ADG411/ADG412/ADG413
绝对最大额定值
1
(T
A
= + 25 ° C除非另有说明）
术语
V
DD
到V
SS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .+44 V
V
DD
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至+25 V
V
SS
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +0.3 V至-25 V
V
L
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
模拟，数字输入
2
. . . . . . . . . . . V
SS
-2 V到V
DD
2 V或
30毫安，以先到为准
连续电流，S或D 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
峰值电流，S或D 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安
（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比最大）
工作温度范围
工业（B版） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
扩展（T版） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至+ 125°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
CERDIP封装，功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 900毫瓦
θ
JA
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 76 ° C / W
焊接温度，焊接（ 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
塑料封装，功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 470毫瓦
θ
JA
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 117 ° C / W
焊接温度，焊接（ 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 260℃
SOIC封装，功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 600毫瓦
θ
JA
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 77 ° C / W
TSSOP封装，功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 450毫瓦
θ
JA
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 115 ° C / W
θ
JC
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35 ° C / W
焊接温度，焊接
气相（60秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 215℃
红外（ 15秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 220℃
笔记
1
注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作
器件在这些或以上的运作中列出的任何其他条件
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。只有一个绝对的
最大额定值可在任一时间施加。
2
过压IN ，S或D由内部二极管钳位。当前应
限于给出的最大额定值。
V
DD
V
SS
V
L
GND
S
D
IN
R
ON
I
S
（关闭）
I
D
（关闭）
I
D
, I
S
（上）
V
D
(V
S
)
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
t
ON
t
关闭
t
D
相声
关断隔离
收费
注射
最积极的供电潜力。
在双最负电源电位
耗材。在单电源应用中，可能
连接到GND 。
逻辑电源（ + 5V） 。
接地（ 0 V ）参考。
源终端。可以是输入或输出。
漏极。可以是输入或输出。
逻辑控制输入。
D和S之间的欧姆电阻
源漏电流与开关“OFF”。
漏极漏电流与开关“OFF”。
信道的泄漏电流与开关“ON”。
在端D ，S模拟电压
“ OFF”开关的源极电容。
“ OFF”开关漏极电容。
“ON”的开关电容。
施加所述数字控制之间的延迟
输入和输出开关上。
施加所述数字控制之间的延迟
输入和输出的开关关闭。
“ON”时间“关”的时间或测量之间
两个开关的90 ％的点，切换时
从一个地址状态到另一个状态。
度量无用信号被耦合
通过从一个通道到另一个作为结果
的寄生电容。
耦合的无用信号的测量
通过一个“关”的开关。
衡量的毛刺脉冲传递
从数字输入到模拟输出
期间切换。
引脚配置
（ DIP / SOIC ）
订购指南
模型
l
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
封装选项
N-16
R-16A
Q-16
RU-16
N-16
R-16A
Q-16
N-16
R-16A
2
ADG411BN
ADG411BR
ADG411TQ
ADG411BRU
ADG412BN
ADG412BR
ADG412TQ
ADG413BN
ADG413BR
IN1
1
D1
2
S1
3
V
SS 4
16
IN2
15
D2
13
V
DD
顶视图
GND
5
（不按比例）
12
V
L
S4
6
11
S3
ADG411
ADG412
ADG413
14
S2
D4
7
IN4
8
10
D3
9
笔记
1
如需订购MIL -STD - 883 ， B类加工零件，添加/ 883B到T级部分
号。
2
N =塑料DIP ; R = 0.15"小外形集成电路（ SOIC ） ; RU =薄型小
纲要（ TSSOP ） ; Q = CERDIP 。
IN3
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。
虽然ADG411 / ADG412 / ADG413配备专用ESD保护电路，永久
损害可发生在遇到高能量静电放电设备。因此，适当的
ESD预防措施建议，以避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
–4–
REV 。一
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