【a特点+ 1.8V至+ 5.5V单电源供电2 （典型值）导通电阻低导通电阻平坦度-3 dB带宽>】,IC型号ADG701BRT,ADG701BRT PDF资料,ADG701BRT经销商,ic,电子元器件-51电子网

特点

+ 1.8V至+ 5.5V单电源供电

2 （典型值）导通电阻

低导通电阻平坦度

-3 dB带宽>200兆赫

轨到轨工作

6引脚SOT- 23

8引脚SOIC封装

快速开关时间

18纳秒

关闭

12纳秒

典型功耗（ <0.01

TTL / CMOS兼容

应用

电池供电系统

通信系统

采样保持系统

音频信号路由

视频切换

机械式舌簧继电器更换

CMOS

低电压2单刀单掷开关

ADG701/ADG702

功能方框图

ADG701

ADG702

示于开关

逻辑输入"1"

概述

产品亮点

该ADG701 / ADG702均为单芯片CMOS单刀单掷开关。

这些开关采用先进的亚微米工艺设计

提供低功耗，高开关速度，

的低导通电阻，低泄漏电流和-3分贝带宽

大于200兆赫，可实现的。

该ADG701 / ADG702可以从单个1.8 V至操作

在电池+5.5 V供电，非常适合用仪器供电

ments ，并使用从新一代DAC和ADC的

ADI公司。

如可以从功能框图中可以看出，用

的“1”的ADG701的开关逻辑输入被关闭，而

该ADG702的是开放的。每个开关导电性能相同，

在两个方向上时接通。

该ADG701 / ADG702是6引脚提供SOT- 23和

8-lead

μSOIC

包。

1. +1.8 V至+5.5 V单电源供电。该ADG701 /

ADG702提供高的性能，包括低导通电阻

和快速开关时间，并完全指定，并保证

以+3 V和+5 V电源轨。

2.非常低R

最多在5 V ， 5

最多在3 V ）。在1.8 V

操作中，R

通常为40

在整个温度范围内。

3.导通电阻平坦度

平（ON）的

最大值）。

4， -3 dB带宽>200兆赫。

5.低功耗。 CMOS结构确保了低

功耗。

6.快速吨

关。

7.微型6引脚SOT- 23和8引脚

μSOIC 。

REV 。一

信息ADI公司提供的被认为是准确和

可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其

使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯

这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或

否则，在ADI公司的任何专利或专利权。

一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.

联系电话： 781 / 329-4700

万维网网站： http://www.analog.com

传真： 781 / 326-8703

ADI公司， 1998年

ADG701/ADG702–SPECIFICATIONS

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻（R

)

导通电阻平坦度（R

平（ON）的

)

漏电流

来源OFF漏我

（关闭）

流掉泄漏我

（关闭）

渠道渗漏我

, I

（上）

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流

INL

还是我

INH

动态特性

关闭

电荷注入

关断隔离

0.5

= 5 V

10 ％， GND = 0 V，所有规格-40°C至+ 85°C

除非另有说明）。

单位

典型值

最大

典型值

最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

典型值

最大

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

pC的典型值

dB典型值

兆赫（典型值）

pF的典型值

= +5.5 V

数字输入= 0 V或5 V

= V

INL

或V

INH

测试条件/评论

B版本

+25 C

-40°C至+ 85°C

0 V至V

1.0

0.01

0.25

0.01

0.25

0.01

0.25

= 0 V到V

, I

= -10毫安;

测试电路1

= 0 V到V

, I

= -10毫安

= +5.5 V

= 4.5 V/1 V, V

= 1 V/4.5 V;

测试电路2

= 4.5 V/1 V, V

= 1 V/4.5 V;

测试电路2

= V

= 1 V或4.5 V ;

测试电路3

0.35

2.4

0.8

0.005

0.1

–55

–75

200

带宽的-3 dB

（关闭）

, C

（上）

电源要求

= 300

= 35 pF的

= 3 V ;测试电路4

= 300

= 35 pF的

= 3 V ;测试电路4

= 2 V ，R

= 0

= 1 nF的;

测试电路5

= 50

= 5 PF， F = 10 MHz的

= 50

= 5 PF， F = 1MHz的;

测试电路6

= 50

= 5 pF的;

测试电路7

0.001

1.0

典型值

最大

笔记

温度范围如下： B版本： -40 ° C至+ 85°C 。

通过设计保证，不受生产测试。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

–2–

REV 。一

ADG701/ADG702

特定网络阳离子

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻（R

)

= 3 V

10 ％， GND = 0 V，所有规格-40 ℃ + 85℃ ，除非另有说明。）

B版本

+25 C

-40°C至+ 85°C

0 V至V

3.5

1.5

0.01

0.25

0.01

0.25

0.01

0.25

单位

典型值

最大

典型值

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

典型值

最大

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

pC的典型值

dB典型值

兆赫（典型值）

pF的典型值

= +3.3 V

数字输入= 0 V或3 V

= V

INL

或V

INH

测试条件/评论

导通电阻平坦度（R

平（ON）的

)

漏电流

来源OFF漏我

（关闭）

流掉泄漏我

（关闭）

渠道渗漏我

, I

（上）

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流

INL

还是我

INH

动态特性

关闭

电荷注入

关断隔离

= 0 V到V

, I

= -10毫安;

测试电路1

= 0 V到V

, I

= -10毫安

= +3.3 V

= 3 V/1 V, V

= 1 V/3 V;

测试电路2

= 3 V/1 V, V

= 1 V/3 V;

测试电路2

= V

= 1 V或3伏;

测试电路3

0.35

2.0

0.4

0.005

0.1

–55

–75

200

带宽的-3 dB

（关闭）

, C

（上）

电源要求

= 300

= 35 pF的

= 2 V ，测试电路4

= 300

= 35 pF的

= 2 V ，测试电路4

= 1.5 V ，R

= 0

= 1 nF的;

测试电路5

= 50

= 5 PF， F = 10 MHz的

= 50

= 5 PF， F = 1MHz的;

测试电路6

= 50

= 5 pF的;

测试电路7

0.001

1.0

典型值

最大

笔记

温度范围如下： B版本： -40

°C

至+ 85°C 。

通过设计保证，不受生产测试。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

REV 。一

–3–

ADG701/ADG702

绝对最大额定值

= + 25 ° C除非另有说明）

到GND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3 V至+7 V

模拟，数字输入

。。。。。。。。。。。。。。 0.3 V到V

+0.3 V

或30毫安，以先到者为准

连续电流，S或D 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 30毫安

峰值电流，S或D 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。百毫安

（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比最大）

工作温度范围

工业（B版）。。。。。。。。。。。。。。。。。 -40 ° C至+ 85°C

存储温度范围。。。。。。。。。。。。。 -65 ° C至+ 150°C

结温。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 + 150°C

μSOIC

封装，功率耗散。。。。。。。。。。。。。。。 315毫瓦

热阻抗。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 206 ° C / W

热阻抗。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 44 ° C / W

SOT- 23封装，功率耗散。。。。。。。。。。。。。。 282毫瓦

热阻抗。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 229.6 ° C / W

热阻抗。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 91.99 ° C / W

焊接温度，焊接

气相（60秒）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 + 215℃

红外（ 15秒）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 + 220℃

ESD 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 2千伏

笔记

注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-

新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作

器件在这些或以上的业务部门所列出的任何其他条件

本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件

系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。只有一个绝对的马克西 -

妈妈等级可能在任一时刻被应用。

过压IN ，S或D由内部二极管钳位。当前应

限于给出的最大额定值。

表一，表真相

ADG701在

ADG702在

开关状态

关闭

订购指南

模型

ADG701BRT

ADG702BRT

ADG701BRM

ADG702BRM

温度范围

-40 ° C至+ 85°C

品牌*

S3B

S4B

S3B

S4B

包装说明

SOT- 23 （塑料表面贴装）

μSOIC

（小外形封装）

μSOIC

（小外形封装）

封装选项

RT-6

RM-8

*品牌=由于封装尺寸的限制，这三个字符所代表的零件编号。

小心

ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易

积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然

该ADG701 / ADG702具有专用ESD保护电路，可能永久的损坏

发生在受到高能静电放电设备。因此，适当的ESD

预防措施建议，以避免性能下降或功能丧失。

警告！

ESD敏感器件

–4–

REV 。一

ADG701/ADG702

销刀豆网络gurations

8引脚SOIC

(RM-8)

术语

ADG701/

ADG702

GND

顶视图

（不按比例）

DD 4

NC =无连接

GND

平（ON）的

6引脚塑料表面贴装（ SOT -23 ）

(RT-6)

GND

ADG701/

ADG702

顶视图

（不按比例）

NC =无连接

（关闭）

, I

（上）

)

（关闭）

, C

（上）

关闭

关断隔离

收费

注射

带宽

ON响应

损耗

最积极的供电潜力。

接地（ 0 V ）参考。

源终端。可以是输入或输出。

漏极。可以是输入或输出。

逻辑控制输入。

D和S之间的欧姆电阻

平整度是指之间的差

上的最大值和最小值

测量在规定电阻

模拟信号范围。

源漏电流与开关“OFF”。

漏极漏电流与开关“OFF”。

信道的泄漏电流与开关“ON”。

在端D ，S模拟电压

“ OFF”开关的源极电容。

“ OFF”开关漏极电容。

“ON”的开关电容。

施加所述数字控制之间的延迟

输入和输出开关上。见测试

电路4 。

施加所述数字控制之间的延迟

输入和输出的开关关闭。

耦合的无用信号的测量

通过一个“关”的开关。

衡量的毛刺脉冲传递

从数字输入到模拟输出

期间切换。

时的频率输出为衰减

由-3分贝ated 。

“ON”的开关的频率响应。

跨越“ON”的开关上的电压降视为

就在响应与频率的情节如何

许多分贝的信号距离0分贝在非常

低的频率。

REV 。一

–5–