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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1692页 > ADG419TQ
a
特点
44 V电源最大额定值
V
SS
到V
DD
模拟信号范围
低导通电阻( < 35 )
超低功耗( < 35 W)
快速转换时间( 160 ns(最大值) )
先开后合式开关动作
插入式替换DG419
应用
精密测试设备
精密仪器
电池供电系统
采样保持系统
LC MOS精密
微型DIP模拟开关
ADG419
功能框图
D
S2
2
S1
IN
ADG419
开关显示的某
LOGIC "1"输入
概述
产品亮点
该ADG419是一款单芯片CMOS单刀双掷开关。这
开关设计在增强LC
2
MOS工艺的亲
志愿组织的低功耗,高开关速度,低
导通电阻和低泄漏电流。
该ADG419的导通电阻曲线非常平坦,在整个
模拟输入范围,确保了出色的线性度和低失真
化。的部分也显示出高的转换速度和高信号
带宽。 CMOS结构确保了超低功耗耗散
化,因而非常适合于便携式和电池部件
电动器械。
该ADG419的各开关导电性能相同,在两个
和方向时,在具有延伸的输入信号范围
在耗材。在断开状态下,信号电平最高的
供应被阻断。该ADG419展品打破,直至─
使开关动作。
1.扩展信号范围
该ADG419制造在一个增强的LC
2
MOS亲
塞斯,给人延伸到增加的信号范围
电源轨。
2.超低功耗
3.低R
ON
4.单电源供电
对于应用程序,当该模拟信号是单极的,该
ADG419可以从一个单一的轨道电源来操作。
该器件具有单路+ 12V电源完全指定
并保持工作与单电源供电低至
+5 V.
REV 。一
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是,没有责任承担由Analog Devices其
使用,也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则,在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
联系电话: 781 / 329-4700
万维网网站: http://www.analog.com
传真: 781 / 326-8703
ADI公司, 1998年
ADG419–SPECIFICATIONS
1
双电源
参数
模拟开关
模拟信号范围
R
ON
漏电流
来源OFF漏我
S
(关闭)
流掉泄漏我
D
(关闭)
渠道渗漏我
D
, I
S
(上)
数字输入
输入高电压,V
INH
输入低电压,V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
动态特性
2
t
过渡
(V
DD
= +15 V
10%, V
SS
= –15 V
10%, V
L
= +5 V
的10% ,GND = 0V,除非另有说明)
T版
-55 ℃
+25 C +125 C
V
SS
到V
DD
25
35
±
0.1
±
0.25
±
0.1
±
0.75
±
0.4
±
0.75
45
B版本
-40 ℃
+25 C
+85 C
V
SS
到V
DD
25
35
±
0.1
±
0.25
±
0.1
±
0.75
±
0.4
±
0.75
45
单位
V
典型值
最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
A
典型值
A
最大
ns(最大值)
测试条件/评论
V
D
=
±
12.5 V,I
S
= -10毫安
V
DD
= +13.5 V, V
SS
= –13.5 V
V
DD
= +16.5 V, V
SS
= –16.5 V
V
D
=
±
15.5 V, V
S
= 15.5 V;
测试电路2
V
D
=
±
15.5 V, V
S
= 15.5 V;
测试电路2
V
S
= V
D
=
±
15.5 V;
测试电路3
±
5
±
5
±
5
2.4
0.8
±
0.005
±
0.5
±
15
±
30
±
30
2.4
0.8
±
0.005
±
0.5
V
IN
= V
INL
或V
INH
160
200
145
200
先开后合式时间
延迟,T
D
关断隔离
通道到通道的串扰
C
S
(关闭)
C
D
, C
S
(上)
电源要求
I
DD
I
SS
I
L
30
5
80
90
6
55
0.0001
1
0.0001
1
0.0001
1
30
5
80
70
6
55
0.0001
1
0.0001
1
0.0001
1
纳秒(典型值)
ns(最小值)
dB典型值
dB典型值
pF的典型值
pF的典型值
A
典型值
A
最大
A
典型值
A
最大
A
典型值
A
最大
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;
V
S1
=
±
10 V, V
S2
= 10 V;
测试电路4
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;
V
S1
= V
S2
=
±
10 V;
测试电路5
R
L
= 50
,
F = 1兆赫;
测试电路6
R
L
= 50
,
F = 1兆赫;
测试电路7
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
V
DD
= +16.5 V, V
SS
= –16.5 V
V
IN
= 0 V或5 V
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
V
L
= +5.5 V
笔记
1
温度范围如下: B版本: -40 ° C至+ 85°C ; T版: -55 ° C至+ 125°C 。
2
通过设计保证,不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
–2–
REV 。一
ADG419
单电源
(V
参数
模拟开关
模拟信号范围
R
ON
漏电流
来源OFF漏我
S
(关闭)
流掉泄漏我
D
(关闭)
渠道渗漏我
D
, I
S
(上)
数字输入
输入高电压,V
INH
输入低电压,V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
动态特性
2
t
过渡
DD
=
+12 V
10%, V
SS
= 0 V, V
L
= +5 V
B版本
-40 ℃
+25 C
+85 C
0到V
DD
40
60
±
0.1
±
0.25
±
0.1
±
0.75
±
0.4
±
0.75
的10% ,GND = 0V,除非另有说明)
T版
-55 ℃
+25 C +125 C
0到V
DD
40
70
±
0.1
±
0.25
±
0.1
±
0.75
±
0.4
±
0.75
单位
V
典型值
最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
A
典型值
A
最大
ns(最大值)
测试条件/评论
V
D
= 3 V, 8.5 V,I
S
= -10毫安
V
DD
= +10.8 V
V
DD
= +13.2 V
V
D
= 12.2 V/1 V, V
S
= 1 V/12.2 V;
测试电路2
V
D
= 12.2 V/1 V, V
S
= 1 V/12.2 V;
测试电路2
V
S
= V
D
= 12.2 V/1 V;
测试电路3
±
5
±
5
±
5
2.4
0.8
±
0.005
±
0.5
±
15
±
30
±
30
2.4
0.8
±
0.005
±
0.5
V
IN
= V
INL
或V
INH
180
250
170
250
先开后合式时间
延迟,T
D
关断隔离
通道到通道的串扰
C
S
(关闭)
C
D
, C
S
(上)
电源要求
I
DD
I
L
60
60
纳秒(典型值)
80
90
13
65
0.0001
1
0.0001
1
80
70
13
65
0.0001
1
0.0001
1
dB典型值
dB典型值
pF的典型值
pF的典型值
A
典型值
A
最大
A
典型值
A
最大
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;
V
S1
= 0 V/8 V, V
S2
= 8 V/0 V;
测试电路4
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;
V
S1
= V
S2
= +8 V;
测试电路5
R
L
= 50
,
F = 1兆赫;
测试电路6
R
L
= 50
,
F = 1兆赫;
测试电路7
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
V
DD
= +13.2 V
V
IN
= 0 V或5 V
V
L
= +5.5 V
2.5
2.5
2.5
2.5
笔记
1
温度范围如下: B版本: -40 ° C至+ 85°C ; T版: -55 ° C至+ 125°C 。
2
通过设计保证,不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
表一,表真相
逻辑
0
1
开关1
ON
关闭
订购指南
开关2
关闭
ON
引脚配置
DIP / SOIC / SOIC
D
1
S1
2
8
S2
7
V
SS
ADG419
顶视图
GND
3
(不按比例)
6
IN
V
DD 4
5
V
L
模型
ADG419BN
ADG419BR
ADG419BRM
ADG419TQ
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
封装选项*
N-8
SO-8
RM-8
Q-8
* N =塑料DIP , Q =陶瓷浸渍, RM =
μSOIC ,
SO = 0.15"小外形集成电路( SOIC ) 。
REV 。一
–3–
ADG419
绝对最大额定值
1
(T
A
= + 25 ° C除非另有说明)
V
DD
到V
SS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .+44 V
V
DD
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至+25 V
V
SS
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +0.3 V至-25 V
V
L
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
模拟,数字输入
2
. . . . . . . . . . . . V
SS
- 2 V到V
DD
+ 2 V
或30毫安,以先到者为准
连续电流,S或D 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
峰值电流,S或D 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安
(脉冲在1毫秒, 10 %占空比最大)
工作温度范围
工业(B版) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
扩展(T版) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至+ 125°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
CERDIP封装,功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 600毫瓦
θ
JA
,热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 110 ° C / W
焊接温度,焊接( 10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
塑料封装,功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 400毫瓦
θ
JA
,热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 100 ° C / W
焊接温度,焊接( 10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 260℃
SOIC封装,功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 400毫瓦
θ
JA
,热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 155 ° C / W
μSOIC
封装,功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 315毫瓦
θ
JA
,热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 205 ° C / W
焊接温度,焊接
气相(60秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 215℃
红外( 15秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 220℃
笔记
1
注意,超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作
器件在这些或以上的运作中列出的任何其他条件
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。只有一个绝对的
最大额定值可在任一时间施加。
2
过压IN ,S或D由内部二极管钳位。当前应
限于给出的最大额定值。
小心
ESD (静电放电)敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备,可排出而不被发现。
虽然ADG419具有专用ESD保护电路,可能永久的损坏
发生在受到高能静电放电设备。因此,适当的ESD
预防措施建议,以避免性能下降或功能丧失。
警告!
ESD敏感器件
术语
V
DD
V
SS
V
L
GND
S
D
IN
R
ON
I
S
(关闭)
I
D
(关闭)
I
D
, I
S
(上)
V
D
(V
S
)
C
S
(关闭)
最积极的供电潜力。
在双最负电源电位
耗材。在单电源应用中,
可被连接到GND。
逻辑电源( + 5V) 。
接地( 0 V )参考。
源极端子。可以是输入或
输出。
漏极端子。可以是输入或
输出。
逻辑控制输入。
D和S之间的欧姆电阻
源极漏电流的开关
“OFF”。
漏极漏电流与开关
“OFF”。
信道的泄漏电流与开关
“ON”。
在端D ,S模拟电压
“ OFF”开关的源极电容。
C
D
, C
S
(上)
t
过渡
t
D
V
INL
V
INH
I
INL
(I
INH
)
相声
关断隔离
I
DD
I
SS
“ON”的开关电容。
的50 %和90%点之间的延迟时间
数字输入和开关“ON”
条件从一个地址转换时
状态到另一个状态。
“开”测定时间“关”的时间或BE-
补间两个开关的90 %分
从一个地址状态切换时,
到另一个。
最大输入电压为逻辑“0”。
最小输入电压为逻辑“ 1”。
输入电流的数字输入。
衡量无用信号是
从一个通道到耦合通过
另如寄生电容的结果。
耦合的无用信号的测量
通过一个“关”的通道。
正电源电流。
负电源电流。
–4–
REV 。一
典型性能特征, ADG419
50
T
A
= +25 C
40
V
DD
= +5V
V
SS
= –5V
100
T
A
= +25 C
80
V
DD
= +5V
V
SS
= 0V
30
R
ON
R
ON
V
DD
= +10V
V
SS
= –10V
60
V
DD
= +10V
V
SS
= 0V
40
V
DD
= +12V
V
SS
= 0V
20
V
DD
= +12V
V
SS
= –12V
V
DD
= +15V
V
SS
= –15V
0
–15
–10
–5
0
V
S
, V
D
- 伏特
5
10
15
10
20
V
DD
= +15V
V
SS
= 0V
0
0
5
V
S
, V
D
- 伏特
10
15
图1。R
ON
作为V的函数
D
(V
S
) :双电源电压
图4.
ON
作为V的函数
D
(V
S
) :单电源
电压
50
V
DD
= +15V
V
SS
= –15V
V
L
= +5V
100
V
DD
= +12V
V
SS
= 0V
V
L
= +5V
40
80
30
R
ON
R
ON
60
+125 C
+125 C
20
40
10
+85 C
+25 C
20
+85 C
+25 C
0
–15
–10
–5
0
V
S
, V
D
- 伏特
0
5
10
15
0
3
6
V
S
, V
D
- 伏特
9
12
图2。R
ON
作为V的函数
D
(V
S
)为不同
温度
图5.
ON
作为V的函数
D
(V
S
)为不同
温度
0.02
V
DD
= +15V
V
SS
= –15V
T
A
= +25 C
I
S
(关闭)
0.00
I
D
(关闭)
I
D
(上)
0.006
V
DD
= +12V
V
SS
= 0V
T
A
= +25 C
0.01
漏电流 - NA
0.004
漏电流 - NA
I
D
(上)
0.002
I
S
(关闭)
–0.01
0.000
I
D
(关闭)
– 0.02
–0.002
–0.03
–15
–10
–5
0
V
S
, V
D
- 伏特
–0.004
5
10
15
0
2
4
6
V
S
, V
D
- 伏特
8
10
12
图3.漏电流为V的功能
S
(V
D
)
图6.漏电流为V的功能
S
(V
D
)
REV 。一
–5–
LC
2
MOS精密
微型DIP模拟开关
ADG419
特点
44 V电源最大额定值
V
SS
到V
DD
模拟信号范围
低导通电阻: <35 Ω
超低功耗: < 35 μW
快速转换时间: 160 ns(最大值)
先开后合式开关动作
插入式替换DG419
功能框图
D
S2
S1
IN
ADG419
开关显示的某
逻辑输入1
07850-001
图1 。
应用
精密测试设备
精密仪器
电池供电系统
采样保持系统
概述
该ADG419是一款单芯片CMOS单刀双掷开关。此开关
设计上增强LC
2
MOS工艺,可提供低
功耗,高开关速度,低导通电阻,
和低泄漏电流。
该ADG419的导通电阻曲线非常平坦,在整个
模拟输入范围,确保了出色的线性度和低失真。
的部分也显示出高的转换速度和高信号
带宽。 CMOS结构确保了超低功耗
耗散,使得部件非常适合便携式和
电池供电的仪器。
该ADG419的各开关导电性能相同,在两个
和方向时,在具有延伸的输入信号范围
在耗材。在断开状态下,信号电平最高的
供应被阻断。该ADG419展品突破前先
开关动作。
产品亮点
1.
扩展信号范围。
该ADG419制造在一个增强的LC
2
MOS
过程,从而延伸到增加的信号范围
电源轨。
超低功耗。
低R
ON
.
单电源工作。
对于应用程序,当该模拟信号是单极的,该
ADG419可以从一个单一的轨道电源来操作。
该器件具有一个12伏电源完全指定
并保持功能与单电源供电低至5 V.
2.
3.
4.
版本B
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而,没有
责任承担ADI公司供其使用,也为专利或其他任何侵权行为
第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更,恕不另行通知。没有
获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。
商标和注册商标均为其各自所有者的财产。
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
联系电话: 781.329.4700
www.analog.com
传真: 781.461.3113
2009 ADI公司保留所有权利。
ADG419
目录
特点................................................. ............................................. 1
应用................................................. ...................................... 1
功能框图............................................... ............... 1
概述................................................ ......................... 1
产品亮点................................................ ........................... 1
修订历史................................................ ............................... 2
规格................................................. .................................... 3
双电源................................................ ................................... 3
单电源................................................ ................................. 4
绝对最大额定值............................................... ............. 5
ESD注意事项................................................ ................................... 5
引脚配置和功能描述.............................. 6
典型性能特征.............................................. 7
测试电路................................................ ........................................ 9
术语................................................. ................................... 11
外形尺寸................................................ ....................... 12
订购指南................................................ .......................... 13
修订历史
8月9日 - 修订版。 B到C版
更新格式................................................ ..................通用
更改表1 .............................................. .............................. 3
更改表2 .............................................. .............................. 4
更新的外形尺寸............................................... ........ 12
更改订购指南.............................................. ............ 13
版本B |第16页2
ADG419
特定网络阳离子
双电源
V
DD
= 15 V ± 10%, V
SS
= 15 V ± 10%, V
L
= 5伏±10% ,GND = 0V ,除非另有说明。
表1中。
B版本
-40 ° C至
-40 ° C至
+85°C
+125°C
V
SS
到V
DD
25
35
±0.1
±0.25
±0.1
±0.75
±0.4
±0.75
±5
±15
45
45
25
35
±0.1
±0.25
±0.1
±0.75
±0.4
±0.75
±15
T版
-55℃
+25°C +125°C
V
SS
到V
DD
45
= (典型值)
=最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA (典型值)
μA(最大值)
ns(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最小值)
dB典型值
dB典型值
pF的典型值
pF的典型值
μA (典型值)
μA(最大值)
μA (典型值)
μA(最大值)
μA (典型值)
μA(最大值)
V
IN
= V
INL
或V
INH
V
D
= ± 12.5 V,I
S
= -10毫安
V
DD
= +13.5 V, V
SS
= 13.5 V
V
DD
= +16.5 V, V
SS
= 16.5 V
V
D
= ±15.5 V, V
S
=
15.5
V;
见图12
V
D
= ±15.5 V, V
S
=
15.5
V;
见图12
V
S
= V
D
= ± 15.5 V ;参见图13
参数
1
模拟开关
模拟信号范围
R
ON
漏电流
源关闭泄漏,我
S
(关闭)
+25°C
单位
测试条件/评论
流掉泄漏,我
D
(关闭)
±5
±5
2.4
0.8
±0.005
±0.5
±30
±30
2.4
0.8
±0.005
±0.5
200
±30
±30
2.4
0.8
±0.005
±0.5
渠道渗漏,我
D
, I
S
(上)
数字输入
输入高电压,V
INH
输入低电压,V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
动态特性
2
t
过渡
突破前先延时,T
D
160
30
5
80
90
6
55
0.0001
1
0.0001
1
0.0001
1
200
145
30
5
80
70
6
55
0.0001
1
0.0001
1
0.0001
1
200
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的; V
S1
= ±10 V,
V
S2
=
10
V ;参见图14
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的;
V
S1
= V
S2
= ± 10 V ;参见图15
R
L
= 50 Ω , F = 1MHz的;参见图16
R
L
= 50 Ω , F = 1MHz的;参见图17
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
V
DD
= +16.5 V, V
SS
= 16.5 V
V
IN
= 0 V或5 V
关断隔离
通道到通道的串扰
C
S
(关闭)
C
D
, C
S
(上)
电源要求
I
DD
I
SS
I
L
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
V
L
= 5.5 V
1
2
温度范围如下: B版本: -40 ° C至+ 125°C ; T版: -55 ° C至+ 125°C 。
通过设计保证,不受生产测试。
版本B |第16页3
ADG419
单电源
V
DD
= 12 V ± 10%, V
SS
= 0 V, V
L
= 5伏±10% ,GND = 0V ,除非另有说明。
表2中。
B版本
-40 ° C至-40 ° C至
+85°C
+125°C
0到V
DD
40
60
漏电流
源关闭泄漏,我
S
(关闭)
±0.1
±0.25
±0.1
±0.75
±0.4
±0.75
±5
±15
70
±0.1
±0.25
±0.1
±0.75
±0.4
±0.75
±15
40
70
T版
-55℃
+25°C +125°C
0到V
DD
参数
1
模拟开关
模拟信号范围
R
ON
+25°C
单位
V
= (典型值)
=最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA (典型值)
μA(最大值)
ns(最大值)
纳秒(典型值)
dB典型值
dB典型值
pF的典型值
pF的典型值
μA (典型值)
μA(最大值)
μA (典型值)
μA(最大值)
测试条件/评论
V
D
= 3 V , 8.5 V,I
S
= -10毫安
V
DD
= 10.8 V
V
DD
= 13.2 V
V
D
= 12.2 V/1 V, V
S
= 1 V/12.2 V;
见图12
V
D
= 12.2 V/1 V, V
S
= 1 V/12.2 V;
见图12
V
S
= V
D
= 12.2 V / 1 V ;参见图13
流掉泄漏,我
D
(关闭)
±5
±5
2.4
0.8
±0.005
±0.5
±30
±30
2.4
0.8
±0.005
±0.5
250
±30
±30
2.4
0.8
±0.005
±0.5
渠道渗漏,我
D
, I
S
(上)
数字输入
输入高电压,V
INH
输入低电压,V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
动态特性
2
t
过渡
突破前先延时,T
D
关断隔离
通道到通道的串扰
C
S
(关闭)
C
D
, C
S
(上)
电源要求
I
DD
I
L
V
IN
= V
INL
或V
INH
180
60
80
90
13
65
0.0001
1
0.0001
1
250
170
60
80
70
13
65
0.0001
1
0.0001
1
250
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的; V
S1
= 0 V/8 V,
V
S2
= 8 V / 0 V ;参见图14
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的;
V
S1
= V
S2
= 8 V ;参见图15
R
L
= 50 Ω , F = 1MHz的;参见图16
R
L
= 50 Ω , F = 1MHz的;参见图17
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
V
DD
= 13.2 V
V
IN
= 0 V或5 V
V
L
= 5.5 V
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
1
2
温度范围如下: B版本: -40 ° C至+ 125°C ; T版: -55 ° C至+ 125°C 。
通过设计保证,不受生产测试。
版本B |第16页4
ADG419
绝对最大额定值
T
A
= 25_C除非另有说明。
表3中。
参数
V
DD
到V
SS
V
DD
到GND
V
SS
到GND
V
L
到GND
模拟,数字输入
1
等级
44 V
0.3 V至+25 V
+0.3 V至-25 V
0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
V
SS
- 2 V到V
DD
+ 2 V
或30毫安,取
发生网络RST
30毫安
百毫安
注意,超出上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有等级;该器件在这些或任何功能操作
上述其他条件下的作战指示
本规范的部分,是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
器件的可靠性。
ESD警告
连续电流,S或D
峰值电流, S或D(脉冲为1毫秒,
10 %占空比最大)
工作温度范围
工业(B版)
扩展(T版)
存储温度范围
结温
CERDIP封装,功耗
θ
JA
,热阻抗
焊接温度,焊接( 10秒)
PDIP封装,功耗
θ
JA
,热阻抗
焊接温度,焊接( 10秒)
SOIC封装,功耗
θ
JA
,热阻抗
MSOP封装,功耗
θ
JA
,热阻抗
焊接温度,焊接
气相(60秒)
红外( 15秒)
1
-40 ° C至+ 125°C
-55 ° C至+ 125°C
-65 ° C至+ 150°C
150°C
600毫瓦
110°C/W
300°C
400毫瓦
100°C/W
260°C
400毫瓦
155°C/W
315毫瓦
205°C/W
215°C
220°C
过压IN, S或D由内部二极管钳位。限制到当前
最大额定值定。
版本B |第16页5
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联系人:李
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联系人:郭
地址:深圳市福田区华强广场C座24I
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
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电话:0755-8322-5385 8277-7362
联系人:李先生
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联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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联系人:雷小姐
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联系人:朱
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全新原装现货,原厂代理。
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