a
特点
+ 1.8V至+ 5.5V单电源供电
2.5 （典型值）导通电阻
低导通电阻平坦度
-3 dB带宽>200兆赫
轨到轨工作
10引脚SOIC封装
快速开关时间
t
ON
20纳秒
t
关闭
13纳秒
典型功耗（ <0.01
TTL / CMOS兼容
应用
电池供电系统
通信系统
采样保持系统
音频信号路由
数据采集系统
视频切换
低电压4
CMOS
,
4通道多路复用器
ADG704
功能框图
ADG704
S1
S2
D
S3
S4
W)
1 4
解码器
A0
A1
EN
概述
产品亮点
该ADG704是CMOS模拟多路复用器，包括四个
单一的渠道。该多路转换器设计上的先进
亚微米工艺，提供低功耗，
高开关速度，低导通电阻，低泄漏电流
和高带宽。
导通电阻曲线非常平坦，在整个模拟信号
范围内。这可确保出色的线性度和低失真的时候
切换音频信号。快速开关速度也使得
部分适合视频信号切换。
该ADG704可以从+ 1.8V单电源范围内工作
到+5.5 V ，因此非常适合于电池供电的仪器使用
ments ，并使用从新一代DAC和ADC的
ADI公司。
该ADG704开关的四个输入至公共输出1 ，
D，作为由3位二进制地址线A0，A1和决定
EN 。在EN引脚为逻辑“ 0 ”禁用该设备。
该ADG704的各开关导电性能相同，在两个
方向时， ON 。该ADG704展品突破前先
开关动作。
该ADG704提供10引脚
μSOIC
封装。
1. +1.8 V至+5.5 V单电源供电。
该ADG704具有高性能和完全指定
并且保证与+3 V和+5 V电源轨。
2.非常低R
ON
(4.5
最多在5 V ， 8
马克斯在3 V ） 。
在+1.8 V ，R的电源电压
ON
通常35
在该
温度范围。
3.低导通电阻平坦度。
4， -3 dB带宽大于200 MHz的。
5.低功耗。
CMOS结构确保了低功耗。
6.快速吨
ON
/t
关闭
.
7.先开后合式开关动作。
8. 10引脚
μSOIC
封装。
REV 。一
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则，在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781 / 329-4700
万维网网站： http://www.analog.com
传真： 781 / 326-8703
ADI公司， 1999
ADG704–SPECIFICATIONS
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
流掉泄漏我
D
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
动态特性
2
t
ON
t
关闭
突破前先延时，T
D
电荷注入
关断隔离
0.75
1
(V
DD
= +5 V
10 ％ ， GND = 0 V，所有规格-40 ℃ + 85℃ ，除非
另有说明）。
B版本
-40 ℃
+25 C
+85 C
0 V至V
DD
2.5
4
4.5
0.1
0.4
1.2
±
0.01
±
0.1
±
0.01
±
0.1
±
0.01
±
0.1
单位
V
典型值
最大
典型值
最大
典型值
最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
A
典型值
A
最大
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
测试条件/评论
V
S
= 0 V到V
DD
, I
DS
= -10毫安;
测试电路1
V
S
= 0 V到V
DD
, I
DS
= -10毫安
V
S
= 0 V到V
DD
, I
DS
= -10毫安
V
DD
= +5.5 V
V
S
= 4.5 V/1 V, V
D
= 1 V/4.5 V;
测试电路2
V
S
= 4.5 V/1 V, V
D
= 1 V/4.5 V;
测试电路2
V
S
= V
D
= 4.5 V或1 V ;
测试电路3
±
0.3
±
0.3
±
0.3
2.4
0.8
0.005
±
0.1
V
IN
= V
INL
或V
INH
14
20
6
13
8
1
3
–60
–80
–62
–82
200
9
37
54
通道到通道的串扰
带宽的-3 dB
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 3 V ，测试电路4
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 3 V ，测试电路4
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 3 V ，测试电路5
V
S
= 2 V ，R
S
= 0
,
C
L
= 1 nF的;
测试电路6
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 10 MHz的
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
测试电路7
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 10 MHz的
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
测试电路8
R
L
= 50
,
C
L
= 5 pF的;测试电路9
0.001
1.0
A
典型值
A
最大
V
DD
= +5.5 V
数字输入= 0 V或5 V
笔记
1
温度范围如下： B版本： -40 ° C至+ 85°C 。
2
通过设计保证，不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
REV 。一
ADG704
特定网络阳离子
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
1
(V
DD
= +3 V
的10％ ， GND = 0V。所有规格-40 ℃至85 ℃，除非另有说明。 ）
B版本
-40 ℃
+25 C
+85 C
0 V至V
DD
5
8
单位
V
典型值
最大
典型值
最大
典型值
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
A
典型值
A
最大
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
测试条件/评论
4.5
V
S
= 0 V到V
DD
, I
DS
= -10毫安;
测试电路1
V
S
= 0 V到V
DD
, I
DS
= -10毫安
V
S
= 0 V到V
DD
, I
DS
= -10毫安
V
DD
= +3.3 V
V
S
= 3 V/1 V, V
D
= 1 V/3 V;
测试电路2
V
S
= 3 V/1 V, V
D
= 1 V/3 V;
测试电路2
V
S
= V
D
= 3 V或1伏;
测试电路3
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
流掉泄漏我
D
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
动态特性
2
t
ON
t
关闭
突破前先延时，T
D
电荷注入
关断隔离
0.1
0.4
2.5
±
0.01
±
0.1
±
0.01
±
0.1
±
0.01
±
0.1
±
0.3
±
0.3
±
0.3
2.0
0.4
0.005
±
0.1
V
IN
= V
INL
或V
INH
16
24
8
16
9
1
3
–60
–80
–62
–82
200
9
37
54
通道到通道的串扰
带宽的-3 dB
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 2 V ，测试电路4
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 2 V ，测试电路4
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 2 V ，测试电路5
V
S
= 1.5 V ，R
S
= 0
,
C
L
= 1 nF的;
测试电路6
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 10 MHz的
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
测试电路7
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 10 MHz的
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
测试电路8
R
L
= 50
,
C
L
= 5 pF的;测试电路9
0.001
1.0
A
典型值
A
最大
V
DD
= +3.3 V
数字输入= 0 V或3 V
笔记
1
温度范围如下： B版本： -40 ° C至+ 85°C 。
2
通过设计保证，不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
REV 。一
–3–
ADG704
绝对最大额定值
1
(T
A
= + 25 ° C除非另有说明）
术语
V
DD
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至6 V
模拟，数字输入
2
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
DD
+0.3 V或
30毫安，以先到为准
连续电流，S或D 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
峰值电流，S或D 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安
（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比最大）
工作温度范围
工业（B版） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
μSOIC
封装，功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 315毫瓦
θ
JA
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 206 ° C / W
焊接温度，焊接
气相（60秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 215℃
红外（ 15秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 220℃
ESD 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2千伏
笔记
1
注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作
器件在这些或以上的运作中列出的任何其他条件
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。只有一个绝对的
最大额定值可在任一时间施加。
2
过压IN ，S或D由内部二极管钳位。当前应
限于给出的最大额定值。
V
DD
GND
S
D
A0, A1
EN
R
ON
R
ON
R
平（ON）的
I
D
（关闭）
I
S
（关闭）
I
D
, I
S
（上）
V
D
(V
S
)
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
t
ON
t
关闭
订购指南
t
D
1
模型
ADG704BRM
温度
范围
-40 ° C至+ 85°C
BRAND
S9B
包
选项
2
RM-10
相声
笔记
1
品牌=由于小尺寸封装，这三个字符所代表的一部分
号。
2
RM =
μSOIC 。
关断隔离
收费
注射
带宽
ON响应
损耗
引脚配置
（ 10引脚SOIC ）
A0
1
S1
2
GND
3
10
A1
ADG704
9
S2
顶视图
8
D
（不按比例）
7
S4
S3
4
6
最积极的供电潜力。
接地（ 0 V ）参考。
源终端。可以是输入或输出。
漏极。可以是输入或输出。
逻辑控制输入。
逻辑控制输入。
D和S之间的欧姆电阻
导通电阻匹配之间的任意两个通道
内尔斯即R
ON
最大-R
ON
分钟。
平整度是指之间的差
对电阻的最大值和最小值
tance测量在指定的模拟
信号范围。
漏极漏电流与开关“OFF”。
源漏电流与开关“OFF”。
信道的泄漏电流与开关“ON”。
在端D ，S模拟电压
“ OFF”开关的源极电容。
“ OFF”开关漏极电容。
“ON”的开关电容。
施加所述数字控制之间的延迟
输入和输出开关上。见测试
电路4 。
施加所述数字控制之间的延迟
输入和输出的开关关闭。
“ON”时间“关”的时间或测量之间
两个开关的90 ％的点，切换时
从一个地址状态到另一个状态。见测试
电路5 。
衡量无用信号的耦合
通过从一个频道到另一个为
寄生电容的结果。
耦合的无用信号的测量
通过一个“关”的开关。
衡量的毛刺脉冲传递
从数字输入到模拟输出
期间切换。
时的频率输出为衰减
由-3分贝ated 。
“ON”的开关的频率响应。
跨越“ON”的开关的电压降，
看到的关于响应与频率图
有多少分贝的信号距离0分贝
在非常低的频率。
表一，表真相
EN
5
V
DD
A1
X
0
0
1
1
A0
X
0
1
0
1
EN
0
1
1
1
1
ON开关
无
1
2
3
4
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。
虽然ADG704具有专用ESD保护电路，可能永久的损坏
发生在受到高能静电放电设备。因此，适当的ESD
预防措施建议，以避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
–4–
REV 。一
QQ：2880707522 复制
