a
特点
故障和过压保护高达40 V
信号路径开路与关机
的R信号路径电阻
ON
与开机
44 V电源最大额定值
低导通电阻典型值80
1 nA的最大路径泄漏电流@ + 25℃
低功耗为0.8W典型值
闭锁型建设
应用
自动测试设备
敏感测量设备
热插拔机架系统
ADC输入通道保护
V
IN
单通道保护器
在SOT- 23封装
ADG465
功能框图
V
DD
V
D1
V
SS
V
S1
V
IN
V
OUT
V
OUT
ADG465
V
DD
V
DD
输出钳位
@ V
DD
– 1.5V
概述
产品亮点
该ADG465是在一个单一的通道保护SOT- 23封装
年龄。沟道保护器是放置在一系列的信号
路径，并会保护电压转录敏感元件
sience在信号路径中的电源是否是
目前。由于通道保护工作的考虑
耗材的存在，通道保护器非常适合使用
在应用中，正确的上电顺序不能总是
保证以保护模拟输入（例如，热插拔机架
系统）。这将进一步讨论，并且一些实施例的电路
给出，在此数据表的应用程序部分。
的信道保护器包括一个n沟道MOSFET ，一个
p沟道MOSFET和n沟道MOSFET ，连接在
系列。通道保护器的行为就像一个串联电阻能很好地协同
荷兰国际集团正常操作，即， （Ⅴ
SS
2 + V） < V
IN
＆ LT ; （V
DD
– 1.5 V).
当一个通道的模拟输入超过电源
（包括V
DD
和V
SS
= 0 V ） ，将MOSFET的1
关闭，输出钳位在V
SS
+ 2 V或V
DD
– 1.5 V.
电路和信号源保护的情况下提供
过压或功率损耗。通道保护器可以与 -
站在过电压输入-40 V至40 V.看出电路
该数据表的信息部分。
该ADG465可以从两个单极性和双极性工作
耗材。渠道通常是上电时所配置
连接的，当电源断开时开路。同
的电源供应器
±
15 V时， ADG465的导通电阻是
80
典型值，具有的泄漏电流的
±
1 nA的最大值。当电源
断开时，输入漏电流大约
±
5 nA的典型值。
该ADG465是采用6引脚塑料表面贴装
SOT-23封装，和8引线
μSOIC
封装。
REV 。一
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则，在ADI公司的任何专利或专利权。
1.故障保护。
该ADG465可以承受连续的电压输入
-40 V至40 V.当故障发生时，由于电源支持
帘布层被关闭，或者由于过电压被施加
于ADG465的输出被钳位。当接通电源
截止，电流被限制在纳安级。
2.低功耗。
3.低R
ON
80
典型值。
4.沟槽隔离闭锁型建筑。
电介质沟道隔开的P和N沟道MOSFET
从而防止闭锁。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781 / 329-4700
万维网网站： http://www.analog.com
传真： 781 / 326-8703
ADI公司， 1998年
ADG465–SPECIFICATIONS
双电源
1
(V
参数
故障保护CHANNEL
无故障模拟信号范围
2
R
ON
R
ON
漏电流
通道输出泄漏，我
秒（上）
（无故障条件）
通道输入漏，我
D（上）
（带故障条件）
通道输入漏，我
D（关闭）
（带电源关闭和故障）
通道输入漏，我
D（关闭）
（关闭电源和输出S / C ）
电源要求
I
DD
I
SS
V
DD
/V
SS
80
95
4
DD
= +15 V, V
SS
= -15 V， GND = 0V，除非另有说明）
+25 C
B
V
SS
+ 1.2
V
DD
– 0.8
115
5
单位
V分钟
V最大
典型值
最大
最大
测试条件/评论
输出开路
–10 V
≤
V
S
≤
+10 V，I
S
= 1毫安
–5 V
≤
V
S
≤
+5 V
V
S
= V
D
=
±
10 V
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
A
典型值
A
最大
A
典型值
A
最大
A
典型值
A
最大
V分钟
V最大
V
S
=
±
25 V
V
D
=开路
V
DD
= 0 V, V
SS
= 0 V
V
S
=
±
35 V
V
D
=开路
V
DD
= 0 V, V
SS
= 0 V
V
S
=
±
35 V, V
D
= 0 V
±
0.1
±
1
±
0.2
±
2
±
0.5
±
2
±
0.005
±
0.015
±
0.05
±
0.5
±
0.05
±
0.5
0
±
20
±
1
±
5
±
0.4
±
5
±
2
±
10
±
0.1
±
0.5
±
5
±
5
0
±
20
笔记
1
温度范围如下： B版本： -40 ° C至+ 85°C 。
2
通过设计保证，不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
REV 。一
ADG465
绝对最大额定值
1
(T
A
= + 25 ° C除非另有说明）
销刀豆网络gurations
(RT-6)
V
D1
1
NC 2
6 V
DD
V
DD
到V
SS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +44 V
V
S
, V
D
，模拟输入过压与电源开
2
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
SS
= 20 V到V
DD
+ 20 V
V
S
, V
D
，模拟输入过压关断电源
2
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -35 V至+35 V
连续电流，S或D 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20毫安
峰值电流，S或D 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40毫安
（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比最大）
工作温度范围
工业（B版） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40∞C至+ 85∞C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 125°C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
SOT- 23封装
θ
JA
，热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 230 ° C / W
μSOIC
包
θ
JA
，热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 205 ° C / W
焊接温度，焊接
气相（60秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 215℃
红外（ 15秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 220℃
笔记
1
注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作
器件在这些或以上的运作中列出的任何其他条件
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。只有一个绝对的
最大额定值可在任一时间施加。
2
过电压在s或D将由通道保护被夹住，看电路
该数据表的信息部分。
(RM-8)
NC 1
V
DD
2
8 NC
5 NC
顶视图
V
SS
3 （不按比例） 4 V
S1
NC =无连接
ADG465
7 V
D1
顶视图
V
S1
3 （不按比例） 6 V
SS
NC 4
5 NC
ADG465
NC =无连接
引脚功能描述
针
针
RT - 6 RM- 8引脚说明
1
7
V
D1
，这是信道的一个端子保护
器。通道保护器是双向的，所以这
终端可以被用作输入或输出。
NC ，这是一个无连接引脚。
V
SS
，负电源（ 0 V至-20 V） 。
夹紧点为一个负的过电压是
还通过V定义
SS
见过压保护
部分。
V
S1
，这是信道的一个端子保护
器。通道保护器是双向的，所以这
终端可以被用作输出或输入。
NC ，这是一个无连接引脚。
V
DD
，正电源（ 0 V至20 V ） 。该
夹紧点为一个正的过电压也
由V定义
DD
见过压保护
部分。
2
3
1, 4
6
4
3
5
6
5, 8
2
订购指南
模型
ADG465BRT
ADG465BRM
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
包装说明
6引脚塑料表面贴装SOT- 23
8-Lead
μSOIC
BRAND
S1B
S1B
封装选项
RT-6
RM-8
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。
虽然ADG465具有专用ESD保护电路，可能永久的损坏
发生在受到高能静电放电设备。因此，适当的ESD
预防措施建议，以避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
REV 。一
–3–
ADG465
电路信息
下面的图6示出了信道亲的简化示意
tector电路。该电路是由4个MOS晶体管
器，两个NMOS和PMOS 2 。其中一个PMOS器件
没有在信号路径直接撒谎，但用于连接所述
源的第二PMOS器件到其背栅的。这具有这样的
降低阈值电压和提高的效果
的信道以进行正常操作的输入信号范围。该
源的NMOS器件和背栅分别连接于所述
一样的道理。在正常操作期间的信道保护
具有80的电阻
（典型值） 。通道保护是非常
低功率设备;即使在故障情况下的电源电流
租金仅限于亚微安水平。所有晶体管都
彼此用一个沟槽隔离介质隔离
方法。这使得不可能闭锁沟道亲
tectors 。有关说明，请参阅沟槽隔离部分。
V
SS
– V
TP
哪里
V
TP
是在PMOS的阈值电压
设备（ 2 V典型值） 。如果输入电压超过这些阈值
电压时，沟道保护器的输出（无负载）是
钳位在这些阈值电压。然而，该信道
保护器的输出将钳位在这些阈值内的电压
如果输出被加载。例如，具有一个输出负载
1千欧，V
DD
= 15 V和积极的过电压。将输出
钳位在V
DD
– V
TN
–
V
= 15 V – 1.5 V – 0.6 V = 12.9 V
哪里
V
是由于导R上的电压降的通道
MOS器件（参见图8） 。如可以从图8中可以看出，在
在故障条件下的电流是通过在该负荷下测定
输出（即，V
钳
/R
L
） 。然而，如果电源关断时，该
故障电流被限制在纳安级。
图7，图9和图10示出了信号的操作条件
在各种故障情况下的路径晶体管。图7示出了
怎样的信道保护操作时的正的过电压
被施加到信道保护。
V
DD
– V
TN
*
(+13.5V)
V
SS
PMOS
NMOS
NMOS
积极
过压
(+20V)
NMOS
PMOS
NMOS
饱和的
PMOS
V
DD
V
SS
V
DD
不
饱和的
V
SS
(–15V)
不
饱和的
V
DD
(+15V)
V
DD
(+15V)
*V
TN
= NMOS阈值电压（ + 1.5V ）
图6.通道保护器电路
过压保护
图7.正向过压通道保护
当一个故障发生在一个信道的输入亲
tector ，对输入的电压超过某个阈值
电压由电源轨电压设定。的阈值电压
都涉及到供电轨，如下所示：对于正的过电压
年龄的增长，阈值电压由V给出
DD
– V
T
哪里
V
TN
为
所述NMOS晶体管的阈值电压（1.5V典型值）。在
对于负的过电压的阈值电压由下式给出
V
D
(+20V)
V
G
(V
DD
= +15V)
V
S
第一NMOS晶体管进入的操作饱和模式
灰作为其漏极电压超过门电压（V
DD
) –
阈值电压（V
TN
） 。这种情况示于图8 。
在NMOS器件的源极电势等于V
DD
–V
TN
。其它的MOS器件中的非饱和模式
操作。
V
(+13.5V)
PMOS
NMOS
R
L
V
钳
过压
手术
（饱和）
N
+
有效
空间电荷
地区
P
–
N
+
N沟道
(V
G
– V
T
= 13.5V)
N
+
非饱和
手术
I
OUT
V
T
= 1.5V
图8.积极操作过电压的保护通道
REV 。一
–5–
QQ：2880707522 复制
