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CMOS低压

2 Ω单刀单掷开关

ADG701L/ADG702L

特点

1.8 V至5.5 V单电源供电

2 Ω （典型值）的导通电阻

低导通电阻平坦度

保证漏电规格达85°C

-3 dB带宽> 200兆赫

轨到轨工作

快速开关时间

18纳秒

关闭

12纳秒

典型功耗< 0.01 μW

TTL / CMOS兼容

功能方框图

ADG701L

05486-001

开关所

对于逻辑1输入

图1 。

ADG702L

应用

电池供电系统

通信系统

采样保持系统

音频信号路由

视频切换

机械式舌簧继电器更换

05486-020

开关所

对于逻辑1输入

图2中。

概述

该ADG701L / ADG702L均为单芯片CMOS单刀单掷开关。

这些开关采用先进的亚微米设计

的过程，具有低功耗，但提供了较高的

开关速度，低导通电阻和低泄漏电流。

此外，-3大于200兆赫的分贝带宽可以

来实现。

该ADG701L / ADG702L可以从1.8 V单操作

5.5 V电源供电，因此非常适合于电池供电的应用

仪器和新一代DAC和ADC

ADI公司。

图1和图2表明，与图1中，一个逻辑输入

该ADG701L的开关是闭合的，而所述ADG702L的

是开放的。每个开关导电性能相同，在两个方向

当上。

该ADG701L / ADG702L打包为5引脚SOT- 23 ，

6引脚SOT- 23和8引脚MSOP封装。

产品亮点

1.8 V至5.5 V单电源供电。该ADG701L /

ADG702L提供高的性能，包括低

电阻和快速开关时间。该ADG701L /

ADG702L完全指定，并保证使用3 V

和5 V电源轨。

非常低R

（ 3 Ω最大为5 V ， 5 Ω最大为3 V ）。

在1.8 V工作电压，R

是在通常为40 Ω

温度范围。

导通电阻平坦度

平（ON）的

（ 1 Ω最大）。

-3 dB带宽> 200兆赫。

低功耗。 CMOS结构确保了低

功耗。

快速吨

关闭

第0版

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传真： 781.461.3113

ADG701L/ADG702L

特点................................................. ............................................. 1

应用................................................. ...................................... 1

概述................................................ ......................... 1

功能框图............................................... .............. 1

产品亮点................................................ ........................... 1

修订历史................................................ ............................... 2

规格................................................. .................................... 3

绝对最大额定值............................................... ............. 5

ESD注意事项................................................ .................................. 5

引脚配置和功能描述........................... 6

典型性能特征.............................................. 7

测试电路................................................ ........................................ 8

术语................................................. ...................................... 9

应用信息................................................ .............. 10

电源电压................................................ ........................... 10

带宽................................................. .................................. 10

关断隔离................................................ ................................ 10

外形尺寸................................................ ....................... 11

订购指南................................................ .......................... 12

修订历史

11/06—Revision

0 ：初始版

第0版|第12页2

ADG701L/ADG702L

特定网络阳离子

= 5伏±10％， GND = 0V。温度范围为B版本为-40 ℃至+ 85 ℃，除非另有说明。

表1中。

B版本

40°C

+85°C

+25°C

0 V至V

0.5

1.0

漏电流

源关闭泄漏，我

（关闭）

流掉泄漏，我

（关闭）

渠道渗漏，我

, I

（上）

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流

INL

还是我

INH

动态特性

关闭

电荷注入

关断隔离

带宽

（关闭）

, C

（上）

电源要求

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻（R

)

导通电阻平坦度（R

平（ON）的

)

单位

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

μA （典型值）

μA（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

pC的典型值

dB典型值

兆赫（典型值）

pF的典型值

μA （典型值）

μA（最大值）

测试条件/评论

= 0 V到V

, I

毫安;参见图12

= 0 V到V

, I

= 5.5 V

= 4.5 V/1 V, V

= 1 V / 4.5 V ;参见图13

= 4.5 V/1 V, V

= 1 V / 4.5 V ;参见图13

= V

= 1 V或4.5 V ;参见图14

±0.01

±0.25

±0.01

±0.25

±0.01

±0.25

±0.35

2.4

0.8

0.005

±0.1

200

0.001

1.0

= V

INL

或V

INH

= 300 Ω, C

= 35 pF的

= 3 V ;参见图15

= 300 Ω, C

= 35 pF的

= 3 V ;参见图15

= 2 V ，R

= 0 Ω, C

= 1 nF的;参见图16

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 10 MHz的

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 1MHz的;参见图17

= 50 Ω, C

= 5 pF的;参见图18

= 5.5 V

数字输入= 0 V或5 V

通过设计保证，不受生产测试。

第0版|第12页3

ADG701L/ADG702L

= 3V ±10％， GND = 0V。温度范围为B版本为-40 ℃至+ 85 ℃，除非另有说明。

表2中。

B版本

40°C

+85°C

+25°C

0 V至V

3.5

1.5

±0.01

±0.25

±0.01

±0.25

±0.01

±0.25

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻（R

)

导通电阻平坦度（R

平（ON）的

)

漏电流

来源OFF漏我

（关闭）

流掉泄漏我

（关闭）

渠道渗漏我

, I

（上）

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流

INL

还是我

INH

动态特性

关闭

电荷注入

关断隔离

带宽

（关闭）

, C

（上）

电源要求

单位

= （典型值）

=最大

= （典型值）

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

μA （典型值）

μA（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

pC的典型值

dB典型值

兆赫（典型值）

pF的典型值

μA （典型值）

μA（最大值）

测试条件/评论

= 0 V到V

, I

毫安;参见图12

= 0 V到V

, I

= 3.3 V

= 3 V/1 V, V

= 1 / 3V ;参见图13

= 3 V/1 V, V

= 1 / 3V ;参见图13

= V

= 1 V或3伏;参见图14

±0.35

2.0

0.4

0.005

±0.1

200

0.001

1.0

= V

INL

或V

INH

= 300

Ω,

= 35 pF的

= 2 V ，见图15

= 300

Ω,

= 35 pF的

= 2 V ，见图15

= 1.5 V ，R

= 0

Ω,

= 1 nF的;参见图16

= 50

Ω,

= 5 PF， F = 10 MHz的

= 50

Ω,

= 5 PF， F = 1MHz的;参见图17

= 50

Ω,

= 5 pF的;参见图18

= 3.3 V

数字输入= 0 V或3 V

通过设计保证，不受生产测试。

第0版|第12页4

ADG701L/ADG702L

绝对最大额定值

= 25 ℃，除非另有说明。

表3中。

参数

到GND

模拟，数字输入

连续电流，S或D

峰值电流，S或D

工作温度范围

工业（B版）

存储温度范围

结温

MSOP封装，功耗

热阻抗

SOT- 23封装，功耗

热阻抗

焊接温度，焊接

气相（60秒）

红外（ 15秒）

无铅回流焊

峰值温度

在峰值温度的时间

ESD

等级

0.3

V到+7 V

0.3

V到V

+ 0.3 V或30 mA时，

以先到为准科幻RST

30毫安

百毫安，脉冲为1毫秒，

10 ％占空比的最大

40°C

至+ 85°C

65°C

至+ 150°C

150°C

315毫瓦

206°C/W

44°C/W

282毫瓦

229.6°C/W

91.99°C/W

215°C

220°C

260 (+0/5)°C

10秒40秒

2千伏

注意，超出上述绝对最大额定值

可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力

只有等级;该器件在这些或任何功能操作

上述其他条件下的作战指示

本规范的部分，是不是暗示。暴露在绝对

最大额定值条件下工作会影响

器件的可靠性。

过压IN ，S或D是由内部二极管钳位。当前应

限于给出的最大额定值。

ESD警告

ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易堆积在

人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然这款产品的特点

专用ESD保护电路，永久性的损害可能在遇到高能量发生装置

静电放电。因此，适当的ESD防范措施建议，以避免降解性能

化或功能丧失。

第0版|第12页5