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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1533页 > ADG620BRM
a
特点
6 （最大值）导通电阻
0.8 （最大）导通电阻平坦度
2.7 V至5.5 V单电源供电
2.7 V至5.5 V双电源供电
轨到轨工作
8引脚SOT- 23封装， 8引脚微型SOIC封装
典型功耗（ <0.1 W）
TTL / CMOS兼容输入
应用
自动测试设备
电源布线
通信系统
数据采集系统
采样和保持系统
航空电子学
继电器更换
电池供电系统
4
CMOS 5 V / + 5 V
单SPDT开关
ADG619/ADG620
ADG619/ADG620
S2
S1
D
功能框图
IN
开关所对于逻辑"1"输入
概述
表Ⅰ真值表为ADG619 / ADG620
该ADG619和ADG620均为单芯片， CMOS单刀双掷
（单刀双掷）开关。每个开关导通
同样在两个方向上的时候。
该ADG619 / ADG620提供低导通电阻的4
,
哪
匹配到内0.7
通道之间。这些交换机还
提供低功耗，高度的开关speeds.The
ADG619展品先开后合式开关动作，从而
防止短路瞬时切换频道时。该
ADG620展品先接后断动作。
该ADG619 / ADG620采用8引脚SOT- 23封装
年龄和8引脚微型SOIC封装。
IN
0
1
开关S1
ON
关闭
开关S2
关闭
ON
产品亮点
1.低导通电阻（R
ON
) (4
典型值）
2.双
±
2.7 V至
±
5.5 V或单2.7 V至5.5 V
3.低功耗。 CMOS结构确保了低
功耗。
4.快速吨
ON
/t
关闭
5.微型8引脚SOT- 23封装和8引脚微型SOIC封装
第0版
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯该
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式
在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781 / 329-4700
www.analog.com
传真： 781 / 326-8703
ADI公司， 2001
ADG619/ADG620–SPECIFICATIONS
双电源
1
(V
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
2
ADG619
t
ON
t
关闭
突破前先延时，T
BBM
ADG620
t
ON
t
关闭
先接后断延时，T
MBB
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
带宽的-3 dB
C
S
（关闭）
C
D,
C
S
（上）
电源要求
I
DD
I
SS
DD
=
+5 V
10%, V
SS
= –5 V
10 ％ ， GND = 0 V，所有规格-40 ℃ + 85℃ ，除非另有说明。 ）
B版本
-40 ℃
+85 C
V
SS
到V
DD
+25 C
单位
V
典型值
最大
典型值
最大
典型值
最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
A
典型值
A
最大
pF的典型值
测试条件/评论
V
DD
= +4.5 V, V
SS
= –4.5 V
V
S
=
±
4.5 V，I
S
= -10毫安，
测试电路1
V
S
=
±
4.5 V，I
S
= -10毫安
V
S
=
±
3.3 V，I
S
= -10毫安
V
DD
= +5.5 V, V
SS
= –5.5 V
V
S
=
±
4.5 V, V
D
= 4.5 V,
测试电路2
V
S
= V
D
=
±
4.5 V ，测试电路3
4
6
0.7
1.1
0.7
8
1.35
0.8
1.2
±
0.01
±
0.25
±
0.01
±
0.25
±
1
±
1
2.4
0.8
0.005
±
0.1
2
V
IN
= V
INL
或V
INH
80
120
45
75
40
155
90
10
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
A
典型值
A
最大
A
典型值
A
最大
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 3.3 V ，测试电路4
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 3.3 V ，测试电路4
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 3.3 V ，测试电路5
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 3.3 V ，测试电路4
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 3.3 V ，测试电路4
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 0 V ，测试电路6
V
S
= 0 V ，R
S
= 0
,
C
L
= 1 nF的，
测试电路7
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1MHz时，
测试电路8
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1MHz时，
测试电路10
R
L
= 50
,
C
L
= 5 pF的，测试电路9
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
V
DD
= +5.5 V, V
SS
= –5.5 V
数字输入= 0 V或5.5 V
数字输入= 0 V或5.5 V
40
65
200
330
160
110
–67
–67
190
25
95
0.001
85
400
10
1.0
0.001
1.0
笔记
1
温度范围如下： B版本， -40 ° C至+ 85°C 。
2
通过设计保证，不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
第0版
ADG619/ADG620
单电源
1
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
2
ADG619
t
ON
t
关闭
突破前先延时，T
BBM
ADG620
t
ON
t
关闭
先接后断延时，T
MBB
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
带宽的-3 dB
C
S
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
(V
DD
= +5 V
10%, V
SS
= 0 V ， GND = 0 V.所有规格-40 ℃ + 85℃ ，除非另有说明。 ）
B版本
-40 ℃
+25 C
+85 C
0 V至V
DD
7
10
0.8
1
0.5
12.5
1.2
0.5
0.8
单位
V
典型值
最大
典型值
最大
典型值
最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
A
典型值
A
最大
pF的典型值
测试条件/评论
V
DD
= 4.5 V, V
SS
= 0 V
V
S
= 0 V至4.5 V，I
S
= -10毫安，
测试电路1
V
S
= 0 V至4.5 V，I
S
= -10毫安
V
S
= 1.5 V至3.3 V，I
S
= -10毫安
V
DD
= 5.5 V
V
S
= 1 V/4.5 V, V
D
= 4.5 V/1 V,
测试电路2
V
S
= V
D
= 1 V/4.5 V,
测试电路3
±
0.01
±
0.25
±
0.01
±
0.25
±
1
±
1
2.4
0.8
0.005
±
0.1
2
V
IN
= V
INL
或V
INH
120
220
50
75
70
280
110
10
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
A
典型值
A
最大
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 3.3 V ，测试电路4
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 3.3 V ，测试电路4
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的，
V
S1
= V
S2
= 3.3 V ，测试电路5
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 3.3 V ，测试电路4
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 3.3 V ，测试电路4
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 3.3 V ，测试电路6
V
S
= 0 V ，R
S
= 0
,
C
L
= 1 nF的，
测试电路7
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1MHz时，
测试电路8
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1MHz时，
测试电路10
R
L
= 50
,
C
L
= 5 pF的，测试电路9
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
V
DD
= 5.5 V
数字输入= 0 V或5.5 V
50
85
210
340
170
6
–67
–67
190
25
95
0.001
110
420
10
1.0
笔记
1
温度范围如下： B版本， -40 ° C至+ 85°C 。
2
通过设计保证，不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
第0版
–3–
ADG619/ADG620
绝对最大额定值
1
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
销刀豆网络gurations
8引脚SOT- 23
(RT-8)
V
DD
到V
SS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13 V
V
DD
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至6.5 V
V
SS
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +0.3 V至-6.5 V
模拟输入
2
. . . . . . . . . . . . . . . . V
SS
0.3 V到V
DD
+0.3 V
数字输入
2
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
DD
+0.3 V或
30毫安，以先到为准
峰值电流，S或D 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安
（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比最大）
连续电流，S或D 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
工作温度范围
工业（B版） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40∞C至+ 85∞C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65∞C至+ 150∞C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
微型SOIC封装
JA
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 206 ° C / W
JC
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 44 ° C / W
SOT- 23封装
JA
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 229.6 ° C / W
JC
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 91.99 ° C / W
焊接温度，焊接（ 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
IR回流焊峰值温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 220℃
笔记
1
注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作
器件在这些或以上的运作中列出的任何其他条件
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。只有一个绝对的
最大额定值可在任一时间施加。
2
过压IN ，S或D由内部二极管钳位。当前应
限于给出的最大额定值。
D
1
S1
2
GND
3
8
S2
V
SS
ADG619/
ADG620
7
顶视图
6
IN
（不按比例）
5
NC
V
DD 4
NC =无连接
8引脚微型SOIC
(RM-8)
D
1
S1
GND
2
3
8
S2
V
SS
6
IN
顶视图
（不按比例）
5
NC
V
DD 4
ADG619/
ADG620
7
NC =无连接
订购指南
模型
ADG619BRM
ADG619BRT
ADG620BRM
ADG620BRT
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
BRANDING
信息
*
SVB
SVB
SWB
SWB
包装说明
微SOIC （ microSmall外形集成电路）
SOT- 23 （塑料表面贴装）
微SOIC （ microSmall外形集成电路）
SOT- 23 （塑料表面贴装）
封装选项
RM-8
RT-8
RM-8
RT-8
*品牌
在SOT -23和Micro - SOIC封装限制为三个字符，由于空间的限制。
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然
该ADG619 / ADG620具有专用ESD保护电路，可能永久的损坏
发生在经受高能量静电放电设备。因此，适当的ESD防范措施
建议，以避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
–4–
第0版
ADG619/ADG620
术语
助记符
V
DD
V
SS
GND
I
DD
I
SS
S
D
IN
R
ON
DR
ON
R
平（ON）的
I
S
（关闭）
I
D
, I
S
（上）
V
D
(V
S
)
V
INL
V
INH
I
INL
(I
INH
)
C
S
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
t
ON
t
关闭
t
MBB
t
BBM
电荷注入
相声
关断隔离
带宽
插入损耗
描述
最正电源电位
最负电源的双电源应用。在单电源应用中，这应该是
连接到地，在所述设备中。
接地（ 0 V ）参考
正电源电流
负电源电流
源终端。可以是输入或输出。
漏极。可以是输入或输出。
逻辑控制输入
D和S之间的欧姆电阻
导通电阻匹配任意两个通道之间，也就是说，R
ON
马克斯 - R的
ON
分钟。
平整度是指在电阻的最大值和最小值之间的差
测量在指定的模拟信号范围。
源漏电流与开关“关”
信道的泄漏电流与开关“ ON”时
在终端D，S模拟电压
最大输入电压为逻辑“ 0 ”
最小输入电压为逻辑“ 1 ”
数字输入的输入电流
“OFF”开关源极电容
“开”开关电容
运用数字控制输入和输出开关ON之间的延迟
运用数字控制输入和输出开关关之间的延迟
“ON”时，测得的80 ％分两个开关之间，从一个地址转换时
状态向另一种
“OFF ”时间或“ON ”时测量的90 ％分两个开关之间，当从切换
一个地址状态到另一个状态
的毛刺脉冲转移的措施从数字输入到模拟输出时切换
干扰信号的测量是通过耦合从一个通道到另一个的结果
寄生电容
干扰信号耦合的测量通过一个“OFF”开关
“开”开关的频率响应
由于开关的导通电阻的损耗
典型性能特性
8
V
DD
, V
SS
=
7
6
V
DD
, V
SS
=
3V
导通电阻 -
18
2.5V
16
14
12
10
8
6
4
V
DD
= 2.7V
V
DD
= 3V
6
T
A
= 25 C
V
SS
= 0V
5
T
A
= +85 C
T
A
= +25 C
T
A
= –40 C
2
1
V
DD
= +5V
V
SS
= –5V
导通电阻 -
5
4
3
2
1
T
A
= 25 C
–3 –2
–1 0 1
V
D
, V
S
– V
2
3
4
5
V
DD
, V
SS
=
V
DD
, V
SS
=
4.5V
3.3V
V
DD
, V
SS
=
5V
V
DD
= 3.3V
V
DD
= 4.5V
V
DD
= 5V
导通电阻 -
5
4
3
2
0
0
1
3
2
V
D
, V
S
– V
4
0
–5 –4
0
–5 –4 –3 –2
1
–1 0
V
D
, V
S
– V
2
3
4
5
TPC 1.导通电阻与V
D
(V
S
) –
双电源
TPC 2.导通电阻与V
D
(V
S
) –
单电源
TPC 3.导通电阻与V
D
(V
S
）的
不同的温度 - 双电源
第0版
–5–
CMOS ， ± 5 V / + 5 V ，
4 Ω ，单SPDT开关
ADG619/ADG620
特点
6.5 Ω （最大值）导通电阻
0.8 Ω （最大值）导通电阻平坦度
2.7 V至5.5 V单电源供电
± 2.7 V至± 5.5 V双电源供电
轨到轨工作
8引脚SOT-23封装， 8引脚MSOP
典型功耗（ <0.1 μW ）
TTL / CMOS兼容输入
功能框图
ADG619/ADG620
S2
S1
D
IN
应用
自动测试设备
电源布线
通信系统
数据采集系统
采样保持系统
航空电子学
继电器更换
电池供电系统
笔记
如图所示为一开关系列
逻辑1输入。
图1 。
概述
该ADG619 / ADG620均为单芯片， CMOS单刀
双掷（SPDT）开关。每个开关的导电性能相同
以及在当该设备是在两个方向上。
该ADG619 / ADG620提供了低通的4 Ω的电阻，这
匹配到内0.7 Ω通道之间。这些开关
还提供低功耗，但会导致较高的开关
速度。该ADG619展品先开后合式开关
动作，从而防止了暂时短路的开关时
通道。该ADG620展品先接后断动作。
该ADG619 / ADG620均采用8引脚SOT- 23和
8引脚MSOP封装。
产品亮点
1.
2.
3.
4.
5.
低导通电阻（R
ON
） ： 4 Ω典型。
双± 2.7 V至± 5.5 V或单2.7 V至5.5 V电源供电。
低功耗。
快速吨
ON
/t
关闭
.
微小的8引脚SOT- 23和8引脚MSOP封装。
表1真值表为ADG619 / ADG620
IN
0
1
开关S1
On
关闭
开关S2
关闭
On
版本C
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而，没有
责任承担ADI公司供其使用，也为专利或其他任何侵权行为
第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更，恕不另行通知。没有
获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。
商标和注册商标均为其各自所有者的财产。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781.329.4700
www.analog.com
传真： 781.461.3113 2001-2007 ADI公司保留所有权利。
02617-001
ADG619/ADG620
目录
特点................................................. ............................................. 1
应用................................................. ...................................... 1
功能框图............................................... ............... 1
概述................................................ ......................... 1
产品亮点................................................ ........................... 1
修订历史................................................ ............................... 2
规格................................................. .................................... 3
双电源................................................ ................................... 3
单电源................................................ ................................. 5
绝对最大额定值............................................... ............. 6
ESD注意事项................................................ ................................... 6
引脚配置和功能描述............................ 7
典型性能特征.............................................. 8
术语................................................. ................................... 10
测试电路................................................ ..................................... 11
外形尺寸................................................ ....................... 13
订购指南................................................ ............................... 14
修订历史
3月7日 - 修订版。 B到C版
更改规格............................................... ................. 3
1/06 -REV 。 A到版本B
更改至R
ON
在表2中的值.............................................. 2 .....
更新的外形尺寸............................................... ........ 13
更改订购指南.............................................. ............ 13
6月3日 - 修订版。 0到版本A.
编辑规格............................................... ....................... 2
更改订购指南.............................................. .............. 4
更新的外形尺寸............................................... .......... 8
版本C | 16页2
ADG619/ADG620
特定网络阳离子
双电源
V
DD
= +5 V ± 10%, V
SS
= -5 V ±10 ％ ， GND = 0 V ，所有规格-40 ° C至+ 85°C ，除非另有说明。
表2中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
R
ON
通道间匹配（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
源关闭泄漏，我
S
（关闭）
渠道渗漏，我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流I
INL
还是我
INH
数字输入电容，C
IN
动态特性
2
ADG619
t
ON
t
关闭
突破前先延时，T
BBM
ADG620
t
ON
t
关闭
先接后断延时，T
MBB
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
带宽的-3 dB
C
S
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
±0.01
±0.25
±0.01
±0.25
±1
±1
2.4
0.8
0.005
±0.1
2
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
pF的典型值
+25°C
B版本
1
-40 ° C至+ 85°C
V
SS
到V
DD
4
6.5
0.7
1.1
0.7
1.35
8.5
1.35
0.8
1.4
单位
V
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
测试条件/评论
V
DD
= +4.5 V, V
SS
= 4.5 V
V
S
= -4.5 V，I
DS
= -10毫安;参见图15
V
S
= -4.5 V，I
DS
= -10毫安
V
S
= ± 3.3 V，I
DS
= -10毫安
V
DD
= +5.5 V, V
SS
= 5.5 V
V
S
= ±4.5 V, V
D
=
4.5 V ;参见图16
V
S
= V
D
= ± 4.5 V ;参见图17
V
IN
= V
INL
或V
INH
80
120
45
75
40
155
90
10
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 3.3 V ;参见图18
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 3.3 V ;参见图18
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 3.3 V ;参见图19
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 3.3 V ;参见图18
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 3.3 V ;参见图18
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 0 V ;参见图20
V
S
= 0 V ，R
S
= 0 Ω, C
L
= 1 nF的;参见图21
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;参见图22
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;参见图23
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 pF的;参见图24
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
40
65
200
330
160
110
67
67
190
25
95
85
400
10
版本C |第16页3
ADG619/ADG620
参数
电源要求
I
DD
I
SS
+25°C
0.001
1.0
0.001
1.0
1
2
B版本
1
-40 ° C至+ 85°C
单位
μA （典型值）
μA（最大值）
μA （典型值）
μA（最大值）
测试条件/评论
V
DD
= +5.5 V, V
SS
= 5.5 V
数字输入= 0 V或5.5 V
数字输入= 0 V或5.5 V
温度范围为B版本为-40 ° C至+ 85°C 。
通过设计保证，不受生产测试。
版本C | 16页4
ADG619/ADG620
单电源
V
DD
= 5 V ± 10%, V
SS
= 0 V ， GND = 0 V ，所有规格-40 ° C至+ 85°C ，除非另有说明。
表3中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
R
ON
通道间匹配（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
源关闭泄漏，我
S
（关闭）
渠道渗漏，我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流I
INL
还是我
INH
数字输入电容，C
IN
动态特性
2
ADG619
t
ON
t
关闭
突破前先延时，T
BBM
ADG620
t
ON
t
关闭
先接后断延时，T
MBB
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
带宽的-3 dB
C
S
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
+25°C
B版本
1
40°C
至+ 85°C
0 V至V
DD
7
10
0.8
1.1
0.5
12.5
1.3
0.5
1.2
单位
V
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
pF的典型值
测试条件/评论
V
DD
= 4.5 V, V
SS
= 0 V
V
S
= 0 V至4.5 V，I
DS
= -10毫安;参见图15
V
S
= 0 V至4.5 V，I
DS
= -10mA
V
S
= 1.5 V至3.3 V，I
DS
= -10毫安
V
DD
= 5.5 V
V
S
= 1 V/4.5 V, V
D
= 4.5 V / 1 V ;参见图16
V
S
= V
D
= 1 V / 4.5 V ;参见图17
±0.01
±0.25
±0.01
±0.25
±1
±1
2.4
0.8
0.005
±0.1
2
V
IN
= V
INL
或V
INH
120
220
50
75
70
280
110
10
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
μA （典型值）
μA（最大值）
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 3.3 V ;参见图18
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 3.3 V ;参见图18
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 3.3 V ;参见图19
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 3.3 V ;参见图18
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 3.3 V ;参见图18
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 3.3 V ;参见图20
V
S
= 0 V ，R
S
= 0 Ω, C
L
= 1 nF的;参见图21
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;见图
22
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;见图
23
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 pF的;参见图24
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
V
DD
= 5.5 V
数字输入= 0 V或5.5 V
50
85
210
340
170
6
67
67
190
25
95
0.001
110
420
10
1.0
1
2
温度范围为B版本为-40 ° C至+ 85°C 。
通过设计保证，不受生产测试。
版本C |第16页5
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