【a1 pC的电荷注入， 100 pA的泄漏CMOS 5 V / 5 V / 3 V 4通道多路复用器】,IC型号ADG604YRU,ADG604YRU PDF资料,ADG604YRU经销商,ic,电子元器件-51电子网

a

1 pC的电荷注入， 100 pA的泄漏

CMOS 5 V / 5 V / 3 V 4通道多路复用器

ADG604

功能框图

ADG604

S1

4

S2

5

6

特点

1 pC的电荷注入（在整个信号范围内）

2.7 V至5.5 V双电源供电

2.7 V至5.5 V单电源供电

汽车级温度范围： -40°C至+ 125

100 pA的最大@ 25℃漏电流

85典型导通电阻

轨到轨工作

快速开关时间

典型功耗（ <0.1 W）

TTL / CMOS兼容输入

14引脚TSSOP封装

应用

自动测试设备

数据采集系统

电池供电仪表

通信系统

采样和保持系统

远程供电设备

音频和视频信号路由

继电器更换

航空电子学

D

S3

11

S4

10

1 4

解码器

1

14

2

A0

A1

EN

概述

产品亮点

该ADG604是CMOS模拟多路复用器，包括四个

单一的渠道。它采用了双电源供电

±

2.7 V至

±

5.5 V ，或2.7 V单电源至5.5 V.

该ADG604开关的四个输入至公共输出1 ，

D，作为由3位二进制地址线确定， A0，A1和

EN 。在EN引脚为逻辑“ 0 ”禁用该设备。

该ADG604提供超低电荷注入

±1.5

PC通过的

整个信号范围和10pA的漏电流典型在25℃ 。

它提供了对85阻力

典型值，其被匹配到在2个

通道之间。该ADG604还具有低功耗，

高开关速度。该ADG604可在一个14引脚

TSSOP封装。

1.超低电荷注入（Q

INJ

:

±

1.5 pC的典型值在整个

信号范围）

2.漏电流<0.5 nA的最大@ 85°C

3.双

±

2.7 V至

±

5.5 V或单2.7 V至5.5 V电源

4.完全指定到125°C

5.小型14引脚TSSOP封装

第0版

信息ADI公司提供的被认为是准确和

可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其

使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯该

可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式

在ADI公司的任何专利或专利权。

一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.

联系电话： 781 / 329-4700

www.analog.com

传真： 781 / 326-8703

ADI公司， 2002年

ADG604–SPECIFICATIONS

双电源

1

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻（R

ON

)

导通电阻之间的匹配

通道（R

ON

)

导通电阻平坦度（R

平（ON）的

)

漏电流

来源OFF漏我

S

（关闭）

流掉泄漏我

D

（关闭）

渠道渗漏我

D,

I

S

（上）

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流

I

INL

还是我

INH

C

IN

数字输入电容

动态特性

2

转换时间

t

ON

启用

t

关闭

启用

突破前先延时，T

BBM

电荷注入

关断隔离

通道到通道的串扰

带宽的-3 dB

C

S

（关闭）

C

D

（关闭）

C

D

, C

S

（上）

电源要求

I

DD

国际空间站

85

115

2

4

25

40

±

0.01

±

0.1

±

0.01

±

0.1

±

0.01

±

0.1

(V

DD

= +5 V

10%, V

SS

= –5 V

25 C

10 ％， GND = 0 V，所有规格-40℃ + 125 C除非另有说明。）

-40 ℃

+85 C

-40 ℃

+125 C

V

SS

到V

DD

140

160

单位

V

典型值

最大

典型值

最大

典型值

最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

A

典型值

A

最大

pF的典型值

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最小值）

pC的典型值

dB典型值

兆赫（典型值）

pF的典型值

A

典型值

A

最大

A

典型值

A

最大

V

IN

= V

INL

或V

INH

V

DD

= +4.5 V, V

SS

= –4.5 V

V

S

=

±

3 V，I

S

= -1毫安，

测试电路1

V

S

=

±

3 V，I

S

= -1毫安

V

S

=

±

3 V，I

S

= -1毫安

V

DD

= +5.5 V, V

SS

= –5.5 V

V

S

=

±

4.5 V, V

D

= 4.5 V,

测试电路2

V

S

=

±

4.5 V, V

D

= 4.5 V,

测试电路2

V

S

= V

D

=

±

4.5 V ，测试电路3

测试条件/评论

5.5

55

6.5

60

±

0.25

±

0.5

±

0.5

±

4

±

8

±

10

2.4

0.8

0.005

±

0.1

2

70

100

80

105

30

45

20

–1

–75

–70

280

5

17

18

0.001

1.0

0.001

1.0

120

130

55

150

65

10

V

S1

= +3 V, V

S4

= -3 V ，R

L

= 300

,

C

L

= 35 pF的，测试电路4

R

L

= 300

,

C

L

= 35 pF的

V

S

= 3 V ，测试电路6

R

L

= 300

,

C

L

= 35 pF的

V

S

= 3 V ，测试电路6

R

L

= 300

,

C

L

= 35 pF的，

V

S1

= V

S2

= 3 V ，测试电路5

V

S

= 0 V ，R

S

= 0

,

C

L

= 1nF的，测试电路7

R

L

= 50

,

C

L

= 5 PF， F = 10MHz时，

测试电路8

R

L

= 50

,

C

L

= 5 PF， F = 10MHz时，

测试电路10

R

L

= 50

,

C

L

= 5 pF的，测试电路9

F = 1 MHz的

V

DD

= +5.5 V, V

SS

= –5.5 V

数字输入= 0 V或5.5 V

笔记

1

版本温度范围： -40 ° C至+ 125°C

2

通过设计保证，不受生产测试。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

–2–

第0版

ADG604

单电源

1

(V

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻（R

ON

)

导通电阻之间的匹配

通道（R

ON

)

漏电流

来源OFF漏我

S

（关闭）

流掉泄漏我

D

（关闭）

渠道渗漏我

D

, I

S

（上）

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流

I

INL

还是我

INH

C

IN

数字输入电容

动态特性

2

转换时间

t

ON

启用

t

关闭

启用

突破前先延时，T

BBM

电荷注入

关断隔离

通道到通道的串扰

带宽的-3 dB

C

S

（关闭）

C

D

（关闭）

C

D

, C

S

（上）

电源要求

I

DD

0.001

1.0

笔记

1

版本温度范围： -40 ° C至+ 125°C

2

通过设计保证，不受生产测试。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

DD

=5V

10%, V

SS

= 0 V ， GND = 0 V.所有规格-40℃ + 125 C除非另有说明。）

25 C

-40 ℃

+85 C

-40 ℃

+125 C

0 V至V

DD

210

290

3

12

±

0.01

±

0.1

±

0.01

±

0.1

±

0.01

±

0.1

13

350

380

单位

V

典型值

最大

典型值

最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

A

典型值

A

最大

pF的典型值

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最小值）

pC的典型值

dB典型值

兆赫（典型值）

pF的典型值

V

IN

= V

INL

或V

INH

V

DD

= 4.5 V, V

SS

= 0 V

V

S

= 3.5 V，I

S

= -1毫安，

测试电路1

V

S

= 3.5 V，I

S

= -1毫安

V

DD

= 5.5 V

V

S

= 1 V/4.5 V, V

D

= 4.5 V/1 V,

测试电路2

V

S

= 1 V/4.5 V, V

D

= 4.5 V/1 V,

测试电路2

V

S

= V

D

= 4.5 V/1 V,

测试电路3

测试条件/评论

±

0.25

±

0.5

±

0.5

±

4

±

8

10

2.4

0.8

0.005

±

0.1

2

90

150

105

150

45

70

30

0.3

–65

–70

250

5

17

18

185

190

80

210

220

90

10

V

S1

= 3 V, V

S4

= 0 V ，R

L

= 300

,

C

L

= 35 pF的，测试电路4

R

L

= 300

,

C

L

= 35 pF的

V

S

= 3 V ，测试电路6

R

L

= 300

,

C

L

= 35 pF的

V

S

= 3 V ，测试电路6

R

L

= 300

,

C

L

= 35 pF的，

V

S1

= V

S2

= 3 V ，测试电路5

V

S

= 0 V ，R

S

= 0

,

C

L

= 1 nF的，

测试电路7

R

L

= 50

,

C

L

= 5 PF， F = 10MHz时，

测试电路8

R

L

= 50

,

C

L

= 5 PF， F = 10MHz时，

测试电路10

R

L

= 50

,

C

L

= 5 pF的，测试电路9

F = 1 MHz的

V

DD

= 5.5 V

数字输入= 0 V或5.5 V

A

典型值

A

最大

第0版

–3–

ADG604–SPECIFICATIONS

单电源

1

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻（R

ON

)

导通电阻之间的匹配

通道（R

ON

)

漏电流

来源OFF漏我

S

（关闭）

流掉泄漏我

D

（关闭）

渠道渗漏我

D

, I

S

（上）

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流

I

INL

还是我

INH

C

IN

数字输入电容

动态特性

2

转换时间

t

ON

启用

t

关闭

启用

突破前先延时，T

BBM

电荷注入

关断隔离

通道到通道的串扰

带宽的-3 dB

C

S

（关闭）

C

D

（关闭）

C

D

, C

S

（上）

电源要求

I

DD

0.001

1.0

笔记

1

版本温度范围： -40 ° C至+ 125°C

2

通过设计保证，不受生产测试。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

(V

DD

= 3 V

10%, V

SS

= 0 V ， GND = 0 V.所有规格-40℃ + 125 C除非另有说明。）

25 C

-40 ℃

+85 C

-40 ℃

+125 C

0 V至V

DD

380

420

460

单位

V

典型值

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

A

典型值

A

最大

pF的典型值

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最小值）

pC的典型值

dB典型值

兆赫（典型值）

pF的典型值

V

IN

= V

INL

或V

INH

V

DD

= 2.7 V, V

SS

= 0 V

V

S

= 1.5 V，I

S

= -1毫安，

测试电路1

V

S

= 1.5 V，I

S

= -1毫安

V

DD

= 3.3 V

V

S

= 1 V/3 V, V

D

= 3 V/1 V,

测试电路2

V

S

= 1 V/3 V, V

D

= 3 V/1 V,

测试电路2

V

S

= V

D

= 1 V/3 V,

测试电路3

测试条件/评论

5

±

0.01

±

0.1

±

0.01

±

0.1

±

0.01

±

0.1

±

0.25

±

0.5

±

0.5

±

4

±

8

±

10

2.0

0.8

0.005

±

0.1

2

170

320

180

250

100

160

100

0.3

–65

70

250

5

17

18

390

265

205

450

390

225

10

V

S1

= 2 V, V

S4

= 0 V ，R

L

= 300

,

C

L

= 35 pF的，测试电路4

R

L

= 300

,

C

L

= 35 pF的

V

S

= 2 V ，测试电路6

R

L

= 300

,

C

L

= 35 pF的

V

S

= 2 V ，测试电路6

R

L

= 300

,

C

L

= 35 pF的，

V

S1

= V

S2

= 2 V ，测试电路5

V

S

= 0 V至3.3 V ，R

S

= 0

,

C

L

= 1

F,

测试电路7

R

L

= 50

,

C

L

= 5 PF， F = 10MHz时，

测试电路8

R

L

= 50

,

C

L

= 5 PF， F = 10MHz时，

测试电路10

R

L

= 50

,

C

L

= 5 pF的，测试电路9

F = 1 MHz的

V

DD

= 3.3 V

数字输入= 0 V或3.3 V

A

典型值

A

最大

–4–

第0版

ADG604

绝对最大额定值

1

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

V

DD

到V

SS

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13 V

V

DD

到GND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 0.3 V至6.5 V

V

SS

到GND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 +0.3 V至-6.5 V

模拟输入

2

. . . . . . . . . . . . . . . . V

SS

0.3 V到V

DD

+ 0.3 V

数字输入

2

。。。。。。。。。。。。。。。。。 0.3 V到V

DD

+ 0.3 V或

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 30毫安，以先到为准

峰值电流，S或D 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 20毫安

（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比最大）

连续电流，S或D 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 10毫安

工作温度范围

汽车（Y版）。。。。。。。。。。。。。。 -40 ° C至+ 125°C

存储温度范围。。。。。。。。。。。。 -65∞C至+ 150∞C

结温。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 150℃

TSSOP封装

JA

热阻抗。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 150 ° C / W

JC

热阻抗。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 27 ° C / W

焊接温度，焊接（ 10秒）。。。。。。。。。 300℃

IR回流焊峰值温度。。。。。。。。。。。。。。。。。 220℃

笔记

1

注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-

新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作

器件在这些或以上的运作中列出的任何其他条件

本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值

长时间条件下可能影响器件的可靠性。只有一个绝对的

最大额定值可在任一时间施加。

2

过压EN， A0，A1 ，S或D将通过内部二极管钳位。当前

应限制在给定的最大额定值。

订购指南

型号选

ADG604YRU

温度范围

-40 ° C至+ 125°C

包装说明

超薄紧缩小型封装（ TSSOP ）

包

RU-14

引脚配置

表一，表真相

A1

A0

1

EN

2

V

SS 3

14

A1

13

GND

A0

X

0

1

0

1

EN

0

1

ON开关

无

1

2

3

4

12

V

DD

顶视图

S1

4

（不按比例）

11

S3

ADG604

S2

5

D

6

NC

7

10

S4

9

8

X

0

1

NC

NC =无连接

小心

ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易

积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然

该ADG604具有专用ESD保护电路，永久性损害可能发生

器件经受高能量静电放电。因此，适当的ESD防范措施

建议避免性能下降或功能丧失。

警告！

ESD敏感器件

第0版

–5–

a

1 pC的电荷注入， 100 pA的泄漏

CMOS 5 V / 5 V / 3 V 4通道多路复用器

ADG604

功能框图

ADG604

S1

4

S2

5

6

特点

1 pC的电荷注入（在整个信号范围内）

2.7 V至5.5 V双电源供电

2.7 V至5.5 V单电源供电

汽车级温度范围： -40°C至+ 125

100 pA的最大@ 25℃漏电流

85典型导通电阻

轨到轨工作

快速开关时间

典型功耗（ <0.1 W）

TTL / CMOS兼容输入

14引脚TSSOP封装

应用

自动测试设备

数据采集系统

电池供电仪表

通信系统

采样和保持系统

远程供电设备

音频和视频信号路由

继电器更换

航空电子学

D

S3

11

S4

10

1 4

解码器

1

14

2

A0

A1

EN

概述

产品亮点

该ADG604是CMOS模拟多路复用器，包括四个

单一的渠道。它采用了双电源供电

±

2.7 V至

±

5.5 V ，或2.7 V单电源至5.5 V.

该ADG604开关的四个输入至公共输出1 ，

D，作为由3位二进制地址线确定， A0，A1和

EN 。在EN引脚为逻辑“ 0 ”禁用该设备。

该ADG604提供超低电荷注入

±1.5

PC通过的

整个信号范围和10pA的漏电流典型在25℃ 。

它提供了对85阻力

典型值，其被匹配到在2个

通道之间。该ADG604还具有低功耗，

高开关速度。该ADG604可在一个14引脚

TSSOP封装。

1.超低电荷注入（Q

INJ

:

±

1.5 pC的典型值在整个

信号范围）

2.漏电流<0.5 nA的最大@ 85°C

3.双

±

2.7 V至

±

5.5 V或单2.7 V至5.5 V电源

4.完全指定到125°C

5.小型14引脚TSSOP封装

第0版

信息ADI公司提供的被认为是准确和

可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其

使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯该

可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式

在ADI公司的任何专利或专利权。

一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.

联系电话： 781 / 329-4700

www.analog.com

传真： 781 / 326-8703

ADI公司， 2002年

ADG604–SPECIFICATIONS

双电源

1

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻（R

ON

)

导通电阻之间的匹配

通道（R

ON

)

导通电阻平坦度（R

平（ON）的

)

漏电流

来源OFF漏我

S

（关闭）

流掉泄漏我

D

（关闭）

渠道渗漏我

D,

I

S

（上）

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流

I

INL

还是我

INH

C

IN

数字输入电容

动态特性

2

转换时间

t

ON

启用

t

关闭

启用

突破前先延时，T

BBM

电荷注入

关断隔离

通道到通道的串扰

带宽的-3 dB

C

S

（关闭）

C

D

（关闭）

C

D

, C

S

（上）

电源要求

I

DD

国际空间站

85

115

2

4

25

40

±

0.01

±

0.1

±

0.01

±

0.1

±

0.01

±

0.1

(V

DD

= +5 V

10%, V

SS

= –5 V

25 C

10 ％， GND = 0 V，所有规格-40℃ + 125 C除非另有说明。）

-40 ℃

+85 C

-40 ℃

+125 C

V

SS

到V

DD

140

160

单位

V

典型值

最大

典型值

最大

典型值

最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

A

典型值

A

最大

pF的典型值

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最小值）

pC的典型值

dB典型值

兆赫（典型值）

pF的典型值

A

典型值

A

最大

A

典型值

A

最大

V

IN

= V

INL

或V

INH

V

DD

= +4.5 V, V

SS

= –4.5 V

V

S

=

±

3 V，I

S

= -1毫安，

测试电路1

V

S

=

±

3 V，I

S

= -1毫安

V

S

=

±

3 V，I

S

= -1毫安

V

DD

= +5.5 V, V

SS

= –5.5 V

V

S

=

±

4.5 V, V

D

= 4.5 V,

测试电路2

V

S

=

±

4.5 V, V

D

= 4.5 V,

测试电路2

V

S

= V

D

=

±

4.5 V ，测试电路3

测试条件/评论

5.5

55

6.5

60

±

0.25

±

0.5

±

0.5

±

4

±

8

±

10

2.4

0.8

0.005

±

0.1

2

70

100

80

105

30

45

20

–1

–75

–70

280

5

17

18

0.001

1.0

0.001

1.0

120

130

55

150

65

10

V

S1

= +3 V, V

S4

= -3 V ，R

L

= 300

,

C

L

= 35 pF的，测试电路4

R

L

= 300

,

C

L

= 35 pF的

V

S

= 3 V ，测试电路6

R

L

= 300

,

C

L

= 35 pF的

V

S

= 3 V ，测试电路6

R

L

= 300

,

C

L

= 35 pF的，

V

S1

= V

S2

= 3 V ，测试电路5

V

S

= 0 V ，R

S

= 0

,

C

L

= 1nF的，测试电路7

R

L

= 50

,

C

L

= 5 PF， F = 10MHz时，

测试电路8

R

L

= 50

,

C

L

= 5 PF， F = 10MHz时，

测试电路10

R

L

= 50

,

C

L

= 5 pF的，测试电路9

F = 1 MHz的

V

DD

= +5.5 V, V

SS

= –5.5 V

数字输入= 0 V或5.5 V

笔记

1

版本温度范围： -40 ° C至+ 125°C

2

通过设计保证，不受生产测试。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

–2–

第0版

ADG604

单电源

1

(V

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻（R

ON

)

导通电阻之间的匹配

通道（R

ON

)

漏电流

来源OFF漏我

S

（关闭）

流掉泄漏我

D

（关闭）

渠道渗漏我

D

, I

S

（上）

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流

I

INL

还是我

INH

C

IN

数字输入电容

动态特性

2

转换时间

t

ON

启用

t

关闭

启用

突破前先延时，T

BBM

电荷注入

关断隔离

通道到通道的串扰

带宽的-3 dB

C

S

（关闭）

C

D

（关闭）

C

D

, C

S

（上）

电源要求

I

DD

0.001

1.0

笔记

1

版本温度范围： -40 ° C至+ 125°C

2

通过设计保证，不受生产测试。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

DD

=5V

10%, V

SS

= 0 V ， GND = 0 V.所有规格-40℃ + 125 C除非另有说明。）

25 C

-40 ℃

+85 C

-40 ℃

+125 C

0 V至V

DD

210

290

3

12

±

0.01

±

0.1

±

0.01

±

0.1

±

0.01

±

0.1

13

350

380

单位

V

典型值

最大

典型值

最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

A

典型值

A

最大

pF的典型值

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最小值）

pC的典型值

dB典型值

兆赫（典型值）

pF的典型值

V

IN

= V

INL

或V

INH

V

DD

= 4.5 V, V

SS

= 0 V

V

S

= 3.5 V，I

S

= -1毫安，

测试电路1

V

S

= 3.5 V，I

S

= -1毫安

V

DD

= 5.5 V

V

S

= 1 V/4.5 V, V

D

= 4.5 V/1 V,

测试电路2

V

S

= 1 V/4.5 V, V

D

= 4.5 V/1 V,

测试电路2

V

S

= V

D

= 4.5 V/1 V,

测试电路3

测试条件/评论

±

0.25

±

0.5

±

0.5

±

4

±

8

10

2.4

0.8

0.005

±

0.1

2

90

150

105

150

45

70

30

0.3

–65

–70

250

5

17

18

185

190

80

210

220

90

10

V

S1

= 3 V, V

S4

= 0 V ，R

L

= 300

,

C

L

= 35 pF的，测试电路4

R

L

= 300

,

C

L

= 35 pF的

V

S

= 3 V ，测试电路6

R

L

= 300

,

C

L

= 35 pF的

V

S

= 3 V ，测试电路6

R

L

= 300

,

C

L

= 35 pF的，

V

S1

= V

S2

= 3 V ，测试电路5

V

S

= 0 V ，R

S

= 0

,

C

L

= 1 nF的，

测试电路7

R

L

= 50

,

C

L

= 5 PF， F = 10MHz时，

测试电路8

R

L

= 50

,

C

L

= 5 PF， F = 10MHz时，

测试电路10

R

L

= 50

,

C

L

= 5 pF的，测试电路9

F = 1 MHz的

V

DD

= 5.5 V

数字输入= 0 V或5.5 V

A

典型值

A

最大

第0版

–3–

ADG604–SPECIFICATIONS

单电源

1

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻（R

ON

)

导通电阻之间的匹配

通道（R

ON

)

漏电流

来源OFF漏我

S

（关闭）

流掉泄漏我

D

（关闭）

渠道渗漏我

D

, I

S

（上）

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流

I

INL

还是我

INH

C

IN

数字输入电容

动态特性

2

转换时间

t

ON

启用

t

关闭

启用

突破前先延时，T

BBM

电荷注入

关断隔离

通道到通道的串扰

带宽的-3 dB

C

S

（关闭）

C

D

（关闭）

C

D

, C

S

（上）

电源要求

I

DD

0.001

1.0

笔记

1

版本温度范围： -40 ° C至+ 125°C

2

通过设计保证，不受生产测试。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

(V

DD

= 3 V

10%, V

SS

= 0 V ， GND = 0 V.所有规格-40℃ + 125 C除非另有说明。）

25 C

-40 ℃

+85 C

-40 ℃

+125 C

0 V至V

DD

380

420

460

单位

V

典型值

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

A

典型值

A

最大

pF的典型值

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最小值）

pC的典型值

dB典型值

兆赫（典型值）

pF的典型值

V

IN

= V

INL

或V

INH

V

DD

= 2.7 V, V

SS

= 0 V

V

S

= 1.5 V，I

S

= -1毫安，

测试电路1

V

S

= 1.5 V，I

S

= -1毫安

V

DD

= 3.3 V

V

S

= 1 V/3 V, V

D

= 3 V/1 V,

测试电路2

V

S

= 1 V/3 V, V

D

= 3 V/1 V,

测试电路2

V

S

= V

D

= 1 V/3 V,

测试电路3

测试条件/评论

5

±

0.01

±

0.1

±

0.01

±

0.1

±

0.01

±

0.1

±

0.25

±

0.5

±

0.5

±

4

±

8

±

10

2.0

0.8

0.005

±

0.1

2

170

320

180

250

100

160

100

0.3

–65

70

250

5

17

18

390

265

205

450

390

225

10

V

S1

= 2 V, V

S4

= 0 V ，R

L

= 300

,

C

L

= 35 pF的，测试电路4

R

L

= 300

,

C

L

= 35 pF的

V

S

= 2 V ，测试电路6

R

L

= 300

,

C

L

= 35 pF的

V

S

= 2 V ，测试电路6

R

L

= 300

,

C

L

= 35 pF的，

V

S1

= V

S2

= 2 V ，测试电路5

V

S

= 0 V至3.3 V ，R

S

= 0

,

C

L

= 1

F,

测试电路7

R

L

= 50

,

C

L

= 5 PF， F = 10MHz时，

测试电路8

R

L

= 50

,

C

L

= 5 PF， F = 10MHz时，

测试电路10

R

L

= 50

,

C

L

= 5 pF的，测试电路9

F = 1 MHz的

V

DD

= 3.3 V

数字输入= 0 V或3.3 V

A

典型值

A

最大

–4–

第0版

ADG604

绝对最大额定值

1

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

V

DD

到V

SS

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13 V

V

DD

到GND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 0.3 V至6.5 V

V

SS

到GND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 +0.3 V至-6.5 V

模拟输入

2

. . . . . . . . . . . . . . . . V

SS

0.3 V到V

DD

+ 0.3 V

数字输入

2

。。。。。。。。。。。。。。。。。 0.3 V到V

DD

+ 0.3 V或

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 30毫安，以先到为准

峰值电流，S或D 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 20毫安

（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比最大）

连续电流，S或D 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 10毫安

工作温度范围

汽车（Y版）。。。。。。。。。。。。。。 -40 ° C至+ 125°C

存储温度范围。。。。。。。。。。。。 -65∞C至+ 150∞C

结温。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 150℃

TSSOP封装

JA

热阻抗。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 150 ° C / W

JC

热阻抗。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 27 ° C / W

焊接温度，焊接（ 10秒）。。。。。。。。。 300℃

IR回流焊峰值温度。。。。。。。。。。。。。。。。。 220℃

笔记

1

注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-

新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作

器件在这些或以上的运作中列出的任何其他条件

本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值

长时间条件下可能影响器件的可靠性。只有一个绝对的

最大额定值可在任一时间施加。

2

过压EN， A0，A1 ，S或D将通过内部二极管钳位。当前

应限制在给定的最大额定值。

订购指南

型号选

ADG604YRU

温度范围

-40 ° C至+ 125°C

包装说明

超薄紧缩小型封装（ TSSOP ）

包

RU-14

引脚配置

表一，表真相

A1

A0

1

EN

2

V

SS 3

14

A1

13

GND

A0

X

0

1

0

1

EN

0

1

ON开关

无

1

2

3

4

12

V

DD

顶视图

S1

4

（不按比例）

11

S3

ADG604

S2

5

D

6

NC

7

10

S4

9

8

X

0

1

NC

NC =无连接

小心

ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易

积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然

该ADG604具有专用ESD保护电路，永久性损害可能发生

器件经受高能量静电放电。因此，适当的ESD防范措施

建议避免性能下降或功能丧失。

警告！

ESD敏感器件

第0版

–5–