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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1002页 > ADG701LBRMZ-REEL7
CMOS低压
2 Ω单刀单掷开关
ADG701L/ADG702L
特点
1.8 V至5.5 V单电源供电
2 Ω (典型值)的导通电阻
低导通电阻平坦度
保证漏电规格达85°C
-3 dB带宽> 200兆赫
轨到轨工作
快速开关时间
t
ON
18纳秒
t
关闭
12纳秒
典型功耗< 0.01 μW
TTL / CMOS兼容
功能方框图
ADG701L
S
D
IN
05486-001
开关所
对于逻辑1输入
图1 。
ADG702L
应用
电池供电系统
通信系统
采样保持系统
音频信号路由
视频切换
机械式舌簧继电器更换
S
D
IN
05486-020
开关所
对于逻辑1输入
图2中。
概述
该ADG701L / ADG702L均为单芯片CMOS单刀单掷开关。
这些开关采用先进的亚微米设计
的过程,具有低功耗,但提供了较高的
开关速度,低导通电阻和低泄漏电流。
此外,-3大于200兆赫的分贝带宽可以
来实现。
该ADG701L / ADG702L可以从1.8 V单操作
5.5 V电源供电,因此非常适合于电池供电的应用
仪器和新一代DAC和ADC
ADI公司。
图1和图2表明,与图1中,一个逻辑输入
该ADG701L的开关是闭合的,而所述ADG702L的
是开放的。每个开关导电性能相同,在两个方向
当上。
该ADG701L / ADG702L打包为5引脚SOT- 23 ,
6引脚SOT- 23和8引脚MSOP封装。
产品亮点
1.
1.8 V至5.5 V单电源供电。该ADG701L /
ADG702L提供高的性能,包括低
电阻和快速开关时间。该ADG701L /
ADG702L完全指定,并保证使用3 V
和5 V电源轨。
非常低R
ON
( 3 Ω最大为5 V , 5 Ω最大为3 V ) 。
在1.8 V工作电压,R
ON
是在通常为40 Ω
温度范围。
导通电阻平坦度
平(ON)的
( 1 Ω最大) 。
-3 dB带宽> 200兆赫。
低功耗。 CMOS结构确保了低
功耗。
快速吨
ON
/t
关闭
.
2.
3.
4.
5.
6.
第0版
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而,没有
责任承担ADI公司供其使用,也为专利或其他任何侵权行为
第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更,恕不另行通知。没有
获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。
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一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
联系电话: 781.329.4700
www.analog.com
传真: 781.461.3113
2006年ADI公司保留所有权利。
ADG701L/ADG702L
目录
特点................................................. ............................................. 1
应用................................................. ...................................... 1
概述................................................ ......................... 1
功能框图............................................... .............. 1
产品亮点................................................ ........................... 1
修订历史................................................ ............................... 2
规格................................................. .................................... 3
绝对最大额定值............................................... ............. 5
ESD注意事项................................................ .................................. 5
引脚配置和功能描述........................... 6
典型性能特征.............................................. 7
测试电路................................................ ........................................ 8
术语................................................. ...................................... 9
应用信息................................................ .............. 10
电源电压................................................ ........................... 10
带宽................................................. .................................. 10
关断隔离................................................ ................................ 10
外形尺寸................................................ ....................... 11
订购指南................................................ .......................... 12
修订历史
11/06—Revision
0 :初始版
第0版|第12页2
ADG701L/ADG702L
特定网络阳离子
V
DD
= 5伏±10% , GND = 0V。温度范围为B版本为-40 ℃至+ 85 ℃,除非另有说明。
表1中。
B版本
40°C
to
+85°C
+25°C
0 V至V
DD
2
3
0.5
4
1.0
漏电流
源关闭泄漏,我
S
(关闭)
流掉泄漏,我
D
(关闭)
渠道渗漏,我
D
, I
S
(上)
数字输入
输入高电压,V
INH
输入低电压,V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
动态特性
t
ON
t
关闭
电荷注入
关断隔离
带宽
3
dB
C
S
(关闭)
C
D
(关闭)
C
D
, C
S
(上)
电源要求
I
DD
1
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻(R
ON
)
导通电阻平坦度(R
平(ON)的
)
单位
V
= (典型值)
=最大
= (典型值)
=最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA (典型值)
μA(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最大值)
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
兆赫(典型值)
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
μA (典型值)
μA(最大值)
测试条件/评论
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
=
10
毫安;参见图12
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
=
10
mA
V
DD
= 5.5 V
V
S
= 4.5 V/1 V, V
D
= 1 V / 4.5 V ;参见图13
V
S
= 4.5 V/1 V, V
D
= 1 V / 4.5 V ;参见图13
V
S
= V
D
= 1 V或4.5 V ;参见图14
±0.01
±0.25
±0.01
±0.25
±0.01
±0.25
±0.35
±0.35
±0.35
2.4
0.8
0.005
±0.1
12
18
8
12
5
55
75
200
17
17
38
0.001
1.0
V
IN
= V
INL
或V
INH
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 3 V ;参见图15
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 3 V ;参见图15
V
S
= 2 V ,R
S
= 0 Ω, C
L
= 1 nF的;参见图16
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF, F = 10 MHz的
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF, F = 1MHz的;参见图17
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 pF的;参见图18
V
DD
= 5.5 V
数字输入= 0 V或5 V
1
通过设计保证,不受生产测试。
第0版|第12页3
ADG701L/ADG702L
V
DD
= 3V ±10% , GND = 0V。温度范围为B版本为-40 ℃至+ 85 ℃,除非另有说明。
表2中。
B版本
40°C
to
+85°C
+25°C
0 V至V
DD
3.5
5
1.5
±0.01
±0.25
±0.01
±0.25
±0.01
±0.25
6
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻(R
ON
)
导通电阻平坦度(R
平(ON)的
)
漏电流
来源OFF漏我
S
(关闭)
流掉泄漏我
D
(关闭)
渠道渗漏我
D
, I
S
(上)
数字输入
输入高电压,V
INH
输入低电压,V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
动态特性
1
t
ON
t
关闭
电荷注入
关断隔离
带宽
3
dB
C
S
(关闭)
C
D
(关闭)
C
D
, C
S
(上)
电源要求
I
DD
单位
V
= (典型值)
=最大
= (典型值)
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA (典型值)
μA(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最大值)
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
兆赫(典型值)
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
μA (典型值)
μA(最大值)
测试条件/评论
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
=
10
毫安;参见图12
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
=
10
mA
V
DD
= 3.3 V
V
S
= 3 V/1 V, V
D
= 1 / 3V ;参见图13
V
S
= 3 V/1 V, V
D
= 1 / 3V ;参见图13
V
S
= V
D
= 1 V或3伏;参见图14
±0.35
±0.35
±0.35
2.0
0.4
0.005
±0.1
14
20
8
13
4
55
75
200
17
17
38
0.001
1.0
V
IN
= V
INL
或V
INH
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 2 V ,见图15
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 2 V ,见图15
V
S
= 1.5 V ,R
S
= 0
Ω,
C
L
= 1 nF的;参见图16
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF, F = 10 MHz的
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF, F = 1MHz的;参见图17
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 pF的;参见图18
V
DD
= 3.3 V
数字输入= 0 V或3 V
1
通过设计保证,不受生产测试。
第0版|第12页4
ADG701L/ADG702L
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃,除非另有说明。
表3中。
参数
V
DD
到GND
模拟,数字输入
1
连续电流,S或D
峰值电流,S或D
工作温度范围
工业(B版)
存储温度范围
结温
MSOP封装,功耗
θ
JA
热阻抗
θ
JC
热阻抗
SOT- 23封装,功耗
θ
JA
热阻抗
θ
JC
热阻抗
焊接温度,焊接
气相(60秒)
红外( 15秒)
无铅回流焊
峰值温度
在峰值温度的时间
ESD
1
等级
0.3
V到+7 V
0.3
V到V
DD
+ 0.3 V或30 mA时,
以先到为准科幻RST
30毫安
百毫安,脉冲为1毫秒,
10 %占空比的最大
40°C
至+ 85°C
65°C
至+ 150°C
150°C
315毫瓦
206°C/W
44°C/W
282毫瓦
229.6°C/W
91.99°C/W
215°C
220°C
260 (+0/5)°C
10秒40秒
2千伏
注意,超出上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有等级;该器件在这些或任何功能操作
上述其他条件下的作战指示
本规范的部分,是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
器件的可靠性。
过压IN ,S或D是由内部二极管钳位。当前应
限于给出的最大额定值。
ESD警告
ESD (静电放电)敏感器件。静电荷高达4000 V容易堆积在
人体和测试设备,可排出而不被发现。虽然这款产品的特点
专用ESD保护电路,永久性的损害可能在遇到高能量发生装置
静电放电。因此,适当的ESD防范措施建议,以避免降解性能
化或功能丧失。
第0版|第12页5
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联系人:朱成平
地址:深圳市龙岗区平湖街道良安田社区茗萃园三期12号楼,13号楼12楼B座401
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联系人:张
地址:深圳市龙岗区坂田街道东坡路3号万致天地商业中心(A塔)1栋一单元1602
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