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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第663页 > ADG442
a
特点
44 V电源最大额定值
V
SS
到V
DD
模拟信号范围
低导通电阻( < 70
)
R
ON
(9
MAX )
低R
ON
比赛( 3
MAX )
低功耗
快速开关时间
t
ON
< 110纳秒
t
关闭
< 60纳秒
低漏电流(最大3 NA)
低电荷注入( 6 PC最大)
先开后合式开关动作
闭锁证明
插件升级
DG201A / ADG201A , DG202A / ADG202A ,
DG211/ADG211A
插上置换DG441 / DG442 / DG444
应用
音频和视频切换
自动测试设备
精密数据采集
电池供电系统
采样保持系统
通信系统
概述
IN1
LC
2
MOS四通道SPST开关
ADG441/ADG442/ADG444
功能方框图
S1
IN1
D1
S2
IN2
IN2
D1
S2
S1
ADG441
ADG444
IN3
D2
S3
IN3
D3
S4
ADG442
D2
S3
D3
S4
IN4
IN4
D4
D4
开关所对于逻辑"1"输入
每个开关进行同样在两个方向开启时,
并具有延伸到电源的输入信号范围支持
层数。在OFF状态时,信号电平最高的耗材
受阻。所有开关展品先开后合的开关动作,
在多路复用器应用。固有的设计是低
切换时的电荷注入最小的瞬变
数字输入。
产品亮点
该ADG441 , ADG442和ADG444均为单芯片CMOS
设备包括四个独立可选的开关。他们
在增强型LC的设计
2
MOS工艺,提供
低功耗,高开关速度和低导通
性。
导通电阻曲线都非常平坦,在整个模拟输入
切换时的范围,确保良好的线性度和低失真
音频信号。高开关速度也使得部分suit-
能视频信号切换。 CMOS结构可确保
超低功耗使得非常适合的地方
便携式及电池供电的仪器。
该ADG441 , ADG442和ADG444包含四个indepen-
凹痕SPST开关。该ADG441和ADG444的各开关
接通时,逻辑低被施加到相应的控制上
输入。该ADG442开关接通与逻辑高上
适当的控制输入。该ADG441和ADG444
交换机的区别在于ADG444需要5 V逻辑电源
这是施加到V电源
L
引脚。该ADG441和
ADG442不具有V
L
销,所述逻辑电源被
通过芯片上电压发生器内部产生。
1.扩展信号范围
该ADG441 / ADG442 / ADG444是制造上的恩
hanced LC
2
MOS管,沟槽隔离工艺,给人一种IN-
延伸到供电轨折痕信号范围。
2.低功耗
3.低R
ON
4.沟槽隔离可防止闩锁
电介质沟道分开的P和N沟道晶体管
从而防止即使在严重过压闭锁
条件。
5.先开后合式开关
这可以防止信道短路时的开关都被配置
被保险作为一个多路转换器。
6.单电源供电
对于应用程序,当该模拟信号是单极的,该
ADG441 / ADG442 / ADG444可以从一个单一的操作
轨供电。的部分被用一个完全指定
+12 V电源。
第0版
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是,没有责任承担由Analog Devices其
使用,也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则,在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德。 MA 02062-9106 , U.S.A.
联系电话: 617 / 329-4700
传真: 617 / 326-8703
ADG441/ADG442/ADG444–SPECIFICATIONS
1
双电源
(V
DD
=
+15 V
±
10%, V
SS
= –15 V
±
10%, V
L
= +5 V
±
10% ( ADG444 ) ,GND = 0V ,除非另有说明)
B版本
-40 ° C至
+25°C
+85°C
V
SS
到V
DD
40
70
85
4
9
1
3
40
70
T版
-55℃
+25°C
+125°C
V
SS
到V
DD
85
4
9
1
3
参数
模拟开关
模拟信号范围
R
ON
R
ON
R
ON
MATCH
漏电流
来源OFF漏我
S
(关闭)
流掉泄漏我
D
(关闭)
渠道渗漏我
D
, I
S
(上)
数字输入
输入高电压,V
INH
输入低电压,V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
动态特性
2
t
ON
t
关闭
t
开放
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
C
S
(关闭)
C
D
(关闭)
C
D
, C
S
(上)
电源要求
I
DD
ADG441/ADG442
ADG444
I
SS
I
L
(仅ADG444 )
单位
V
典型值
最大
典型值
最大
典型值
最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
A
典型值
A
最大
纳秒(典型值)
ns(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最大值)
纳秒(典型值)
pC的典型值
pC的最大值
dB典型值
dB典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
测试条件/评论
V
D
=
±
8.5 V,I
S
= -10毫安
V
DD
= +13.5 V, V
SS
= –13.5 V
–8.5 V
V
D
+8.5 V
V
D
= 0 V,I
S
= -10毫安
V
DD
= +16.5 V, V
SS
= –16.5 V
V
D
=
±
15.5 V, V
S
= 15.5 V;
测试电路2
V
D
=
±
15.5 V, V
S
= 15.5 V;
测试电路2
V
S
= V
D
=
±
15.5 V;
测试电路3
±
0.01
±
0.5
±
0.01
±
0.5
±
0.08
±
0.5
±
3
±
3
±
3
2.4
0.8
±
0.00001
±
0.5
±
0.01
±
0.5
±
0.01
±
0.5
±
0.08
±
0.5
±
20
±
20
±
40
2.4
0.8
±
0.00001
±
0.5
V
IN
= V
INL
或V
INH
85
110
45
60
30
1
6
60
100
4
4
16
170
80
85
110
45
60
30
1
6
60
100
4
4
16
170
80
R
L
= 1千欧,C
L
= 35 pF的;
V
S
=
±
10 V ;测试电路4
R
L
= 1千欧,C
L
= 35 pF的;
V
S
=
±
10 V ;测试电路4
R
L
= 1千欧,C
L
= 35 pF的;
V
S
= 0 V ,R
S
= 0
,
C
L
= 1 nF的;
V
DD
= +15 V, V
SS
= –15 V;
测试电路5
R
L
= 50
,
C
L
= 5 pF的;
F = 1兆赫;测试电路6
R
L
= 50
,
C
L
= 5 pF的;
F = 1兆赫;测试电路7
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
V
DD
= +16.5 V, V
SS
= –16.5 V
数字输入= 0 V或5 V
80
0.001
1
0.0001
1
0.001
2.5
2.5
0.001
1
0.0001
1
0.001
80
2.5
2.5
A
最大
A
典型值
A
最大
A
典型值
A
最大
A
典型值
1
2.5
1
2.5
A
最大
V
L
= +5.5 V
笔记
1
温度范围如下: B版本: -40 ° C至+ 85°C ;牛逼的版本: -55 ° C至+ 125°C 。
2
通过设计保证,不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
–2–
第0版
ADG441/ADG442/ADG444
单电源
(V
参数
模拟开关
模拟信号范围
R
ON
R
ON
R
ON
MATCH
漏电流
来源OFF漏我
S
(关闭)
流掉泄漏我
D
(关闭)
渠道渗漏我
D
, I
S
(上)
数字输入
输入高电压,V
INH
输入低电压,V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
动态特性
2
t
ON
t
关闭
t
开放
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
C
S
(关闭)
C
D
(关闭)
C
D
, C
S
(上)
电源要求
I
DD
ADG441/ADG442
ADG444
I
L
(仅ADG444 )
DD
=
+12 V
±
10%, V
SS
= 0 V, V
L
= +5 V
±
10% ( ADG444 ) ,GND = 0V ,除非另有说明)
B版本
-40 ° C至
+25°C
+85°C
0到V
DD
70
110
130
4
9
1
3
70
110
T版
-55℃
+25°C
+125°C
0到V
DD
130
4
9
1
3
单位
V
典型值
最大
典型值
最大
典型值
最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
A
典型值
A
最大
纳秒(典型值)
ns(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最大值)
纳秒(典型值)
pC的典型值
pC的最大值
dB典型值
dB典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
测试条件/评论
V
D
= + 3V , + 8V ,我
S
= -10毫安;
V
DD
= +10.8 V
+3 V
V
D
+8 V
V
D
= 6 V,I
S
= -10毫安
V
DD
= +13.2 V
V
D
= 12.2 V/1 V, V
S
= 1 V/12.2 V;
测试电路2
V
D
= 12.2 V/1 V, V
S
= 1 V/12.2 V;
测试电路2
V
S
= V
D
= 12.2 V/1 V;
测试电路3
±
0.01
±
0.5
±
0.01
±
0.5
±
0.08
±
0.5
±
3
±
3
±
3
2.4
0.8
±
0.00001
±
0.5
±
0.01
±
0.5
±
0.01
±
0.5
±
0.08
±
0.5
±
20
±
20
±
40
2.4
0.8
±
0.00001
±
0.5
V
IN
= V
INL
或V
INH
105
150
40
60
50
2
6
60
100
7
10
16
220
100
105
150
40
60
50
2
6
60
100
7
10
16
220
100
R
L
= 1千欧,C
L
= 35 pF的;
V
S
= + 8V ;测试电路4
R
L
= 1千欧,C
L
= 35 pF的;
V
S
= + 8V ;测试电路4
R
L
= 1千欧,C
L
= 35 pF的;
V
S
= 6 V ,R
S
= 0
,
C
L
= 1 nF的;
V
DD
= +12 V, V
SS
= 0 V;
测试电路5
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF, F = 1MHz的;
测试电路6
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF, F = 1MHz的;
测试电路7
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
V
DD
= +13.2 V
数字输入= 0 V或5 V
80
0.001
1
0.001
1
2.5
2.5
0.001
1
0.001
1
80
2.5
2.5
A
最大
A
典型值
A
最大
A
典型值
A
最大
V
L
= +5.5 V
笔记
1
温度范围如下: B版本: -40 ° C至+ 85°C ;牛逼的版本: -55 ° C至+ 125°C 。
2
通过设计保证,不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
订购指南
表一,表真相
模型
1
开关
条件
ON
关闭
ADG441BN
ADG441BR
ADG441TQ
ADG442BN
ADG442BR
ADG444BN
ADG444BR
N
OTES
1
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
封装选项
2
N-16
R-16A
Q-16
N-16
R-16A
N-16
R-16A
ADG441/ADG444
IN
0
1
ADG442
IN
1
0
如需订购MIL -STD - 883 , B类加工零件,添加/ 883B到T级部分
号。
2
N =塑料DIP , R = 0.15"小外形集成电路( SOIC ) , Q =陶瓷浸渍。
第0版
–3–
ADG441/ADG442/ADG444
绝对最大额定值
1
(T
A
= + 25 ° C除非另有说明)
术语
V
DD
到V
SS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .+44 V
V
DD
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至+25 V
V
SS
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +0.3 V至-25 V
V
L
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
模拟,数字输入
2
. . . . . . . . . . . . V
SS
- 2 V到V
DD
+ 2 V
或30毫安,以先到者为准
连续电流,S或D 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
峰值电流,S或D 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安
(脉冲在1毫秒, 10 %占空比最大)
工作温度范围
工业(B版) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
扩展(T版) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至+ 125°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
CERDIP封装,功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 900毫瓦
θ
JA
,热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 76 ° C / W
焊接温度,焊接( 10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
塑料封装,功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 470毫瓦
θ
JA
,热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 177 ° C / W
焊接温度,焊接( 10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 260℃
SOIC封装,功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 600毫瓦
θ
JA
,热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 77 ° C / W
焊接温度,焊接
气相(60秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 215℃
红外( 15秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 220℃
笔记
1
条件超过上述“绝对最大额定值”,可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上的任何其他条件,在上市运作
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。只
1绝对最大额定值可在任一时间施加。
2
过压IN ,S或D由内部二极管钳位。当前应
限于给出的最大额定值。
V
DD
V
SS
V
L
GND
S
D
IN
R
ON
R
ON
MATCH
I
S
(关闭)
I
D
(关闭)
I
D
, I
S
(上)
V
D
(V
S
)
C
S
(关闭)
C
D
(关闭)
C
D
, C
S
(上)
t
ON
t
关闭
t
开放
相声
关断隔离
收费
注射
最积极的供电潜力。
在双最负电源电位
耗材。在单电源应用中,它可以是
连接到地。
逻辑电源( + 5V) 。
接地( 0 V )参考。
源终端。可以是输入或输出。
漏极。可以是输入或输出。
逻辑控制输入。
D和S之间的欧姆电阻
在R的区别
ON
的任意两个信道。
源漏电流与开关“OFF”。
漏极漏电流与开关“OFF”。
信道的泄漏电流与开关“ON”。
在端D ,S模拟电压
“ OFF”开关的源极电容。
“ OFF”开关漏极电容。
“ON”的开关电容。
施加所述数字控制之间的延迟
输入和输出开关上。
施加所述数字控制之间的延迟
输入和输出的开关关闭。
突破前先延迟,当开关
配置为多路复用器。
度量无用信号被耦合
通过从一个通道到另一个作为结果
的寄生电容。
通过衡量耦合的无用信号
一个“关闭”开关。
衡量的毛刺脉冲的传递
数字输入到模拟输出中
切换。
小心
ESD (静电放电)敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备,可排出而不被发现。
虽然这些器件具有专有ESD保护电路,可能永久的损坏
发生在受到高能静电放电设备。因此,适当的ESD
预防措施建议,以避免性能下降或功能丧失。
警告!
ESD敏感器件
ADG441 / ADG442引脚配置( DIP / SOIC )
ADG444引脚配置( DIP / SOIC )
IN1
D1
S1
V
SS
GND
S4
D4
IN4
1
2
3
4
5
6
7
8
16 IN2
15 D2
14 S2
13 V
DD
顶视图
12 V
L
(不按比例)
11 S3
10 D3
9
IN3
IN1
D1
S1
V
SS
GND
S4
D4
IN4
1
2
3
4
5
6
7
8
16 IN2
15 D2
ADG441
ADG442
14 S2
13 V
DD
ADG444
顶视图
12 NC
(不按比例)
11 S3
10 D3
9
IN3
NC =无连接
–4–
第0版
ADG441/ADG442/ADG444
沟槽隔离
在ADG441 , ADG442和ADG444 ,绝缘氧化物
层(沟道)被放置在NMOS和PMOS之间
每一个CMOS的晶体管进行切换。寄生路口,其中的OC
在结隔离开关的晶体管之间CUR ,是
消除,其结果是一个完全闭锁防爆开关。
在结隔离中, PMOS的N和P井
NMOS晶体管的形成被反向偏置下的二极管
正常操作。然而,在过压的条件下,这
二极管正向偏置。硅控整流器
(SCR)的类型的电路是由两个晶体管造成显形成
当前的着的放大,这反过来,导致
闭锁。用沟槽隔离,该二极管被除去,则结果
被闩锁防爆开关。
沟槽隔离也导致较低的漏电流。该
ADG441 , ADG442和ADG444有一个泄漏电流
0.5 nA的具有几的泄漏电流相比
毫微安非沟槽隔离的开关。漏电流是
在采样和保持电路的一个重要参数,该电流
负责保持电容器的与放电
时间导致下垂。该ADG441 / ADG442 / ADG444的低
漏电流,以及它的快速开关速度,使之
适用于快速和准确的采样和保持电路。
NMOS
PMOS
LOCOS
P阱
N阱
TRENCH
埋氧层
衬底(背栅)
图1.沟槽隔离
典型性能特性
100
T
A
= +25°C
V
DD
= +5V
V
SS
= –5V
170
150
130
110
V
DD
= +12V
V
SS
= 0V
V
DD
= +10V
V
SS
= 0V
V
DD
= +5V
V
SS
= 0V
T
A
= +25°C
80
R
ON
R
ON
60
V
DD
= +12V
V
SS
= –12V
V
DD
= +10V
V
SS
= –10V
90
70
40
V
DD
= +15V
V
SS
= –15V
20
–15
–10
–5
0
V
D
(V
S)
- 伏特
5
10
15
50
30
10
0
3
6
9
V
D
(V
S)
- 伏特
12
15
V
DD
= +15V
V
SS
= 0V
图2。R
ON
作为V的函数
D
(V
S
) :双电源
图。R
ON
作为V的函数
D
(V
S
) :单电源
第0版
–5–
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