【a特点44 V电源最大额定值VSS到VDD模拟信号范围低导通电阻（ <35 ）超低功耗（ &l】,IC型号ADG417BR,ADG417BR PDF资料,ADG417BR经销商,ic,电子元器件-51电子网

特点

44 V电源最大额定值

到V

模拟信号范围

低导通电阻（ <35 ）

超低功耗（ <35 W）

快速开关时间

（ 160 ns（最大值））

关闭

（ 100 ns（最大值））

先开后合式开关动作

插件替换为DG417

应用

精密测试设备

精密仪器

电池供电系统

采样保持系统

LC MOS精密

微型DIP模拟开关

ADG417

功能框图

ADG417

开关显示的某

LOGIC "1"输入

概述

产品亮点

该ADG417是一款单芯片CMOS单刀单掷开关。此开关

设计上增强LC

MOS工艺，可提供低

功耗，高开关速度，低导通电阻

tance和低泄漏电流。

该ADG417的导通电阻曲线非常平坦过

整个模拟输入范围，确保优异的线性度和低

失真。的部分也显示出高的转换速度和高

信号的带宽。 CMOS结构确保了超低功耗

耗散使得部件非常适合便携式和

电池供电的仪器。

该ADG417开关，其接通时为逻辑低电平上

的控制输入端，导电性能相同，在两个方向上时

开，并且具有延伸到电源的输入信号范围。

在OFF状态时，信号电平最高的耗材

受阻。该ADG417展品先开后合式开关

行动中多路复用器应用。固有的设计

是切换时，低电荷注入最小的瞬变

数字输入。

1.扩展信号范围

该ADG417制造在一个增强的LC

MOS工艺，

给延伸到供应增加的信号范围

轨。

2.超低功耗

3.低R

4.单电源供电

对于应用程序，当该模拟信号是单极的，该

ADG417可以从一个单一的轨道电源来操作。

该器件具有单路+ 12V电源完全指定

并保持工作与单电源供电低至

+5 V.

REV 。一

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一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.

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ADI公司， 1998年

ADG417–SPECIFICATIONS

双电源

参数

模拟开关

模拟信号范围

漏电流

来源OFF漏我

（关闭）

流掉泄漏我

（关闭）

渠道渗漏我

, I

（上）

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流

INL

还是我

INH

动态特性

关闭

电荷注入

关断隔离

（关闭）

, C

（上）

电源要求

+15 V

10%, V

= –15 V

10%, V

= +5 V

的10％，GND = 0V，除非另有说明）

B版本

-40 ℃

+25 C

+85 C

到V

0.1

0.25

0.1

0.25

0.1

0.4

T版

-55 ℃

+25 C +125 C

到V

0.1

0.25

0.1

0.25

0.1

0.4

单位

典型值

最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

典型值

最大

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

pC的典型值

dB典型值

pF的典型值

典型值

最大

典型值

最大

典型值

最大

测试条件/评论

12.5 V，I

= -10毫安

= +13.5 V, V

= –13.5 V

= +16.5 V, V

= –16.5 V

15.5 V, V

= 15.5 V;

测试电路2

15.5 V, V

= 15.5 V;

测试电路2

= V

15.5 V;

测试电路3

2.4

0.8

0.005

0.5

2.4

0.8

0.005

0.5

= V

INL

或V

INH

100

160

100

0.0001

200

150

100

145

100

0.0001

200

150

= 300

= 35 pF的;

10 V ;测试电路4

= 300

= 35 pF的;

10 V ;测试电路4

= 0 V ，R

= 0

= 10nF的;测试电路5

= 50

F = 1兆赫;

测试电路6

= +16.5 V, V

= –16.5 V

= 0 V或5 V

2.5

= +5.5 V

笔记

温度范围如下： B版本： -40 ° C至+ 85°C ; T版： -55 ° C至+ 125°C 。

通过设计保证，不受生产测试。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

–2–

REV 。一

ADG417

单电源

参数

模拟开关

模拟信号范围

漏电流

来源OFF漏我

（关闭）

流掉泄漏我

（关闭）

渠道渗漏我

, I

（上）

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流

INL

还是我

INH

动态特性

关闭

电荷注入

关断隔离

（关闭）

, C

（上）

电源要求

+12 V

10%, V

= 0 V, V

= +5 V

B版本

-40 ℃

+25 C +85 C

0到V

0.1

0.25

0.1

0.25

0.1

0.4

的10％，GND = 0V，除非另有说明）

T版

-55 ℃

+25 C +125 C

0到V

0.1

0.25

0.1

0.25

0.1

0.4

单位

典型值

最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

典型值

最大

ns（最大值）

pC的典型值

dB典型值

pF的典型值

典型值

最大

典型值

最大

测试条件/评论

= 3 V， 8.5 V，I

= -10毫安

= +10.8 V

= +13.2 V

= 12.2 V/1 V, V

= 1 V/12.2 V;

测试电路2

= 12.2 V/1 V, V

= 1 V/12.2 V;

测试电路2

= V

= 12.2 V/1 V;

测试电路3

2.4

0.8

0.005

0.5

2.4

0.8

0.005

0.5

= V

INL

或V

INH

180

0.0001

250

110

180

0.0001

250

110

= 300

= 35 pF的;

= + 8V ;测试电路4

= 300

= 35 pF的;

= + 8V ;测试电路4

= 0 V ，R

= 0

= 10nF的;测试电路5

= 50

F = 1兆赫;

测试电路6

= +13.2 V

= 0 V或5 V

= +5.5 V

2.5

笔记

温度范围如下： B版本： -40 ° C至+ 85°C ; T版： -55 ° C至+ 125°C 。

通过设计保证，不受生产测试。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

表一，表真相

引脚配置

DIP / SOIC

逻辑

开关状态

关闭

ADG417

顶视图

GND

（不按比例）

订购指南

DD 4

模型

ADG417BN

ADG417BR

温度范围

-40 ° C至+ 85°C

封装选项*

N-8

SO-8

NC =无连接

* N =塑料DIP ， SO = 0.15"小外形集成电路（ SOIC ）。

REV 。一

–3–

ADG417

绝对最大额定值

= + 25 ° C除非另有说明）

到V

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +44 V

到GND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 0.3 V至+25 V

到GND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 +0.3 V至-25 V

到GND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 0.3 V到V

+ 0.3 V

模拟，数字输入

. . . . . . . . . . . . . V

- 2 V到V

+2 V

或30毫安，以先到者为准

连续电流，S或D 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 30毫安

峰值电流，S或D 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。百毫安

（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比最大）

工作温度范围

工业（B版）。。。。。。。。。。。。。。。。。 -40 ° C至+ 85°C

扩展（T版）。。。。。。。。。。。。。。。。 -55 ° C至+ 125°C

存储温度范围。。。。。。。。。。。。。 -65 ° C至+ 150°C

结温。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 150℃

塑料封装，功率耗散。。。。。。。。。。。。。。。 400毫瓦

，热阻抗。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 100 ° C / W

焊接温度，焊接（ 10秒）。。。。。。。。。。。 + 260℃

SOIC封装，功率耗散。。。。。。。。。。。。。。。。 400毫瓦

，热阻抗。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 155 ° C / W

焊接温度，焊接

气相（60秒）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 + 215℃

红外（ 15秒）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 + 220℃

笔记

注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-

新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作

器件在这些或以上的运作中列出的任何其他条件

本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值

长时间条件下可能影响器件的可靠性。只有一个绝对的

最大额定值可在任一时间施加。

过压IN ，S或D由内部二极管钳位。当前应

限于给出的最大额定值。

小心

ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易

积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。

虽然ADG417具有专用ESD保护电路，可能永久的损坏

发生在受到高能静电放电设备。因此，适当的ESD

预防措施建议，以避免性能下降或功能丧失。

警告！

ESD敏感器件

术语

GND

（关闭）

, I

（上）

最积极的供电潜力。

在双最负电源电位

耗材。在单电源应用中，

可被连接到GND。

逻辑电源（ + 5V）。

接地（ 0 V ）参考。

源极端子。可以是输入或

输出。

漏极端子。可以是输入或

输出。

逻辑控制输入。

D和S之间的欧姆电阻

源极漏电流的开关

“OFF”。

漏极漏电流与开关

“OFF”。

信道的泄漏电流与开关

“ON”。

在端D ，S模拟电压

“ OFF”开关的源极电容。

“ OFF”开关漏极电容。

“ON”的开关电容。

施加所述数字控制之间的延迟

输入和输出开关上。

施加所述数字控制之间的延迟

关闭

输入和输出的开关关闭。

最大输入电压为逻辑“0”。

INL

INH

最小输入电压为逻辑“ 1”。

INL

INH

)

输入电流的数字输入。

电荷注入衡量的毛刺脉冲传递

从数字输入到模拟输出

期间切换。

关断隔离

耦合的无用信号的测量

通过一个“关”的通道。

正电源电流。

负电源电流。

逻辑电源电流。

)

（关闭）

, C

（上）

–4–

REV 。一

典型性能特征， ADG417

= +25 C

= +5V

= –5V

100

= +25 C

= +5V

= 0V

–

= +12V

= –12V

= +10V

= –10V

= +10V

= 0V

= +15V

= –15V

= +12V

= 0V

= +15V

= 0V

–15

–10

–5

, V

- 伏特

, V

- 伏特

图1。R

作为V的函数

）：双电源电压

图4.

作为V的函数

）：单电源

电压

100

= +15V

= –15V

= +5V

= +12V

= 0V

= +5V

–

+125 C

+85 C

+25 C

+125 C

+85 C

+25 C

–15

–10

–5

, V

- 伏特

, V

- 伏特

图2。R

作为V的函数

）为不同

温度

图5.

作为V的函数

）为不同

温度

0.02

= +15V

= –15V

= +25 C

（上）

0.006

= +12V

= 0V

= +25 C

（上）

0.002

（关闭）

漏电流 - NA

0.01

0.004

漏电流 - NA

（关闭）

0.00

（关闭）

–0.01

0.000

–0.02

–0.002

–0.03

–15

–10

–5

, V

- 伏特

–0.004

, V

- 伏特

图3.漏电流为V的功能

)

图6.漏电流为V的功能

)

REV 。一

–5–