【3 V / + 5 V / ± 5 V CMOS 4和8通道模拟多路复用器ADG658/ADG659】,IC型号ADG659YCP,ADG659YCP PDF资料,ADG659YCP经销商,ic,电子元器件-51电子网

3 V / + 5 V / ± 5 V CMOS 4和8通道

模拟多路复用器

ADG658/ADG659

特点

± 2 V至± 6 V双电源供电

2 V至12 V单电源供电

汽车级温度范围-40 ° C至+ 125°C

<0.1 nA的漏电流

45 Ω的电阻在整个信号范围

轨到轨开关工作

单8选1多路复用器ADG658

差分4 ：1多路复用器ADG659

采用16引脚LFCSP / TSSOP / QSOP封装

典型功耗<0.1 μW

TTL / CMOS兼容输入

包升级到74HC4051 / 74HC4052和

MAX4051/MAX4052/MAX4581/MAX4582

多路分解器和具有延伸至所述输入范围

耗材。所有通道表现出先开后合式开关

行动，防止短路瞬时切换时

通道。所有数字输入具有0.8 V至2.4 V的逻辑阈值，

确保TTL / CMOS逻辑兼容使用时，单

+5 V或±5 V双电源。

该ADG658和ADG659采用16引脚TSSOP封装/

QSOP封装和16引脚的4 mm× 4 mm LFCSP封装包。

产品亮点

1.单，双电源供电。

的ADG658和ADG659提供高性能且

完全指定，并保证有± 5 V ，+ 5 V和3 V

电源轨。

2.汽车级温度范围-40 ° C至+ 125°C 。

3.低功耗，典型<0.1 μW 。

4. 16引脚的4 mm× 4 mm LFCSP封装封装， 16引脚TSSOP

封装和16引脚QSOP封装。

应用

汽车应用

自动测试设备

数据采集系统

电池供电系统

通信系统

音频和视频信号路由

继电器更换

采样保持系统

工业控制系统

功能框图

ADG658

S1

S1A

DA

S4A

D

S1B

DB

S8

1第8

解码器

S4B

1 4

解码器

ADG659

概述

该ADG658和ADG659是低电压， CMOS模拟

多路复用器由8个单通道和四

差分通道。该ADG658开关的一个

8输入（ S1-S8），以共同的输出，D，如由下式确定

的3位二进制地址线A0，A1和A2 。该ADG659

开关的四个差分输入之一到公共差分

输出，如由2位二进制地址线A0确定和

A1 。提供EN输入，两个设备上，用于启用或禁用

该设备。禁用时，所有通道被关闭。

这些部件在增强过程中，提供设计

低功耗，高开关速度。这些

部分可以同样出色工作为多路复用器或

A0

A1

A2

EN

A0

A1

EN

开关所对于逻辑1输入

图1 。

REV 。一

信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。

但是，没有责任承担由Analog Devices供其使用，也不对任何

侵犯第三方专利或其他权利，可能导致其使用的。

规格如有变更，恕不另行通知。没有获发牌照以暗示

或者以其他方式在ADI公司的任何专利或专利权。商标

注册商标均为其各自所有者的财产。

一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.

联系电话： 781.329.4700

www.analog.com

传真： 781.326.8703

03273-0-001

ADG658/ADG659

产品规格：双电源.............................................. ............... 3

产品规格：单电源5V ............................................. 5 ........

产品规格：单电源2.7 3.6 V ...................................... 7

绝对最大额定值............................................... ............. 9

ESD注意事项................................................ .................................. 9

引脚配置和功能描述........................... 11

典型性能特征........................................... 13

测试电路................................................ ................................ 16

外形尺寸................................................ ....................... 19

订购指南................................................ .......................... 20

修订历史

7月4日，数据表，从第0更改为版本A

更新格式................................................ ..............通用

加入QSOP封装外形.............................................. .... 20

更改订购指南.............................................. ......... 20

3月3日 - 修订版。 0 ：初始版

版本A |第20页2

ADG658/ADG659

规格：双电源

V

DD

= +5 V ± 10%, V

SS

= -5V ± 10％，GND = 0V ，除非另有说明。

1

表1中。

B版本

40°C

至+ 85°C

版本

40°C

to+125°C

V

SS

到V

DD

45

75

1.3

3

10

16

±0.005

±0.2

±0.005

±0.2

±0.1

±0.005

±0.2

±0.1

90

3.2

17

100

3.5

18

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻（R

ON

)

导通电阻之间的匹配

通道（ ΔR

ON

)

导通电阻平坦度（R

平（ON）的

)

漏电流

来源OFF漏我

S

（关闭）

流掉泄漏我

D

（关闭）

ADG658

ADG659

渠道渗漏我

D

, I

S

（上）

ADG658

ADG659

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流

I

INL

还是我

INH

C

IN

数字输入电容

动态特性

2

t

TRANS

t

ON

（ EN ）

t

关闭

（ EN ）

突破前先延时，T

BBM

电荷注入

关断隔离

总谐波失真， THD + N

通道到通道的串扰

(ADG659)

-3 dB带宽

ADG658

ADG659

C

S

（关闭）

C

D

（关闭）

ADG658

ADG659

+25°C

单位

V

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

μA （典型值）

μA（最大值）

pF的典型值

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最小值）

pC的典型值

pC的最大值

dB典型值

％（典型值）

dB典型值

兆赫（典型值）

pF的典型值

测试条件/评论

V

DD

= +4.5 V, V

SS

= 4.5 V

V

S

= -4.5 V，I

S

= 1毫安;

测试电路1

V

S

= 3.5 V，I

S

= 1毫安

V

DD

= +5 V, V

SS

= 5 V;

V

S

= -3 V，I

S

= 1毫安

V

DD

= +5.5 V, V

SS

= 5.5 V

V

D

= ±4.5 V, V

S

=

m

4.5 V;

测试电路2

V

D

= ±4.5 V, V

S

=

m

4.5 V;

测试电路3

V

D

= V

S

= ± 4.5 V ;测试电路4

±5

±2.5

±5

±2.5

2.4

0.8

0.005

±1

2

80

115

80

115

30

45

50

2

4

90

0.025

90

210

400

4

23

12

V

IN

= V

INL

或V

INH

140

50

165

55

10

R

L

= 300 , C

L

= 35 pF的

V

S

= 3 V ;测试电路5

R

L

= 300 , C

L

= 35 pF的

V

S

= 3 V ;测试电路7

R

L

= 300 , C

L

= 35 pF的

V

S

= 3 V ;测试电路7

R

L

= 300 , C

L

= 35 pF的

V

S1

= V

S2

= 3 V ;测试电路6

V

S

= 0 V ，R

S

= 0 ,

C

L

= 1 nF的;测试电路8

R

L

= 50 , C

L

= 5 PF， F = 1MHz的;测试电路9

R

L

= 600 Ω ， 2 V P-P ， F = 20 Hz至20 kHz

R

L

= 50 , C

L

= 5 PF， F = 1MHz的;测试电路11

R

L

= 50 , C

L

= 5 pF的;

测试电路10

F = 1 MHz的

版本A |第20页3

ADG658/ADG659

B版本

40°C

至+ 85°C

版本

40°C

to+125°C

参数

C

D

, C

S

（上）

ADG658

ADG659

电源要求

I

DD

I

SS

+25°C

28

16

0.01

单位

pF的典型值

μA （典型值）

μA（最大值）

μA （典型值）

μA（最大值）

测试条件/评论

F = 1 MHz的

V

DD

= +5.5 V, V

SS

= 5.5 V

数字输入= 0 V或5.5 V

1

0.01

1

2

温度范围如下： B版本： -40 ° C至+ 85°C 。版本： -40 ° C至+ 125°C 。

通过设计保证;不受生产测试。

版本A |第20页4

ADG658/ADG659

规格：单电源5V

V

DD

= 5 V ± 10%, V

SS

= 0V ，GND = 0V ，除非另有说明。

1

表2中。

B版本

40°C

至+ 85°C

版本

40°C

至+ 125°C

0到V

DD

85

150

4.5

8

13

160

9

14

200

10

16

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻（R

ON

)

导通电阻之间的匹配

通道（ ΔR

ON

)

导通电阻平坦度（R

平（ON）的

)

漏电流

来源OFF漏我

S

（关闭）

流掉泄漏我

D

（关闭）

ADG658

ADG659

渠道渗漏我

D

, I

S

（上）

ADG658

ADG659

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流

I

INL

还是我

INH

C

IN

数字输入电容

动态特性

2

t

TRANS

t

ON

（ EN ）

t

关闭

（ EN ）

突破前先延时，T

BBM

电荷注入

关断隔离

通道到通道的串扰

(ADG659)

-3 dB带宽

ADG658

ADG659

C

S

（关闭）

C

D

（关闭）

ADG658

ADG659

+25°C

单位

V

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

= （典型值）

测试条件/评论

V

DD

= 4.5 V, V

SS

= 0 V

V

S

= 0 V至4.5 V，I

S

= 1毫安;

测试电路1

V

S

= 3.5 V，I

S

= 1毫安

V

DD

= 5 V, V

SS

= 0 V

V

S

= 1.5 V至24 V ，我

S

= 1毫安

V

DD

= 5.5 V

V

S

= 1 V/4.5 V, V

D

= 4.5 V/1 V;

测试电路2

V

S

= 1 V/4.5 V, V

D

= 4.5 V/1 V;

测试电路3

V

S

= V

D

= 1 V或4.5 V ，测试电路4

±0.005

±0.2

±0.005

±0.2

±0.1

±0.005

±0.2

±0.1

±5

±2.5

±5

±2.5

2.4

0.8

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

μA （典型值）

μA（最大值）

pF的典型值

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最小值）

pC的典型值

pC的最大值

dB典型值

0.005

±1

2

120

200

120

190

35

50

100

0.5

1

90

V

IN

= V

INL

或V

INH

270

245

60

300

280

70

10

R

L

= 300 , C

L

= 35 pF的

V

S

= 3 V ;测试电路5

R

L

= 300 , C

L

= 35 pF的

V

S

= 3 V ;测试电路7

R

L

= 300 , C

L

= 35 pF的

V

S

= 3 V ;测试电路7

R

L

= 300 , C

L

= 35 pF的

V

S1

= V

S2

= 3 V ;测试电路6

V

S

= 2.5 V ，R

S

= 0 , C

L

= 1 nF的;

测试电路8

R

L

= 50 , C

L

= 5 PF， F = 1MHz的;测试电路9

R

L

= 50 , C

L

= 5 pF的; F = 1兆赫;

测试电路11

R

L

= 50 , C

L

= 5 pF的;

测试电路10

F = 1 MHz的

180

330

5

29

15

兆赫（典型值）

pF的典型值

版本A |第20页5

3 V / + 5 V / ± 5 V CMOS 4- / 8通道

模拟多路复用器

ADG658/ADG659

特点

± 2 V至± 6 V双电源供电

2 V至12 V单电源供电

汽车级温度范围-40

o

C至+ 125

o

C

<0.1 nA的漏电流

45

导通电阻在整个信号范围内

轨到轨开关工作

单8选1多路复用器ADG658

差分4 ：1多路复用器ADG659

16引脚LFCSP / TSSOP封装

典型功耗<0.1

W

TTL / CMOS兼容输入

包升级到74HC4051 / 74HC4052和

MAX4051/MAX4052/MAX4581/MAX4582

应用

汽车应用

自动测试设备

数据采集系统

电池供电系统

通信系统

音频和视频信号路由

继电器更换

采样保持系统

工业控制系统

功能框图

ADG658

S1

S1A

DA

S4A

D

S1B

DB

S8

1第8

解码器

S4B

1 4

解码器

ADG659

A0

A1

A2

EN

A0

A1

EN

开关所对于逻辑1输入

概述

产品亮点

该ADG658和ADG659是低电压， CMOS模拟

多路复用器由8个单通道和四种不同的

髓鞘通道。该ADG658开关的一个

8输入（ S1-S8），以共同的输出，D，如由下式确定

的3位二进制地址线A0，A1和A2 。该ADG659

开关的四个差分输入之一到公共差分

输出，如由2位二进制地址线A0确定和

A1 。一

EN

输入两个设备上，用于启用或禁用

该设备。禁用时，所有通道被关闭。

这些部件在增强过程中，提供设计

低功耗，高开关速度。这些

部分可以同样出色工作为多路复用器或demulti-

路器和具有延伸到电源的输入电压范围。所有

渠道表现出先开后合式开关动作，防止─

切换频道时荷兰国际集团瞬时短路。所有的数字

输入具有0.8 V至2.4 V的逻辑阈值，从而确保TTL /

在使用CMOS逻辑兼容采用+5 V单或双

± 5 V电源。

该ADG658和ADG659采用16引脚TSSOP封装

封装和16引脚4毫米

4 mm LFCSP封装包。

第0版

信息ADI公司提供的被认为是准确和

可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其

使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯

这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或oth-

在ADI公司的任何专利或专利权erwise 。商标

和注册商标均为其各自公司的财产。

1.单，双电源供电。该ADG658和

ADG659提供高性能和完全指定

并保证有± 5 V ，+ 5 V和3 V电源轨。

2.汽车级温度范围-40

o

C至+ 125

o

C.

3.低功耗，典型<0.1

W.

4. 16引脚4毫米

4 mm LFCSP封装封装和16引脚

TSSOP封装。

一个技术的方式，P盒9106 ，诺伍德，MA 02062-9106 ， USA

.O.

联系电话： 781 / 329-4700

www.analog.com

传真： 781 / 326-8703

双电源

1

(V

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻（R

ON

)

ADG658/ADG659–SPECIFICATIONS

DD

= +5 V ±10%, V

SS

= -5V ±10％，GND = 0V ，除非另有说明。）

B版本

–40C

至+ 85°C

版本

–40C

至+ 125°C

V

SS

到V

DD

90

3.2

17

100

3.5

18

+25C

单位

V

典型值

最大

典型值

最大

典型值

最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

μA （典型值）

μA（最大值）

pF的典型值

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最小值）

pC的典型值

pC的最大值

dB典型值

测试条件/评论

V

DD

= +4.5 V, V

SS

= –4.5 V

V

S

= -4.5 V，I

S

= 1毫安;

测试电路1

V

S

= 3.5 V，I

S

= 1毫安

V

DD

= +5 V, V

SS

= –5 V;

V

S

= -3 V，I

S

= 1毫安

V

DD

= +5.5 V, V

SS

= –5.5 V

V

D

= ±4.5 V, V

S

=

4.5

V;

测试电路2

V

D

= ±4.5 V, V

S

=

4.5

V;

测试电路3

V

D

= V

S

= ± 4.5 V ;测试电路4

导通电阻之间的匹配

通道（ ΔR

ON

)

(

导通电阻平坦度（R

平（ON）的

)

漏电流

来源OFF漏我

S

（关闭）

流掉泄漏我

D

（关闭）

ADG658

ADG659

渠道渗漏我

D

, I

S

（上）

ADG658

ADG659

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流

I

INL

还是我

INH

C

IN

数字输入电容

动态特性

2

t

TRANS

t

ON

（ EN ）

t

关闭

（ EN ）

突破前先延时，T

BBM

电荷注入

关断隔离

45

75

1.3

3

10

16

±0.005

±0.2

±0.005

±0.2

±0.1

±0.005

±0.2

±0.1

±5

±2.5

±5

±2.5

2.4

0.8

0.005

±1

2

80

115

80

115

30

45

50

2

4

–90

V

IN

= V

INL

或V

INH

140

50

165

55

10

R

L

= 300

,

C

L

= 35 pF的

V

S

= 3 V ;测试电路5

R

L

= 300

,

C

L

= 35 pF的

V

S

= 3 V ;测试电路7

R

L

= 300

,

C

L

= 35 pF的

V

S

= 3 V ;测试电路7

R

L

= 300

,

C

L

= 35 pF的

V

S1

= V

S2

= 3 V ;测试电路6

V

S

= 0 V ，R

S

= 0

,

C

L

= 1 nF的;测试电路8

R

L

= 50

,

C

L

= 5 pF的，

F = 1兆赫;测试电路9

总谐波失真， THD + N

通道到通道的串扰

(ADG659)

-3 dB带宽

ADG658

ADG659

C

S

（关闭）

C

D

（关闭）

ADG658

ADG659

C

D

, C

S

（上）

ADG658

ADG659

电源要求

I

DD

I

SS

0.025

–90

210

400

4

23

12

28

16

0.01

1

0.01

1

％（典型值）

dB典型值

兆赫（典型值）

pF的典型值

μA （典型值）

μA（最大值）

μA （典型值）

μA（最大值）

R

L

= 600

,

2 V P-P ，

F = 20赫兹到20千赫兹

R

L

= 50

,

C

L

= 5 pF的，

F = 1兆赫;测试电路11

R

L

= 50

,

C

L

= 5 pF的;

测试电路10

F = 1 MHz的

V

DD

= +5.5 V, V

SS

= –5.5 V

数字输入= 0 V或5.5 V

笔记

1

温度范围如下： B版本： -40 ° C至+ 85°C 。版本： -40 ° C至+ 125°C 。

2

通过设计保证，不受生产测试。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

–2–

第0版

单电源

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻（R

ON

)

1

ADG658/ADG659

(V

DD

= 5 V ±10%, V

SS

= 0V ，GND = 0V ，除非另有说明。）

B版本

–40C

至+ 85°C

版本

–40C

至+ 125°C

0到V

DD

160

9

14

200

10

16

+25C

单位

V

典型值

最大

典型值

最大

典型值

测试条件/评论

V

DD

= 4.5 V, V

SS

= 0 V

V

S

= 0 V至4.5 V，I

S

= 1毫安;

测试电路1

V

S

= 3.5 V，I

S

= 1毫安

V

DD

= 5 V, V

SS

= 0 V

V

S

= 1.5 V至24 V ，我

S

= 1毫安

V

DD

= 5.5 V

V

S

= 1 V/4.5 V, V

D

= 4.5 V/1 V;

测试电路2

V

S

= 1 V/4.5 V, V

D

= 4.5 V/1 V;

测试电路3

V

S

= V

D

= 1 V或4.5 V ，测试电路4

导通电阻之间的匹配

通道（ ΔR

ON

)

(

导通电阻平坦度（R

平（ON）的

)

漏电流

来源OFF漏我

S

（关闭）

流掉泄漏我

D

（关闭）

ADG658

ADG659

渠道渗漏我

D

, I

S

（上）

ADG658

ADG659

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流

I

INL

还是我

INH

C

IN

数字输入电容

动态特性

2

t

TRANS

t

ON

（ EN ）

t

关闭

（ EN ）

突破前先延时，T

BBM

电荷注入

关断隔离

通道到通道的串扰

(

ADG659)

-3 dB带宽

ADG658

ADG659

C

S

（关闭）

C

D

（关闭）

ADG658

ADG659

C

D

, C

S

（上）

ADG658

ADG659

电源要求

I

DD

85

150

4.5

8

13

±0.005

±0.2

±0.005

±0.2

±0.1

±0.005

±0.2

±0.1

±5

±2.5

±5

±2.5

2.4

0.8

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

μA （典型值）

μA（最大值）

pF的典型值

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最小值）

pC的典型值

pC的最大值

dB典型值

兆赫（典型值）

pF的典型值

μA （典型值）

μA（最大值）

0.005

±1

2

120

200

120

190

35

50

100

0.5

1

–90

180

330

5

29

15

30

16

0.01

1

V

IN

= V

INL

或V

INH

270

245

60

300

280

70

10

R

L

= 300

,

C

L

= 35 pF的

V

S

= 3 V ;测试电路5

R

L

= 300

,

C

L

= 35 pF的

V

S

= 3 V ;测试电路7

R

L

= 300

,

C

L

= 35 pF的

V

S

= 3 V ;测试电路7

R

L

= 300

,

C

L

= 35 pF的

V

S1

= V

S2

= 3 V ;测试电路6

V

S

= 2.5 V ，R

S

= 0

,

C

L

= 1 nF的;

测试电路8

R

L

= 50

,

C

L

= 5 PF， F = 1MHz的;

测试电路9

R

L

= 50

,

C

L

= 5 pF的; F = 1兆赫;

测试电路11

R

L

= 50

,

C

L

= 5 pF的;

测试电路10

F = 1 MHz的

V

DD

= 5.5 V

数字输入= 0 V或5.5 V

笔记

1

温度范围如下： B版本： -40 ° C至+ 85°C 。版本： -40 ° C至+ 125°C 。

2

通过设计保证，不受生产测试。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

第0版

–3–

ADG658/ADG659–SPECIFICATIONS

单电源

1

(V

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻（R

ON

)

导通电阻之间的匹配

通道（ ΔR

ON

)

(

漏电流

来源OFF漏我

S

（关闭）

流掉泄漏我

D

（关闭）

ADG658

ADG659

渠道渗漏我

D

, I

S

（上）

ADG658

ADG659

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流

I

INL

还是我

INH

C

IN

数字输入电容

动态特性

2

t

TRANS

t

ON

（ EN ）

t

关闭

（ EN ）

突破前先延时，T

BBM

电荷注入

关断隔离

通道到通道的串扰

(

ADG659)

-3 dB带宽

ADG658

ADG659

C

S

（关闭）

C

D

（关闭）

ADG658

ADG659

C

D

, C

S

（上）

ADG658

ADG659

电源要求

I

DD

= 2.7 V至3.6 V ，V

SS

= 0V ，GND = 0V ，除非另有说明。）

B版本

–40C

至+ 85°C

版本

–40C

至+ 125°C

0到V

DD

350

6

400

7

+25C

单位

V

典型值

最大

典型值

最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

μA （典型值）

μA（最大值）

pF的典型值

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最小值）

pC的典型值

pC的最大值

dB典型值

兆赫（典型值）

pF的典型值

μA （典型值）

μA（最大值）

测试条件/评论

V

DD

= 2.7 V, V

SS

= 0 V

V

S

= 0 V至2.7 V，I

S

= 0.1毫安;

测试电路1

V

S

= 1.5 V，I

S

- 0.1毫安

V

DD

= 3.3 V

V

S

= 1 V/3 V, V

D

= 3 V/1 V;

测试电路2

V

S

= 1 V/3 V, V

D

= 3 V/1 V;

测试电路3

V

S

= V

D

= 1或3V ;测试电路4

185

300

2

4.5

±0.005

±0.2

±0.005

±0.2

±0.1

±0.005

±0.2

±0.1

±5

±2.5

±5

±2.5

2.0

0.5

0.005

±1

2

200

370

230

370

50

80

200

1

2

–90

160

300

5

29

15

30

16

0.01

1

V

IN

= V

INL

或V

INH

440

90

490

110

10

R

L

= 300

,

C

L

= 35 pF的

V

S

= 1.5 V ;测试电路7

R

L

= 300

,

C

L

= 35 pF的

V

S

= 1.5 V ;测试电路7

R

L

= 300

,

C

L

= 35 pF的

V

S

= 1.5 V ;测试电路7

R

L

= 300

,

C

L

= 35 pF的

V

S1

= V

S2

= 1.5 V ;测试电路6

V

S

= 1.5 V ，R

S

= 0

,

C

L

= 1 nF的;

测试电路8

R

L

= 50

,

C

L

= 5 PF， F = 1MHz的;

测试电路9

R

L

= 50

,

C

L

= 5 PF， F = 1MHz的;

测试电路11

R

L

= 50

,

C

L

= 5 pF的;

测试电路10

F = 1 MHz的

V

DD

= 3.6 V

数字输入= 0 V或3.6 V

笔记

1

温度范围如下：

B版本： -40 ° C至+ 85°C 。版本： -40 ° C至+ 125°C 。

2

通过设计保证，不受生产测试。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

–4–

第0版

ADG658/ADG659

绝对最大额定值

1

(T

A

= 25 ℃，除非另有说明。）

V

DD

到V

SS

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .13 V

V

DD

到GND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3 V至+13 V

V

SS

到GND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 + 0.3 V至-6.5 V

模拟输入

2

. . . . . . . . . . . . . . V

SS

- 0.3 V到V

DD

+ 0.3 V

数字输入

2

。。。。。。。。。。。。 GND - 0.3 V到V

DD

+ 0.3 V

或10毫安，以先到为准科幻RST

峰值电流，S或D 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 40毫安

（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比最大）

连续电流，S或D 。。。。。。。。。。。。。。。。。 20毫安

工作温度范围

汽车（Y版）。。。。。。。。。。。。 -40 ° C至+ 125°C

工业（B版）。。。。。。。。。。。。。。 -40 ° C至+ 85°C

存储温度范围。。。。。。。。。。 -65 ° C至+ 150°C

结温。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 150℃

阻抗， 16引脚TSSOP封装。。。。。 150.4 ° C / W

JA

热阻抗（ 4层板）

16引脚LFCSP封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 70 ° C / W

焊接温度，焊接

气相（60秒）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 215℃

红外（ 15秒）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 220℃

ESD 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 5.5千伏

笔记

1

注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-

新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作

该设备在这些或以上的运作中列出的任何其他条件

本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大

额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。只有一个

绝对最大额定值可在任一时间施加。

2

过电压A处

X,

EN ，

S，或D将通过内部二极管钳位。当前

应限制在给定的最大额定值。

JA

热

小心

ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易堆积

对人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然ADG658 /

ADG659配备专用ESD保护电路，对设备可能会出现永久性损坏进行

高能静电放电。因此，适当的ESD防范措施RECOM谁料想避免

每对曼斯度radation或功能丧失。

订购指南

模型

ADG658YRU

ADG658YCP

ADG659YRU

ADG659YCP

温度范围

-40 ° C至+ 125°C

-40 ° C至+ 85°C

-40 ° C至+ 125°C

-40 ° C至+ 85°C

表一， ADG658真值表

包装说明

超薄紧缩小型封装（ TSSOP ）

引脚架构芯片级封装（ LFCSP ）

超薄紧缩小型封装（ TSSOP ）

引脚架构芯片级封装（ LFCSP ）

封装选项

RU-16

CP-16

RU-16

CP-16

销刀豆网络gurations

TSSOP

S5

1

S7

2

D

3

S8

4

16

V

DD

15

S3

14

S2

A2

X

0

1

A1

X

0

1

0

1

A0

X

0

1

0

1

0

1

0

1

EN

1

0

开关状态

无

1

2

3

4

5

6

7

8

S1B

1

S3B

2

DB

3

S4B

4

16

V

DD

15

S3A

14

S2A

顶视图

13

S1

（不按比例）

12

S4

S6

5

EN

6

V

SS 7

GND

8

11

A0

10

A1

9

A2

ADG658

顶视图

13

DA

（不按比例）

12

S1A

S2B

5

EN

6

V

SS 7

GND

8

11

S4A

10

A0

9

A1

ADG659

X =无关

LFCSP

S7

S5

V

DD

S3B

S1B

V

DD

12

S2

A1

X

0

1

X =无关

A0

X

0

1

0

1

EN

1

0

ON开关对

无

1

2

3

4

D

1

S8

2

S6

3

EN

4

16 15 14 13

ADG658

顶视图

（不按比例）

11

S1

10

S4

9

A0

DB

1

S4B

2

S2B

3

EN

4

S3A

12

S2A

11

DA

10

S1A

9

S4A

8

表II中。 ADG659真值表

S3

ADG659

顶视图

（不按比例）

5

6

7

8

5

6

7

GND

A2

A1

第0版

–5–

GND

A1

A0

V

SS

V

SS

3 V / + 5 V / ± 5 V CMOS 4- / 8通道

模拟多路复用器

ADG658/ADG659

特点

± 2 V至± 6 V双电源供电

2 V至12 V单电源供电

汽车级温度范围-40

o

C至+ 125

o

C

<0.1 nA的漏电流

45

导通电阻在整个信号范围内

轨到轨开关工作

单8选1多路复用器ADG658

差分4 ：1多路复用器ADG659

16引脚LFCSP / TSSOP封装

典型功耗<0.1

W

TTL / CMOS兼容输入

包升级到74HC4051 / 74HC4052和

MAX4051/MAX4052/MAX4581/MAX4582

应用

汽车应用

自动测试设备

数据采集系统

电池供电系统

通信系统

音频和视频信号路由

继电器更换

采样保持系统

工业控制系统

功能框图

ADG658

S1

S1A

DA

S4A

D

S1B

DB

S8

1第8

解码器

S4B

1 4

解码器

ADG659

A0

A1

A2

EN

A0

A1

EN

开关所对于逻辑1输入

概述

产品亮点

该ADG658和ADG659是低电压， CMOS模拟

多路复用器由8个单通道和四种不同的

髓鞘通道。该ADG658开关的一个

8输入（ S1-S8），以共同的输出，D，如由下式确定

的3位二进制地址线A0，A1和A2 。该ADG659

开关的四个差分输入之一到公共差分

输出，如由2位二进制地址线A0确定和

A1 。一

EN

输入两个设备上，用于启用或禁用

该设备。禁用时，所有通道被关闭。

这些部件在增强过程中，提供设计

低功耗，高开关速度。这些

部分可以同样出色工作为多路复用器或demulti-

路器和具有延伸到电源的输入电压范围。所有

渠道表现出先开后合式开关动作，防止─

切换频道时荷兰国际集团瞬时短路。所有的数字

输入具有0.8 V至2.4 V的逻辑阈值，从而确保TTL /

在使用CMOS逻辑兼容采用+5 V单或双

± 5 V电源。

该ADG658和ADG659采用16引脚TSSOP封装

封装和16引脚4毫米

4 mm LFCSP封装包。

第0版

信息ADI公司提供的被认为是准确和

可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其

使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯

这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或oth-

在ADI公司的任何专利或专利权erwise 。商标

和注册商标均为其各自公司的财产。

1.单，双电源供电。该ADG658和

ADG659提供高性能和完全指定

并保证有± 5 V ，+ 5 V和3 V电源轨。

2.汽车级温度范围-40

o

C至+ 125

o

C.

3.低功耗，典型<0.1

W.

4. 16引脚4毫米

4 mm LFCSP封装封装和16引脚

TSSOP封装。

一个技术的方式，P盒9106 ，诺伍德，MA 02062-9106 ， USA

.O.

联系电话： 781 / 329-4700

www.analog.com

传真： 781 / 326-8703

双电源

1

(V

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻（R

ON

)

ADG658/ADG659–SPECIFICATIONS

DD

= +5 V ±10%, V

SS

= -5V ±10％，GND = 0V ，除非另有说明。）

B版本

–40C

至+ 85°C

版本

–40C

至+ 125°C

V

SS

到V

DD

90

3.2

17

100

3.5

18

+25C

单位

V

典型值

最大

典型值

最大

典型值

最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

μA （典型值）

μA（最大值）

pF的典型值

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最小值）

pC的典型值

pC的最大值

dB典型值

测试条件/评论

V

DD

= +4.5 V, V

SS

= –4.5 V

V

S

= -4.5 V，I

S

= 1毫安;

测试电路1

V

S

= 3.5 V，I

S

= 1毫安

V

DD

= +5 V, V

SS

= –5 V;

V

S

= -3 V，I

S

= 1毫安

V

DD

= +5.5 V, V

SS

= –5.5 V

V

D

= ±4.5 V, V

S

=

4.5

V;

测试电路2

V

D

= ±4.5 V, V

S

=

4.5

V;

测试电路3

V

D

= V

S

= ± 4.5 V ;测试电路4

导通电阻之间的匹配

通道（ ΔR

ON

)

(

导通电阻平坦度（R

平（ON）的

)

漏电流

来源OFF漏我

S

（关闭）

流掉泄漏我

D

（关闭）

ADG658

ADG659

渠道渗漏我

D

, I

S

（上）

ADG658

ADG659

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流

I

INL

还是我

INH

C

IN

数字输入电容

动态特性

2

t

TRANS

t

ON

（ EN ）

t

关闭

（ EN ）

突破前先延时，T

BBM

电荷注入

关断隔离

45

75

1.3

3

10

16

±0.005

±0.2

±0.005

±0.2

±0.1

±0.005

±0.2

±0.1

±5

±2.5

±5

±2.5

2.4

0.8

0.005

±1

2

80

115

80

115

30

45

50

2

4

–90

V

IN

= V

INL

或V

INH

140

50

165

55

10

R

L

= 300

,

C

L

= 35 pF的

V

S

= 3 V ;测试电路5

R

L

= 300

,

C

L

= 35 pF的

V

S

= 3 V ;测试电路7

R

L

= 300

,

C

L

= 35 pF的

V

S

= 3 V ;测试电路7

R

L

= 300

,

C

L

= 35 pF的

V

S1

= V

S2

= 3 V ;测试电路6

V

S

= 0 V ，R

S

= 0

,

C

L

= 1 nF的;测试电路8

R

L

= 50

,

C

L

= 5 pF的，

F = 1兆赫;测试电路9

总谐波失真， THD + N

通道到通道的串扰

(ADG659)

-3 dB带宽

ADG658

ADG659

C

S

（关闭）

C

D

（关闭）

ADG658

ADG659

C

D

, C

S

（上）

ADG658

ADG659

电源要求

I

DD

I

SS

0.025

–90

210

400

4

23

12

28

16

0.01

1

0.01

1

％（典型值）

dB典型值

兆赫（典型值）

pF的典型值

μA （典型值）

μA（最大值）

μA （典型值）

μA（最大值）

R

L

= 600

,

2 V P-P ，

F = 20赫兹到20千赫兹

R

L

= 50

,

C

L

= 5 pF的，

F = 1兆赫;测试电路11

R

L

= 50

,

C

L

= 5 pF的;

测试电路10

F = 1 MHz的

V

DD

= +5.5 V, V

SS

= –5.5 V

数字输入= 0 V或5.5 V

笔记

1

温度范围如下： B版本： -40 ° C至+ 85°C 。版本： -40 ° C至+ 125°C 。

2

通过设计保证，不受生产测试。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

–2–

第0版

单电源

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻（R

ON

)

1

ADG658/ADG659

(V

DD

= 5 V ±10%, V

SS

= 0V ，GND = 0V ，除非另有说明。）

B版本

–40C

至+ 85°C

版本

–40C

至+ 125°C

0到V

DD

160

9

14

200

10

16

+25C

单位

V

典型值

最大

典型值

最大

典型值

测试条件/评论

V

DD

= 4.5 V, V

SS

= 0 V

V

S

= 0 V至4.5 V，I

S

= 1毫安;

测试电路1

V

S

= 3.5 V，I

S

= 1毫安

V

DD

= 5 V, V

SS

= 0 V

V

S

= 1.5 V至24 V ，我

S

= 1毫安

V

DD

= 5.5 V

V

S

= 1 V/4.5 V, V

D

= 4.5 V/1 V;

测试电路2

V

S

= 1 V/4.5 V, V

D

= 4.5 V/1 V;

测试电路3

V

S

= V

D

= 1 V或4.5 V ，测试电路4

导通电阻之间的匹配

通道（ ΔR

ON

)

(

导通电阻平坦度（R

平（ON）的

)

漏电流

来源OFF漏我

S

（关闭）

流掉泄漏我

D

（关闭）

ADG658

ADG659

渠道渗漏我

D

, I

S

（上）

ADG658

ADG659

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流

I

INL

还是我

INH

C

IN

数字输入电容

动态特性

2

t

TRANS

t

ON

（ EN ）

t

关闭

（ EN ）

突破前先延时，T

BBM

电荷注入

关断隔离

通道到通道的串扰

(

ADG659)

-3 dB带宽

ADG658

ADG659

C

S

（关闭）

C

D

（关闭）

ADG658

ADG659

C

D

, C

S

（上）

ADG658

ADG659

电源要求

I

DD

85

150

4.5

8

13

±0.005

±0.2

±0.005

±0.2

±0.1

±0.005

±0.2

±0.1

±5

±2.5

±5

±2.5

2.4

0.8

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

μA （典型值）

μA（最大值）

pF的典型值

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最小值）

pC的典型值

pC的最大值

dB典型值

兆赫（典型值）

pF的典型值

μA （典型值）

μA（最大值）

0.005

±1

2

120

200

120

190

35

50

100

0.5

1

–90

180

330

5

29

15

30

16

0.01

1

V

IN

= V

INL

或V

INH

270

245

60

300

280

70

10

R

L

= 300

,

C

L

= 35 pF的

V

S

= 3 V ;测试电路5

R

L

= 300

,

C

L

= 35 pF的

V

S

= 3 V ;测试电路7

R

L

= 300

,

C

L

= 35 pF的

V

S

= 3 V ;测试电路7

R

L

= 300

,

C

L

= 35 pF的

V

S1

= V

S2

= 3 V ;测试电路6

V

S

= 2.5 V ，R

S

= 0

,

C

L

= 1 nF的;

测试电路8

R

L

= 50

,

C

L

= 5 PF， F = 1MHz的;

测试电路9

R

L

= 50

,

C

L

= 5 pF的; F = 1兆赫;

测试电路11

R

L

= 50

,

C

L

= 5 pF的;

测试电路10

F = 1 MHz的

V

DD

= 5.5 V

数字输入= 0 V或5.5 V

笔记

1

温度范围如下： B版本： -40 ° C至+ 85°C 。版本： -40 ° C至+ 125°C 。

2

通过设计保证，不受生产测试。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

第0版

–3–

ADG658/ADG659–SPECIFICATIONS

单电源

1

(V

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻（R

ON

)

导通电阻之间的匹配

通道（ ΔR

ON

)

(

漏电流

来源OFF漏我

S

（关闭）

流掉泄漏我

D

（关闭）

ADG658

ADG659

渠道渗漏我

D

, I

S

（上）

ADG658

ADG659

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流

I

INL

还是我

INH

C

IN

数字输入电容

动态特性

2

t

TRANS

t

ON

（ EN ）

t

关闭

（ EN ）

突破前先延时，T

BBM

电荷注入

关断隔离

通道到通道的串扰

(

ADG659)

-3 dB带宽

ADG658

ADG659

C

S

（关闭）

C

D

（关闭）

ADG658

ADG659

C

D

, C

S

（上）

ADG658

ADG659

电源要求

I

DD

= 2.7 V至3.6 V ，V

SS

= 0V ，GND = 0V ，除非另有说明。）

B版本

–40C

至+ 85°C

版本

–40C

至+ 125°C

0到V

DD

350

6

400

7

+25C

单位

V

典型值

最大

典型值

最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

μA （典型值）

μA（最大值）

pF的典型值

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最小值）

pC的典型值

pC的最大值

dB典型值

兆赫（典型值）

pF的典型值

μA （典型值）

μA（最大值）

测试条件/评论

V

DD

= 2.7 V, V

SS

= 0 V

V

S

= 0 V至2.7 V，I

S

= 0.1毫安;

测试电路1

V

S

= 1.5 V，I

S

- 0.1毫安

V

DD

= 3.3 V

V

S

= 1 V/3 V, V

D

= 3 V/1 V;

测试电路2

V

S

= 1 V/3 V, V

D

= 3 V/1 V;

测试电路3

V

S

= V

D

= 1或3V ;测试电路4

185

300

2

4.5

±0.005

±0.2

±0.005

±0.2

±0.1

±0.005

±0.2

±0.1

±5

±2.5

±5

±2.5

2.0

0.5

0.005

±1

2

200

370

230

370

50

80

200

1

2

–90

160

300

5

29

15

30

16

0.01

1

V

IN

= V

INL

或V

INH

440

90

490

110

10

R

L

= 300

,

C

L

= 35 pF的

V

S

= 1.5 V ;测试电路7

R

L

= 300

,

C

L

= 35 pF的

V

S

= 1.5 V ;测试电路7

R

L

= 300

,

C

L

= 35 pF的

V

S

= 1.5 V ;测试电路7

R

L

= 300

,

C

L

= 35 pF的

V

S1

= V

S2

= 1.5 V ;测试电路6

V

S

= 1.5 V ，R

S

= 0

,

C

L

= 1 nF的;

测试电路8

R

L

= 50

,

C

L

= 5 PF， F = 1MHz的;

测试电路9

R

L

= 50

,

C

L

= 5 PF， F = 1MHz的;

测试电路11

R

L

= 50

,

C

L

= 5 pF的;

测试电路10

F = 1 MHz的

V

DD

= 3.6 V

数字输入= 0 V或3.6 V

笔记

1

温度范围如下：

B版本： -40 ° C至+ 85°C 。版本： -40 ° C至+ 125°C 。

2

通过设计保证，不受生产测试。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

–4–

第0版

ADG658/ADG659

绝对最大额定值

1

(T

A

= 25 ℃，除非另有说明。）

V

DD

到V

SS

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .13 V

V

DD

到GND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3 V至+13 V

V

SS

到GND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 + 0.3 V至-6.5 V

模拟输入

2

. . . . . . . . . . . . . . V

SS

- 0.3 V到V

DD

+ 0.3 V

数字输入

2

。。。。。。。。。。。。 GND - 0.3 V到V

DD

+ 0.3 V

或10毫安，以先到为准科幻RST

峰值电流，S或D 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 40毫安

（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比最大）

连续电流，S或D 。。。。。。。。。。。。。。。。。 20毫安

工作温度范围

汽车（Y版）。。。。。。。。。。。。 -40 ° C至+ 125°C

工业（B版）。。。。。。。。。。。。。。 -40 ° C至+ 85°C

存储温度范围。。。。。。。。。。 -65 ° C至+ 150°C

结温。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 150℃

阻抗， 16引脚TSSOP封装。。。。。 150.4 ° C / W

JA

热阻抗（ 4层板）

16引脚LFCSP封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 70 ° C / W

焊接温度，焊接

气相（60秒）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 215℃

红外（ 15秒）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 220℃

ESD 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 5.5千伏

笔记

1

注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-

新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作

该设备在这些或以上的运作中列出的任何其他条件

本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大

额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。只有一个

绝对最大额定值可在任一时间施加。

2

过电压A处

X,

EN ，

S，或D将通过内部二极管钳位。当前

应限制在给定的最大额定值。

JA

热

小心

ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易堆积

对人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然ADG658 /

ADG659配备专用ESD保护电路，对设备可能会出现永久性损坏进行

高能静电放电。因此，适当的ESD防范措施RECOM谁料想避免

每对曼斯度radation或功能丧失。

订购指南

模型

ADG658YRU

ADG658YCP

ADG659YRU

ADG659YCP

温度范围

-40 ° C至+ 125°C

-40 ° C至+ 85°C

-40 ° C至+ 125°C

-40 ° C至+ 85°C

表一， ADG658真值表

包装说明

超薄紧缩小型封装（ TSSOP ）

引脚架构芯片级封装（ LFCSP ）

超薄紧缩小型封装（ TSSOP ）

引脚架构芯片级封装（ LFCSP ）

封装选项

RU-16

CP-16

RU-16

CP-16

销刀豆网络gurations

TSSOP

S5

1

S7

2

D

3

S8

4

16

V

DD

15

S3

14

S2

A2

X

0

1

A1

X

0

1

0

1

A0

X

0

1

0

1

0

1

0

1

EN

1

0

开关状态

无

1

2

3

4

5

6

7

8

S1B

1

S3B

2

DB

3

S4B

4

16

V

DD

15

S3A

14

S2A

顶视图

13

S1

（不按比例）

12

S4

S6

5

EN

6

V

SS 7

GND

8

11

A0

10

A1

9

A2

ADG658

顶视图

13

DA

（不按比例）

12

S1A

S2B

5

EN

6

V

SS 7

GND

8

11

S4A

10

A0

9

A1

ADG659

X =无关

LFCSP

S7

S5

V

DD

S3B

S1B

V

DD

12

S2

A1

X

0

1

X =无关

A0

X

0

1

0

1

EN

1

0

ON开关对

无

1

2

3

4

D

1

S8

2

S6

3

EN

4

16 15 14 13

ADG658

顶视图

（不按比例）

11

S1

10

S4

9

A0

DB

1

S4B

2

S2B

3

EN

4

S3A

12

S2A

11

DA

10

S1A

9

S4A

8

表II中。 ADG659真值表

S3

ADG659

顶视图

（不按比例）

5

6

7

8

5

6

7

GND

A2

A1

第0版

–5–

GND

A1

A0

V

SS

V

SS