【高电压闩锁防，四通道SPST开关ADG5212/ADG5213特点闭锁证明3 pF的断源极电容5 p】,IC型号ADG5213BRUZ-RL7,ADG5213BRUZ-RL7 PDF资料,ADG5213BRUZ-RL7经销商,ic,电子元器件-51电子网

高电压闩锁防，

四通道SPST开关

ADG5212/ADG5213

特点

闭锁证明

3 pF的断源极电容

5 pF的断漏极电容

0.07 pC的电荷注入

低泄漏： 0.2 nA（最大值），在85℃

± 9 V至± 22 V双电源供电

9 V至40 V单电源供电

48 V电源最大额定值

在± 15 V ，± 20 V ， 12 V和36 V

到V

模拟信号范围

功能方框图

IN1

IN2

IN1

ADG5212

IN3

ADG5213

IN4

09767-001

应用

自动测试设备

数据采集

仪器仪表

航空电子学

音频和视频切换

通信系统

IN4

开关所对于逻辑1输入。

图1 。

概述

该ADG5212 / ADG5213内置四个独立的单

单极/单掷（ SPST）开关。该ADG5212开关

打开与逻辑1。 ADG5213有两个开关，

类似于ADG5212的数字控制逻辑;不过，

的逻辑相反的其它两个开关。每个开关

导电性能相同，在两个方向上时，与每

开关具有延伸到电源的输入信号范围。

在断开条件下，信号电平的电源被阻止。

的ADG5212和ADG5213不具有V

引脚。数码

输入与3 V逻辑输入在全兼容

工作电源电压范围。

超低电容和电荷注入这些开关的

使他们的数据采集和采样和理想的解决方案

持应用中，低毛刺和快速建立时间是必需的。

快速开关速度及高信号带宽一起做

适合视频信号切换部分。

产品亮点

海沟隔离可防止闩锁。

电介质沟道分开的P和N沟道晶体管，

从而防止闩锁，即使在严重过压

条件。

超低电容和<1 pC的电荷注入。

双电源供电。

对于应用中的双极性模拟信号，所述

ADG5212 / ADG5213可以从双电源供电

高达±22 V

单电源工作。

对于应用程序，当该模拟信号是单极的，该

ADG5212 / ADG5213可以从一个单一的轨道进行操作

高达40V的电源

3 V逻辑兼容数字输入。

INH

= 2.0 V, V

INL

= 0.8 V.

无V

逻辑电源要求。

第0版

信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而，没有

责任承担ADI公司供其使用，也为专利或其他任何侵权行为

第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更，恕不另行通知。没有

获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。

商标和注册商标均为其各自所有者的财产。

一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.

联系电话： 781.329.4700

www.analog.com

传真： 781.461.3113

ADG5212/ADG5213

特点................................................. ............................................. 1

应用................................................. ...................................... 1

功能框图............................................... .............. 1

概述................................................ ......................... 1

产品亮点................................................ ........................... 1

修订历史................................................ ............................... 2

规格................................................. .................................... 3

± 15 V双电源............................................. .......................... 3

± 20 V双电源............................................. .......................... 4

12 V单电源.............................................. .......................... 5

36 V单电源.............................................. .......................... 6

每通道， SX或霉素.............................. 7连续电流

绝对最大额定值............................................... ............. 8

ESD注意事项................................................ ................................... 8

引脚配置和功能描述............................ 9

典型性能特征........................................... 10

测试电路................................................ ..................................... 14

术语................................................. ................................... 16

沟槽隔离................................................ .............................. 17

应用信息................................................ .............. 18

外形尺寸................................................ ....................... 19

订购指南................................................ .......................... 19

修订历史

4月11日 - 修订版0 ：初始版

第0版|第20页2

ADG5212/ADG5213

特定网络阳离子

± 15 V双电源供电

= +15 V ± 10%, V

=发-15V ± 10％，GND = 0V ，除非另有说明。

表1中。

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻，R

25°C

-40 ° C至+ 85°C

-40 ° C至+ 125°C

到V

160

200

0.01

0.1

0.01

0.1

0.02

0.2

0.4

250

280

单位

V最大

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

μA （典型值）

μA（最大值）

pF的典型值

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最小值）

pC的典型值

dB典型值

兆赫（典型值）

dB典型值

pF的典型值

μA （典型值）

μA（最大值）

μA （典型值）

μA（最大值）

V MIN / V最大

测试条件/评论

导通电阻匹配通道间， ΔR

导通电阻平坦度，R

平（ON）的

漏电流

源关闭泄漏，我

（关闭）

= -10 V，I

= -1毫安，

见图24

= +13.5 V, V

= 13.5 V

= -10 V，I

= -1毫安

= -10 V，I

= -1毫安

= +16.5 V, V

= 16.5 V

= ±10 V, V

见图23

= ±10 V, V

见图23

= V

= ± 10 V ，见图26

流掉泄漏，我

（关闭）

0.2

0.25

0.4

0.9

2.0

0.8

渠道渗漏，我

（上），我

（上）

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流I

INL

还是我

INH

数字输入电容，C

动态特性

关闭

突破前先延时，T

（仅ADG5213 ）

电荷注入，Q

INJ

关断隔离

通道到通道的串扰

-3 dB带宽

插入损耗

（关闭）

（开），C

（上）

电源要求

0.002

±0.1

175

210

140

170

= V

GND

或V

255

195

280

215

= 300 Ω, C

= 35 pF的

= 10 V ，见图30

= 300 Ω, C

= 35 pF的

= 10 V ，见图30

= 300 Ω, C

= 35 pF的

= V

= 10 V ，见图29

= 0 V ，R

= 0 Ω, C

= 1 nF的，

参见图31

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 1MHz时，

见图25

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 1MHz时，

参见图27

= 50 Ω, C

= 5 pF的，参见图28

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 1MHz时，

见图28

= 0 V ， F = 1兆赫

= +16.5 V, V

= 16.5 V

数字输入= 0 V或V

GND = 0 V

0.07

105

435

6.8

0.001

±9/±22

通过设计保证;不受生产测试。

第0版|第20页3

ADG5212/ADG5213

± 20 V双电源供电

= +20 V ± 10%, V

= -20 V ± 10％，GND = 0V ，除非另有说明。

表2中。

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻，R

25°C

-40 ° C至+ 85°C

-40 ° C至+ 125°C

到V

140

160

1.5

0.01

0.1

0.01

0.1

0.02

0.2

0.4

200

230

单位

最大

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

μA （典型值）

μA（最大值）

pF的典型值

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最小值）

pC的典型值

dB典型值

兆赫（典型值）

dB典型值

pF的典型值

测试条件/评论

导通电阻之间的匹配

渠道， ΔR

导通电阻平坦度，R

平（ON）的

漏电流

源关闭泄漏，我

（关闭）

= -15 V，I

= -1毫安，

见图24

= +18 V, V

= 18 V

= -15 V，I

= -1毫安

= -15 V，I

= -1毫安

= +22 V, V

= 22 V

= ±15 V, V

SEE

图23

= ±15 V, V

SEE

图23

= V

= ± 15 V ，见图26

流掉泄漏，我

（关闭）

0.2

0.25

0.4

0.9

2.0

0.8

渠道渗漏，我

（上），我

（上）

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流I

INL

还是我

INH

数字输入电容，C

动态特性

关闭

突破前先延时，T

（仅ADG5213 ）

电荷注入，Q

INJ

关断隔离

通道到通道的串扰

-3 dB带宽

插入损耗

（关闭）

（开），C

（上）

0.002

±0.1

155

195

145

165

= V

GND

或V

235

185

255

210

= 300 Ω, C

= 35 pF的

= 10 V ，见图30

= 300 Ω, C

= 35 pF的

= 10 V ，见图30

= 300 Ω, C

= 35 pF的

= V

= 10 V ，见图29

= 0 V ，R

= 0 Ω, C

= 1 nF的，

参见图31

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 1MHz时，

见图25

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 1MHz时，

参见图27

= 50 Ω, C

= 5 pF的，看

图28

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 1MHz时，

见图28

= 0 V ， F = 1兆赫

0.5

105

460

2.8

4.8

第0版|第20页4

ADG5212/ADG5213

参数

电源要求

25°C

0.001

-40 ° C至+ 85°C

-40 ° C至+ 125°C

单位

μA （典型值）

μA（最大值）

μA （典型值）

μA（最大值）

V MIN / V最大

测试条件/评论

= +22 V, V

= 22 V

数字输入= 0 V或V

GND = 0 V

110

±9/±22

通过设计保证;不受生产测试。

12 V单电源供电

= 12 V ± 10%, V

= 0V ，GND = 0V ，除非另有说明。

表3中。

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻，R

25°C

-40 ° C至+ 85°C

-40 ° C至+ 125°C

0 V至V

350

500

160

280

0.01

0.1

0.01

0.1

0.02

0.2

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流I

INL

还是我

INH

数字输入电容，C

动态特性

关闭

突破前先延时，T

（仅ADG5213 ）

电荷注入，Q

INJ

关断隔离

通道到通道的串扰

-3 dB带宽

0.2

0.4

610

335

700

370

单位

V最大

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

μA （典型值）

μA（最大值）

pF的典型值

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最小值）

pC的典型值

dB典型值

兆赫（典型值）

测试条件/评论

导通电阻匹配通道间， ΔR

导通电阻平坦度，R

平（ON）的

漏电流

源关闭泄漏，我

（关闭）

= 0 V至10 V，I

= -1毫安，

SEE

图24

= 10.8 V, V

= 0 V

= 0 V至10 V，I

= -1毫安

= 0 V至10 V，I

= -1毫安

= 13.2 V, V

= 0 V

= 1 V/10 V, V

= 10 V/1 V,

见图23

= 1 V/10 V, V

= 10 V/1 V,

见图23

= V

= 1 V/10 V,

见图26

流掉泄漏，我

（关闭）

0.2

0.4

渠道渗漏，我

（上），我

（上）

0.25

0.9

2.0

0.8

0.002

±0.1

235

290

165

205

= V

GND

或V

360

235

410

260

= 300 Ω, C

= 35 pF的

= 8 V ，见图30

= 300 Ω, C

= 35 pF的

= 8 V ，见图30

= 300 Ω, C

= 35 pF的

= V

= 8 V ，见图29

= 6 V ，R

= 0 Ω, C

= 1 nF的，

参见图31

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 1MHz时，

见图25

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 1MHz时，

参见图27

= 50 Ω, C

= 5 pF的，看

图28

0.5

105

340

第0版|第20页5