【a特点44 V电源最大额定值VSS到VDD模拟信号范围单/双电源规格宽电源电压范围（ 10.8 V至】,IC型号ADG506ATQ,ADG506ATQ PDF资料,ADG506ATQ经销商,ic,电子元器件-51电子网

a

特点

44 V电源最大额定值

V

SS

到V

DD

模拟信号范围

单/双电源规格

宽电源电压范围（ 10.8 V至16.5 V ）

扩展塑料温度范围

（ -40°C至+ 85°C ）

低功耗（ 28毫瓦最大）

低漏电（ 20 pA的典型值）

可提供28引脚DIP ， SOIC ， PLCC ， TSSOP和LCCC

套餐

更好的选择：

DG506A ， HL -506

DG507A ， HL -507

CMOS

8位/ 16通道模拟多路复用器

ADG506A/ADG507A

功能框图

概述

订购指南

该ADG506A和ADG507A是单片CMOS模拟

多路复用器分别为16通道和双8通道。

该ADG506A开关16输入到一个公共输出1 ，

取决于四个二进制地址和一个使能状态

输入。该ADG507A开关一八的差分输入

公共差分输出，这取决于三个状态

二进制地址和一个使能输入。两款器件均提供TTL

和5 V CMOS逻辑兼容数字输入。

该ADG506A和ADG507A是在增强的设计

LC

2

MOS工艺，它给出了一个信号，提高能力

V

SS

到V

DD

并能工作在较宽范围内的供应

电压。该设备可以在任何地方轻松的工作

10.8 V至16.5 V单电源或双电源范围。这些多路复用器

还具有高开关速度和低R

ON

.

产品亮点

模型

1

温度

范围

-40 ° C至+ 85°C

-55 ° C至+ 125°C

-40 ° C至+ 85°C

-55 ° C至+ 125°C

包

选项

2

N-28

R-28

P-28A

Q-28

E-28A

N-28

R-28

P-28A

RU-28

Q-28

E-28A

ADG506AKN

ADG506AKR

ADG506AKP

ADG506ABQ

ADG506ATQ

ADG506ATE

ADG507AKN

ADG507AKR

ADG507AKP

ADG507AKRU

ADG507ABQ

ADG507ATQ

ADG507ATE

1.单/双电源规格有宽公差

这些器件在10.8 V至16.5 V范围内的指定

单，双电源供电。

2.扩展信号范围

增强型LC

2

在高突破性的MOS的处理结果

向下和V的增加的模拟信号范围

SS

到V

DD

.

3.先开后合式开关

交换机可以保证先开后合赚那么输入信号

免受瞬时短路。

4.低漏

在20 pA的范围内的漏电流，使这些多路转换器

适合于高精度电路。

笔记

1

如需订购MIL -STD - 883 ， B类加工零件，添加/ 883B部件号。

请参阅ADI公司

军事/航空航天参考手册

（1994 ），用于军事

数据表。

2

E =无引线陶瓷芯片载体（ LCCC ） ; N =塑料DIP ; P =塑料

引线芯片载体（ PLCC ） ; Q = CERDIP ; R = 0.3"小外形集成电路（ SOIC ） ;

RU =超薄紧缩小型封装（ TSSOP ）。

版本C

信息ADI公司提供的被认为是准确和

可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其

使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯

这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或

否则，在ADI公司的任何专利或专利权。

一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.

联系电话： 781 / 329-4700

万维网网站： http://www.analog.com

传真： 781 / 326-8703

ADI公司， 1998年

ADG506A/ADG507A–SPECIFICATIONS

双电源

(V

DD

= 10.8 V至16.5 V ，V

SS

= -10.8 V至-16.5 V除非另有说明）

ADG506A

ADG507A

K版

B版本

-40 ℃

+25 C +85 C

V

SS

V

DD

280

450

300

0.6

5

0.02

1

0.04

1

0.04

1

50

200

100

200

100

25

2.4

0.8

1

8

200

300

50

25

200

300

200

300

68

50

5

44

22

4

0.6

1.5

20

0.2

10

28

8

200

300

50

25

200

300

200

300

68

50

5

44

22

4

0.6

1.5

20

0.2

10

28

10

28

20

0.2

V

SS

V

DD

600

400

V

SS

V

DD

280

450

300

0.6

5

0.02

1

0.04

1

0.04

1

50

200

100

200

100

25

2.4

0.8

1

8

200

300

50

25

200

300

200

300

68

50

5

44

22

4

0.6

1.5

V

SS

V

DD

600

400

ADG506A

ADG507A

T版

-55 ℃

+25 C +125 C

V

SS

V

DD

280

450

300

0.6

5

0.02

1

0.04

1

0.04

1

V

SS

V

DD

600

400

参数

模拟开关

模拟信号范围

R

ON

单位

V分钟

V最大

典型值

最大

％/℃ （典型值）

％（典型值）

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

A

最大

pF的最大

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最小值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

dB典型值

分贝分钟

pF的典型值

pC的典型值

–10 V

≤

V

S

≤

+10 V，I

DS

= 1毫安;测试电路1

V

DD

= 15 V (± 10%), V

SS

= –15 V (± 10%)

V

DD

= 15 V (± 5%), V

SS

= –15 V (± 5%)

–10 V

≤

V

S

≤

+10 V，I

DS

= 1毫安

–10 V

≤

V

S

≤

+10 V，I

DS

= 1毫安

V1 =

±

10 V, V2 =

V1 =

±

10 V, V2 =

V1 =

±

10 V, V2 =

10 V ;测试电路2

10 V ;测试电路3

10 V ;测试电路4

R

ON

漂移

R

ON

MATCH

I

S

（ OFF ），关闭输入漏

I

D

（ OFF ），关闭输出漏

ADG506A

ADG507A

I

D

（ ON）时，在信道泄漏

ADG506A

ADG507A

I

差异

，差分输出关

泄漏（ ADG507A只）

数字控制

V

INH

，输入高电压

V

INL

，输入低电压

I

INL

还是我

INH

C

IN

数字输入电容

动态特性

t

过渡1

t

OPEN1

t

ON

（ EN ）

1

t

关闭

（ EN ）

1

关断隔离

C

S

（关闭）

C

D

（关闭）

ADG506A

ADG507A

Q

INJ

，电荷注入

电源

I

DD

I

SS

功耗

50

200

100

200

100

25

2.4

0.8

1

V1 =

±

10 V, V2 =

10 V ;测试电路5

V

IN

= 0至V

DD

V1 =

±

10 V ， V2 = 10 V ;测试电路6

测试电路7

测试电路8

V

EN

= 0.8 V ，R

L

= 1千欧，C

L

= 15 pF的，

V

S

= 7 V RMS， F = 100千赫

V

EN

= 0.8 V

V

EN

= 0.8 V

R

S

= 0

,

V

S

= 0 V ;测试电路9

400

10

400

10

400

10

400

毫安（典型值） V

IN

= V

INL

或V

岭南花园

最大mA

A

典型值

V

IN

= V

IN

或V

INH

最大mA

毫瓦（典型值）

毫瓦MAX

笔记

1

在+ 25 ° C样品测试，以确保合规性。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

–2–

版本C

单电源

(V

参数

模拟开关

模拟信号范围

R

ON

R

ON

漂移

R

ON

MATCH

ADG506A/ADG507A

DD

= 10.8 V至16.5 V ，V

SS

= GND = 0V ，除非另有说明）

ADG506A

ADG507A

K版

B版本

-40 ℃

+25 C +85 C

V

SS

V

DD

500

700

0.6

5

0.02

1

0.04

1

0.04

1

V

SS

V

DD

1000

V

SS

V

DD

500

700

0.6

5

0.02

1

0.04

1

0.04

1

V

SS

V

DD

1000

ADG506A

ADG507A

T版

-55 ℃

+25 C +125 C

V

SS

V

DD

500

700

0.6

5

0.02

1

0.04

1

0.04

1

V

SS

V

DD

1000

单位

V分钟

V最大

典型值

0 V

≤

V

S

≤

+10 V，I

DS

= 0.5毫安;测试电路1

最大

％/℃ （典型值） 0 V

≤

V

S

≤

+10 V，I

DS

- 0.5毫安

％（典型值）

0 V

≤

V

S

≤

+10 V，I

DS

- 0.5毫安

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

A

最大

pF的最大

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最小值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

dB典型值

分贝分钟

pF的典型值

pC的典型值

V1 = +10 V/0 V, V2 = 0 V/ +10 V;

测试电路2

V1 = +10 V/0 V, V2 = 0 V/ +10 V;

测试电路3

V1 = +10 V/0 V, V2 = 0 V/ +10 V;

测试电路4

V1 = +10 V/0 V, V2 = 0 V/ +10 V;

测试电路5

I

S

（ OFF ），关闭输入漏

I

D

（ OFF ），关闭输出漏

ADG506A

ADG507A

I

D

（ ON）时，在信道泄漏

ADG506A

ADG507A

I

差异

，差分输出关

泄漏（ ADG507A只）

数字控制

V

INH

，输入高电压

V

INL

，输入低电压

I

INL

还是我

INH

C

IN

数字输入电容

动态特性

t

过渡1

t

OPEN1

t

ON

（ EN ）

1

t

关闭

（ EN ）

1

关断隔离

C

S

（关闭）

C

D

（关闭）

ADG506A

ADG507A

Q

INJ

，电荷注入

电源

I

DD

功耗

50

200

100

200

100

25

2.4

0.8

1

50

200

100

200

100

25

2.4

0.8

1

50

200

100

200

100

25

2.4

0.8

1

V

IN

= 0至V

DD

8

300

450

50

25

250

450

250

450

68

50

5

44

22

4

0.6

1.5

10

25

8

300

450

50

25

250

450

250

450

68

50

5

44

22

4

0.6

1.5

10

25

8

300

450

50

25

250

450

250

450

68

50

5

44

22

4

0.6

1.5

10

25

V1 = 10 V / 0 V ， V2 = 10 V ;测试电路6

测试电路7

测试电路8

V

EN

= 0.8 V ，R

L

= 1千欧，C

L

= 15 pF的，

V

S

= 3.5 V RMS， F = 100千赫

V

EN

= 0.8 V

V

EN

= 0.8 V

R

S

= 0

,

V

S

= 0 V ;测试电路9

600

10

600

10

600

10

600

毫安（典型值） V

IN

= V

INL

或V

岭南花园

最大mA

毫瓦（典型值）

毫瓦MAX

笔记

1

在+ 25 ° C样品测试，以确保合规性。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

真值表（ ADG506A ）

A3

X

0

1

A2

X

0

1

0

1

A1

X

0

1

0

1

0

1

0

1

A0

X

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

EN开开关

0

1

无

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

真值表（ ADG507A ）

A2

X

0

1

A1

X

0

1

0

1

A0

X

0

1

0

1

0

1

0

1

EN开开关对

0

1

无

1

2

3

4

5

6

7

8

X =无关

版本C

–3–

ADG506A/ADG507A

绝对最大额定值

1

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

V

DD

到V

SS

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44 V

V

DD

到GND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 25 V

V

SS

到GND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -25 V

模拟输入

2

电压S，D 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 V

SS

- 2 V到V

DD

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 + 2V或

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 20 mA，且以先到为准

连续电流，S或D 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 20毫安

脉冲电流S或D

1毫秒的时间， 10 ％的占空比。。。。。。。。。。。。。。。。 40毫安

数字输入

2

电压A， EN 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 V

SS

– 4 V

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。到V

DD

+ 4 V或

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 20 mA，且以先到为准

功率耗散（任何套餐）

到+ 75 ℃。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 470毫瓦

减额高于+ 75 ℃下。。。。。。。。。。。。。。。。。。 6毫瓦/°C的

工作温度

商业（K版）。。。。。。。。。。。。。。 -40 ° C至+ 85°C

工业（B版）。。。。。。。。。。。。。。。。 -40∞C至+ 85∞C

扩展（T版）。。。。。。。。。。。。。。。 -55 ° C至+ 125°C

存储温度范围。。。。。。。。。。。。 -65∞C至+ 150∞C

引线温度（焊接， 10秒）。。。。。。。。。。。。 + 300℃

笔记

1

注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-

新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作

器件在这些或以上的任何其他条件，在操作说明

本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值

长时间条件下可能影响器件的可靠性。

2

过压A， EN ，S或D由二极管钳位。当前应限制

在最大额定值以上。

小心

ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易

积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。

虽然ADG506A / ADG507A功能的专有ESD保护电路的，永久的

损害可发生在遇到高能量静电放电设备。因此，适当的

ESD预防措施建议，以避免性能下降或功能丧失。

销刀豆网络gurations

DIP ， SOIC

LCCC

V

DD

1

NC 2

NC 3

S16 4

S15 5

S14 6

28 D

警告！

ESD敏感器件

PLCC

V

SS

V

DD

S16

NC

V

SS

S8

D

S8

25 S7

24 S6

23 S5

22 S4

21 S3

20 S2

19 S1

12 13

14 15

16 17

18

NC

2

26 S8

25 S7

S6

ADG506A

24

4

3

1

28 27 26

D

27 V

SS

V

DD

S16

4

3

2

1

28 27 26

销1

识别码

S15

5

S14

6

S13

7

S12

8

S11

9

S10

10

S9

11

12 13 14 15 16 17 18

25

S7

24

S6

S15 5

S14 6

S13 7

S12 8

S11 9

S10 10

S9 11

TOP VIEW 23 S5

S13 7 （不按比例） 22 S4

S12 8

S11 9

S10 10

S9 11

GND 12

NC 13

A3 14

21 S3

20 S2

19 S1

18 EN

ADG506A

顶视图

（不按比例）

23

S5

22

S4

21

S3

20

S2

19

S1

ADG506A

顶视图

（不按比例）

NC

A3

A2

A1

A0

A3

A2

A1

16 A1

15 A2

GND

EN

17 A0

A0

NC =无连接

GND

NC =无连接

DIP ， SOIC ， TSSOP

LCCC

V

DD

1

DB 2

NC 3

S8B 4

S7B 5

S6B 6

28 DA

V

DD

S8A

NC

PLCC

S8B

DB

NC

DA

S8A

25 S7A

24 S6A

23 S5A

22 S4A

21 S3A

20 S2A

19 S1A

12 13

14 15

16 17

18

V

SS

V

DD

26 S8A

25 S7A

S6A

ADG507A

24

S7B

5

S6B

6

S5B

7

S4B

8

S3B

9

S2B

10

S1B

11

4

3

2

1

28 27 26

4

25

S7A

24

S6A

3

2

1

28 27 26

销1

识别码

S7B 5

S6B 6

S5B 7

S4B 8

S3B 9

S2B 10

S1B 11

TOP VIEW 23 S5A

S5B 7 （不按比例） 22 S4A

S4B 8

S3B 9

S2B 10

S1B 11

GND 12

NC 13

NC 14

21 S3A

20 S2A

19 S1A

18 EN

ADG507A

顶视图

（不按比例）

23

S5A

22

S4A

21

S3A

20

S2A

19

S1A

ADG507A

顶视图

（不按比例）

NC

A2

A1

A0

A2

A1

A0

GND

NC

15 A2

NC =无连接

–4–

NC

EN

16 A1

GND

NC

EN

17 A0

12 13 14 15 16 17 18

V

SS

NC

DB

DA

27 V

SS

S8B

EN

版本C

典型性能特征 - ADG506A / ADG507A

多路复用器，保证功能与单电源或双电源降低到4.5 V.

图1。R

ON

作为V的函数

D

(V

S

）：双电源

电压，T

A

= +25

°

C

图4.

ON

作为V的函数

D

(V

S

）单电源

电压，T

A

= +25

°

C

图2.漏电流与温度的函数

（注：漏电流降低为电源电压

减少）

图5.触发电平与电源电压，双

或单电源，T

A

= +25

°

C

图3吨

过渡

- 电源电压：双路和单

用品，T

A

= + 25

°

C（注：对于V

DD

和/ V

SS

/ < 10 V ; V1 =

V

DD

/V

SS

, V2 = V

SS

/V

DD

。见测试电路6 ）

图6.我

DD

- 电源电压：双路或单电源，

T

A

= +25

°

C

版本C

–5–