【a特点6 （最大值）导通电阻0.8 （最大）导通电阻平坦度2.7 V至5.5 V单电源供电2.7 V】,IC型号ADG619BRT,ADG619BRT PDF资料,ADG619BRT经销商,ic,电子元器件-51电子网

特点

6 （最大值）导通电阻

0.8 （最大）导通电阻平坦度

2.7 V至5.5 V单电源供电

2.7 V至5.5 V双电源供电

轨到轨工作

8引脚SOT- 23封装， 8引脚微型SOIC封装

典型功耗（ <0.1 W）

TTL / CMOS兼容输入

应用

自动测试设备

电源布线

通信系统

数据采集系统

采样和保持系统

航空电子学

继电器更换

电池供电系统

CMOS 5 V / + 5 V

单SPDT开关

ADG619/ADG620

功能框图

开关所对于逻辑"1"输入

概述

表Ⅰ真值表为ADG619 / ADG620

该ADG619和ADG620均为单芯片， CMOS单刀双掷

（单刀双掷）开关。每个开关导通

同样在两个方向上的时候。

该ADG619 / ADG620提供低导通电阻的4

哪

匹配到内0.7

通道之间。这些交换机还

提供低功耗，高度的开关speeds.The

ADG619展品先开后合式开关动作，从而

防止短路瞬时切换频道时。该

ADG620展品先接后断动作。

该ADG619 / ADG620采用8引脚SOT- 23封装

年龄和8引脚微型SOIC封装。

开关S1

关闭

开关S2

关闭

产品亮点

1.低导通电阻（R

) (4

典型值）

2.双

2.7 V至

5.5 V或单2.7 V至5.5 V

3.低功耗。 CMOS结构确保了低

功耗。

4.快速吨

关闭

5.微型8引脚SOT- 23封装和8引脚微型SOIC封装

第0版

信息ADI公司提供的被认为是准确和

可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其

使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯该

可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式

在ADI公司的任何专利或专利权。

一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.

联系电话： 781 / 329-4700

www.analog.com

传真： 781 / 326-8703

ADI公司， 2001

ADG619/ADG620–SPECIFICATIONS

双电源

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻（R

)

导通电阻之间的匹配

通道（ ΔR

)

导通电阻平坦度（R

平（ON）的

)

漏电流

来源OFF漏我

（关闭）

渠道渗漏我

, I

（上）

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流

INL

还是我

INH

数字输入电容

动态特性

ADG619

关闭

突破前先延时，T

BBM

ADG620

关闭

先接后断延时，T

MBB

电荷注入

关断隔离

通道到通道的串扰

带宽的-3 dB

（关闭）

（上）

电源要求

+5 V

10%, V

= –5 V

10 ％， GND = 0 V，所有规格-40 ℃ + 85℃ ，除非另有说明。）

B版本

-40 ℃

+85 C

到V

+25 C

单位

典型值

最大

典型值

最大

典型值

最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

典型值

最大

pF的典型值

测试条件/评论

= +4.5 V, V

= –4.5 V

4.5 V，I

= -10毫安，

测试电路1

4.5 V，I

= -10毫安

3.3 V，I

= -10毫安

= +5.5 V, V

= –5.5 V

4.5 V, V

= 4.5 V,

测试电路2

= V

4.5 V ，测试电路3

0.7

1.1

0.7

1.35

0.8

1.2

0.01

0.25

0.01

0.25

2.4

0.8

0.005

0.1

= V

INL

或V

INH

120

155

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最小值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最小值）

pC的典型值

dB典型值

兆赫（典型值）

pF的典型值

典型值

最大

典型值

最大

= 300

= 35 pF的

= 3.3 V ，测试电路4

= 300

= 35 pF的

= 3.3 V ，测试电路4

= 300

= 35 pF的

= V

= 3.3 V ，测试电路5

= 300

= 35 pF的

= 3.3 V ，测试电路4

= 300

= 35 pF的

= 3.3 V ，测试电路4

= 300

= 35 pF的

= 0 V ，测试电路6

= 0 V ，R

= 0

= 1 nF的，

测试电路7

= 50

= 5 PF， F = 1MHz时，

测试电路8

= 50

= 5 PF， F = 1MHz时，

测试电路10

= 50

= 5 pF的，测试电路9

F = 1 MHz的

= +5.5 V, V

= –5.5 V

数字输入= 0 V或5.5 V

200

330

160

110

–67

190

0.001

400

1.0

0.001

1.0

笔记

温度范围如下： B版本， -40 ° C至+ 85°C 。

通过设计保证，不受生产测试。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

–2–

第0版

ADG619/ADG620

单电源

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻（R

)

导通电阻之间的匹配

通道（ ΔR

)

导通电阻平坦度（R

平（ON）的

)

漏电流

来源OFF漏我

（关闭）

渠道渗漏我

, I

（上）

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流

INL

还是我

INH

数字输入电容

动态特性

ADG619

关闭

突破前先延时，T

BBM

ADG620

关闭

先接后断延时，T

MBB

电荷注入

关断隔离

通道到通道的串扰

带宽的-3 dB

（关闭）

, C

（上）

电源要求

= +5 V

10%, V

= 0 V ， GND = 0 V.所有规格-40 ℃ + 85℃ ，除非另有说明。）

B版本

-40 ℃

+25 C

+85 C

0 V至V

0.8

0.5

12.5

1.2

0.5

0.8

单位

典型值

最大

典型值

最大

典型值

最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

典型值

最大

pF的典型值

测试条件/评论

= 4.5 V, V

= 0 V

= 0 V至4.5 V，I

= -10毫安，

测试电路1

= 0 V至4.5 V，I

= -10毫安

= 1.5 V至3.3 V，I

= -10毫安

= 5.5 V

= 1 V/4.5 V, V

= 4.5 V/1 V,

测试电路2

= V

= 1 V/4.5 V,

测试电路3

0.01

0.25

0.01

0.25

2.4

0.8

0.005

0.1

= V

INL

或V

INH

120

220

280

110

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最小值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最小值）

pC的典型值

dB典型值

兆赫（典型值）

pF的典型值

典型值

最大

= 300

= 35 pF的

= 3.3 V ，测试电路4

= 300

= 35 pF的

= 3.3 V ，测试电路4

= 300

= 35 pF的，

= V

= 3.3 V ，测试电路5

= 300

= 35 pF的

= 3.3 V ，测试电路4

= 300

= 35 pF的

= 3.3 V ，测试电路4

= 300

= 35 pF的

= 3.3 V ，测试电路6

= 0 V ，R

= 0

= 1 nF的，

测试电路7

= 50

= 5 PF， F = 1MHz时，

测试电路8

= 50

= 5 PF， F = 1MHz时，

测试电路10

= 50

= 5 pF的，测试电路9

F = 1 MHz的

= 5.5 V

数字输入= 0 V或5.5 V

210

340

170

–67

190

0.001

110

420

1.0

笔记

温度范围如下： B版本， -40 ° C至+ 85°C 。

通过设计保证，不受生产测试。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

第0版

–3–

ADG619/ADG620

绝对最大额定值

= 25 ° C除非另有说明）

销刀豆网络gurations

8引脚SOT- 23

(RT-8)

到V

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13 V

到GND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 0.3 V至6.5 V

到GND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 +0.3 V至-6.5 V

模拟输入

. . . . . . . . . . . . . . . . V

0.3 V到V

+0.3 V

数字输入

。。。。。。。。。。。。。。。。。 0.3 V到V

+0.3 V或

30毫安，以先到为准

峰值电流，S或D 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。百毫安

（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比最大）

连续电流，S或D 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 50毫安

工作温度范围

工业（B版）。。。。。。。。。。。。。。。 -40∞C至+ 85∞C

存储温度范围。。。。。。。。。。。。 -65∞C至+ 150∞C

结温。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 150℃

微型SOIC封装

热阻抗。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 206 ° C / W

热阻抗。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 44 ° C / W

SOT- 23封装

热阻抗。。。。。。。。。。。。。。。。。。 229.6 ° C / W

热阻抗。。。。。。。。。。。。。。。。。。 91.99 ° C / W

焊接温度，焊接（ 10秒）。。。。。。。。。 300℃

IR回流焊峰值温度。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 220℃

笔记

注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-

新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作

器件在这些或以上的运作中列出的任何其他条件

本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值

长时间条件下可能影响器件的可靠性。只有一个绝对的

最大额定值可在任一时间施加。

过压IN ，S或D由内部二极管钳位。当前应

限于给出的最大额定值。

GND

ADG619/

ADG620

顶视图

（不按比例）

DD 4

NC =无连接

8引脚微型SOIC

(RM-8)

GND

顶视图

（不按比例）

DD 4

ADG619/

ADG620

NC =无连接

订购指南

模型

ADG619BRM

ADG619BRT

ADG620BRM

ADG620BRT

温度范围

-40 ° C至+ 85°C

BRANDING

信息

SVB

SWB

包装说明

微SOIC （ microSmall外形集成电路）

SOT- 23 （塑料表面贴装）

微SOIC （ microSmall外形集成电路）

SOT- 23 （塑料表面贴装）

封装选项

RM-8

RT-8

RM-8

RT-8

*品牌

在SOT -23和Micro - SOIC封装限制为三个字符，由于空间的限制。

小心

ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易

积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然

该ADG619 / ADG620具有专用ESD保护电路，可能永久的损坏

发生在经受高能量静电放电设备。因此，适当的ESD防范措施

建议，以避免性能下降或功能丧失。

警告！

ESD敏感器件

–4–

第0版

ADG619/ADG620

术语

助记符

GND

平（ON）的

（关闭）

, I

（上）

)

INL

INH

INL

INH

)

（关闭）

, C

（上）

关闭

MBB

BBM

电荷注入

相声

关断隔离

带宽

插入损耗

描述

最正电源电位

最负电源的双电源应用。在单电源应用中，这应该是

连接到地，在所述设备中。

接地（ 0 V ）参考

正电源电流

负电源电流

源终端。可以是输入或输出。

漏极。可以是输入或输出。

逻辑控制输入

D和S之间的欧姆电阻

导通电阻匹配任意两个通道之间，也就是说，R

马克斯 - R的

分钟。

平整度是指在电阻的最大值和最小值之间的差

测量在指定的模拟信号范围。

源漏电流与开关“关”

信道的泄漏电流与开关“ ON”时

在终端D，S模拟电压

最大输入电压为逻辑“ 0 ”

最小输入电压为逻辑“ 1 ”

数字输入的输入电流

“OFF”开关源极电容

“开”开关电容

运用数字控制输入和输出开关ON之间的延迟

运用数字控制输入和输出开关关之间的延迟

“ON”时，测得的80 ％分两个开关之间，从一个地址转换时

状态向另一种

“OFF ”时间或“ON ”时测量的90 ％分两个开关之间，当从切换

一个地址状态到另一个状态

的毛刺脉冲转移的措施从数字输入到模拟输出时切换

干扰信号的测量是通过耦合从一个通道到另一个的结果

寄生电容

干扰信号耦合的测量通过一个“OFF”开关

“开”开关的频率响应

由于开关的导通电阻的损耗

典型性能特性

, V

导通电阻 -

2.5V

= 2.7V

= 3V

= 25 C

= 0V

= +85 C

= +25 C

= –40 C

= +5V

= –5V

导通电阻 -

= 25 C

–3 –2

–1 0 1

, V

– V

, V

4.5V

3.3V

, V

= 3.3V

= 4.5V

= 5V

导通电阻 -

, V

– V

–5 –4

–5 –4 –3 –2

–1 0

, V

– V

TPC 1.导通电阻与V

) –

双电源

TPC 2.导通电阻与V

) –

单电源

TPC 3.导通电阻与V

）的

不同的温度 - 双电源

第0版

–5–