【2 Ω ， CMOS ， ± 5 V / + 5 VSPST开关ADG601/ADG602特点低导通】,IC型号ADG602BRM-REEL,ADG602BRM-REEL PDF资料,ADG602BRM-REEL经销商,ic,电子元器件-51电子网

2 Ω ， CMOS ， ± 5 V / + 5 V

SPST开关

ADG601/ADG602

特点

低导通电阻， 2.5 Ω最大

<0.65 Ω导通电阻平坦度

双± 2.7 V至± 5.5 V或单+2.7 V至+5.5 V电源供电

轨到轨输入信号范围

微小的， 6引脚SOT- 23 ; 8引脚MSOP封装;和820微米× 2255微米芯片

低功耗

TTL / CMOS兼容输入

功能方框图

02619-001

ADG601

ADG602

笔记

1.开关所对于逻辑0输入。

图1 。

应用

自动测试设备

电源布线

通信系统

数据采集系统

采样保持系统

航空电子学

继电器更换

电池供电系统

表1.真值表

ADG601 IN

ADG602 IN

开关状态

关闭

概述

该ADG601 / ADG602均为单芯片， CMOS单刀

单掷（SPST ）与接通电阻通常小于

超过2.5 Ω 。低导通电阻的平坦度，使

ADG601 / ADG602非常适合多种应用，

特别是那些需要低失真。这些开关

理想替代机械式继电器，因为他们更

可靠，具有较低的功率要求，并可用

更小的封装尺寸。

该ADG601为常开（NO）开关，而ADG602

是一个常闭（ NC）开关。每个开关的导电性能相同

以及在当设备打开时，与该输入的两个方向

信号范围延伸至供电轨。

该交换机是微小的， 6引脚提供SOT- 23 ; 8引脚MSOP封装;

和820微米× 2255微米芯片。

产品亮点

低导通电阻（ 2Ω典型值）

双± 2.7 V至± 5.5 V或单+2.7 V至+5.5 V电源供电

微小的， 6引脚SOT- 23 ; 8引脚MSOP封装;和820微米× 2255微米芯片

轨到轨输入信号范围

版本C

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ADG601/ADG602

特点................................................. ............................................. 1

应用................................................. ...................................... 1

功能框图............................................... .............. 1

概述................................................ ......................... 1

产品亮点................................................ ........................... 1

修订历史................................................ ............................... 2

规格................................................. .................................... 3

双电源................................................ ................................... 3

单电源................................................ ................................. 4

绝对最大额定值............................................... ............. 5

ESD注意事项................................................ ................................... 5

引脚配置和功能描述............................ 6

典型性能特征.............................................. 7

术语................................................. ...................................... 9

测试电路................................................ ..................................... 10

外形尺寸................................................ ....................... 11

订购指南................................................ .......................... 11

修订历史

3月7日 - 修订版。 B到C版

增加了芯片封装............................................... ..............通用

更改规格............................................... .................. 3

加到图4和表6 ............................................ .................. 6

更改订购指南.............................................. ............ 11

3月6日 - 修订版。 A到版本B

更新格式................................................ ..................通用

更改为6引脚SOT- 23 （ RJ - 6 ）引脚配置................. 6

加入引脚功能描述表........................................ 6

图19 ..............................................变化........................... 9

更新的外形尺寸............................................... ......... 11

更改订购指南.............................................. ............. 11

6月3日 - 修订版。 0到版本A

更改规格............................................... .................. 2

更改订购指南.............................................. ............... 4

更新的外形尺寸............................................... ........... 8

版本C | 12页2

ADG601/ADG602

特定网络阳离子

双电源

= 5 V ± 10%, V

= -5V ± 10％，GND = 0V ，除非另有说明。

表2中。

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻（R

)

导通电阻平坦度（R

平（ON）的

)

漏电流

源关闭泄漏，我

（关闭）

流掉泄漏，我

（关闭）

渠道渗漏，我

, I

（上）

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流I

INL

还是我

INH

数字输入电容，C

动态特性

关闭

电荷注入

关断隔离

带宽的-3 dB

（关闭）

, C

（上）

电源要求

+25°C

B版本

-40 ° C至+ 85°C

到V

2.5

0.35

0.6

±0.01

±0.25

±0.01

±0.25

±0.01

±0.25

5.5

0.4

0.65

单位

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

μA （典型值）

μA（最大值）

pF的典型值

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

pC的典型值

dB典型值

兆赫（典型值）

pF的典型值

μA （典型值）

μA（最大值）

μA （典型值）

μA（最大值）

测试条件/评论

= +4.5 V, V

= –4.5 V

= -4.5 V，I

= -10毫安;参见图15

= ± 3.3 V，I

= -10毫安

= +5.5 V, V

= 5.5 V

= +4.5 V/4.5 V, V

= -4.5 V / + 4.5 V ;参见图16

= +4.5 V/4.5 V, V

= -4.5 V / + 4.5 V ;参见图16

= V

= 4.5 V或-4.5 V ;参见图17

±1

2.4

0.8

0.005

±0.1

120

250

180

145

0.001

1.0

0.001

1.0

= V

INL

或V

INH

155

= 300 Ω, C

= 35 pF的

= 3.3 V ;参见图18

= 300 Ω, C

= 35 pF的

= 3.3 V ;参见图18

= 0 V ，R

= 0 Ω, C

= 1 nF的;参见图19

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 1MHz的;参见图20

= 50 Ω, C

= 5 pF的;参见图21

F = 1 MHz的

= +5.5 V, V

= 5.5 V

数字输入= 0 V或5.5 V

温度范围为B版本为-40 ° C至+ 85°C 。

通过设计保证，不受生产测试。

版本C |第12页3

ADG601/ADG602

单电源

= 5 V ± 10%, V

= 0V ，GND = 0V ，除非另有说明。

表3中。

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻（R

)

导通电阻平坦度（R

平（ON）的

)

漏电流

源关闭泄漏，我

（关闭）

流掉泄漏，我

（关闭）

渠道渗漏，我

, I

（上）

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流I

INL

还是我

INH

数字输入电容，C

动态特性

关闭

电荷注入

关断隔离

带宽的-3 dB

（关闭）

, C

（上）

电源要求

+25°C

B版本

-40 ° C至+ 85°C

0 V至V

3.5

0.2

0.6

单位

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

μA （典型值）

μA（最大值）

pF的典型值

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

pC的典型值

dB典型值

兆赫（典型值）

pF的典型值

μA （典型值）

μA（最大值）

测试条件/评论

= 4.5 V

= 0 V至4.5 V，I

= -10毫安;参见图15

= 1.5 V至3.3 V，I

= -10毫安

= 5.5 V

= 4.5 V/1 V, V

= 1 V / 4.5 V ;参见图16

= 4.5 V/1 V, V

= 1 V / 4.5 V ;参见图16

= V

= 4.5 V或1 V ;参见图17

±0.01

±0.25

±0.01

±0.25

±0.01

±0.25

±1

2.4

0.8

0.005

±0.1

110

220

180

145

0.001

1.0

= V

INL

或V

INH

280

110

= 300 Ω, C

= 35 pF的

= 3.3 V ;参见图18

= 300 Ω, C

= 35 pF的

= 3.3 V ;参见图18

= 0 V ，R

= 0 Ω, C

= 1 nF的;参见图19

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 1MHz的;参见图20

= 50 Ω, C

= 5 pF的;参见图21

F = 1 MHz的

= 5.5 V

数字输入= 0 V或5.5 V

温度范围为B版本为-40 ° C至+ 85°C 。

通过设计保证，不受生产测试。

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ADG601/ADG602

绝对最大额定值

= 25 ℃，除非另有说明。

表4 。

参数

到V

到GND

模拟输入

数字输入

等级

13 V

0.3 V至6.5 V

+0.3 V至-6.5 V

- 0.3 V到V

+ 0.3 V

0.3 V到V

+ 0.3 V或

30毫安（取

先发生）

百毫安

200毫安

-40 ° C至+ 85°C

-65 ° C至+ 150°C

150°C

注意，超出上述绝对最大额定值

可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力

只有等级;该器件在这些或任何功能操作

上述其他条件下的作战指示

本规范的部分，是不是暗示。暴露在绝对

最大额定值条件下工作会影响

器件的可靠性。

只有一个绝对最大额定值可在一个时间被应用。

连续电流，S或D

峰值电流，S或D

（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比最大）

工作温度范围

工业（B版）

存储温度范围

结温

热阻

MSOP

SOT-23

焊接温度，焊接（ 10秒）

IR回流焊，峰值温度

ESD警告

206°C/W

44°C/W

229.6°C/W

91.99°C/W

300°C

220°C

过压IN ，S或D是由内部二极管钳位。当前应

限于给出的最大额定值。

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