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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第89页 > ADG633YRU
CMOS ± 5 V / + 5V / + 3 V三SPDT开关
ADG633
特点
± 2 V至± 6 V双电源供电
2 V至12 V单电源供电
汽车级温度范围-40
o
C至+ 125
o
C
<0.2 nA的漏电流
52
导通电阻在整个信号范围内
轨到轨开关工作
16引脚芯片级/ TSSOP封装
典型功耗<0.1
W
TTL / CMOS兼容输入
包升级到74HC4053和MAX4053 / MAX4583
应用
汽车应用
自动测试设备
数据采集系统
电池供电系统
通信系统
音频和视频信号路由
继电器更换
采样保持系统
工业控制系统
功能框图
ADG633
S1B
D1
S1A
S2A
D2
S2B
S3A
D3
S3B
逻辑
A0 A1 A2
EN
开关所对于逻辑1输入
概述
该ADG633是包括三个低电压CMOS器件
独立可选的SPDT (单刀双掷)
开关。他们为± 5 V ,+ 5 V和3 V电源完全指定。
该ADG633开关接通与逻辑低(或高)
上的相应控制输入端。每个开关的导电性能相同
当对在两个方向,并具有一输入信号范围
延伸到供应。一
EN
输入,用来使能或
禁用该设备。禁用时,所有通道被关闭。
这些部件在增强的过程,设计亲
国际志愿组织低功耗,高开关速度。
低功耗和2 V的工作电压范围
至12 V使ADG633非常适合电池供电的便携式
仪器。所有通道表现出先开后合式开关
行动,防止短路瞬时切换信时
内尔斯。所有数字输入具有0.8 V至2.4 V的逻辑阈值,
确保TTL / CMOS逻辑兼容使用时,单
+5 V或±5 V双电源。
该ADG633提供小型16引脚TSSOP封装,
16引脚4毫米
4毫米芯片级封装。
产品亮点
1.单,双电源供电。该ADG633报价
高性能和完全指定,并保证
采用±5 V ,+ 5 V和3 V电源轨。
2.汽车级温度范围-40
o
C至+ 125
o
C.
3.保证先开后合式开关动作。
4.低功耗,典型<0.1
W.
5.小尺寸16引脚TSSOP和16引脚4毫米
4 mm
芯片级封装。
第0版
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是,没有责任承担由Analog Devices其
使用,也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式
在ADI公司的任何专利或专利权。商标
注册商标是其各自公司的财产。
一个技术的方式,P盒9106 ,诺伍德,MA 02062-9106 , USA
.O.
联系电话: 781 / 329-4700
www.analog.com
传真: 781 / 326-8703
2003 ADI公司保留所有权利。
双电源
1
(V
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻(R
ON
)
ADG633–SPECIFICATIONS
DD
= +5 V ±10%, V
SS
= -5V ±10% ,GND = 0V ,除非另有说明。 )
B版本版本
–40
C
–40
C
+85
C至+ 125
C
V
SS
TOV
DD
90
1.8
13
100
2
14
+25
C
单位
V
典型值
最大
典型值
最大
典型值
最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
A
典型值
A
最大
pF的典型值
纳秒(典型值)
ns(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最小值)
pC的典型值
pC的最大值
dB典型值
% (典型值)
dB典型值
兆赫(典型值)
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
A
典型值
A
最大
A
典型值
A
最大
测试条件/评论
V
DD
= +4.5 V, V
SS
= –4.5 V
V
S
= -4.5 V,I
S
= 1毫安;
测试电路1
V
S
= 3.5 V,I
S
= 1毫安
V
DD
= +5 V, V
SS
= –5 V;
V
S
= -3 V,I
S
= 1毫安
V
DD
= +5.5 V, V
SS
= –5.5 V
V
D
= ±4.5 V, V
S
=
4.5
V;
测试电路2
V
D
= ±4.5 V, V
S
=
4.5
V;
测试电路3
V
D
= V
S
= ± 4.5 V ;测试电路4
导通电阻之间的匹配
通道( ΔR
ON
)
导通电阻平坦度(R
平(ON)的
)
漏电流
来源OFF漏我
S
(关闭)
流掉泄漏我
D
(关闭)
渠道渗漏我
D
, I
S
(上)
数字输入
输入高电压,V
INH
输入低电压,V
INL
输入电流I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
t
TRANS
t
ON
( EN )
t
关闭
( EN )
突破前先延时,T
BBM
电荷注入
关断隔离
总谐波失真, THD + N
通道到通道的串扰
-3 dB带宽
C
S
(关闭)
C
D
(关闭)
C
D
, C
S
(上)
电源要求
I
DD
I
SS
2
52
75
0.8
1.3
9
12
±0.005
±0.2
±0.005
±0.2
±0.005
±0.2
±5
±5
±5
2.4
0.8
±1
0.005
2
60
90
70
95
25
40
40
2
4
–90
0.025
–90
580
4
7
12
0.01
0.01
V
IN
= V
INL
或V
INH
110
120
45
130
135
50
10
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的,
V
S
= 3 V ;测试电路5
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的,
V
S
= 3 V ;测试电路7
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的,
V
S
= 3 V ;测试电路7
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的,
V
S1
= V
S2
= 3 V ;测试电路6
V
S
= 0 V ,R
S
= 0
,
C
L
= 1 nF的;测试电路8
R
L
= 50
,
C
L
= 5 pF的,
F = 1兆赫;测试电路9
R
L
= 600
,
2 V P-P ,
F = 20赫兹到20千赫兹
R
L
= 50
,
C
L
= 5 pF的,
F = 1兆赫;测试电路11
R
L
= 50
,
C
L
= 5 pF的;
测试电路10
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
V
DD
= +5.5 V, V
SS
= –5.5 V
数字输入= 0 V或5.5 V
数字输入= 0 V或5.5 V
1
1
笔记
1
温度范围如下:
B版本: -40 ° C至+ 85°C 。 版本: -40 ° C至+ 125°C 。
2
通过设计保证,不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
–2–
第0版
单电源
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻(R
ON
)
1
ADG633
(V
DD
= 5 V ±10%, V
SS
= 0V ,GND = 0V ,除非另有说明。 )
B版本版本
–40
C
–40
C
+85
C至+ 125
C
0 TOV
DD
160
9
14
200
10
16
+25
C
单位
V
典型值
最大
典型值
最大
典型值
测试条件/评论
V
DD
= 4.5 V, V
SS
= 0 V
V
S
= 0 V至4.5 V,I
S
= 1毫安;
测试电路1
V
S
= 3.5 V,I
S
= 1毫安
V
DD
= 5 V, V
SS
= 0 V
V
S
= 1.5 V至24 V ,我
S
= 1毫安
V
DD
= 5.5 V
V
S
= 1 V/4.5 V, V
D
= 4.5 V/1 V;
测试电路2
V
S
= 1 V/4.5 V, V
D
= 4.5 V/1 V;
测试电路3
V
S
= V
D
= 1 V或4.5 V ;测试电路4
导通电阻之间的匹配
通道( ΔR
ON
)
导通电阻平坦度(R
平(ON)的
)
漏电流
来源OFF漏我
S
(关闭)
流掉泄漏我
D
(关闭)
渠道渗漏我
D
, I
S
(上)
数字输入
输入高电压,V
INH
输入低电压,V
INL
输入电流I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
t
TRANS
t
ON
( EN )
t
关闭
( EN )
突破前先延时,T
BBM
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
-3 dB带宽
C
S
(关闭)
C
D
(关闭)
C
D
, C
S
(上)
电源要求
I
DD
2
85
150
4.5
8
13
±0.005
±0.2
±0.005
±0.2
±0.005
±0.2
±5
±5
±5
2.4
0.8
±1
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
A
典型值
A
最大
pF的典型值
纳秒(典型值)
ns(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最小值)
pC的典型值
pC的最大值
dB典型值
dB典型值
兆赫(典型值)
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
A
典型值
A
最大
0.005
2
100
150
100
150
25
35
90
0.5
1
–90
–90
520
5
8
12
0.01
V
IN
= V
INL
或V
INH
190
190
45
220
220
50
10
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的,
V
S
= 3 V ;测试电路5
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的,
V
S
= 3 V ;测试电路7
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的,
V
S
= 3 V ;测试电路7
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的,
V
S1
= V
S2
= 3 V ;测试电路6
V
S
= 2.5 V ,R
S
= 0
,
C
L
= 1 nF的;
测试电路8
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF, F = 1MHz的;
测试电路9
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF, F = 1MHz的;
测试电路11
R
L
= 50
,
C
L
= 5 pF的;
测试电路10
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
V
DD
= 5.5 V
数字输入= 0 V或5.5 V
1
笔记
1
温度范围如下:
B版本: -40 ° C至+ 85°C 。 版本: -40 ° C至+ 125°C 。
2
通过设计保证,不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
第0版
–3–
ADG633–SPECIFICATIONS
单电源
1
(V
参数
DD
= 2.7 V至3.6 V ,V
SS
= 0V ,GND = 0V ,除非另有说明。 )
B版本版本
+25C
–40C
至+ 85°C
–40C
至+ 125°C
单位
测试条件/评论
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻(R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道( ΔR
ON
)
漏电流
来源OFF漏我
S
(关闭)
流掉泄漏我
D
(关闭)
渠道渗漏我
D
, I
S
(上)
数字输入
输入高电压,V
INH
输入低电压,V
INL
输入电流I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
2
t
TRANS
t
ON
( EN )
t
关闭
( EN )
突破前先延时,T
BBM
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
-3 dB带宽
C
S
(关闭)
C
D
(关闭)
C
D
, C
S
(上)
电源要求
I
DD
185
300
2
4.5
±0.005
±0.2
±0.005
±0.2
±0.005
±0.2
0 TOV
DD
350
6
400
7
V
典型值
最大
典型值
最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
A
典型值
A
最大
pF的典型值
纳秒(典型值)
ns(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最小值)
pC的典型值
pC的最大值
dB典型值
dB典型值
兆赫(典型值)
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
A
典型值
A
最大
V
DD
= 2.7 V, V
SS
= 0 V
V
S
= 0 V至2.7 V,I
S
= 0.1毫安;
测试电路1
V
S
= +1.5 V,I
S
- 0.1毫安
V
DD
= 3.3 V
V
S
= 1 V/3 V, V
D
= 3 V/1 V;
测试电路2
V
S
= 1 V/3 V, V
D
= 3 V/1 V;
测试电路3
V
S
= V
D
= 1或3V ;测试电路4
±5
±5
±5
2.0
0.5
±1
0.005
2
170
300
200
310
30
40
180
1
2
–90
–90
500
5
8
12
0.01
V
IN
= V
INL
或V
INH
370
380
55
400
420
75
10
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的,
V
S
= 1.5 V ;测试电路5
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的,
V
S
= 1.5 V ;测试电路7
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的,
V
S
= 1.5 V ;测试电路7
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的,
V
S1
= V
S2
= 1.5 V ;测试电路6
V
S
= 1.5 V ,R
S
= 0
,
C
L
= 1 nF的;
测试电路8
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF, F = 1MHz的;
测试电路9
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF, F = 1MHz的;
测试电路11
R
L
=50
,
C
L
= 5 pF的;
测试电路10
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
V
DD
= 3.3 V
数字输入= 0 V或3.3 V
1
笔记
1
温度范围如下: B版本: -40 ° C至+ 85°C 。 版本: -40 ° C至+ 125°C 。
2
通过设计保证,不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
–4–
第0版
ADG633
绝对最大额定值
1
(T
A
= 25 ℃,除非另有说明。 )
V
DD
到V
SS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13 V
V
DD
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+13 V
V
SS
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +0.3 V至-6.5 V
模拟输入
2
. . . . . . . . . . . . . . . . . .V
SS
- 0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
数字输入
2
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
或10毫安,以先到为准科幻RST
峰值电流,S或D 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40毫安
(脉冲在1毫秒, 10 %占空比最大)
连续电流,S或D 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20毫安
工作温度范围
汽车(Y版) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 125°C
工业(B版) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
。 。 。 。 。 。 。 。 150.4 ° C / W
JA
热阻, 16引脚TSSOP
JA
热阻抗( 4层板)
16引脚LFCSP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 70 ° C / W
焊接温度,焊接
气相(60秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 215∞C
红外( 15秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 220℃
ESD 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4千伏
笔记
1
注意,超出上述绝对最大额定值可能会导致永久性的
损坏设备。这是一个压力只有额定值。该装置的功能操作
在这些或以上的在这个业务部门所列出的条件
特定网络阳离子是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下,
长时间可能会影响器件的可靠性。只有一个绝对最大额定值
可以在任一时刻被应用。
2
过电压A处
X
,
EN ,
S,或D将通过内部二极管钳位。电流应
限于给出的最大额定值。
小心
ESD (静电放电)敏感器件。静电荷高达4000 V容易堆积
对人体和测试设备,可排出而不被发现。虽然ADG633
具有专用ESD保护电路,永久性的损害可能受到高设备发生
能量静电放电。因此,适当的ESD防范措施建议,以避免性能
下降或功能丧失。
订购指南
模型
ADG633YRU
ADG633YCP
温度范围
-40 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 85°C
包装说明
超薄紧缩小型封装( TSSOP )
芯片级封装( LFCSP )
封装选项
RU-16
CP-16
销刀豆网络gurations
表一, ADG633真值表
TSSOP
S2B 1
16 V
DD
15 D2
14 D1
A2
X
0
0
0
0
1
1
1
1
A1
X
0
0
1
1
0
0
1
1
A0
X
0
1
0
1
0
1
0
1
EN
1
0
0
0
0
0
0
0
0
开关状态
D1 - S1A , D2 - S2A , D3- S3A
D1 - S1B , D2 - S2A , D3- S3A
D1 - S1A , D2 - S2B , D3- S3A
D1 - S1B , D2 - S2B , D3- S3A
D1 - S1A , D2 - S2A , D3- S3B
D1 - S1B , D2 - S2A , D3- S3B
D1 - S1A , D2 - S2B , D3- S3B
D1 - S1B , D2 - S2B , D3- S3B
S2A 2
S3B 3
D3 4
ADG633
13 S1B
顶视图
S3A 5 (不按比例) 12 S1A
EN
6
V
SS
7
GND 8
11 A0
10 A1
9 A2
X =无关
LFCSP
S2B
VDD
D2
12 D1
11 S1B
10 S1A
9 A0
5 6
7 8
A1
S2A
S3B 1
D3 2
S3A 3
EN
4
ADG633
顶视图
(不按比例)
16 15 14 13
第0版
–5–
VSS
GND
A2
CMOS ,± 5 V / + 5V / + 3 V ,三SPDT开关
ADG633
特点
± 2 V至± 6 V双电源供电
2 V至12 V单电源供电
汽车级温度范围: -40 ° C至+ 125°C
<0.2 nA的漏电流
52 Ω的电阻在整个信号范围
轨到轨开关工作
16引脚LFCSP和TSSOP封装
典型功耗: <0.1 μW
TTL / CMOS兼容输入
包升级到74HC4053和MAX4053 / MAX4583
功能框图
S1B
D1
S1A
ADG633
S2A
D2
S2B
S3A
D3
S3B
逻辑
应用
汽车应用
自动测试设备
数据采集系统
电池供电系统
通信系统
音频和视频信号路由
继电器更换
采样保持系统
工业控制系统
A0 A1 A2 EN
开关所对于逻辑1输入。
图1 。
概述
该ADG633是包括三个低电压CMOS器件
独立可选的单刀双掷( SPDT )
开关。该设备为± 5 V ,+ 5 V和3 V完全指定
耗材。该ADG633开关接通与逻辑低
(或高),在适当的控制输入。每个开关导通
当对同样在两个方向上,并具有一输入信号
范围延伸到供应。提供EN输入,用来使能
或禁用该设备。当设备被禁用,所有通道
设为OFF 。
该ADG633设计上增强的过程,它提供
更低的功耗,还能够高开关速度。
低功耗和2 V的工作电压范围
至12 V使ADG633非常适合电池供电的便携式
仪器。所有通道表现出先开后合式开关
行动,防止短路瞬时切换频道时。
所有数字输入具有0.8 V至2.4 V的逻辑阈值,从而确保
在使用TTL / CMOS逻辑兼容+5 V单电源或双
± 5 V电源。
该ADG633提供小型, 16引脚TSSOP封装
和16引脚,采用4 mm× 4 mm LFCSP封装包。
产品亮点
1.
单,双电源供电。该ADG633报价
高性能和完全指定,并保证
采用±5 V ,+ 5 V和3 V电源轨。
汽车级温度范围: -40 ° C至+ 125°C 。
保证先开后合式开关动作。
低功耗,典型<0.1 μW 。
小型, 16引脚TSSOP和16引脚,采用4 mm× 4 mm LFCSP封装
包。
2.
3.
4.
5.
REV 。一
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而,没有
责任承担ADI公司供其使用,也为专利或其他任何侵权行为
第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更,恕不另行通知。没有
获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。
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联系电话: 781.329.4700
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03275-001
ADG633
目录
特点................................................. ............................................. 1
应用................................................. ...................................... 1
功能框图............................................... ............... 1
概述................................................ ......................... 1
产品亮点................................................ ........................... 1
修订历史................................................ ............................... 2
规格................................................. .................................... 3
双电源供电.............................................. ................. 3
单电源供电.............................................. ............... 4
绝对最大额定值............................................... ............. 6
ESD注意事项................................................ ................................... 6
引脚配置和功能描述.............................. 7
典型性能特征.............................................. 8
术语................................................. ................................... 11
测试电路................................................ ..................................... 12
外形尺寸................................................ ....................... 14
订购指南................................................ .......................... 14
修订历史
11月9日 - 修订版。 0到版本A
更改表4 .............................................. .............................. 6
添加表5 ;重新编号,按顺序.................................... 7
更改表6 .............................................. .............................. 7
更新外形尺寸............................................... .......... 14
更改订购指南.............................................. ............ 14
2月3日 - 修订版0 :初始版
版本A |第2页
16
ADG633
特定网络阳离子
双电源供电
V
DD
= +5 V, V
SS
= -5V , GND = 0 V ,T
A
= -40° C到+ 125 ℃,除非另有说明。
表1中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻,R
ON
导通电阻匹配
通道之间, ΔR
ON
导通电阻平坦度,R
平(ON)的
漏电流
源关闭泄漏,我
S( OFF)
流掉泄漏,我
D(关闭)
渠道渗漏,我
D(上)
, I
秒(上)
数字输入
输入高电压,V
INH
输入低电压,V
INL
输入电流I
INL
还是我
INH
数字输入电容,C
IN
动态特性
1
t
过渡
t
ON
( EN )
t
关闭
( EN )
突破前先延时,T
BBM
电荷注入
关断隔离
总谐波失真, THD + N
通道到通道的串扰
-3 dB带宽
C
S( OFF)
C
D(关闭)
C
D(上)
, C
秒(上)
电源要求
I
DD
I
SS
+25°C
B版本
-40 ° C至+ 85°C
版本
-40 ° C至+ 125°C
V
SS
到V
DD
52
75
0.8
1.3
9
12
±0.005
±0.2
±0.005
±0.2
±0.005
±0.2
±5
±5
2.4
0.8
0.005
±1
2
60
90
70
95
25
40
40
2
4
90
0.025
90
580
4
7
12
0.01
1
0.01
1
1
单位
V
= (典型值)
=最大
= (典型值)
=最大
= (典型值)
=最大
nA的典型值
测试条件/评论
V
DD
= +4.5 V, V
SS
= 4.5 V
V
S
= -4.5 V,I
S
= 1毫安;参见图20
V
S
= -4.5 V,I
S
= 1毫安;参见图20
V
S
= 3.5 V,I
S
= 1毫安
V
S
= 3.5 V,I
S
= 1毫安
V
DD
= +5 V, V
SS
= 5 V, V
S
= -3 V,I
S
= 1毫安
V
DD
= +5 V, V
SS
= 5 V, V
S
= -3 V,I
S
= 1毫安
V
DD
= +5.5 V, V
SS
= 5.5 V
V
D
= ±4.5 V, V
S
= + 4.5V ;参见图21
V
D
= ±4.5 V, V
S
= + 4.5V ;参见图21
V
D
= ±4.5 V, V
S
= + 4.5 V ;参见图22
V
D
= ±4.5 V, V
S
= + 4.5 V ;参见图22
V
D
= V
S
= ± 4.5 V ;参见图23
V
D
= V
S
= ± 4.5 V ;参见图23
90
100
1.8
13
2
14
±5
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA (典型值)
μA(最大值)
pF的典型值
纳秒(典型值)
V
IN
= V
INL
或V
INH
V
IN
= V
INL
或V
INH
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的,V
S
= 3 V ;参见图24
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的,V
S
= 3 V ;参见图24
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的,V
S
= 3 V ;参见图26
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的,V
S
= 3 V ;参见图26
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的,V
S
= 3 V ;参见图26
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的,V
S
= 3 V ;参见图26
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的,V
S1
= V
S2
= 3 V ;参见图25
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的,V
S1
= V
S2
= 3 V ;参见图25
V
S
= 0 V ,R
S
= 0 Ω, C
L
= 1 nF的;参见图27
V
S
= 0 V ,R
S
= 0 Ω, C
L
= 1 nF的;参见图27
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF, F = 1MHz的;参见图28
R
L
= 600 Ω , 2 V P-P , F = 20 Hz至20 kHz
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF, F = 1MHz的;参见图30
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 pF的;参见图29
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
V
DD
= +5.5 V, V
SS
= 5.5 V
数字输入= 0 V或5.5 V
数字输入= 0 V或5.5 V
数字输入= 0 V或5.5 V
数字输入= 0 V或5.5 V
110
120
45
130
135
50
10
ns(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最小值)
pC的典型值
pC的最大值
dB典型值
% (典型值)
dB典型值
兆赫(典型值)
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
μA (典型值)
μA(最大值)
μA (典型值)
μA(最大值)
通过设计保证;不受生产测试。
版本A |第3页
16
ADG633
单电源供电
V
DD
= 5 V, V
SS
= 0 V , GND = 0 V ,T
A
= -40° C到+ 125 ℃,除非另有说明。
表2中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻,R
ON
导通电阻匹配
通道之间, ΔR
ON
导通电阻平坦度,R
平(ON)的
漏电流
源关闭泄漏,我
S( OFF)
流掉泄漏,我
D(关闭)
渠道渗漏,我
D(上)
, I
秒(上)
数字输入
输入高电压,V
INH
输入低电压,V
INL
输入电流I
INL
还是我
INH
数字输入电容,C
IN
动态特性
1
t
过渡
t
ON
( EN )
t
关闭
( EN )
突破前先延时,T
BBM
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
-3 dB带宽
C
S( OFF)
C
D(关闭)
C
D(上)
, C
秒(上)
电源要求
I
DD
+25°C
B版本
-40 ° C至+ 85°C
版本
-40 ° C至+ 125°C
0到V
DD
85
150
4.5
8
13
±0.005
±0.2
±0.005
±0.2
±0.005
±0.2
160
200
单位
V
= (典型值)
=最大
= (典型值)
=最大
= (典型值)
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA (典型值)
μA(最大值)
pF的典型值
纳秒(典型值)
ns(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最小值)
pC的典型值
pC的最大值
dB典型值
dB典型值
兆赫(典型值)
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
μA (典型值)
μA(最大值)
测试条件/评论
V
DD
= 4.5 V, V
SS
= 0 V
V
S
= 0 V至4.5 V,I
S
= 1毫安;参见图20
V
S
= 0 V至4.5 V,I
S
= 1毫安;参见图20
V
S
= 3.5 V,I
S
= 1毫安
V
S
= 3.5 V,I
S
= 1毫安
V
DD
= 5 V, V
SS
= 0 V, V
S
= 1.5 V至24 V ,我
S
= 1毫安
V
DD
= 5.5 V
V
S
= 1 V/4.5 V, V
D
= 4.5 V / 1 V ;参见图21
V
S
= 1 V/4.5 V, V
D
= 4.5 V / 1 V ;参见图21
V
S
= 1 V/4.5 V, V
D
= 4.5 V / 1 V ;参见图22
V
S
= 1 V/4.5 V, V
D
= 4.5 V / 1 V ;参见图22
V
S
= V
D
= 1 V或4.5 V ;参见图23
V
S
= V
D
= 1 V或4.5 V ;参见图23
9
14
10
16
±5
±5
±5
2.4
0.8
0.005
±1
2
100
150
100
150
25
35
90
0.5
1
90
90
520
5
8
12
0.01
1
V
IN
= V
INL
或V
INH
V
IN
= V
INL
或V
INH
190
190
45
220
220
50
10
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的,V
S
= 3 V ;参见图24
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的,V
S
= 3 V ;参见图24
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的,V
S
= 3 V ;参见图26
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的,V
S
= 3 V ;参见图26
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的,V
S
= 3 V ;参见图26
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的,V
S
= 3 V ;参见图26
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的,V
S1
= V
S2
= 3 V ;参见图25
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的,V
S1
= V
S2
= 3 V ;参见图25
V
S
= 2.5 V ,R
S
= 0 Ω, C
L
= 1 nF的;参见图27
V
S
= 2.5 V ,R
S
= 0 Ω, C
L
= 1 nF的;参见图27
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF, F = 1MHz的;参见图28
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF, F = 1MHz的;参见图30
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 pF的;参见图29
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
V
DD
= 5.5 V
数字输入= 0 V或5.5 V
数字输入= 0 V或5.5 V
1
通过设计保证;不受生产测试。
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16
ADG633
V
DD
= 2.7 V至3.6 V ,V
SS
= 0 V , GND = 0 V ,T
A
= -40° C到+ 125 ℃,除非另有说明。
表3中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻,R
ON
导通电阻匹配
通道之间, ΔR
ON
漏电流
源关闭泄漏,我
S( OFF)
流掉泄漏,我
D(关闭)
渠道渗漏,我
D(上)
, I
秒(上)
数字输入
输入高电压,V
INH
输入低电压,V
INL
输入电流I
INL
还是我
INH
数字输入电容,C
IN
动态特性
1
t
过渡
t
ON
( EN )
t
关闭
( EN )
突破前先延时,T
BBM
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
-3 dB带宽
C
S( OFF)
C
D(关闭)
C
D(上)
, C
秒(上)
电源要求
I
DD
0.005
±1
2
170
300
200
310
30
40
180
1
2
90
90
500
5
8
12
0.01
1
1
+25°C
B版本
-40 ° C至+ 85°C
版本
-40 ° C至+ 125°C
0到V
DD
单位
V
= (典型值)
=最大
= (典型值)
=最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA (典型值)
μA(最大值)
pF的典型值
纳秒(典型值)
ns(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最小值)
pC的典型值
pC的最大值
dB典型值
dB典型值
兆赫(典型值)
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
μA (典型值)
μA(最大值)
测试条件/评论
V
DD
= 2.7 V, V
SS
= 0 V
V
S
= 0 V至2.7 V,I
S
= 0.1毫安;参见图20
V
S
= 0 V至2.7 V,I
S
= 0.1毫安;参见图20
V
S
= +1.5 V,I
S
- 0.1毫安
V
S
= +1.5 V,I
S
- 0.1毫安
V
DD
= 3.3 V
V
S
= 1 V/3 V, V
D
= 3 V / 1 V ;参见图21
V
S
= 1 V/3 V, V
D
= 3 V / 1 V ;参见图21
V
S
= 1 V/3 V, V
D
= 3 V / 1 V ;参见图22
V
S
= 1 V/3 V, V
D
= 3 V / 1 V ;参见图22
V
S
= V
D
= 1或3V ;参见图23
V
S
= V
D
= 1或3V ;参见图23
185
300
2
4.5
±0.005
±0.2
±0.005
±0.2
±0.005
±0.2
350
400
6
7
±5
±5
±5
2.0
0.5
V
IN
= V
INL
或V
INH
V
IN
= V
INL
或V
INH
370
380
55
400
420
75
10
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的,V
S
= 1.5 V ;参见图24
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的,V
S
= 1.5 V ;参见图24
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的,V
S
= 1.5 V ;参见图26
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的,V
S
= 1.5 V ;参见图26
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的,V
S
= 1.5 V ;参见图26
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的,V
S
= 1.5 V ;参见图26
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的,V
S1
= V
S2
= 1.5 V ;参见图25
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的,V
S1
= V
S2
= 1.5 V ;参见图25
V
S
= 1.5 V ,R
S
= 0 Ω, C
L
= 1 nF的;参见图27
V
S
= 1.5 V ,R
S
= 0 Ω, C
L
= 1 nF的;参见图27
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF, F = 1MHz的;参见图28
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF, F = 1MHz的;参见图30
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 pF的;参见图29
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
V
DD
= 3.3 V
数字输入= 0 V或3.3 V
数字输入= 0 V或3.3 V
通过设计保证;不受生产测试。
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16
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    ADG633YRU
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
ADG633YRU
Analog Devices
2434+
32210
TSSOP-16
代理Analog Devices专营,原装现货优势
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
ADG633YRU
ADI
22+
500
TSSOP16
全新原装正品/质量有保证
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电话:13537790913
联系人:朱成平
地址:深圳市龙岗区平湖街道良安田社区茗萃园三期12号楼,13号楼12楼B座401
ADG633YRU
ADI
21+
3860
16-TSSOP
原装现货,只做原装
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电话:13480301972
联系人:陈先生
地址:福田区中航路华强北街道国利大厦2030
ADG633YRU
ADI/亚德诺
23+
28000
TSSOP16
全新原装正品优势库存
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电话:0755-23996734
联系人:李先生
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