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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第542页 > ADG608BR
a
特点
+3 V ，+ 5 V， 5 V电源
V
SS
到V
DD
模拟信号范围
低导通电阻（最大30 ）
快速开关时间
t
ON
75 ns（最大值）
t
关闭
45 ns（最大值）
低功耗（ 1.5 W（最大值） ）
突破前先建设
ESD > 5000 V按军用标准3015.7
TTL和CMOS兼容输入
应用
自动测试设备
数据采集系统
通信系统
航空电子设备和军事系统
微处理器控制的模拟系统
医疗器械
电池供电仪器
远程供电设备
兼容5 V DAC和ADC ，如
AD7840 / 8 ， AD7870 / 1/2/ 4/5 /6/8
概述
3 V / 5 V ， 4/8通道高
高性能模拟多路复用器
ADG608/ADG609
功能方框图
ADG608
S1
S1A
DA
S4A
D
S1B
DB
S8
1第8
解码器
ADG609
S4B
1 4
解码器
A0 A1 A2 EN
A0 A1 EN
的能力，从单一的+3 V ，+ 5 V或
±
5 V双极
供应使得ADG608和ADG609适合使用
电池供电的仪器，并与新一代
DAC和ADC ADI公司。利用5伏支持
层，降低工作电流提供低得多的功率
功耗比经营设备
±
15 V电源。
产品亮点
该ADG608和ADG609均为单芯片CMOS模拟mul-
tiplexers包括8个单通道和四个差分
渠道分别完全指定
±
5 V ，+ 5 V和3 V
电源供应器。该开关ADG608 8路输入之一到
作为由3位二进制地址线确定的公共输出端
A0，A1和A2中。该ADG609切换4路差分1
如通过所确定的输入至公共差分输出
2位二进制地址线A0和A1 。在EN输入DE-两个
虎钳用于启用或禁用该设备。禁用时，所有的
信道被关断。所有的地址和使能输入
TTL是在整个规定的工作温度相兼容
TURE范围，使其适用于总线控制系统中的部件
如数据采集系统，过程控制，航空电子设备和
因为TTL兼容的地址输入的ATE简化数字
界面设计，降低了电路板空间要求。
该ADG608 / ADG609都在增强LC设计
2
MOS
过程中，提供低功耗，高
开关速度和低导通电阻。每个通道行为
当对同样在两个方向上，并具有一输入信号
范围延伸到供应。在断开条件下，显
最终等级达物资被阻止。所有展品渠道
先开后合式开关动作防止瞬间
切换频道时做空。固有的设计是低
切换时的电荷注入最小的瞬变
数字输入。
REV 。一
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则，在ADI公司的任何专利或专利权。
1.扩展信号范围
该ADG608 / ADG609是制造上的增强
LC
2
MOS工艺给人一种增加的信号范围中
延伸到供应。
2.低功耗
3.低R
ON
4.快速开关时间
5.先开后合式开关
交换机可以保证先开后合做，使输入
信号免受瞬时短路。
6.单/双电源供电
订购指南
模型
ADG608BN
ADG608BR
ADG608BRU
ADG608TRU
ADG609BN
ADG609BR
ADG609BRU
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
封装选项*
N-16
R-16A
RU-16
RU-16
N-16
R-16A
RU-16
* N =塑料DIP ; RU =超薄紧缩小型封装（ TSSOP ） ;
R = 0.15"小外形集成电路（ SOIC ） 。
ADI公司， 1995年
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 617 / 329-4700
传真： 617 / 326-8703
ADG608/ADG609–SPECIFICATIONS
双电源
1
(V
参数
DD
= +5 V
10%, V
SS
= –5 V
的10％ ，GND = 0V，除非另有说明）
T版
+ 25℃ -55 ℃
+125 C
V
SS
到V
DD
22
30
5
2
40
6
3
测试条件/
评论
B版本
+25 C
-40 ° C至
+85 C
V
SS
到V
DD
22
30
5
2
35
6
3
单位
V
典型值
最大
最大
最大
模拟开关
模拟信号范围
R
ON
R
ON
R
ON
MATCH
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
流掉泄漏我
D
（关闭）
ADG608
ADG609
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
ADG608
ADG609
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
2
t
过渡
-3.5 V < V
S
< +3.5 V，I
S
= -1毫安;
V
DD
= +4.5 V, V
SS
= –4.5 V;
测试电路1
-3 V < V
S
< +3 V，I
DS
= -1毫安;
V
DD
= +5 V, V
SS
= –5 V
V
S
= 0 V，I
DS
= -1毫安;
V
DD
= +5 V, V
SS
= –5 V
V
DD
= +5.5 V, V
SS
= –5.5 V
V
D
=
±
4.5 V, V
S
= 4.5 V;
测试电路2
V
D
=
±
4.5 V, V
S
= 4.5 V;
测试电路3
V
S
= V
D
=
±
4.5 V;
测试电路4
±
0.05
±
0.5
±
0.05
±
0.5
±
0.5
±
0.05
±
0.5
±
0.5
±
2
±
2
±
1
±
3
±
1.5
2.4
0.8
±
1
±
0.05
±
0.5
±
0.05
±
0.5
±
0.5
±
0.05
±
0.5
±
0.5
±
10
±
10
±
5
±
20
±
10
2.4
0.8
±
1
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的最大
V分钟
V最大
A
最大
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
ns（最小值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
V
IN
= 0或V
DD
5
50
75
10
50
75
30
45
6
85
85
9
40
20
54
34
0.05
0.2
0.01
0.1
0.2
2
0.1
1
5
50
75
10
50
75
30
45
6
85
85
9
40
20
54
34
0.05
0.2
0.01
0.1
0.2
2
0.1
1
90
100
t
开放
t
ON
（ EN ）
t
关闭
（ EN ）
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
ADG608
ADG609
C
D
（上）
ADG608
ADG609
电源要求
I
DD
I
SS
90
60
100
75
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;
V
S1
=
±
3.5 V, V
S8
= 3.5 V;
测试电路5
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;
V
S
= 3.5 V ;测试电路6
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;
V
S
= 3.5 V ;测试电路7
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;
V
S
= 3.5 V ;测试电路7
V
S
= 0 V ，R
S
= 0
,
C
L
= 1 nF的;
测试电路8
R
L
= 1千欧，C
L
= 15 PF， F = 100千赫;
V
S
= 3 V有效值;测试电路9
R
L
= 1千欧，C
L
= 15 PF， F = 100千赫;
测试电路10
A
典型值
A
最大
A
典型值
A
m
ax
V
IN
= 0 V或V
DD
笔记
1
温度范围如下： B版本： -40 ° C至+ 85°C ; T版： -55 ° C至+ 125°C 。
2
通过设计保证，不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
REV 。一
ADG608/ADG609
单电源
1
参数
(V
DD
= +5 V
10%, V
SS
= 0V ，GND = 0V ，除非另有说明）
T版
+ 25℃ -55 ℃
+125 C
0到V
DD
40
50
5
2
70
6
3
测试条件/
评论
B版本
+25 C
-40 ℃
+85 C
0到V
DD
40
50
5
2
60
6
3
单位
V
典型值
最大
最大
最大
模拟开关
模拟信号范围
R
ON
R
ON
R
ON
MATCH
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
流掉泄漏我
D
（关闭）
ADG608
ADG609
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
ADG608
ADG609
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
2
t
过渡
V
S
= 3.5 V，I
S
= -1毫安;
V
DD
= +4.5 V;
测试电路1
1 V < V
S
< +3 V，I
DS
= -1毫安;
V
DD
= +5 V
V
S
= 0 V，I
DS
= -1毫安;
V
DD
= +5 V
V
DD
= +5.5 V
V
D
= 4.5 V/0.1 V, V
S
= 0.1 V/4.5 V;
测试电路2
V
D
= 4.5 V/0.1 V, V
S
= 0.1 V/4.5 V;
测试电路3
V
S
= V
D
= 4.5 V/0.1 V;
测试电路4
±
0.05
±
0.5
±
0.05
±
0.5
±
0.5
±
0.05
±
0.5
±
0.5
±
2
±
2
±
1
±
3
±
1.5
2.4
0.8
±
1
±
0.05
±
0.5
±
0.05
±
0.5
±
0.5
±
0.05
±
0.5
±
0.5
±
10
±
10
±
5
±
20
±
10
2.4
0.8
±
1
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的最大
V分钟
V最大
A
最大
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
ns（最小值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
pC的典型值
pC的最大值
dB典型值
dB典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
V
IN
= 0或V
DD
5
80
100
10
80
100
40
50
0.5
3
85
85
9
40
20
54
34
0.05
0.2
0.2
2
5
80
100
10
80
100
40
50
0.5
3
85
85
9
40
20
54
34
0.05
0.2
0.2
2
130
150
t
开放
t
ON
（ EN ）
t
关闭
（ EN ）
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
ADG608
ADG609
C
D
（上）
ADG608
ADG609
电源要求
I
DD
130
60
150
75
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;
V
S1
= 3.5 V/0 V, V
S8
= 0 V/3.5 V;
测试电路5
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;
V
S
= 3.5 V ;测试电路6
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;
V
S
= 3.5 V ;测试电路7
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;
V
S
= 3.5 V ;测试电路7
V
S
= 0 V ，R
S
= 0
,
C
L
= 1 nF的;
测试电路8
R
L
= 1千欧，C
L
= 15 PF， F = 100千赫;
V
S
= 1.5 V有效值;测试电路9
R
L
= 1千欧，C
L
= 15 PF， F = 100千赫;
测试电路10
A
典型值
A
最大
V
IN
= 0 V或V
DD
笔记
1
温度范围如下： B版本： -40 ° C至+ 85°C ; T版： -55 ° C至+ 125°C 。
2
通过设计保证，不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
REV 。一
–3–
ADG608/ADG609–SPECIFICATIONS
单电源
1
参数
(V
DD
= +3.3 V
10%, V
SS
= 0V ，GND = 0V ，除非另有说明）
T版
+ 25℃ -55 ℃
+125 C
0到V
DD
60
90
3
±
0.05
±
0.5
±
0.05
±
0.5
±
0.5
±
0.05
±
0.5
±
0.5
120
3
测试条件/
评论
B版本
+25 C
-40 ℃
+85 C
0到V
DD
60
90
3
±
0.05
±
0.5
±
0.05
±
0.5
±
0.5
±
0.05
±
0.5
±
0.5
100
3
单位
V
典型值
最大
最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的最大
V分钟
V最大
A
最大
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
ns（最小值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
pC的典型值
pC的最大值
dB典型值
dB典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
模拟开关
模拟信号范围
R
ON
R
ON
MATCH
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
流掉泄漏我
D
（关闭）
ADG608
ADG609
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
ADG608
ADG609
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
2
t
过渡
V
S
= +1.5 V，I
S
= -1毫安;
V
DD
= + 3V ;测试电路1
V
S
= 0 V，I
DS
= -1毫安，V
DD
= +3.3 V
V
DD
= +3.6 V
V
D
= 2.6 V/0.1 V, V
S
= 0.1 V/2.6 V;
测试电路2
V
D
= 2.6 V/0.1 V, V
S
= 0.1 V/2.6 V;
测试电路3
V
S
= V
D
= 2.6 V/0.1 V;
测试电路4
±
2
±
2
±
1
±
3
±
1.5
2.4
0.8
±
1
±
10
±
10
±
5
±
20
±
10
2.4
0.8
±
1
V
IN
= 0或V
DD
5
120
170
10
120
170
40
60
0.5
3
85
85
9
40
20
54
34
0.05
0.2
0.2
2
5
120
170
10
120
170
40
60
0.5
3
85
85
9
40
20
54
34
0.05
0.2
0.2
2
225
250
t
开放
t
ON
（ EN ）
t
关闭
（ EN ）
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
ADG608
ADG609
C
D
（上）
ADG608
ADG609
电源要求
I
DD
225
75
250
90
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;
V
S1
= 1.5 V/0 V, V
S8
= 0 V/1.5 V;
测试电路5
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;
V
S
= + 1.5V ;测试电路6
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;
V
S
= + 1.5V ;测试电路7
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;
V
S
= + 1.5V ;测试电路7
V
S
= 0 V ，R
S
= 0
,
C
L
= 1 nF的;
测试电路8
R
L
= 1千欧，C
L
= 15 PF， F = 100千赫;
V
S
= 1 V有效值;测试电路9
R
L
= 1千欧，C
L
= 15 PF， F = 100千赫;
测试电路10
A
典型值
A
最大
V
IN
= 0 V或V
DD
笔记
1
温度范围如下： B版本： -40 ° C至+ 85°C ; T版： -55 ° C至+ 125°C 。
2
通过设计保证，不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–4–
REV 。一
ADG608/ADG609
绝对最大额定值
1
(T
A
= + 25 ° C除非另有说明）
V
DD
到V
SS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +13 V
V
DD
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至6.5 V
V
SS
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +0.3 V至-6.5 V
模拟，数字输入
2
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
DD
+ 2 V
或20mA ，以先到者为准
连续电流，S或D 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20毫安
峰值电流，S或D
（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比最大） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40毫安
工作温度范围
工业（B版） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40∞C至+ 85∞C
扩展（T版） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 55 ° C至+ 125°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65∞C至+ 150∞C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
塑料DIP封装
θ
JA
，热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 117 ° C / W
焊接温度，焊接（ 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 260℃
SOIC封装
θ
JA
，热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 77 ° C / W
焊接温度，焊接
气相（60秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 215℃
红外（ 15秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 220℃
TSSOP封装
θ
JA
，热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 158 ° C / W
焊接温度，焊接
气相（60秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 215℃
红外（ 15秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 220℃
ESD额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 >5000 V
笔记
1
条件超过上述“绝对最大额定值”，可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上的任何其他条件，在上市运作
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
只有一个绝对最大额定值可在任一时间施加。
2
过压A，S ， D或EN将由内部二极管钳位。电流应
限于给出的最大额定值。
表一， ADG608真值表
A2
A1
A0
EN
ON开关
表II中。 ADG609真值表
A1
X
0
0
1
1
A0
X
0
1
0
1
EN
0
1
1
1
1
ON开关对
无
1
2
3
4
X
0
0
0
0
1
1
1
1
X
0
0
1
1
0
0
1
1
X
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
1
1
1
1
1
1
1
无
1
2
3
4
5
6
7
8
X =无关
X =无关
销刀豆网络gurations
DIP / SOIC / TSSOP
A0
EN
V
SS
S1
S2
S3
S4
D
1
2
3
4
5
6
7
8
16 A1
15 A2
14 GND
13 V
DD
顶视图
（不按比例） 12 S5
11 S6
10 S7
9 S8
DIP / SOIC / TSSOP
A0
EN
V
SS
S1A
S2A
S3A
S4A
DA
1
2
3
4
5
6
7
8
16 A1
15 GND
14 V
DD
13 S1B
顶视图
（不按比例） 12 S2B
11 S3B
10 S4B
9分贝
ADG608
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