG707具有专用ESD保护电路，可能永久的损坏
发生在受到高能静电放电设备。因此，适当的ESD
预防措施建议，以避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
REV 。一
–5–
QQ：2881677436 复制
