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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1052页 > ADG408BR-REEL7
LC
2
MOS 4- / 8通道
高性能模拟多路复用器
ADG408/ADG409
特点
44 V电源最大额定值
V
SS
到V
DD
模拟信号范围
低导通电阻( Ω 100最大)
低功耗(I
供应
< 75 μA )
快速开关
先开后合式开关动作
插入式替换DG408 / DG409
功能方框图
ADG408
S1
S1A
DA
S4A
D
S1B
DB
S8
1-OF-8
解码器
S4B
1-OF-4
解码器
00027-001
ADG409
应用
音频和视频路由
自动测试设备
数据采集系统
电池供电系统
采样保持系统
通信系统
A0 A1 A2 EN
A0
A1
EN
图1 。
概述
该ADG408 / ADG409均为单芯片CMOS模拟多路复用器
包括8个单通道和4个差分通道,
分别。该开关ADG408 8路输入之一到
作为由3位二进制地址线确定的公共输出端
A0,A1和A2 。该ADG409切换4路差分1
输入至公共差分输出,这是由确定的
2位二进制地址线A0和A1 。提供EN输入,两个设备上
用于启用或禁用该设备。当设备被禁用,
所有信道都被关断。
该ADG408 / ADG409都在增强LC设计
2
MOS
过程中,提供低功耗,高
开关速度和低导通电阻。每个通道行为
当对同样在两个方向上,并具有一输入信号
范围延伸到供应。在断开状态下,信号
水平最高的供应被阻断。所有通道都表现出突破性
之前,使开关动作,防止瞬时短路
切换频道时。固有的设计是低
切换时的电荷注入最小的瞬变
数字输入。
该ADG408 / ADG409得到改善替代的
DG408 / DG409模拟多路复用器。
产品亮点
1.
扩展信号范围。该ADG408 / ADG409是
制造上的增强型LC
2
MOS工艺,给人一种
延伸到供电轨增加的信号范围。
低功耗。
低R
ON
.
单电源供电。对于应用中的
单极性模拟信号时, ADG408 / ADG409可以
从单轨供电工作。该部件是
用一个12V电源完全指定,并保持
功能与单电源供电低至5 V.
2.
3.
4.
版本C
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而,没有
责任承担ADI公司供其使用,也为专利或其他任何侵权行为
第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更,恕不另行通知。没有
获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。
商标和注册商标均为其各自所有者的财产。
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
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传真: 781.461.3113
2006年ADI公司保留所有权利。
ADG408/ADG409
目录
特点................................................. ............................................. 1
应用................................................. ...................................... 1
功能框图............................................... .............. 1
概述................................................ ......................... 1
产品亮点................................................ ........................... 1
修订历史................................................ ............................... 2
规格................................................. .................................... 3
双电源................................................ ................................... 3
单电源................................................ ................................. 4
绝对最大额定值............................................... ............. 6
ESD注意事项................................................ ................................... 6
引脚配置和功能描述............................ 7
典型性能特征.............................................. 8
测试电路................................................ ..................................... 11
术语................................................. ................................... 13
外形尺寸................................................ ....................... 14
订购指南................................................ .......................... 16
修订历史
10/06—Rev.
B到C版
更新格式................................................ ..................通用
更改表3 .............................................. .............................. 6
inserted表4和表5 ............................................ ................ 7
更新的外形尺寸............................................... ........ 14
更改订购指南.............................................. ............ 15
3月3日 - 修订版。 A到版本B
更改订购指南.............................................. ............... 4
更新的外形尺寸............................................... ........ 11
2月1日 - 修订版0 :初始版
版本C | 16页2
ADG408/ADG409
特定网络阳离子
双电源
V
DD
= 15 V, V
SS
= -15 V, GND = 0V,除非另有说明。
表1中。
B版本
-40 ° C至
+25C
+85C
V
SS
到V
DD
40
100
15
±0.5
±1
±1
±1
±1
125
40
100
15
±0.5
±1
±1
±1
±1
T版
-55℃
+25C
+125C
V
SS
到V
DD
125
参数
模拟开关
模拟信号范围
R
ON
R
ON
漏电流
来源OFF漏我
S
(关闭)
流掉泄漏我
D
(关闭)
ADG408
ADG409
渠道渗漏我
D,
I
S
(上)
ADG408
ADG409
数字输入
输入高电压,V
INH
输入低电压,V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
1
t
过渡
t
开放
t
ON
( EN )
t
关闭
( EN )
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
C
S
(关闭)
C
D
(关闭)
ADG408
ADG409
C
D
, C
S
(上)
ADG408
ADG409
单位
V
= (典型值)
=最大
=最大
nA的最大
nA的最大
nA的最大
测试条件/评论
V
D
= -10 V,I
S
=
10
mA
V
D
= +10 V,
10
V
V
D
= ±10 V, V
S
=
m
1
0 V ;参见图19
V
D
= ±10 V; V
S
=
m
10 V ;参见图20
±50
±100
±50
±100
±50
2.4
0.8
±10
±50
±100
±50
±100
±50
2.4
0.8
±10
V
S
= V
D
= ± 10 V ;参见图21
nA的最大
nA的最大
V分钟
V最大
μA(最大值)
pF的典型值
纳秒(典型值)
ns(最大值)
ns(最小值)
纳秒(典型值)
ns(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最大值)
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
F = 1 MHz的
54
34
54
34
pF的典型值
pF的典型值
V
IN
= 0或V
DD
F = 1 MHz的
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的;
V
S1
= ±10 V, V
S8
=
m
10 V ;参见图22
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的;
V
S
= 5 V ;参见图23
R
L
= 300 Ω C
L
= 35 pF的;
V
S
= 5 V ;参见图24
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的;
V
S
= 5 V ;参见图24
V
S
= 0 V ,R
S
= 0 Ω, C
L
= 10nF的;参见图25
R
L
= 1千欧, F = 100千赫;
V
EN
= 0 V ;参见图26
RL = 1 kΩ的, F = 100千赫;参见图27
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
8
120
250
10
125
225
65
150
8
120
250
10
125
225
65
150
10
85
150
10
85
150
20
75
85
11
40
20
20
75
85
11
40
20
版本C |第16页3
ADG408/ADG409
参数
电源要求
I
DD
I
SS
I
DD
100
200
B版本
-40 ° C至
+85C
+25C
1
5
1
5
500
100
200
T版
-55℃
+125C
+25C
1
5
1
5
500
单位
μA (典型值)
μA(最大值)
μA (典型值)
μA(最大值)
μA (典型值)
μA(最大值)
测试条件/评论
V
IN
= 0 V, V
EN
= 0 V
V
IN
= 0 V, V
EN
= 2.4 V
1
通过设计保证,不受生产测试。
单电源
V
DD
= 12 V, V
SS
= 0V ,GND = 0V ,除非另有说明。
表2中。
B版本
-40 ° C至
+25C +85C
0到V
DD
90
±0.5
±1
±1
±1
±1
±50
±100
±50
±100
±50
2.4
0.8
±10
8
130
10
140
60
5
–75
8
130
10
140
60
5
–75
90
±0.5
±1
±1
±1
±1
±50
±100
±50
±100
±50
2.4
0.8
±10
T版
-55℃
+25°C
+125C
0到V
DD
参数
模拟开关
模拟信号范围
R
ON
漏电流
来源OFF漏我
S
(关闭)
流掉泄漏我
D
(关闭)
ADG408
ADG409
渠道渗漏我
D
, I
S
(上)
ADG408
ADG409
数字输入
输入高电压,V
INH
输入低电压,V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN,
数字输入电容
动态特性
1
t
过渡
t
开放
单位
V
= (典型值)
nA的最大
nA的最大
nA的最大
测试条件/评论
V
D
= 3 V , 10 V,I
S
= -1毫安
VD = 8 V / 0 V ,V
S
= 0 V / 8 V ;参见图19
V
D
= 8 V/0 V, V
S
= 0 V / 8 V ;参见图20
V
S
= V
D
= 8 V / 0 V ;参见图21
nA的最大
nA的最大
V分钟
V最大
μA(最大值)
pF的典型值
纳秒(典型值)
纳秒(典型值)
纳秒(典型值)
纳秒(典型值)
pC的典型值
dB典型值
V
IN
= 0或V
DD
F = 1 MHz的
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的;
V
S1
= 8 V/0 V, V
S8
= 0 V / 8 V ;参见图22
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的;
V
S
= 5 V ;参见图23
R
L
= 300 Ω C
L
= 35 pF的;
V
S
= 5 V ;参见图24
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的;
V
S
= 5 V ;参见图24
V
S
= 0 V ,R
S
= 0Ω, C
L
= 10nF的;参见图25
R
L
= 1 kΩ的F = 100千赫;
V
EN
= 0 V ;参见图26
t
ON
( EN )
t
关闭
( EN )
电荷注入
关断隔离
版本C | 16页4
ADG408/ADG409
参数
通道到通道的串扰
C
S
(关闭)
C
D
(关闭)
ADG408
ADG409
C
D
, C
S
(上)
ADG408
ADG409
电源要求
I
DD
I
DD
B版本
-40 ° C至
+25C +85C
85
11
40
20
54
34
1
5
100
200
500
100
200
T版
-55℃
+125C
+25°C
85
11
40
20
54
34
1
5
500
单位
dB典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
F = 1 MHz的
pF的典型值
pF的典型值
μA (典型值)
μA(最大值)
μA (典型值)
μA(最大值)
V
IN
= 0 V, V
EN
= 0 V
V
IN
= 0 V, V
EN
= 2.4 V
测试条件/评论
R
L
= 1千欧, F = 100千赫;参见图27
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
1
通过设计保证,不受生产测试。
版本C |第16页5
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    ADG408BR-REEL7
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电话:0755-23996734
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