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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1643页 > ADG5423BRMZ-RL7
数据表
特点
闭锁免疫任何情况下都
人体模型( HBM ) ESD额定值: 8 kV的
低导通电阻: 13.5 Ω
± 9 V至± 22 V双电源供电
9 V至40 V单电源供电
48 V电源最大额定值
在± 15 V ,± 20 V , 12 V和36 V
V
DD
到V
SS
模拟信号范围
高电压闩锁防,
双通道SPST开关
ADG5421/ADG5423
功能方框图
ADG5421
S1
IN1
D1
D2
IN2
S2
11369-001
开关所对于逻辑0输入
应用
高电压信号路由
自动测试设备
模拟前端电路
精密数据采集
工业仪器仪表
放大器的增益选择
继电器更换
图1 。
ADG5421
ADG5423
S1
IN1
D1
D2
IN2
S2
11369-002
开关所对于逻辑0输入
图2中。
ADG5423
概述
ADG5421/ADG5423
是单芯片工业,
互补金属氧化物半导体(CMOS)的模拟
含有两个独立的闭锁免疫的单开关
单极/单掷( SPST)开关。每个开关导通
同样在两个方向上时,和具有一输入信号
范围延伸至电源。在关断状态下,
信号电平达物资被阻止。两
ADG5421
开关接通为逻辑1输入,而
ADG5423
有一个开关导通和一个开关关断
为逻辑1输入。该
ADG5423
展品突破前先
行动中多路复用器应用。
对这些电阻和导通电阻的平坦度的超低
交换机使他们的数据采集和增益的理想解决方案
切换应用中的低失真是重要的。该
闭锁免疫建设和高ESD额定值使这些
开关在恶劣的环境更加坚固。
产品亮点
1.
沟道隔离可防止闩锁了起来。电介质沟道
分离出的P沟道和N沟道晶体管,从而
防止闩锁,即使在严重过压
条件。
低R
ON
13.5 Ω 。
双电源供电。对于应用中的模拟
信号为双极性时,
ADG5421/ADG5423
可以操作
从双电源供电高达± 22 V
单电源供电。对于应用中的模拟
信号为单极的
ADG5421/ADG5423
从操作
单轨电源高达40 V.
3 V逻辑兼容数字输入: V
INH
= 2.0 V, V
INL
= 0.8 V.
无V
L
逻辑电源要求。
采用10引线MSOP封装。
2.
3.
4.
5.
6.
7.
第0版
文档反馈
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
联系电话: 781.329.4700
2013 ADI公司保留所有权利。
技术支援
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责任承担ADI公司供其使用,也为专利或其他任何侵权行为
第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更,恕不另行通知。没有
获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。
商标和注册商标均为其各自所有者的财产。
ADG5421/ADG5423
目录
特点................................................. ............................................. 1
应用................................................. ...................................... 1
功能框图............................................... .............. 1
概述................................................ ......................... 1
产品亮点................................................ ........................... 1
修订历史................................................ ............................... 2
规格................................................. .................................... 3
± 15 V双电源............................................. .......................... 3
± 20 V双电源............................................. .......................... 4
12 V单电源.............................................. .......................... 5
36 V单电源.............................................. .......................... 6
数据表
每通道, SX或霉素.............................. 7连续电流
绝对最大额定值............................................... ............. 8
ESD注意事项................................................ ................................... 8
引脚配置和功能描述............................ 9
典型性能特征........................................... 10
测试电路................................................ ..................................... 13
术语................................................. ................................... 15
应用信息................................................ .............. 16
沟槽隔离................................................ .......................... 16
外形尺寸................................................ ....................... 17
订购指南................................................ .......................... 17
修订历史
9月13日 - 修订版0 :初始版
第0版|第20页2
数据表
特定网络阳离子
± 15 V双电源供电
V
DD
= +15 V ± 10%, V
SS
=发-15V ± 10% ,GND = 0V ,除非另有说明。
表1中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻,R
ON
导通电阻匹配通道间,
R
ON
导通电阻平坦度,R
平(ON)的
漏电流
源关闭泄漏,我
S
(关闭)
流掉泄漏,我
D
(关闭)
渠道渗漏,我
D
(上) ,我
S
(上)
数字输入
输入高电压,V
INH
输入低电压,V
INL
输入电流I
INL
还是我
INH
数字输入电容,C
IN
动态特性
1
t
ON
t
关闭
突破前先延时,T
D
(仅ADG5423 )
电荷注入,Q
INJ
关断隔离
通道到通道的串扰
总谐波失真+噪声
-3 dB带宽
插入损耗
C
S
(关闭)
C
D
(关闭)
C
D
(开) ,C
S
(上)
电源要求
I
DD
I
SS
V
DD
/V
SS
1
ADG5421/ADG5423
25°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 125°C
V
DD
到V
SS
单位
V
= (典型值)
=最大
= (典型值)
=最大
= (典型值)
=最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA (典型值)
μA(最大值)
pF的典型值
纳秒(典型值)
ns(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最小值)
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
% (典型值)
兆赫(典型值)
dB典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
μA (典型值)
μA(最大值)
μA (典型值)
μA(最大值)
V MIN / V最大
测试条件/评论
13.5
15
0.1
0.8
1.8
2.2
±0.05
±0.25
±0.05
±0.25
±0.1
±0.4
19
23
V
S
= -10 V,I
S
= -10毫安;参见图24
V
DD
= +13.5 V, V
SS
= 13.5 V
V
S
= -10 V,I
S
= -10毫安
1.3
2.7
1.4
3.1
V
S
= -10 V,I
S
= -10毫安
V
DD
= +16.5 V, V
SS
= 16.5 V
V
S
= ±10 V, V
D
=
10 V ;参见图23
V
S
= ±10 V, V
D
=
10 V ;参见图23
V
S
= V
D
= ± 10 V ;参见图22
±1
±1
±4
±10
±10
±20
2.0
0.8
0.002
±0.1
6
185
220
163
196
73
V
IN
= V
GND
或V
DD
273
219
313
242
R
L
= 300 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 10 V ;参见图29
R
L
= 300 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 10 V ;参见图29
R
L
= 300 , C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 10 V ;参见图31
V
S
= 0 V ,R
S
= 0 , C
L
= 1 nF的;看
图30
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF, F = 1MHz的;看
图25
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF, F = 1MHz的;
见图28
R
L
= 1千欧, 15 V P-P中,f = 20Hz到
千赫;参见图26
R
L
= 50 , C
L
= 5 pF的;参见图27
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF, F = 1MHz的;看
图27
V
S
= 0 V , F = 1兆赫
V
S
= 0 V , F = 1兆赫
V
S
= 0 V , F = 1兆赫
V
DD
= +16.5 V, V
SS
= 16.5 V
数字输入= 0 V或V
DD
数字输入= 0 V或V
DD
GND = 0 V
21
95
55
85
0.01
250
1
12
13
44
45
55
0.001
70
1
±9/±22
通过设计保证;不受生产测试。
第0版|第20页3
数据表
± 20 V双电源供电
V
DD
= +20 V ± 10%, V
SS
= -20 V ± 10% ,GND = 0V ,除非另有说明。
表2中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻,R
ON
导通电阻匹配通道间, ΔR
ON
导通电阻平坦度,R
平(ON)的
漏电流
源关闭泄漏,我
S
(关闭)
流掉泄漏,我
D
(关闭)
渠道渗漏,我
D
(上) ,我
S
(上)
数字输入
输入高电压,V
INH
输入低电压,V
INL
输入电流I
INL
还是我
INH
数字输入电容,C
IN
动态特性
1
t
ON
25°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 125°C
V
DD
到V
SS
12.5
14
0.1
0.8
2.3
2.7
±0.05
±0.25
±0.05
±0.25
±0.1
±0.4
18
1.3
3.3
22
1.4
3.7
单位
V
= (典型值)
=最大
= (典型值)
=最大
= (典型值)
=最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA (典型值)
μA(最大值)
pF的典型值
纳秒(典型值)
243
204
276
218
38
电荷注入,Q
INJ
关断隔离
通道到通道的串扰
总谐波失真+噪声
-3 dB带宽
插入损耗
C
S
(关闭)
C
D
(关闭)
C
D
(开) ,C
S
(上)
电源要求
I
DD
I
SS
V
DD
/V
SS
1
ADG5421/ADG5423
测试条件/评论
V
S
= -15 V,I
S
= -10毫安;参见图24
V
DD
= +18 V, V
SS
= 18 V
V
S
= -15 V,I
S
= -10毫安
V
S
= -15 V,I
S
= -10毫安
V
DD
= +22 V, V
SS
= 22 V
V
S
= ±15 V, V
D
=
15 V ;参见图23
V
S
= ±15 V, V
D
=
15 V ;参见图23
V
S
= V
D
= ±15 V ;参见图22
±1
±1
±4
±10
±10
±20
2.0
0.8
0.002
±0.1
6
168
199
156
184
65
120
55
85
0.01
250
0.8
11
12
44
50
70
0.001
V
IN
= V
GND
或V
DD
t
关闭
突破前先延时,T
D
(仅ADG5423 )
ns(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最小值)
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
% (典型值)
兆赫(典型值)
dB典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
μA (典型值)
μA(最大值)
μA (典型值)
μA(最大值)
V MIN / V最大
R
L
= 300 , C
L
= 35 pF的,V
S
= 10 V ;看
图29
V
S
= 10 V ;参见图29
R
L
= 300 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 10 V ;参见图29
R
L
= 300 , C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 10 V ;参见图31
V
S
= 0 V ,R
S
= 0 , C
L
= 1 nF的;看
图30
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF, F = 1MHz的;看
图25
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF, F = 1MHz的;看
图28
R
L
= 1千欧, 20 V P-P中,f = 20Hz到
20千赫;参见图26
R
L
= 50 , C
L
= 5 pF的;参见图27
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF, F = 1MHz的;
参见图27
V
S
= 0 V , F = 1兆赫
V
S
= 0 V , F = 1兆赫
V
S
= 0 V , F = 1兆赫
V
DD
= +22 V, V
SS
= 22 V
数字输入= 0 V或V
DD
数字输入= 0 V或V
DD
GND = 0 V
110
1
±9/±22
通过设计保证;不受生产测试。
第0版|第20页4
数据表
12 V单电源供电
V
DD
= 12 V ± 10%, V
SS
= 0V ,GND = 0V ,除非另有说明。
表3中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻,R
ON
25°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 125°C
0 V至V
DD
26
30
0.1
1
5.5
6.8
±0.05
±0.25
±0.05
±0.25
±0.1
±0.4
±1
±10
38
44
单位
V
= (典型值)
=最大
= (典型值)
=最大
= (典型值)
=最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA (典型值)
μA(最大值)
pF的典型值
纳秒(典型值)
ns(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最小值)
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
% (典型值)
兆赫(典型值)
dB典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
μA (典型值)
μA(最大值)
V MIN / V最大
ADG5421/ADG5423
测试条件/评论
导通电阻之间的匹配
渠道, ΔR
ON
导通电阻平坦度,R
平(ON)的
漏电流
源关闭泄漏,我
S
(关闭)
V
S
= 0 V至10 V,I
S
= -10毫安;看
图24
V
DD
= 10.8 V, V
SS
= 0 V
V
S
= 0 V至10 V,I
S
= -10毫安
1.5
8.3
1.6
12.3
V
S
= 0 V至10 V,I
S
= -10毫安
V
DD
= +13.2 V, V
SS
= 0 V
V
S
= 1 V至10 V ,V
D
= 10 V到1 V ;看
图23
V
S
= 1 V至10 V ,V
D
= 10 V到1 V ;看
图23
V
S
= V
D
= 1 V至10 V ;参见图22
流掉泄漏,我
D
(关闭)
±1
±4
±10
±20
2.0
0.8
渠道渗漏,我
D
(上) ,我
S
(上)
数字输入
输入高电压,V
INH
输入低电压,V
INL
输入电流I
INL
还是我
INH
数字输入电容,C
IN
动态特性
1
t
ON
t
关闭
突破前先延时,T
D
(仅ADG5423 )
电荷注入,Q
INJ
关断隔离
通道到通道的串扰
总谐波失真+噪声
-3 dB带宽
插入损耗
C
S
(关闭)
C
D
(关闭)
C
D
(开) ,C
S
(上)
电源要求
I
DD
V
DD
1
0.002
±0.1
6
295
370
192
235
142
V
IN
= V
GND
或V
DD
470
273
540
295
R
L
= 300 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 8 V ;参见图29
R
L
= 300 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 8 V ;参见图29
R
L
= 300 , C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 8 V ;参见图31
V
S
= 6 V ,R
S
= 0 , C
L
= 1 nF的;看
图30
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF, F = 1MHz的;看
图25
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF, F = 1MHz的;看
图28
R
L
= 1千欧, 6伏峰 - 峰值中,f = 20Hz到
20千赫;参见图26
R
L
= 50 , C
L
= 5 pF的;参见图27
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF, F = 1MHz的;看
图27
V
S
= 6 V , F = 1兆赫
V
S
= 6 V , F = 1兆赫
V
S
= 6 V , F = 1兆赫
V
DD
= 13.2 V
数字输入= 0 V或V
DD
GND = 0 V ,V
SS
= 0 V
78
55
55
85
0.03
290
1.7
14
15
38
40
50
65
9/40
通过设计保证;不受生产测试。
第0版|第20页5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    ADG5423BRMZ-RL7
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2891128682 复制

电话:18820154873
联系人:李
地址:华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋西6层C6A10
ADG5423BRMZ-RL7
ADI/亚德诺
25+
88280
原厂授权一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
ADG5423BRMZ-RL7
ADI/亚德诺
21+
16800
MSOP10
全新原装正品/质量有保证
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电话:13537790913
联系人:朱成平
地址:深圳市龙岗区平湖街道良安田社区茗萃园三期12号楼,13号楼12楼B座401
ADG5423BRMZ-RL7
ADI
21+
3860
10-MSOP
原装现货,只做原装
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
ADG5423BRMZ-RL7
Analog Devices Inc.
24+
10000
10-MSOP
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
ADG5423BRMZ-RL7
Analog Devices Inc.
24+
10000
10-TFSOP
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
ADG5423BRMZ-RL7
ADI
24+
10000
MSOP10
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
ADG5423BRMZ-RL7
AD
24+
10000
10-Lead MSOP
原厂一级代理,原装现货
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
ADG5423BRMZ-RL7
ADI
2443+
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