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a
1 pC的电荷注入， 100 pA的泄漏
CMOS 5 V / + 5 V / + 3 V双通道单刀双掷开关
ADG636
功能框图
ADG636
S1A
4
6
特点
1 pC的电荷注入
2.7 V至5.5 V双电源供电
+ 2.7V至+ 5.5V单电源供电
汽车级温度范围： -40°C至+ 125
100 pA的（最大@ 25℃ ）漏电流
85典型导通电阻
轨到轨工作
快速开关时间
典型功耗（ <0.1 W）
TTL / CMOS兼容输入
14引脚TSSOP封装
应用
自动测试设备
数据采集系统
电池供电仪表
通信系统
采样保持系统
远程供电设备
音频和视频信号路由
继电器更换
航空电子学
D1
S1B
5
S2A
11
9
S2B
10
D2
逻辑
1
14
2
A0
A1
EN
概述
产品亮点
该ADG636是单片器件，包括两个独立的
可选的CMOS单刀双掷（单刀双掷）开关。
当打开时，每个开关导电性能相同，在两个方向。
该ADG636从双操作
±
2.7 V至
±
5.5 V电源供电，或
从至+5.5 V的单电源+ 2.7V的
该交换机能够提供超低电荷注入
±
1.5 PC所用的
整个信号范围和10pA的漏电流典型在25℃ 。
它提供了导通电阻的85
典型值，其被匹配到内
2
通道之间。该ADG636还具有低耗散功率
而不能使高开关速度。
该ADG636展品先开后合式开关动作和
在一个14引脚TSSOP封装。
1.超低电荷注入（Q
INJ
:
±
在整个1.5 pC的典型值
信号范围）
2.漏电流<0.25 nA的最大@ 85°C
3.双
±
2.7 V至
±
5 V或单+2.7 V至+5.5 V电源
4.汽车级温度范围： -40 ° C至+ 125°C
5.小型14引脚TSSOP封装
第0版
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯该
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式
在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781 / 329-4700
www.analog.com
传真： 781 / 326-8703
ADI公司， 2002年
ADG636–SPECIFICATIONS
双电源
1
(V
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道（ DR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
流掉泄漏我
D
（关闭）
渠道渗漏我
D,
I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
2
转换时间
t
ON
启用
t
关闭
启用
突破前先延时，T
BBM
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
带宽的-3 dB
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
C
D,
C
S
（上）
电源要求
I
DD
I
SS
85
115
2
4
25
40
±
0.01
±
0.1
±
0.01
±
0.1
±
0.01
±
0.1
DD
=
5V
10%, V
SS
= –5 V
+25 C
10 ％ ， GND = 0 V，所有规格-40℃ + 125 C除非注明。 ）
-40 ℃
+85 C
-40 ℃
+125 C
V
SS
到V
DD
单位
V
典型值
最大
典型值
最大
典型值
最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
A
典型值
A
最大
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
A
典型值
A
最大
A
典型值
A
最大
V
IN
= V
INL
或V
INH
V
DD
= +4.5 V, V
SS
= –4.5 V
V
S
=
±
3 V，I
S
= -1毫安，
测试电路1
V
S
=
±
3 V，I
S
= -1毫安
V
S
=
±
3 V，I
S
= -1毫安
V
DD
= +5.5 V, V
SS
= –5.5 V
V
S
=
±
4.5 V, V
D
= 4.5 V,
测试电路2
V
S
=
±
4.5 V, V
D
= 4.5 V,
测试电路2
V
S
= V
D
=
±
4.5 V ，测试电路3
测试条件/评论
140
160
5.5
55
6.5
60
±
0.25
±
0.25
±
0.25
±
2
±
2
±
6
2.4
0.8
0.005
±
0.1
2
70
100
100
135
55
80
20
–1.2
–65
–65
610
5
8
8
0.001
1.0
0.001
1.0
120
170
90
150
190
100
10
V
S1A
= +3 V, V
S1B
= -3 V ，R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的，测试电路4
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 3 V ，测试电路5
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 3 V ，测试电路5
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的，
V
S
= 3 V ，测试电路5
V
S
= 0 V ，R
S
= 0
,
C
L
= 1 nF的，
测试电路7
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 10MHz时，
测试电路8
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 10MHz时，
测试电路10
R
L
= 50
,
C
L
= 5 pF的，测试电路9
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
V
DD
= +5.5 V, V
SS
= –5.5 V
数字输入= 0 V或5.5 V
数字输入= 0 V或5.5 V
笔记
1
版本温度范围： -40 ° C至+ 125°C
2
通过设计保证，不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
第0版
ADG636
单电源
1
(V
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
流掉泄漏我
D
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
2
转换时间
t
ON
启用
t
关闭
启用
突破前先延时，T
BBM
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
带宽的-3 dB
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
C
D,
C
S
（上）
电源要求
I
DD
0.001
1.0
笔记
1
版本温度范围： -40 ° C至+ 125°C
2
通过设计保证，不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
DD
=5V
10%, V
SS
= 0 V ， GND = 0 V.所有规格-40℃ + 125 C除非另有说明。 ）
+25 C
-40 ℃
+85 C
-40 ℃
+125 C
0 V至V
DD
210
290
3
12
±
0.01
±
0.1
±
0.01
±
0.1
±
0.01
±
0.1
13
单位
V
典型值
最大
典型值
最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
A
典型值
A
最大
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
V
IN
= V
INL
或V
INH
V
DD
= 4.5 V, V
SS
= 0 V
V
S
= 3.5 V，I
S
= -1毫安，
测试电路1
V
S
= 3.5 V，I
S
= -1毫安
V
DD
= 5.5 V
V
S
= 1 V/4.5 V, V
D
= 4.5 V/1 V,
测试电路2
V
S
= 1 V/4.5 V, V
D
= 4.5 V/1 V
测试电路2
V
S
= V
D
= 4.5 V/1 V,
测试电路3
测试条件/评论
350
380
±
0.25
±
0.25
±
0.25
±
2
±
2
±
6
2.4
0.8
0.005
±
0.1
2
90
150
135
180
70
105
30
0.3
–60
–65
530
5
8
8
185
235
120
210
275
135
10
V
S1A
= 3 V, V
S1B
= 0 V ，R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的，测试电路4
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 3 V ，测试电路5
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 3 V ，测试电路5
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的，
V
S
= 3 V ，测试电路5
V
S
= 0 V ，R
S
= 0
,
C
L
= 1 nF的，
测试电路7
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 10MHz时，
测试电路8
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 10MHz时，
测试电路10
R
L
= 50
,
C
L
= 5 pF的，测试电路9
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
V
DD
= 5.5 V
数字输入= 0 V或5.5 V
A
典型值
A
最大
第0版
–3–
ADG636
单电源
1
(V
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
流掉泄漏我
D
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
380
420
DD
=3V
10%, V
SS
= 0 V ， GND = 0 V.所有规格-40℃ + 125 C除非另有说明。 ）
+25 C
-40 ℃
+85 C
-40 ℃
+125 C
0 V至V
DD
460
5
±
0.01
±
0.1
±
0.01
±
0.1
±
0.01
±
0.1
单位
V
典型值
典型值
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V
DD
= 2.7 V, V
SS
= 0 V
V
S
= 1.5 V，I
S
= -1毫安，测试电路1
V
S
= 1.5 V，I
S
= -1毫安
V
DD
= 3.3 V
V
S
= 1 V/3 V, V
D
= 3 V/1 V,
测试电路2
V
S
= 1 V/3 V, V
D
= 3 V/1 V,
测试电路2
V
S
= V
D
= 1 V/3 V,
测试电路3
测试条件/评论
±
0.25
±
0.25
±
0.25
±
2
±
2
±
6
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
2
转换时间
t
ON
启用
t
关闭
启用
突破前先延时，T
BBM
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
带宽的-3 dB
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
C
D,
C
S
（上）
电源要求
I
DD
2.0
0.8
0.005
±
0.1
2
170
320
250
360
110
175
80
0.6
–60
–65
530
5
8
8
V分钟
V最大
A
典型值
A
最大
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
V
IN
= V
INL
或V
INH
390
460
205
450
530
230
10
V
S1A
= 2 V, V
S1B
= 0 V ，R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的，测试电路4
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 2 V ，测试电路6
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 2 V ，测试电路6
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的，
V
S1
= 2 V ，测试电路5
V
S
= 0 V ，R
S
= 0
,
C
L
= 1 nF的，
测试电路7
dB典型值
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 10MHz时，
测试电路8
dB典型值
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 10MHz时，
测试电路10
MHz的典型
L
= 50
,
C
L
= 5 pF的，测试电路9
pF的典型值
F = 1 MHz的
pF的典型值
F = 1 MHz的
pF的典型值
F = 1 MHz的
V
DD
= 3.3 V
数字输入= 0 V或3.3 V
0.001
1.0
A
最大
A
典型值
笔记
1
版本温度范围： -40 ° C至+ 125°C
2
通过设计保证，不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–4–
第0版
ADG636
绝对最大额定值
1
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
V
DD
到V
SS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13 V
V
DD
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至6.5 V
V
SS
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +0.3 V至-6.5 V
模拟输入
2
. . . . . . . . . . . . . . . . V
SS
- 0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
数字输入
2
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
DD
+ 0.3 V或
30毫安，以先到为准
峰值电流，S或D
（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比最大） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20毫安
连续电流，S或D 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10毫安
工作温度范围
汽车（Y版） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 125°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65∞C至+ 150∞C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
TSSOP封装
θ
JA
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150 ° C / W
θ
JC
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27 ° C / W
焊接温度，焊接（ 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
IR回流焊峰值温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 220℃
笔记
1
注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个压力只有额定值。功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件，在上市运作的
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。只有一个绝对的
最大额定值可在任一时间施加。
2
过压EN， A0，A1 ，S或D将通过内部二极管钳位。当前
应限制在给定的最大额定值。
订购指南
模型
ADG636YRU
温度范围
-40 ° C至+ 125°C
包装说明
超薄紧缩小型封装（ TSSOP ）
封装选项
RU-14
引脚配置
表一，表真相
A1
A0
1
EN
2
V
SS 3
14
13
A0
X
0
1
0
1
EN
0
1
1
1
1
ON开关
无
S1A ， S2A
S1B ， S2A
S1A ， S2B
S1B ， S2B
A1
GND
12
V
DD
顶视图
S1A
4
（不按比例）
11
S2A
ADG636
S1B
5
D1
6
NC
7
10
9
8
S2B
D2
NC
X
0
0
1
1
NC =无连接
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然
该ADG636具有专用ESD保护电路，永久性损害可能发生
器件经受高能量静电放电。因此，适当的ESD防范措施
建议避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
第0版
–5–
a
1 pC的电荷注入， 100 pA的泄漏
CMOS 5 V / + 5 V / + 3 V双通道单刀双掷开关
ADG636
功能框图
ADG636
S1A
4
6
特点
1 pC的电荷注入
2.7 V至5.5 V双电源供电
+ 2.7V至+ 5.5V单电源供电
汽车级温度范围： -40°C至+ 125
100 pA的（最大@ 25℃ ）漏电流
85典型导通电阻
轨到轨工作
快速开关时间
典型功耗（ <0.1 W）
TTL / CMOS兼容输入
14引脚TSSOP封装
应用
自动测试设备
数据采集系统
电池供电仪表
通信系统
采样保持系统
远程供电设备
音频和视频信号路由
继电器更换
航空电子学
D1
S1B
5
S2A
11
9
S2B
10
D2
逻辑
1
14
2
A0
A1
EN
概述
产品亮点
该ADG636是单片器件，包括两个独立的
可选的CMOS单刀双掷（单刀双掷）开关。
当打开时，每个开关导电性能相同，在两个方向。
该ADG636从双操作
±
2.7 V至
±
5.5 V电源供电，或
从至+5.5 V的单电源+ 2.7V的
该交换机能够提供超低电荷注入
±
1.5 PC所用的
整个信号范围和10pA的漏电流典型在25℃ 。
它提供了导通电阻的85
典型值，其被匹配到内
2
通道之间。该ADG636还具有低耗散功率
而不能使高开关速度。
该ADG636展品先开后合式开关动作和
在一个14引脚TSSOP封装。
1.超低电荷注入（Q
INJ
:
±
在整个1.5 pC的典型值
信号范围）
2.漏电流<0.25 nA的最大@ 85°C
3.双
±
2.7 V至
±
5 V或单+2.7 V至+5.5 V电源
4.汽车级温度范围： -40 ° C至+ 125°C
5.小型14引脚TSSOP封装
第0版
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯该
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式
在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781 / 329-4700
www.analog.com
传真： 781 / 326-8703
ADI公司， 2002年
ADG636–SPECIFICATIONS
双电源
1
(V
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道（ DR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
流掉泄漏我
D
（关闭）
渠道渗漏我
D,
I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
2
转换时间
t
ON
启用
t
关闭
启用
突破前先延时，T
BBM
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
带宽的-3 dB
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
C
D,
C
S
（上）
电源要求
I
DD
I
SS
85
115
2
4
25
40
±
0.01
±
0.1
±
0.01
±
0.1
±
0.01
±
0.1
DD
=
5V
10%, V
SS
= –5 V
+25 C
10 ％ ， GND = 0 V，所有规格-40℃ + 125 C除非注明。 ）
-40 ℃
+85 C
-40 ℃
+125 C
V
SS
到V
DD
单位
V
典型值
最大
典型值
最大
典型值
最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
A
典型值
A
最大
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
A
典型值
A
最大
A
典型值
A
最大
V
IN
= V
INL
或V
INH
V
DD
= +4.5 V, V
SS
= –4.5 V
V
S
=
±
3 V，I
S
= -1毫安，
测试电路1
V
S
=
±
3 V，I
S
= -1毫安
V
S
=
±
3 V，I
S
= -1毫安
V
DD
= +5.5 V, V
SS
= –5.5 V
V
S
=
±
4.5 V, V
D
= 4.5 V,
测试电路2
V
S
=
±
4.5 V, V
D
= 4.5 V,
测试电路2
V
S
= V
D
=
±
4.5 V ，测试电路3
测试条件/评论
140
160
5.5
55
6.5
60
±
0.25
±
0.25
±
0.25
±
2
±
2
±
6
2.4
0.8
0.005
±
0.1
2
70
100
100
135
55
80
20
–1.2
–65
–65
610
5
8
8
0.001
1.0
0.001
1.0
120
170
90
150
190
100
10
V
S1A
= +3 V, V
S1B
= -3 V ，R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的，测试电路4
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 3 V ，测试电路5
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 3 V ，测试电路5
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的，
V
S
= 3 V ，测试电路5
V
S
= 0 V ，R
S
= 0
,
C
L
= 1 nF的，
测试电路7
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 10MHz时，
测试电路8
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 10MHz时，
测试电路10
R
L
= 50
,
C
L
= 5 pF的，测试电路9
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
V
DD
= +5.5 V, V
SS
= –5.5 V
数字输入= 0 V或5.5 V
数字输入= 0 V或5.5 V
笔记
1
版本温度范围： -40 ° C至+ 125°C
2
通过设计保证，不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
第0版
ADG636
单电源
1
(V
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
流掉泄漏我
D
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
2
转换时间
t
ON
启用
t
关闭
启用
突破前先延时，T
BBM
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
带宽的-3 dB
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
C
D,
C
S
（上）
电源要求
I
DD
0.001
1.0
笔记
1
版本温度范围： -40 ° C至+ 125°C
2
通过设计保证，不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
DD
=5V
10%, V
SS
= 0 V ， GND = 0 V.所有规格-40℃ + 125 C除非另有说明。 ）
+25 C
-40 ℃
+85 C
-40 ℃
+125 C
0 V至V
DD
210
290
3
12
±
0.01
±
0.1
±
0.01
±
0.1
±
0.01
±
0.1
13
单位
V
典型值
最大
典型值
最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
A
典型值
A
最大
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
V
IN
= V
INL
或V
INH
V
DD
= 4.5 V, V
SS
= 0 V
V
S
= 3.5 V，I
S
= -1毫安，
测试电路1
V
S
= 3.5 V，I
S
= -1毫安
V
DD
= 5.5 V
V
S
= 1 V/4.5 V, V
D
= 4.5 V/1 V,
测试电路2
V
S
= 1 V/4.5 V, V
D
= 4.5 V/1 V
测试电路2
V
S
= V
D
= 4.5 V/1 V,
测试电路3
测试条件/评论
350
380
±
0.25
±
0.25
±
0.25
±
2
±
2
±
6
2.4
0.8
0.005
±
0.1
2
90
150
135
180
70
105
30
0.3
–60
–65
530
5
8
8
185
235
120
210
275
135
10
V
S1A
= 3 V, V
S1B
= 0 V ，R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的，测试电路4
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 3 V ，测试电路5
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 3 V ，测试电路5
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的，
V
S
= 3 V ，测试电路5
V
S
= 0 V ，R
S
= 0
,
C
L
= 1 nF的，
测试电路7
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 10MHz时，
测试电路8
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 10MHz时，
测试电路10
R
L
= 50
,
C
L
= 5 pF的，测试电路9
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
V
DD
= 5.5 V
数字输入= 0 V或5.5 V
A
典型值
A
最大
第0版
–3–
ADG636
单电源
1
(V
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
流掉泄漏我
D
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
380
420
DD
=3V
10%, V
SS
= 0 V ， GND = 0 V.所有规格-40℃ + 125 C除非另有说明。 ）
+25 C
-40 ℃
+85 C
-40 ℃
+125 C
0 V至V
DD
460
5
±
0.01
±
0.1
±
0.01
±
0.1
±
0.01
±
0.1
单位
V
典型值
典型值
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V
DD
= 2.7 V, V
SS
= 0 V
V
S
= 1.5 V，I
S
= -1毫安，测试电路1
V
S
= 1.5 V，I
S
= -1毫安
V
DD
= 3.3 V
V
S
= 1 V/3 V, V
D
= 3 V/1 V,
测试电路2
V
S
= 1 V/3 V, V
D
= 3 V/1 V,
测试电路2
V
S
= V
D
= 1 V/3 V,
测试电路3
测试条件/评论
±
0.25
±
0.25
±
0.25
±
2
±
2
±
6
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
2
转换时间
t
ON
启用
t
关闭
启用
突破前先延时，T
BBM
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
带宽的-3 dB
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
C
D,
C
S
（上）
电源要求
I
DD
2.0
0.8
0.005
±
0.1
2
170
320
250
360
110
175
80
0.6
–60
–65
530
5
8
8
V分钟
V最大
A
典型值
A
最大
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
V
IN
= V
INL
或V
INH
390
460
205
450
530
230
10
V
S1A
= 2 V, V
S1B
= 0 V ，R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的，测试电路4
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 2 V ，测试电路6
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 2 V ，测试电路6
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的，
V
S1
= 2 V ，测试电路5
V
S
= 0 V ，R
S
= 0
,
C
L
= 1 nF的，
测试电路7
dB典型值
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 10MHz时，
测试电路8
dB典型值
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 10MHz时，
测试电路10
MHz的典型
L
= 50
,
C
L
= 5 pF的，测试电路9
pF的典型值
F = 1 MHz的
pF的典型值
F = 1 MHz的
pF的典型值
F = 1 MHz的
V
DD
= 3.3 V
数字输入= 0 V或3.3 V
0.001
1.0
A
最大
A
典型值
笔记
1
版本温度范围： -40 ° C至+ 125°C
2
通过设计保证，不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–4–
第0版
ADG636
绝对最大额定值
1
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
V
DD
到V
SS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13 V
V
DD
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至6.5 V
V
SS
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +0.3 V至-6.5 V
模拟输入
2
. . . . . . . . . . . . . . . . V
SS
- 0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
数字输入
2
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
DD
+ 0.3 V或
30毫安，以先到为准
峰值电流，S或D
（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比最大） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20毫安
连续电流，S或D 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10毫安
工作温度范围
汽车（Y版） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 125°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65∞C至+ 150∞C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
TSSOP封装
θ
JA
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150 ° C / W
θ
JC
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27 ° C / W
焊接温度，焊接（ 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
IR回流焊峰值温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 220℃
笔记
1
注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个压力只有额定值。功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件，在上市运作的
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。只有一个绝对的
最大额定值可在任一时间施加。
2
过压EN， A0，A1 ，S或D将通过内部二极管钳位。当前
应限制在给定的最大额定值。
订购指南
模型
ADG636YRU
温度范围
-40 ° C至+ 125°C
包装说明
超薄紧缩小型封装（ TSSOP ）
封装选项
RU-14
引脚配置
表一，表真相
A1
A0
1
EN
2
V
SS 3
14
13
A0
X
0
1
0
1
EN
0
1
1
1
1
ON开关
无
S1A ， S2A
S1B ， S2A
S1A ， S2B
S1B ， S2B
A1
GND
12
V
DD
顶视图
S1A
4
（不按比例）
11
S2A
ADG636
S1B
5
D1
6
NC
7
10
9
8
S2B
D2
NC
X
0
0
1
1
NC =无连接
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然
该ADG636具有专用ESD保护电路，永久性损害可能发生
器件经受高能量静电放电。因此，适当的ESD防范措施
建议避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
第0版
–5–
1 pC的电荷注入， 100 pA的泄漏，
CMOS ，± 5 V / + 5V / + 3 V双通道单刀双掷开关
ADG636
特点
1 pC的电荷注入
± 2.7 V至± 5.5 V双电源供电
+ 2.7V至+ 5.5V单电源供电
汽车级温度范围： -40 ° C至+ 125°C
100 PA（最高25℃ ）漏电流
85 Ω典型导通电阻
轨到轨工作
快速开关时间
典型功耗（ <0.1 μW ）
TTL / CMOS兼容输入
14引脚TSSOP封装
功能框图
ADG636
S1A
4
S1B
5
S2A
11
S2B
10
9
6
D1
D2
逻辑
02754-001
1
14
2
A0
A1
EN
应用
自动测试设备
数据采集系统
电池供电仪表
通信系统
采样保持系统
远程供电设备
音频和视频信号路由
继电器更换
航空电子学
图1 。
概述
该ADG636是一个单片器件，包括两个indepen-
dently可选的CMOS单刀双掷（ SPDT ）
开关。当打开时，每个开关导电性能相同，在两个
方向。
该ADG636从双± 2.7 V至± 5.5 V电源供电，或
从至+5.5 V的单电源+ 2.7V的
该交换机能够提供超低电荷注入±1.5 PC所用的
整个信号范围和10pA的漏电流典型在25℃ 。
此外，它提供了对85 Ω典型，其匹配电阻
在2 Ω通道之间。该ADG636还具有低功耗
散热又能够高开关速度。
该ADG636展品先开后合式开关动作和
在一个14引脚TSSOP封装。
产品亮点
1.
2.
3.
4.
5.
超低电荷注入。 Q
INJ
： ± 1.5 pC的典型的过
整个信号范围内。
漏电流<0.25 nA（最大值） ，在85 ℃。
双± 2.7 V至± 5 V或单+2.7 V至+5.5 V电源。
汽车级温度范围： -40 ° C至+ 125°C 。
小型14引脚TSSOP封装。
版本B
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而，没有
责任承担ADI公司供其使用，也为专利或其他任何侵权行为
第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更，恕不另行通知。没有
获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。
商标和注册商标均为其各自所有者的财产。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
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传真： 781.461.3113 2002-2009 ADI公司保留所有权利。
ADG636
目录
特点................................................. ............................................. 1
应用................................................. ...................................... 1
功能框图............................................... ............... 1
概述................................................ ......................... 1
产品亮点................................................ ........................... 1
修订历史................................................ ............................... 2
规格................................................. .................................... 3
双电源................................................ ................................... 3
单电源................................................ ................................. 5
绝对最大额定值............................................... ............. 9
ESD注意事项................................................ ................................... 9
引脚配置和功能描述........................... 10
典型性能特征........................................... 11
测试电路................................................ ..................................... 13
术语................................................. ................................... 15
外形尺寸................................................ ....................... 16
订购指南................................................ .......................... 16
修订历史
9/09—Rev.
A
到版本B
更改表6 .............................................. ............................ 10
8月8日 - 修订版。 0到版本A
更新格式................................................ ..................通用
切换到模拟开关参数............................................ 3
切换到模拟开关参数............................................ 5
切换到模拟开关参数............................................ 7
改变我
DD
参数................................................. ................. 8
更改绝对最大额定值....................................... 9
添加表5 ;重新编号，按顺序.................................. 10
移动真值表............................................... .......................... 10
新增尾注表6 ............................................. ................ 10
图19 ..............................................变化........................ 13
更新的外形尺寸............................................... ........ 16
更改订购指南.............................................. ............ 16
1月2日 - 修订版0 ：初始版
版本B |第16页2
ADG636
特定网络阳离子
双电源
V
DD
= 5 V ± 10%, V
SS
= -5 V ±10 ％ ， GND = 0 V ，所有规格-40 ° C至+ 125°C ，除非另有说明。
表1中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻，R
ON
导通电阻之间的匹配
渠道， ΔR
ON
导通电阻平坦度，R
平（ON）的
漏电流
源关闭泄漏，我
S
（关闭）
流掉泄漏，我
D
（关闭）
渠道渗漏，我
D
（上） ，我
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流I
INL
还是我
INH
数字输入电容，C
IN
动态特性
1
转换时间
+25°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 125°C
V
SS
到V
DD
85
115
2
4
25
40
±0.01
±0.1
±0.01
±0.1
±0.01
±0.1
单位
V
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
pF的典型值
纳秒（典型值）
120
150
ns（最大值）
纳秒（典型值）
170
190
ns（最大值）
纳秒（典型值）
90
100
ns（最大值）
纳秒（典型值）
10
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
带宽的-3 dB
1.2
65
65
610
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
兆赫（典型值）
V
DD
= +4.5 V, V
SS
= 4.5 V
V
S
= -3 V，I
DS
= -1毫安，图14
V
S
= -3 V，I
DS
= -1毫安，图14
V
S
= -3 V，I
DS
= -1毫安
V
S
= -3 V，I
DS
= -1毫安
V
S
= -3 V，I
DS
= -1毫安
V
S
= -3 V，I
DS
= -1毫安
V
DD
= +5.5 V, V
SS
= 5.5 V
V
S
= ±4.5 V, V
D
= 4.5 V ，图15
V
S
= ±4.5 V, V
D
= 4.5 V ，图15
V
S
= ±4.5 V, V
D
= 4.5 V ，图15
V
S
= ±4.5 V, V
D
= 4.5 V ，图15
V
S
= V
D
= ± 4.5 V ，图16
V
S
= V
D
= ± 4.5 V ，图16
测试条件/评论
140
160
5.5
55
6.5
60
±0.25
±0.25
±0.25
±2
±2
±6
2.4
0.8
0.005
±0.1
2
70
100
V
IN
= V
INL
或V
INH
V
IN
= V
INL
或V
INH
t
ON
启用
100
135
t
关闭
启用
55
80
突破前先延时，T
BBM
20
V
S1A
= +3 V, V
S1B
= -3 V ，R
L
= 300 Ω,
C
L
= 35 pF的，图17
V
S1A
= +3 V, V
S1B
= -3 V ，R
L
= 300 Ω,
C
L
= 35 pF的，图17
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的，V
S
= 3 V,
图19
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的，V
S
= 3 V,
图19
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的，V
S
= 3 V,
图19
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的，V
S
= 3 V,
图19
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的，V
S
= 3 V,
图18
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的，V
S
= 3 V,
图18
V
S
= 0 V ，R
S
= 0 Ω, C
L
= 1 nF的，
图20
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 10MHz时，
图21
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 10MHz时，
图23
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 pF的，图22
版本B |第16页3
ADG636
参数
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
C
D
（开） ，C
S
（上）
电源要求
I
DD
I
SS
+25°C
5
8
8
0.001
1.0
0.001
1.0
1
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 125°C
单位
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
μA （典型值）
μA（最大值）
μA （典型值）
μA（最大值）
测试条件/评论
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
V
DD
= +5.5 V, V
SS
= 5.5 V
数字输入= 0 V或5.5 V
数字输入= 0 V或5.5 V
数字输入= 0 V或5.5 V
数字输入= 0 V或5.5 V
通过设计保证;不受生产测试。
版本B |第16页4
ADG636
单电源
V
DD
= 5 V ± 10%, V
SS
= 0 V ， GND = 0 V ，所有规格-40 ° C至+ 125°C ，除非另有说明。
表2中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻，R
ON
导通电阻匹配通道间， ΔR
ON
漏电流
源关闭泄漏，我
S
（关闭）
+25°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 125°C
0 V至V
DD
210
290
3
单位
V
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
nA的典型值
±0.25
±2
nA的最大
nA的典型值
±0.25
±2
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
pF的典型值
纳秒（典型值）
185
210
ns（最大值）
纳秒（典型值）
235
275
ns（最大值）
纳秒（典型值）
120
135
ns（最大值）
纳秒（典型值）
10
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
带宽的-3 dB
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
C
D
（开） ，C
S
（上）
0.3
60
65
530
5
8
8
版本B |第16页5
测试条件/评论
350
12
380
13
±0.01
±0.1
流掉泄漏，我
D
（关闭）
±0.01
±0.1
渠道渗漏，我
D
（上） ，我
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流I
INL
还是我
INH
数字输入电容，C
IN
动态特性
1
转换时间
±0.01
±0.1
±0.25
±6
2.4
0.8
V
DD
= 4.5 V, V
SS
= 0 V
V
S
= 3.5 V，I
DS
= -1毫安，图14
V
S
= 3.5 V，I
DS
= -1毫安，图14
V
S
= 3.5 V，I
DS
= -1毫安
V
S
= 3.5 V，I
DS
= -1毫安
V
DD
= 5.5 V
V
S
= 1 V/4.5 V, V
D
= 4.5 V/1 V,
图15
V
S
= 1 V/4.5 V, V
D
= 4.5 V/1 V,
图15
V
S
= 1 V/4.5 V, V
D
= 4.5 V/1 V,
图15
V
S
= 1 V/4.5 V, V
D
= 4.5 V/1 V,
图15
V
S
= V
D
= 4.5 V / 1 V ，图16
V
S
= V
D
= 4.5 V / 1 V ，图16
0.005
±0.1
2
90
150
V
IN
= V
INL
或V
INH
V
IN
= V
INL
或V
INH
t
ON
启用
135
180
t
关闭
启用
70
105
突破前先延时，T
BBM
30
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
V
S1A
= 3 V, V
S1B
= 0 V ，R
L
= 300 Ω,
C
L
= 35 pF的，图17
V
S1A
= 3 V, V
S1B
= 0 V ，R
L
= 300 Ω,
C
L
= 35 pF的，图17
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的，V
S
= 3 V,
图19
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的，V
S
= 3 V,
图19
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的，V
S
= 3 V,
图19
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的，V
S
= 3 V,
图19
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的，V
S
= 3 V,
图18
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的，V
S
= 3 V,
图18
V
S
= 0 V ， RS = 0 Ω ，C
L
= 1 nF的，
图20
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 10MHz时，
图21
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 10MHz时，
图23
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 pF的，图22
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
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