【CMOS低压2 Ω单刀单掷开关ADG701/ADG702特点1.8 V至5.5 V单电源供电2 Ω 】,IC型号ADG702BRTZ-REEL,ADG702BRTZ-REEL PDF资料,ADG702BRTZ-REEL经销商,ic,电子元器件-51电子网

CMOS低压

2 Ω单刀单掷开关

ADG701/ADG702

特点

1.8 V至5.5 V单电源供电

2 Ω （典型值）的导通电阻

低导通电阻平坦度

-3 dB带宽> 200兆赫

轨到轨工作

快速开关时间

18纳秒

关闭

12纳秒

典型功耗< 0.01 μW

TTL / CMOS兼容

功能框图

ADG701

ADG702

00039-001

开关所对于逻辑1输入

图1 。

应用

电池供电系统

通信系统

采样保持系统

音频信号路由

视频切换

机械式舌簧继电器更换

概述

该ADG701 / ADG702均为单芯片CMOS单刀单掷开关。

这些开关采用先进的亚微米工艺设计

提供低功耗，高开关速度，

低导通电阻和低泄漏电流。此外，-3分贝

可以实现大于200兆赫的带宽。

该ADG701 / ADG702可以从一个单一的1.8 V至5.5 V

电源，因此非常适合于电池供电的仪器使用

与新一代的模拟DAC和ADC

设备公司

图1显示了为1的逻辑输入，对所述开关

ADG701闭合，而ADG702的是开放的。每个开关

导电性能相同，在两个方向上的时候。

该ADG701 / ADG702均采用5引脚SOT-23封装， 6引脚可用

SOT -23和8引脚MSOP封装。

产品亮点

1.8 V至5.5 V单电源供电。

该ADG701 / ADG702提供高性能，包括

低导通电阻和快速开关时间，并完全

规定，并保证与3 V和5 V电源轨。

非常低R

（ 3 Ω最大为5 V ， 5 Ω最大为3 V ）。

在1.8 V工作电压，R

是在温度通常为40 Ω

TURE范围。

导通电阻平坦度

平（ON）的

（ 1 Ω最大）。

-3 dB带宽> 200兆赫。

低功耗。

CMOS结构确保了低功耗。

快速吨

关闭

表1.相关设备

产品型号

ADG701L/ADG702L

描述

低压2 Ω单刀单掷开关

以保证漏电

特定网络阳离子

版本C

信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而，没有

责任承担ADI公司供其使用，也为专利或其他任何侵权行为

第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更，恕不另行通知。没有

获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。

商标和注册商标均为其各自所有者的财产。

一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.

联系电话： 781.329.4700

www.analog.com

传真： 781.461.3113

ADG701/ADG702

特点................................................. ............................................. 1

应用................................................. ...................................... 1

功能框图............................................... ............... 1

概述................................................ ......................... 1

产品亮点................................................ ........................... 1

修订历史................................................ ............................... 2

规格................................................. .................................... 3

绝对最大额定值............................................... ............. 5

ESD注意事项................................................ .................................. 5

引脚配置和功能描述........................... 6

典型性能特征.............................................. 7

术语................................................. ...................................... 8

测试电路................................................ ........................................ 9

应用信息................................................ .............. 10

ADG701 / ADG702电源电压......................................... 10

带宽................................................. .................................. 10

关断隔离................................................ ................................ 10

外形尺寸................................................ ....................... 11

订购指南................................................ .......................... 12

修订历史

7月6日 - 修订版。 B到C版

更改产品亮点.............................................. ......... 1

添加表1 ............................................... ..................................... 1

更改表2 .............................................. .............................. 3

更改表3 .............................................. .............................. 4

新增无铅回流焊，以绝对最大额定值..5

更改订购指南.............................................. ............ 13

6月4日 - 修订版。 A到版本B

更新格式................................................ ..................通用

加入5引脚SOT- 23封装........................................通用

更新的外形尺寸............................................... ........ 10

更改订购指南.............................................. ............ 11

九十八分之八-REV 。 0到版本A

版本C | 12页2

ADG701/ADG702

特定网络阳离子

= 5伏±10％， GND = 0V。温度范围为B版是-40 ℃至+ 85 ℃，除非另有说明。

表2中。

B版本

-40 ° C至

+85°C

0 V至V

0.5

1.0

漏电流

源关闭泄漏，我

（关闭）

流掉泄漏，我

（关闭）

渠道渗漏，我

, I

（上）

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流

INL

还是我

INH

动态特性

关闭

电荷注入

关断隔离

带宽的-3 dB

（关闭）

, C

（上）

电源要求

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻（R

)

导通电阻平坦度（R

平（ON）的

)

+25°C

单位

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

nA的典型值

测试条件/评论

= 0 V到V

, I

= -10毫安;图11

= 0 V到V

, I

= -10毫安

= 5.5 V

= 4.5 V/1 V, V

= 1 V / 4.5 V ;图12

= 4.5 V/1 V, V

= 1 V / 4.5 V ;图12

= V

= 1 V或4.5 V ;图13

±0.01

2.4

0.8

0.005

±0.1

–55

–75

200

V分钟

V最大

μA （典型值）

μA（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

pC的典型值

dB典型值

兆赫（典型值）

pF的典型值

= V

INL

或V

INH

= 300 Ω, C

= 35 pF的

= 3 V ;图14

= 300 Ω, C

= 35 pF的

= 3 V ;图14

= 2 V ，R

= 0 Ω, C

= 1 nF的;图15

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 10 MHz的

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 1MHz的;图16

= 50 Ω, C

= 5 pF的;图17

= 5.5 V

数字输入= 0 V或5 V

0.001

1.0

μA （典型值）

μA（最大值）

通过设计保证，不受生产测试。

版本C |第12页3

ADG701/ADG702

= 3V ±10％， GND = 0V。温度范围为B版是-40 ℃至+ 85 ℃，除非另有说明。

表3中。

B版本

-40 ° C至

+85°C

0 V至V

3.5

1.5

±0.01

2.0

0.4

0.005

±0.1

动态特性

关闭

电荷注入

关断隔离

带宽的-3 dB

（关闭）

, C

（上）

电源要求

200

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻（R

)

导通电阻平坦度（R

平（ON）的

)

漏电流

来源OFF漏我

（关闭）

流掉泄漏我

（关闭）

渠道渗漏我

, I

（上）

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流

INL

还是我

INH

+25°C

单位

= （典型值）

=最大

= （典型值）

nA的典型值

V分钟

V最大

μA （典型值）

μA（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

pC的典型值

dB典型值

兆赫（典型值）

pF的典型值

测试条件/评论

= 0 V到V

, I

= -10毫安;图11

= 0 V到V

, I

= -10毫安

= 3.3 V

= 3 V/1 V, V

= 1 / 3V ;图12

= 3 V/1 V, V

= 1 / 3V ;图12

V = V

= 1 V或3伏;图13

= V

INL

或V

INH

= 300 Ω, C

= 35 pF的

= 2 V ，图14

= 300 Ω, C

= 35 pF的

= 2 V ，图14

= 1.5 V ，R

= 0 Ω, C

= 1 nF的;图15

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 10 MHz的

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 1MHz的;图16

= 50 Ω, C

= 5 pF的;图17

= 3.3 V

数字输入= 0 V或3 V

0.001

1.0

μA （典型值）

μA（最大值）

通过设计保证，不受生产测试。

版本C |第12页4

ADG701/ADG702

绝对最大额定值

= + 25 ℃，除非另有说明。

表4 。

参数

到GND

模拟和数字输入

等级

-0.3 V至+7 V

0.3 V到V

+ 0.3 V

或30毫安，取

发生网络RST

30毫安

百毫安，脉冲为1毫秒，

10 ％占空比的最大

-40 ° C至+ 85°C

-65 ° C至+ 150°C

150°C

315毫瓦

206°C/W

44°C/W

282毫瓦

229.6°C/W

91.99°C/W

215°C

220°C

260(+0/5)°C

10秒40秒

2千伏

连续电流，S或D

峰值电流，S或D

工作温度范围

工业（B版）

存储温度范围

结温

MSOP封装，功耗

热阻抗

SOT- 23封装，功耗

热阻抗

焊接温度，焊接

气相（60秒）

红外（ 15秒）

无铅回流焊

峰值温度

在峰值温度的时间

ESD

注意，超出上述绝对最大额定值

可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力

只有等级;该器件在这些或任何功能操作

上述其他条件下的作战指示

本规范的部分，是不是暗示。暴露在绝对

最大额定值条件下工作会影响

器件的可靠性。

只有一个绝对最大额定值可以在任何应用

一度。

表5.真值表

ADG701在

ADG702在

开关状态

关闭

过压IN ，S或D是由内部二极管钳位。当前应

限于给出的最大额定值。

ESD警告

ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易堆积在

人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然这款产品的特点

专用ESD保护电路，永久性的损害可能在遇到高能量发生装置

静电放电。因此，适当的ESD防范措施建议，以避免性能

下降或功能丧失。

版本C |第12页5