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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第702页 > ADG412BR-REEL7
LC
2
MOS
精密四路SPST开关
ADG411/ADG412/ADG413
特点
44 V电源最大额定值
± 15 V模拟信号范围
低导通电阻( < 35 Ω )
超低功耗( 35 μW )
快速开关时间
t
ON
< 175纳秒
t
关闭
< 145纳秒
TTL / CMOS兼容
插件替换为DG411 / DG412 / DG413
该ADG411 , ADG412和ADG413包含四个独立的
SPST开关。该ADG411和ADG412的区别仅在于这
数字控制逻辑相反。该ADG411开关
接通与逻辑低上的相应控制输入端,
同时要求逻辑高电平为ADG412 。该ADG413
有两个开关与数字控制逻辑类似的
ADG411而逻辑相反的其它两个开关。
每个开关进行同样在两个方向上时,
并且每个具有延伸到电源的输入信号范围。
在断开条件下,信号电平的电源被阻止。
所有开关展品突破前先切换使用行动
在多路复用器应用。固有的设计是低电荷
注射最小的瞬变切换数字时
输入。
应用
音频和视频切换
自动测试设备
精密数据采集
电池供电系统
采样保持系统
通信系统
产品亮点
1.扩展信号范围
该ADG411 , ADG412和ADG413被制造在一个
增强LC
2
MOS ,给人一种增加的信号范围中
完全延伸至供电轨。
2.超低功耗
3.低R
ON
4.先开后合式开关
这可以防止当开关通道短路
配置为多路复用器。
5.单电源供电
对于应用程序,当该模拟信号是单极的,该
ADG411 , ADG412和ADG413可以从一个被操作
单轨供电。的部分均采用全指定
单12V电源,并保持工作单
用品低至5 V.
概述
该ADG411 , ADG412和ADG413均为单芯片CMOS
设备包括四个独立可选的开关。
他们是以增强LC设计
2
MOS工艺,
具有低功耗,高开关速度
和低导通电阻。
导通电阻曲线都非常平坦,在整个模拟输入
范围确保卓越的线性度和低失真的时候
切换音频信号。开关速度快加上高
信号的带宽也使零件适合视频信号
切换。 CMOS结构确保了超低功耗
耗散,使得部件非常适合便携式和
电池供电的仪器。
功能方框图
S1
IN1
D1
S2
IN2
D2
S3
IN3
S1
IN1
D1
S2
IN2
S1
IN1
D1
S2
IN2
D2
S3
D3
S4
IN4
00024-002
ADG411
IN3
ADG412
D2
S3
ADG413
IN3
D3
S4
IN4
D4
开关所对于逻辑1输入
00024-001
D3
S4
IN4
D4
开关所对于逻辑1输入
D4
开关所对于逻辑1输入
图1. ADG411
图2. ADG412
图3. ADG413
Rev. D的
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00024-003
ADG411/ADG412/ADG413
目录
特点................................................. ............................................. 1
应用................................................. ...................................... 1
概述................................................ ......................... 1
产品亮点................................................ ........................... 1
功能框图............................................... .............. 1
修订历史................................................ ............................... 2
规格................................................. .................................... 3
双电源................................................ ................................... 3
单电源................................................ ................................. 4
绝对最大额定值............................................... ............. 5
ESD注意事项................................................ ................................... 5
引脚配置和功能描述.............................. 6
典型性能特征.............................................. 7
术语................................................. ...................................... 9
应用................................................. .................................... 10
测试电路................................................ ..................................... 11
外形尺寸................................................ ....................... 13
订购指南................................................ .......................... 15
修订历史
6月10日 - 修订版。 C到Rev. D的
更新的外形尺寸............................................... ........ 13
更改订购指南.............................................. ............ 15
11月4日 - 修订版。 B到C版
格式更新................................................ ..................通用
更改为封装图(图23) ..................................... 13
更改订购指南.............................................. ............ 14
7月4日 - 修订版。 A到版本B
更改订购指南.............................................. 5 .......
更新的外形尺寸............................................... 11
修订版D |第16页2
ADG411/ADG412/ADG413
特定网络阳离子
双电源
V
DD
= 15 V ± 10%, V
SS
= –15 V ± 10%, V
L
= 5伏±10% ,GND = 0V ,除非另有说明。
1
表1中。
B版本
-40 ° C至
+25°C +85°C
V
DD
到V
SS
25
35
±0.1
±0.25
±0.1
±0.25
±0.1
±0.4
±0.25
45
25
35
±0.1
±0.25
±0.1
±0.25
±0.1
±0.4
±20
T版
-55℃
+25°C +125°C
V
DD
到V
SS
45
参数
模拟开关
模拟信号范围
R
ON
漏电流
来源OFF漏我
S
(关闭)
单位
V
= (典型值)
=最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA (典型值)
μA(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最大值)
纳秒(典型值)
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
测试条件/评论
流掉泄漏我
D
(关闭)
±5
±10
2.4
0.8
±20
± 40
2.4
0.8
渠道渗漏我
D
, I
S
(上)
数字输入
输入高电压,V
INH
输入低电压,V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
动态特性
t
ON
t
关闭
突破前先延时,T
D
(仅ADG413 )
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
C
S
(关闭)
C
D
(关闭)
C
D
, C
S
(上)
电源要求
I
DD
I
SS
I
L
2
V
D
= -8.5 V,I
S
= -10毫安;
V
DD
= +13.5 V, V
SS
= 13.5 V
V
DD
= +16.5 V, V
SS
= 16.5 V
V
D
= +15.5 V/15.5 V,
V
S
= 15.5 V/+15.5 V;
图15
V
D
= +15.5 V/15.5 V,
V
S
= 15.5 V/+15.5 V;
图15
V
D
= V
S
= +15.5 V/15.5 V;
图16
0.005
±0.5
110
175
100
145
25
5
68
85
9
9
35
0.005
±0.5
110
175
100
145
25
5
68
85
9
9
35
V
IN
= V
INL
或V
INH
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的;
V
S
= ± 10 V ;图17
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的;
V
S
= ± 10 V ;图17
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的;
V
S1
= V
S2
= 10 V ;图18
V
S
= 0 V ,R
S
= 0 Ω, C
L
= 10nF的;
图19
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF, F = 1MHz的;
图20
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF, F = 1MHz的;
图21
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
V
DD
= +16.5 V, V
SS
= -16.5 V ;数字
输入= 0 V或5 V
0.0001
1
0.0001
1
0.0001
1
5
5
5
0.0001
1
0.0001
1
0.0001
1
5
5
5
μA (典型值)
μA(最大值)
μA (典型值)
μA(最大值)
μA (典型值)
μA(最大值)
1
2
温度范围如下: B版本: -40 ° C至+ 85°C ;牛逼的版本: -55 ° C至+ 125°C 。
通过设计保证;不受生产测试。
修订版D |第16页3
ADG411/ADG412/ADG413
单电源
V
DD
= 12 V ± 10%, V
SS
= 0 V, V
L
= 5伏±10% ,GND = 0V ,除非另有说明。
1
表2中。
参数
模拟信号范围
R
ON
漏电流
来源OFF漏我
S
(关闭)
流掉泄漏我
D
(关闭)
渠道渗漏我
D
, I
S
(上)
数字输入
输入高电压,V
INH
输入低电压,V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
动态特性
t
ON
t
关闭
先开后合式时间
延迟,T
D
(仅ADG413 )
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
C
S
(关闭)
C
D
(关闭)
C
D
, C
S
(上)
电源要求
I
DD
I
L
2
+25°C
40
80
±0.1
±0.25
±0.1
±0.25
±0.1
±0.4
B版本
-40 ° C至+ 85°C
0 V至V
DD
100
T版
+25°C
-55 ° C至+ 125°C
0 V至V
DD
40
80
100
±0.1
±0.25
±0.1
±0.25
±0.1
±0.4
单位
V
= (典型值)
=最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA (典型值)
μA(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最大值)
纳秒(典型值)
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
测试条件/评论
0℃, V
D
= 8.5 V,I
S
= -10毫安;
V
DD
= 10.8 V
V
DD
= 13.2 V
V
D
= 12.2 V/1 V, V
S
= 1 V/12.2 V;
图15
V
D
= 12.2 V/1 V, V
S
= 1 V/12.2 V;
图15
V
D
= V
S
= 12.2 V/1 V;
图16
±5
±5
±10
2.4
0.8
±20
±20
±40
2.4
0.8
0.005
±0.5
175
250
95
125
25
25
68
85
9
9
35
0.005
±0.5
175
250
95
125
25
25
68
85
9
9
35
V
IN
= V
INL
或V
INH
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的;
V
S
= 8 V ;图17
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的;
V
S
= 8 V ;图17
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的;
V
S1
= V
S2
= 10 V ;图18
V
S
= 0 V ,R
S
= 0 Ω, C
L
= 10nF的;
图19
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF, F = 1MHz的;
图20
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF, F = 1MHz的;
图21
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
V
DD
= 13.2 V;
数字输入= 0 V或5 V
0.0001
1
0.0001
1
5
5
0.0001
1
0.0001
1
5
5
μA (典型值)
μA(最大值)
μA (典型值)
μA(最大值)
V
L
= 5.25 V
1
2
温度范围如下: B版本: -40 ° C至+ 85°C ;牛逼的版本: -55 ° C至+ 125°C 。
通过设计保证;不受生产测试。
表3.真值表( ADG411 / ADG412 )
ADG411在
0
1
ADG412在
1
0
开关状态
ON
关闭
表4.真值表( ADG413 )
逻辑
0
1
开关1,4
关闭
ON
开关2,3
ON
关闭
修订版D |第16页4
ADG411/ADG412/ADG413
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃,除非另有说明。
表5 。
参数
V
DD
到V
SS
V
DD
到GND
V
SS
到GND
V
L
到GND
模拟,数字输入
1
评级
44 V
0.3 V至+25 V
+0.3 V至-25 V
0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
V
SS
- 2 V到V
DD
+ 2V或
30毫安为准
发生网络RST
30毫安
百毫安
注意,超出上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有等级;该器件在这些或任何功能操作
上述其他条件的业务部门上市
本规范是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
器件的可靠性。只有一个绝对最大额定值可能
在任一时间施加。
连续电流,S或D
峰值电流, S或D(脉冲为1毫秒,
10 %占空比最大)
工作温度范围
工业(B版)
扩展(T版)
存储温度范围
结温
PDIP ,功率耗散
θ
JA
热阻抗
焊接温度,焊接( 10秒)
SOIC封装,功耗
θ
JA
热阻抗
TSSOP封装,功耗
θ
JA
热阻抗
θ
JC
热阻抗
焊接温度,焊接
气相( 60秒)
红外( 15秒)
1
ESD警告
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
-65 ° C至+ 150°C
150°C
470毫瓦
117°C/W
260°C
600毫瓦
77°C/W
450毫瓦
115°C/W
35°C/W
215°C
220°C
过压IN ,S或D是由内部二极管钳位。电流应
限于给出的最大额定值。
修订版D |第16页5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    ADG412BR-REEL7
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-23914006/18318877587
联系人:陈佳隆
地址:深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
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BGA
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电话:13537790913
联系人:朱成平
地址:深圳市龙岗区平湖街道良安田社区茗萃园三期12号楼,13号楼12楼B座401
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联系人:李先生
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