CMOS锁存
4- / 8通道模拟多路复用器
ADG528A/ADG529A
特点
44 V电源最大额定值
V
SS
到V
DD
模拟信号范围
单/双电源规格
宽电源电压范围（ 10.8 V至16.5 V ）
微处理器兼容（ 100纳秒
WR
脉冲）
扩展塑料温度范围
（ -40℃至+ 85℃）
低漏电（ 20 pA的典型值）
低功耗（ 28毫瓦最大）
可提供18引脚DIP / SOIC和20引脚PLCC封装
更好的选择：
DG528
DG529
功能方框图
概述
产品亮点
该ADG528A和ADG529A是单片CMOS模拟
多路复用器8通道和四个双通道， respec-
tively 。片内锁存器有利于与微处理器的接口。该
ADG528A开关8路输入之一到一个公共输出
取决于三个二进制地址和一个使能状态
输入。该ADG529A切换4路差分输入之一
公共差分输出，这取决于两种状态
二进制地址和一个使能输入。两款器件均提供TTL
和5 V CMOS逻辑兼容数字输入。
该ADG528A和ADG529A是在增强的设计
LC
2
MOS工艺，它给出了一个信号，提高能力
V
SS
到V
DD
并能工作在较宽范围内的供应
电压。该装置可以在任何地方，在舒适地操作
10.8 V至16.5 V单电源或双电源范围。这些multiplex-
ERS还具有高开关和低R
ON
.
1.单/双电源规格具有广泛的耐受性。
这些器件在10.8 V至16.5 V范围内的指定
无论单核和双电源。
2.简便的连接
该ADG528A和ADG529A可以很容易地与
微处理器。该
WR
信号锁存的状态
地址控制线和使能线。该
RS
信号
清除在锁存器中两个地址和使能数据result-
荷兰国际集团在没有输出（全部关闭） 。
RS
可连接至所述
微处理器复位引脚。
3.扩展信号范围
增强型LC
2
在一个高的击穿MOS处理结果
和V的增加的模拟信号范围
SS
到V
DD
.
4.先开后合式开关
交换机可以保证先开后合做，使输入
信号免受瞬时短路。
5.低漏
在20 pA的范围内的漏电流，使这些多路转换器
适合于高精度电路。
版本B
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯该
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式
在ADI公司的任何专利或专利权。商标
注册商标均为其各自所有者的财产。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781 / 329-4700
www.analog.com
传真： 781 / 326-8703
2004 ADI公司保留所有权利。
ADG528A/ADG529A–SPECIFICATIONS
双电源
(V
DD
= 10.8 V至16.5 V ，V
SS
= -10.8 V至-16.5 V时，除非另有说明。 ）
ADG528A
ADG529A
K版
-40 ° C至
+25°C +85°C
V
SS
V
DD
280
450
300
R
ON
漂移
R
ON
MATCH
I
S
（关） ，关闭输入
泄漏
I
D
（关） ，关闭输入
泄漏
ADG528A
ADG529A
I
D
（上） ，在通道
泄漏
ADG528A
ADG529A
I
差异
，差分关闭
输出漏
（ ADG529A只）
0.6
5
0.02
1
0.04
1
1
0.04
1
1
50
100
50
100
50
25
2.4
0.8
1
8
200
300
50
25
200
300
200
300
100
V
SS
V
DD
600
400
ADG528A
ADG528A
ADG529A
ADG529A
B版本
T版
-40 ° C至
-55℃
+25°C +85°C
+25°C +125°C
V
SS
V
DD
280
450
300
0.6
5
0.02
1
0.04
1
1
0.04
1
1
50
100
50
100
50
25
2.4
0.8
1
8
200
300
50
25
200
300
200
300
100
V
SS
V
DD
600
400
V
SS
V
DD
280
450
300
0.6
5
0.02
1
0.04
1
1
0.04
1
1
V
SS
V
DD
600
400
参数
模拟开关
模拟信号范围
R
ON
单位
V分钟
V最大
典型值
最大
最大
最大
％/℃ （典型值）
％ （典型值）
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的最大
nA的最大
V分钟
V最大
A
最大
pF的最大
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
dB典型值
分贝分钟
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
pC的典型值
评论
–10 V
≤
V
S
≤
+10 V，I
DS
= 1毫安;
测试电路1
V
DD
= 15 V (± 10%), V
SS
= –15 V (±10%)
V
DD
= 15 V (± 5%), V
SS
= –15 V (± 5%)
–10 V
≤
V
S
≤
+10 V，I
DS
= 1毫安
–10 V
≤
V
S
≤
+10 V，I
DS
= 1毫安
V1 =
±
10 V, V2 =
V1 =
±
10 V, V2 =
10 V ;测试电路2
10 V ;测试电路3
50
100
50
100
50
25
2.4
0.8
1
V1 =
±
10 V, V2 =
10 V ;测试电路4
V1 =
±
10 V, V2 =
10 V ;测试电路5
数字控制
V
INH
，输入高电压
V
INL
，输入低电压
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入
电容
8
V
IN
= 0至V
DD
动态特性
1
t
过渡
200
300
400
t
开放
50
25
10
t
ON
（ EN ，
WR ）
200
300
400
t
关闭
（ EN ，
RS）
200
300
400
t
W
把脉冲宽度
100
120
t
S
地址
使建立时间
100
t
H
，地址，
能保持时间
10
t
RS
复位脉冲宽度
100
关断隔离
68
50
5
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
ADG528A
22
ADG529A
11
Q
INJ
，电荷注入
4
V1 =
±
10 V, V2 =
测试电路7
10 V ;测试电路6
400
10
400
400
120
100
10
100
400
10
400
400
130
100
10
100
测试电路8和9的
测试电路8和10
见图1
见图1
见图1
见图2
V
EN
= 0.8 V ，R
L
= 1千欧，C
L
= 15 pF的，
V
S
= 7 V RMS， F = 100千赫
V
EN
= 0.8 V
V
EN
= 0.8 V
R
S
= 0
,
V
S
= 0 V ;测试电路11
68
50
5
22
11
4
68
50
5
22
11
4
–2–
版本B
ADG528A/ADG529A
ADG528A
ADG529A
K版
-40 ° C至
+25°C +85°C
0.6
1.5
I
SS
功耗
20
0.2
10
2.8
记
1
在+ 25 ° C样品测试，以确保合规性。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
参数
电源
I
DD
ADG528A
ADG528A
ADG529A
ADG529A
B版本
T版
-40 ° C至
-55℃
+25°C +85°C
+25°C +125°C
0.6
1.5
20
0.2
10
2.8
10
2.8
20
0.2
0.6
1.5
单位
评论
毫安（典型值） V
IN
= V
INL
或V
INH
最大mA
A
典型值
V
IN
= V
INL
或V
INH
最大mA
毫瓦（典型值）
毫瓦MAX
单电源
(V
DD
= 10.8 V至16.5 V ，V
SS
= GND = 0V时，除非另有说明。 ）
ADG528A
ADG529A
K版
-40 ° C至
+25°C +85°C
GND GND
V
DD
V
DD
500
ADG528A
ADG528A
ADG529A
ADG529A
B版本
T版
-40 ° C至
-55℃
+25°C +85°C
+25°C +125°C
GND GND
V
DD
V
DD
500
1000
700
0.6
5
0.02
1
0.04
1
1
0.04
1
1
1000
GND GND
V
DD
V
DD
500
700
0.6
0.02
1
0.04
1
1
0.04
1
1
1000
5
50
100
50
100
50
25
50
100
50
100
50
25
参数
模拟开关
模拟信号范围
R
ON
单位
V分钟
V最大
典型值
评论
R
ON
漂移
R
ON
MATCH
I
S
（关） ，关闭输入
泄漏
I
D
（关） ，关闭输入
泄漏
ADG528A
ADG529A
I
D
（上） ，在通道
泄漏
ADG528A
ADG529A
I
差异
，差分关闭
输出漏
（ ADG529A只）
700
0.6
5
0.02
1
0.04
1
1
0.04
1
1
最大
％/℃典型值GND
≤
V
S
≤
+10 V，I
DS
- 0.5毫安
％ （典型值）
GND
≤
V
S
≤
+10 V，I
DS
- 0.5毫安
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的最大
nA的最大
GND
≤
V
S
≤
+10 V，I
DS
= 0.5毫安;
测试电路1
50
100
50
100
50
25
V1 = + 10V / GND ， V2 = GND / + 10 V ;
测试电路2
V1 = + 10V / GND ， V2 = GND / + 10 V ;
测试电路3
V1 = + 10V / GND ， V2 = GND / + 10 V ;
测试电路4
V1 = + 10V / GND ， V2 = GND / + 10 V ;
测试电路5
数字控制
V
INH
，输入高电压
V
INL
，输入低电压
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入
电容
8
动态特性
1
t
过渡
300
t
开放
t
ON
（ EN ，
WR ）
t
关闭
（ EN ，
RS）
t
W
把脉冲宽度
450
50
25
250
450
250
450
100
2.4
0.8
1
8
300
600
10
600
600
120
450
50
25
250
450
250
450
100
2.4
0.8
1
8
300
600
10
600
600
120
450
50
25
250
450
250
450
100
2.4
0.8
1
V分钟
V最大
A
最大
pF的最大
纳秒（典型值）
V
IN
= 0至V
DD
V1 = + 10V / GND ， V2 = GND / + 10 V ;
测试电路6
测试电路7
测试电路8和9的
测试电路8和10
见图1
600
10
600
600
130
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
ns（最小值）
版本B
–3–
ADG528A/ADG529A
销刀豆网络gurations
DIP / SOIC
PLCC
绝对最大额定值
1
(T
A
= + 25℃ ，除非另有说明）
V
DD
到V
SS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44 V
V
DD
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25 V
V
SS
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -25 V
模拟输入
2
电压S，D 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
SS
- 2 V到V
DD
+ 2 V或20 mA时，
以先到为准科幻RST
连续电流，S或D 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20毫安
脉冲电流，S或D
1毫秒的时间， 10 ％的占空比。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40毫安
数字输入
1
电压A， EN ，
WR ， RS
. . . . . . V
SS
- 4 V至
DD
+ 4 V或
20 mA，且以先到者为准
功率耗散（任何套餐）
到+ 75 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 470毫瓦
减额高于+ 75 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6毫瓦/°C的
工作温度
商业（K版） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
工业（B版） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
扩展（T版） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至+ 125°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
引线温度（焊接， 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
笔记
1
条件超过上述“绝对最大额定值”，可能会造成永久性的
损坏设备。这是一个压力等级的设备只有和功能操作
在这些或任何上述其他条件，这个业务部门所标明
特定网络阳离子是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间可能会影响器件的可靠性。
2
过压A， EN ，
WR ， RS ，
S或D的调用通过二极管被钳位。电流应
被限制在最大额定值以上。
订购指南
模型
ADG528AKN
ADG528AKP
ADG528AKP-REEL
ADG528ABQ
ADG528ATQ
ADG528ABCHIPS
ADG528ATCHIPS
ADG529AKN
ADG529AKP
ADG529AKRW
ADG529AKRW-REEL
ADG529AKRW-REEL7
ADG529ABQ
ADG529ATQ
ADG529ABCHIPS
ADG529ATCHIPS
温度
范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
包
描述
PDIP
PLCC
PLCC
CERDIP
CERDIP
DIE
DIE
PDIP
PLCC
SOIC
SOIC
SOIC
CERDIP
CERDIP
DIE
DIE
包
选项
1
N-18
P-20A
P-20A
Q-18
Q-18
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
N-18
P-20A
RW-18
RW-18
RW-18
Q-18
Q-18
笔记
1
N =塑料DIP ; P =塑料有引线芯片载体（ PLCC ） ; Q = CERDIP ; RW = SOIC 。
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然
ADG528A / ADG529A具有专用ESD保护电路，可能会导致永久性损坏
在遇到高能量静电放电设备。因此，适当的ESD防范措施
建议避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
版本B
–5–
CMOS锁存
4- / 8通道模拟多路复用器
ADG528A/ADG529A
特点
44 V电源最大额定值
V
SS
到V
DD
模拟信号范围
单/双电源规格
宽电源电压范围（ 10.8 V至16.5 V ）
微处理器兼容（ 100纳秒
WR
脉冲）
扩展塑料温度范围
（ -40℃至+ 85℃）
低漏电（ 20 pA的典型值）
低功耗（ 28毫瓦最大）
可提供18引脚DIP / SOIC和20引脚PLCC封装
更好的选择：
DG528
DG529
功能方框图
概述
产品亮点
该ADG528A和ADG529A是单片CMOS模拟
多路复用器8通道和四个双通道， respec-
tively 。片内锁存器有利于与微处理器的接口。该
ADG528A开关8路输入之一到一个公共输出
取决于三个二进制地址和一个使能状态
输入。该ADG529A切换4路差分输入之一
公共差分输出，这取决于两种状态
二进制地址和一个使能输入。两款器件均提供TTL
和5 V CMOS逻辑兼容数字输入。
该ADG528A和ADG529A是在增强的设计
LC
2
MOS工艺，它给出了一个信号，提高能力
V
SS
到V
DD
并能工作在较宽范围内的供应
电压。该装置可以在任何地方，在舒适地操作
10.8 V至16.5 V单电源或双电源范围。这些multiplex-
ERS还具有高开关和低R
ON
.
1.单/双电源规格具有广泛的耐受性。
这些器件在10.8 V至16.5 V范围内的指定
无论单核和双电源。
2.简便的连接
该ADG528A和ADG529A可以很容易地与
微处理器。该
WR
信号锁存的状态
地址控制线和使能线。该
RS
信号
清除在锁存器中两个地址和使能数据result-
荷兰国际集团在没有输出（全部关闭） 。
RS
可连接至所述
微处理器复位引脚。
3.扩展信号范围
增强型LC
2
在一个高的击穿MOS处理结果
和V的增加的模拟信号范围
SS
到V
DD
.
4.先开后合式开关
交换机可以保证先开后合做，使输入
信号免受瞬时短路。
5.低漏
在20 pA的范围内的漏电流，使这些多路转换器
适合于高精度电路。
版本B
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯该
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式
在ADI公司的任何专利或专利权。商标
注册商标均为其各自所有者的财产。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781 / 329-4700
www.analog.com
传真： 781 / 326-8703
2004 ADI公司保留所有权利。
ADG528A/ADG529A–SPECIFICATIONS
双电源
(V
DD
= 10.8 V至16.5 V ，V
SS
= -10.8 V至-16.5 V时，除非另有说明。 ）
ADG528A
ADG529A
K版
-40 ° C至
+25°C +85°C
V
SS
V
DD
280
450
300
R
ON
漂移
R
ON
MATCH
I
S
（关） ，关闭输入
泄漏
I
D
（关） ，关闭输入
泄漏
ADG528A
ADG529A
I
D
（上） ，在通道
泄漏
ADG528A
ADG529A
I
差异
，差分关闭
输出漏
（ ADG529A只）
0.6
5
0.02
1
0.04
1
1
0.04
1
1
50
100
50
100
50
25
2.4
0.8
1
8
200
300
50
25
200
300
200
300
100
V
SS
V
DD
600
400
ADG528A
ADG528A
ADG529A
ADG529A
B版本
T版
-40 ° C至
-55℃
+25°C +85°C
+25°C +125°C
V
SS
V
DD
280
450
300
0.6
5
0.02
1
0.04
1
1
0.04
1
1
50
100
50
100
50
25
2.4
0.8
1
8
200
300
50
25
200
300
200
300
100
V
SS
V
DD
600
400
V
SS
V
DD
280
450
300
0.6
5
0.02
1
0.04
1
1
0.04
1
1
V
SS
V
DD
600
400
参数
模拟开关
模拟信号范围
R
ON
单位
V分钟
V最大
典型值
最大
最大
最大
％/℃ （典型值）
％ （典型值）
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的最大
nA的最大
V分钟
V最大
A
最大
pF的最大
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
dB典型值
分贝分钟
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
pC的典型值
评论
–10 V
≤
V
S
≤
+10 V，I
DS
= 1毫安;
测试电路1
V
DD
= 15 V (± 10%), V
SS
= –15 V (±10%)
V
DD
= 15 V (± 5%), V
SS
= –15 V (± 5%)
–10 V
≤
V
S
≤
+10 V，I
DS
= 1毫安
–10 V
≤
V
S
≤
+10 V，I
DS
= 1毫安
V1 =
±
10 V, V2 =
V1 =
±
10 V, V2 =
10 V ;测试电路2
10 V ;测试电路3
50
100
50
100
50
25
2.4
0.8
1
V1 =
±
10 V, V2 =
10 V ;测试电路4
V1 =
±
10 V, V2 =
10 V ;测试电路5
数字控制
V
INH
，输入高电压
V
INL
，输入低电压
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入
电容
8
V
IN
= 0至V
DD
动态特性
1
t
过渡
200
300
400
t
开放
50
25
10
t
ON
（ EN ，
WR ）
200
300
400
t
关闭
（ EN ，
RS）
200
300
400
t
W
把脉冲宽度
100
120
t
S
地址
使建立时间
100
t
H
，地址，
能保持时间
10
t
RS
复位脉冲宽度
100
关断隔离
68
50
5
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
ADG528A
22
ADG529A
11
Q
INJ
，电荷注入
4
V1 =
±
10 V, V2 =
测试电路7
10 V ;测试电路6
400
10
400
400
120
100
10
100
400
10
400
400
130
100
10
100
测试电路8和9的
测试电路8和10
见图1
见图1
见图1
见图2
V
EN
= 0.8 V ，R
L
= 1千欧，C
L
= 15 pF的，
V
S
= 7 V RMS， F = 100千赫
V
EN
= 0.8 V
V
EN
= 0.8 V
R
S
= 0
,
V
S
= 0 V ;测试电路11
68
50
5
22
11
4
68
50
5
22
11
4
–2–
版本B
ADG528A/ADG529A
ADG528A
ADG529A
K版
-40 ° C至
+25°C +85°C
0.6
1.5
I
SS
功耗
20
0.2
10
2.8
记
1
在+ 25 ° C样品测试，以确保合规性。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
参数
电源
I
DD
ADG528A
ADG528A
ADG529A
ADG529A
B版本
T版
-40 ° C至
-55℃
+25°C +85°C
+25°C +125°C
0.6
1.5
20
0.2
10
2.8
10
2.8
20
0.2
0.6
1.5
单位
评论
毫安（典型值） V
IN
= V
INL
或V
INH
最大mA
A
典型值
V
IN
= V
INL
或V
INH
最大mA
毫瓦（典型值）
毫瓦MAX
单电源
(V
DD
= 10.8 V至16.5 V ，V
SS
= GND = 0V时，除非另有说明。 ）
ADG528A
ADG529A
K版
-40 ° C至
+25°C +85°C
GND GND
V
DD
V
DD
500
ADG528A
ADG528A
ADG529A
ADG529A
B版本
T版
-40 ° C至
-55℃
+25°C +85°C
+25°C +125°C
GND GND
V
DD
V
DD
500
1000
700
0.6
5
0.02
1
0.04
1
1
0.04
1
1
1000
GND GND
V
DD
V
DD
500
700
0.6
0.02
1
0.04
1
1
0.04
1
1
1000
5
50
100
50
100
50
25
50
100
50
100
50
25
参数
模拟开关
模拟信号范围
R
ON
单位
V分钟
V最大
典型值
评论
R
ON
漂移
R
ON
MATCH
I
S
（关） ，关闭输入
泄漏
I
D
（关） ，关闭输入
泄漏
ADG528A
ADG529A
I
D
（上） ，在通道
泄漏
ADG528A
ADG529A
I
差异
，差分关闭
输出漏
（ ADG529A只）
700
0.6
5
0.02
1
0.04
1
1
0.04
1
1
最大
％/℃典型值GND
≤
V
S
≤
+10 V，I
DS
- 0.5毫安
％ （典型值）
GND
≤
V
S
≤
+10 V，I
DS
- 0.5毫安
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的最大
nA的最大
GND
≤
V
S
≤
+10 V，I
DS
= 0.5毫安;
测试电路1
50
100
50
100
50
25
V1 = + 10V / GND ， V2 = GND / + 10 V ;
测试电路2
V1 = + 10V / GND ， V2 = GND / + 10 V ;
测试电路3
V1 = + 10V / GND ， V2 = GND / + 10 V ;
测试电路4
V1 = + 10V / GND ， V2 = GND / + 10 V ;
测试电路5
数字控制
V
INH
，输入高电压
V
INL
，输入低电压
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入
电容
8
动态特性
1
t
过渡
300
t
开放
t
ON
（ EN ，
WR ）
t
关闭
（ EN ，
RS）
t
W
把脉冲宽度
450
50
25
250
450
250
450
100
2.4
0.8
1
8
300
600
10
600
600
120
450
50
25
250
450
250
450
100
2.4
0.8
1
8
300
600
10
600
600
120
450
50
25
250
450
250
450
100
2.4
0.8
1
V分钟
V最大
A
最大
pF的最大
纳秒（典型值）
V
IN
= 0至V
DD
V1 = + 10V / GND ， V2 = GND / + 10 V ;
测试电路6
测试电路7
测试电路8和9的
测试电路8和10
见图1
600
10
600
600
130
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
ns（最小值）
版本B
–3–
ADG528A/ADG529A
销刀豆网络gurations
DIP / SOIC
PLCC
绝对最大额定值
1
(T
A
= + 25℃ ，除非另有说明）
V
DD
到V
SS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44 V
V
DD
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25 V
V
SS
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -25 V
模拟输入
2
电压S，D 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
SS
- 2 V到V
DD
+ 2 V或20 mA时，
以先到为准科幻RST
连续电流，S或D 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20毫安
脉冲电流，S或D
1毫秒的时间， 10 ％的占空比。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40毫安
数字输入
1
电压A， EN ，
WR ， RS
. . . . . . V
SS
- 4 V至
DD
+ 4 V或
20 mA，且以先到者为准
功率耗散（任何套餐）
到+ 75 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 470毫瓦
减额高于+ 75 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6毫瓦/°C的
工作温度
商业（K版） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
工业（B版） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
扩展（T版） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至+ 125°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
引线温度（焊接， 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
笔记
1
条件超过上述“绝对最大额定值”，可能会造成永久性的
损坏设备。这是一个压力等级的设备只有和功能操作
在这些或任何上述其他条件，这个业务部门所标明
特定网络阳离子是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间可能会影响器件的可靠性。
2
过压A， EN ，
WR ， RS ，
S或D的调用通过二极管被钳位。电流应
被限制在最大额定值以上。
订购指南
模型
ADG528AKN
ADG528AKP
ADG528AKP-REEL
ADG528ABQ
ADG528ATQ
ADG528ABCHIPS
ADG528ATCHIPS
ADG529AKN
ADG529AKP
ADG529AKRW
ADG529AKRW-REEL
ADG529AKRW-REEL7
ADG529ABQ
ADG529ATQ
ADG529ABCHIPS
ADG529ATCHIPS
温度
范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
包
描述
PDIP
PLCC
PLCC
CERDIP
CERDIP
DIE
DIE
PDIP
PLCC
SOIC
SOIC
SOIC
CERDIP
CERDIP
DIE
DIE
包
选项
1
N-18
P-20A
P-20A
Q-18
Q-18
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
N-18
P-20A
RW-18
RW-18
RW-18
Q-18
Q-18
笔记
1
N =塑料DIP ; P =塑料有引线芯片载体（ PLCC ） ; Q = CERDIP ; RW = SOIC 。
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然
ADG528A / ADG529A具有专用ESD保护电路，可能会导致永久性损坏
在遇到高能量静电放电设备。因此，适当的ESD防范措施
建议避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
版本B
–5–
QQ：2880707522 复制
