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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1591页 > ADG429BP
a
特点
44 V电源最大额定值
V
SS
到V
DD
模拟信号范围
低导通电阻（ 60
典型值）
低功耗（ 1.6毫瓦最大）
低电荷注入（ <4 pC的典型值）
快速开关
先开后合式开关动作
插件替换为DG428 / DG429
应用
自动测试设备
数据采集系统
通信系统
航空电子设备和军事系统
微处理器控制的模拟系统
医疗器械
LC
2
MOS可锁存4- / 8通道
高性能模拟多路复用器
ADG428/ADG429
功能方框图
ADG428
S1
S1A
DA
S4A
D
S1B
DB
S8
S4B
ADG429
解码器/驱动器
锁存器
WR
A2
A1
A0
EN
RS
WR
解码器/驱动器
锁存器
RS
A1
A0
EN
概述
产品亮点
该ADG428和ADG429均为单芯片CMOS模拟
多路复用器包括8个单通道和4 differen-
分别TiAl基的渠道。片内地址和控制锁存器
方便与微处理器的接口。该ADG428开关1
八个输入到由3比特来确定一个共同的输出
二进制地址线A0， A1和A2。该ADG429开关1
4路差分输入到作为公共差分输出
由2位二进制地址线A0和A1确定。一个EN
输入两个设备上，用于启用或禁用该设备。
禁用时，所有通道被关闭。所有的控制
输入地址和使能输入是TTL在兼容
满规定的工作温度范围。这使得部分
适用于总线控制系统，如数据采集系
TEMS ，过程控制，航空电子设备和的ATE因为与TTL
兼容的地址锁存器简化数字接口设计
并减少所需的电路板空间。
该ADG428 / ADG429都在增强LC设计
2
MOS
过程，具有低功耗，高开关
速度和低导通电阻。每个通道的导电性能相同，
在两个方向上打开时，具有对输入信号范围
延伸到供应。在OFF状态时，信号电平最高
物资被封锁。所有通道表现出突破前先
切换时的开关动作，防止瞬时短路
通道。固有的设计是低电荷注入的迷你
妈妈瞬态开关数字输入时。
该ADG428 / ADG429得到改善替代的
DG428 / DG429模拟多路复用器。
版本C
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则，在ADI公司的任何专利或专利权。
1.扩展信号范围
该ADG428 / ADG429是制造上的增强
LC
2
MOS工艺，赋予该EX-增加的信号范围
趋向于电源轨。
2.低功耗
3.低R
ON
4.单/双电源供电
5.单电源供电
对于应用程序，当该模拟信号是单极的，该
ADG428 / ADG429可以从一个单一的轨道动力操作
供应量。部件与单个+ 12V完全指明的
电源将保持功能与单电源供电
低至5 V.
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781 / 329-4700
万维网网站： http://www.analog.com
传真： 781 / 326-8703
ADI公司， 1999
ADG428/ADG429–SPECIFICATIONS
双电源
1
(V
参数
模拟开关
模拟信号范围
R
ON
R
ON
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
流掉泄漏我
D
（关闭）
ADG428
ADG429
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
ADG428
ADG429
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
DD
= +15 V, V
SS
= -15 V， GND = 0 V ，
WR
= 0 V,
RS
= 2.4V时，除非另有说明）
B版本
-40 ℃
+25 C +85 C
V
SS
到V
DD
60
100
10
125
60
100
10
T版
-55 ℃
+25 C +125 C
V
SS
到V
DD
125
单位
V
典型值
最大
％最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的最大
nA的最大
V分钟
V最大
A
最大
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
ns（最小值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
分贝分钟
dB典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
测试条件/评论
V
D
=
±
10 V，I
S
= -1毫安
-10 V < V
S
< 10 V，I
S
= -1毫安
V
D
=
±
10 V, V
S
=
测试电路2
V
D
=
±
10 V, V
S
=
测试电路3
10 V;
10 V;
±
0.03
±
0.3
±
0.5
±
50
±
0.07
±
1
±
0.05
±
1
±
1
±
1
±
0.7
±
100
±
0.5
±
50
±
100
±
50
2.4
0.8
±
0.1
8
±
1
±
0.03
±
0.3
±
0.5
±
50
±
0.07
±
1
±
0.05
±
1
±
1
±
1
±
0.7
±
100
±
0.5
±
50
±
100
±
50
2.4
0.8
±
0.1
8
110
250
±
1
V
S
= V
D
=
±
10 V;
测试电路4
V
IN
= 0或V
DD
F = 1 MHz的
R
L
= 1 MΩ ，C
L
= 35 pF的;
V
S1
=
±10
V, V
S8
= 10 V;
测试电路5
R
L
= 1千欧，C
L
= 35 pF的;
V
S
= + 5V;测试电路6
R
L
= 1千欧，C
L
= 35 pF的;
V
S
= + 5V;测试电路7
R
L
= 1千欧，C
L
= 35 pF的;
V
S
= + 5V;测试电路7
动态特性
2
t
过渡
110
250
t
开放
t
ON
（ EN ，
WR ）
t
关闭
（ EN ，
RS）
t
W
，写脉宽
t
S
，地址，启用设置时间
t
H
，地址，使能保持时间
t
RS
，复位脉冲宽度
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
ADG428
ADG429
C
D
, C
S
（上）
ADG428
ADG429
电源要求
I
DD
I
SS
115
150
105
150
300
10
225
300
100
100
10
100
300
10
115
150
105
150
225
300
100
100
10
100
4
–75
–60
85
11
40
20
54
34
20
100
0.001
5
4
–75
–60
85
11
40
20
54
34
20
100
0.001
5
V
S
= +5 V
V
S
= 0 V ，R
S
= 0
,
C
L
= 10nF的;
测试电路10
R
L
= 1千欧，C
L
= 15 PF， F = 100千赫;
V
S
= 7 V RMS ，V
EN
= 0 V ;测试电路11
R
L
= 1千欧，C
L
= 15 PF， F = 100千赫;
测试电路12
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
pF的典型值
pF的典型值
A
典型值
A
最大
A
典型值
A
最大
V
IN
= 0 V, V
EN
= 0 V
笔记
1
温度范围如下： B版本： -40 ° C至+ 85°C ; T版： -55 ° C至+ 125°C 。
2
通过设计保证，不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
版本C
ADG428/ADG429
单电源
1
(V
参数
模拟开关
模拟信号范围
R
ON
R
ON
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
流掉泄漏我
D
（关闭）
ADG428
ADG429
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
ADG428
ADG429
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
2
t
过渡
t
开放
t
ON
（ EN ，
WR ）
t
关闭
（ EN ，
RS）
t
W
，写脉宽
t
S
，地址，启用设置时间
t
H
，地址，使能保持时间
t
RS
，复位脉冲宽度
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
ADG428
ADG429
C
D
, C
S
（上）
ADG428
ADG429
电源要求
I
DD
DD
= +12 V, V
SS
= 0 V ， GND = 0 V ，
WR
= 0 V,
RS
= 2.4V时，除非另有说明）
B版本
-40 ℃
+25 C +85 C
0到V
DD
90
200
10
±
0.005
±
0.5
±
50
±
0.015
±
1
±
100
±
0.008
±
1
±
50
±
0.02
±
1
±
0.01
±
1
±
100
±
50
2.4
0.8
±
1
8
250
350
25
200
300
80
300
8
250
350
25
200
300
80
300
10
±
0.005
±
0.5
±
0.015
±
1
±
0.008
±
1
±
0.02
±
1
±
0.01
±
1
90
200
T版
-55 ℃
+25 C +125 C
0到V
DD
单位
V
典型值
最大
％最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的最大
nA的最大
V分钟
V最大
A
最大
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
ns（最小值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
分贝分钟
dB典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
测试条件/评论
V
D
≤ +10 V，I
S
= –500
A
0 V＆ LT ; V
S
< 10 V，I
S
= -1毫安
V
D
= 10 V/0 V, V
S
= 0 V/10 V;
测试电路2
V
D
= 10 V/0 V, V
S
= 0 V/10 V;
测试电路3
±
50
±
100
±
50
±
100
±
50
2.4
0.8
±
1
V
S
= V
D
= 10 V/0 V;
测试电路4
V
IN
= 0或V
DD
F = 1 MHz的
R
L
= 1 MΩ ，C
L
= 35 pF的;
V
S1
= 10 V/0 V, V
S8
= 0 V/10 V;
测试电路5
R
L
= 1千欧，C
L
= 35 pF的;
V
S
= + 5V;测试电路6
R
L
= 1千欧，C
L
= 35 pF的;
V
S
= + 5V;测试电路7
R
L
= 1千欧，C
L
= 35 pF的;
V
S
= + 5V;测试电路7
450
10
400
400
100
100
10
100
450
10
400
400
100
100
10
100
4
–75
–60
85
11
40
20
54
34
20
100
4
–75
–60
85
11
40
20
54
34
20
100
V
S
= +5 V
V
S
= 6 V ，R
S
= 0
,
C
L
= 10nF的;
测试电路10
R
L
= 1千欧，C
L
= 15 PF， F = 100千赫;
V
S
= 7 V RMS ，V
EN
= 0 V ;测试电路11
R
L
= 1千欧，C
L
= 15 PF， F = 100千赫;
测试电路12
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
pF的典型值
pF的典型值
A
典型值
A
最大
V
IN
= 0 V, V
EN
= 0 V
笔记
1
温度范围如下： B版本： -40 ° C至+ 85°C ; T版： -55 ° C至+ 125°C 。
2
通过设计保证，不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
版本C
–3–
ADG428/ADG429
绝对最大额定值
1
(T
A
= + 25°C ，除非另有说明。 ）
ADG428引脚配置
DIP / SOIC
A0
WR
1
A0
2
EN
3
V
SS 4
S1
5
18
RS
17
A1
16
A2
V
DD
到V
SS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .+44 V
V
DD
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至+25 V
V
SS
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +0.3 V至-25 V
模拟，数字输入
2
. . . . . . . . . . V
SS
- 2 V到V
DD
+ 2V或
30毫安，以先到为准
连续电流，S或D 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
峰值电流，S或D 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安
（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比最大）
工作温度范围
工业（B版） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
扩展（T版） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至+ 125°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
CERDIP封装，功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 900毫瓦
θ
JA
，热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73 ° C / W
焊接温度，焊接（ 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
塑料封装，功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 470毫瓦
θ
JA
，热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 115 ° C / W
焊接温度，焊接（ 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 260℃
SOIC封装，功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 600毫瓦
θ
JA
，热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 77 ° C / W
焊接温度，焊接
气相（60秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 215℃
PLCC封装，功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 800毫瓦
θ
JA
，热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 90 ° C / W
焊接温度，焊接
气相（60秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 215℃
红外（ 15秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 220℃
笔记
1
注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作
器件在这些或以上的运作中列出的任何其他条件
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。只有一个绝对的
最大额定值可在任一时间施加。
2
过压A， EN ，
WR ， RS ，
S或D的调用由内部二极管钳位。当前
应限制在给定的最大额定值。
PLCC
WR
NC
RS
20
3
2
1
A1
19
18
A2
17
GND
16
V
DD
15
S5
14
S6
13
EN
4
V
SS 5
S1
6
S2
7
S3
8
销1
识别码
ADG428
15
GND
ADG428
顶视图
（不按比例）
顶视图
14
V
DD
（不按比例）
13
S5
S2
6
S3
7
S4
8
D
9
12
S6
11
S7
10
S8
9
10
11
12
S4
NC
S8
RS
20
NC =无连接
ADG429引脚配置
DIP
A0
WR
1
A0
2
EN
3
V
SS 4
S1A
5
18
RS
17
A1
16
GND
PLCC
WR
NC
A1
19
18
GND
17
V
DD
16
S1B
15
S2B
14
S3B
9
10
11
12
13
3
2
1
EN
4
V
SS 5
S1A
6
S2A
7
S3A
8
销1
识别码
ADG429
15
V
DD
ADG429
顶视图
（不按比例）
顶视图
14
S1B
（不按比例）
13
S2B
S2A
6
S3A
7
S4A
8
DA
9
12
S3B
11
S4B
10
DB
DA
NC
S4A
DB
NC =无连接
订购指南
模型
1
ADG428BN
ADG428BP
ADG428BR
ADG428TQ
ADG429BN
ADG429BP
ADG429TQ
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
封装选项
2
N-18
P-20A
R-18
Q-18
N-18
P-20A
Q-18
笔记
1
对于MIL -STD - 883 ， B类加工零件，请联系工厂的可用性。
2
N =塑料DIP ; P =塑料有引线芯片载体（ PLCC ） ; Q = CERDIP ;
R =小外形集成电路（ SOIC ） 。
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。
虽然ADG428 / ADG429具有专用ESD保护电路，永久
损害可发生在遇到高能量静电放电设备。因此，适当的
ESD预防措施建议，以避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
–4–
S4B
S7
D
版本C
ADG428/ADG429
术语
ADG428真值表
V
DD
V
SS
最积极的供电潜力。
在双最负电源电位
耗材。在单电源应用中，可能
被连接到地。
接地（ 0 V ）参考。
D和S之间的欧姆电阻
在R的区别
ON
任何两种
通道。
源漏电流时，开关断开。
漏极漏电流时，开关处于关闭状态。
当开关处于信道的泄漏电流
ON 。
在端D ，S模拟电压
通道的输入电容为“OFF”
条件。
信道的输出电容为“关”
条件。
“ON”的开关电容。
数字输入电容。
的50 ％和90％点之间的延迟时间
数字输入和开关“ON”时的
条件。
的50 ％和90％点之间的延迟时间
数字输入和开关“关”的
条件。
的50 ％和90％点之间的延迟时间
数字输入和开关“ON”
条件从一个地址转换时
状态到另一个状态。
测得的80 ％点之间的“关”的时间
无论从一个切换开关时，
解决状态到另一个状态。
最大输入电压为逻辑“0”。
最小输入电压为逻辑“ 1”。
输入电流的数字输入。
衡量无用信号是
从一个通道相连通，以另一
作为寄生电容的结果。
耦合的无用信号的测量
通过一个“关”的通道。
衡量的毛刺脉冲传递
从数字输入到模拟输出
期间切换。
正电源电流。
负电源电流。
A2
A1
A0
EN
WR
RS
ON开关
锁定
X
RESET
X
X
X
X
X
0
无
（锁存器清零）
X
X
X
g
1
GND
R
ON
R
ON
I
S
（关闭）
I
D
（关闭）
I
D
, I
S
（上）
V
D
(V
S
)
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
C
IN
t
ON
（ EN ）
保持先前的
开关状态
透明运行
X
0
0
0
0
1
1
1
1
X
0
0
1
1
0
0
1
1
X
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
1
1
1
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
1
无
1
2
3
4
5
6
7
8
ADG429真值表
A1
A0
EN
WR
RS
ON开关对
锁定
X
RESET
X
X
X
X
0
无
（锁存器清零）
X
X
t
关闭
（ EN ）
g
1
保持先前的
开关状态
t
TRANSITlON
透明运行
X
0
0
1
1
X
0
1
0
1
0
1
1
1
1
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
无
1
2
3
4
t
开放
V
INL
V
INH
I
INL
(I
INH
)
相声
关断隔离
收费
注射
I
DD
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