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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第111页 > ADG333ABRS
a
特点
44 V电源最大额定值
V
SS
到V
DD
模拟信号范围
低导通电阻（最大45 ）
低
R
ON
（ 5最大）
低R
ON
比赛（ 4最大）
低功耗
快速开关时间
t
ON
< 175纳秒
t
关闭
< 145纳秒
低泄漏电流（5 nA的最大值）
低电荷注入（ 10件最大值）
先开后合式开关动作
应用
音频和视频切换
电池供电系统
测试设备
通信系统
S1A
D1
S1B
IN1
四路SPDT开关
ADG333A
功能框图
S4A
D2
S4B
IN4
ADG333A
IN2
S2B
D2
S2A
IN3
S3B
D3
S3A
开关所对于逻辑“ 1 ”输入
概述
产品亮点
该ADG333A是由四个单片CMOS器件
独立可选的单刀双掷开关。它的设计上的
LC
2
MOS工艺，具有低功耗，
实现了高开关速度和低的导通电阻。
导通电阻曲线都非常平坦，在整个模拟输入
切换时的范围，确保良好的线性度和低失真
音频信号。高开关速度也使得部分适用
视频信号切换。 CMOS结构可确保极低
功耗使该器件非常适合于便携式，
电池供电的仪器。
当他们在每个开关导电性能相同，在两个
方向，并具有延伸到所述的输入信号范围
电源供应器。在断开状态下，信号电平最高的
供应被阻断。所有的开关展品突破前先
开关动作在多路复用应用中使用。固有的
设计为低电荷注入最小的瞬变时
切换数字输入。
1.扩展信号范围
该ADG333A制造在一个增强的LC
2
MOS
过程中，给它扩展增加的信号范围
电源轨。
2.低功耗
3.低R
ON
4.单电源供电
对于应用程序，当该模拟信号是单极的，
在ADG333A可以从一个单一的轨道动力操作
供应量。的部分是与单个+ 12V完全指明的
供应量。
第0版
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则，在ADI公司的任何专利或专利权。
ADI公司， 1995年
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 617 / 329-4700
传真： 617 / 326-8703
ADG333A–SPECIFICATIONS
1
双电源
参数
模拟开关
模拟信号范围
R
ON
R
ON
R
ON
MATCH
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
动态特性
2
t
ON
t
关闭
突破前先延迟，T
开放
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
C
S
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
I
SS
V
DD
/V
SS
笔记
1
温度范围如下： B版本： -40 ° C至+ 85°C 。
2
通过设计保证，不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
(V
DD
= +15 V, V
SS
= -15 V， GND = 0V，除非另有说明）
+25 C
-40 ℃
+85 C
V
SS
到V
DD
20
45
45
5
4
单位
V
典型值
最大
最大
最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
A
典型值
A
最大
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
ns（最小值）
pC的典型值
pC的最大值
dB典型值
dB典型值
pF的典型值
pF的典型值
毫安（典型值）
数字输入= 0 V或5 V
最大mA
A
典型值
A
最大
V最小/最大V | V
DD
| = |V
SS
|
V
IN
= 0 V或V
DD
测试条件/评论
V
D
=
±
10 V，I
S
= -1毫安
V
D
=
±
5 V，I
S
= -10毫安
V
D
=
±
10 V，I
S
= -10毫安
V
DD
= +16.5 V, V
SS
= –16.5 V
V
D
=
±
15.5 V, V
S
=
+15.5
V
测试电路2
V
S
= V
D
=
±
15.5 V
测试电路3
±
0.1
±
0.25
±
0.1
±
0.4
±
3
±
5
2.4
0.8
±
0.005
±
0.5
90
175
80
145
10
2
10
72
85
5
20
0.05
0.25
0.01
1
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;
V
S
=
±
10 V ;测试电路4
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;
V
S
=
±
10 V ;测试电路4
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;
V
S
= + 5V;测试电路5
V
D
= 0 V ，R
D
= 0
,
C
L
= 10nF的;
V
DD
= +15 V, V
SS
= -15 V ;测试电路6
R
L
= 75
,
C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
V
S
= 2.3 V RMS，测试电路7
R
L
= 75
,
C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
V
S
= 2.3 V RMS，测试电路8
0.35
5
±
3/± 20
–2–
第0版
ADG333A
单电源
参数
模拟开关
模拟信号范围
R
ON
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
动态特性
2
t
ON
t
关闭
突破前先延迟，T
开放
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
C
S
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
V
DD
笔记
1
温度范围如下： B版本： -40 ° C至+ 85°C 。
2
通过设计保证，不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
(V
DD
= +12 V, V
SS
= 0 V
的10％ ，GND = 0V，除非另有说明）
-40 ℃
+85 C
0到V
DD
单位
V
典型值
最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
A
典型值
A
最大
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
ns（最小值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
pF的典型值
pF的典型值
毫安（典型值）
最大mA
V MIN / V最大
V
DD
= +13.5 V
数字输入= 0 V或5 V
V
IN
= 0 V或V
DD
测试条件/评论
+25 C
35
75
±
0.1
±
0.25
±
0.1
±
0.4
V
D
= 1 V ，+ 10 V，I
S
= -1毫安
V
DD
= +13.2 V
V
D
= 12.2 V/1 V, V
S
= 1 V/12.2 V
测试电路2
V
S
= V
D
= 12.2 V/1 V
测试电路3
±
3
±
5
2.4
0.8
±
0.005
±
0.5
110
200
100
180
10
5
72
85
5
20
0.05
0.25
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;
V
S
= + 8V ;测试电路4
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;
V
S
= + 8V ;测试电路4
R
L
= 300
, C
L
= 35 pF的;
V
S
= + 5V;测试电路5
V
D
= 6 V ，R
D
= 0
,
C
L
= 10nF的;
V
DD
= +12 V, V
SS
= -0 V ;测试电路6
R
L
= 75
,
C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
V
S
= 1.15 V有效值，测试电路7
R
L
= 75
,
C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
V
S
= 1.15 V有效值，测试电路8
0.35
+3/+30
第0版
–3–
ADG333A
绝对最大额定值
1
(T
A
= + 25 ° C除非另有说明）
V
DD
到V
SS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +44 V
V
DD
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至+30 V
V
SS
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +0.3 V至-30 V
模拟，数字输入
2
. . . . . . . . . . . . V
SS
- 2 V到V
DD
+ 2 V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
或20mA ，以先到者为准
连续电流，S或D 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20毫安
峰值电流，S或D 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40毫安
（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比最大）
工作温度范围
工业（B版） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40∞C至+ 85∞C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 125°C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
塑料包装
θ
JA
，热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 103 ° C / W
焊接温度，焊接（ 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 260℃
SOIC封装
θ
JA
，热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 74 ° C / W
焊接温度，焊接
气相（60秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 215℃
红外（ 15秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 220℃
SSOP封装
θ
JA
，热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 130 ° C / W
焊接温度，焊接
气相（60秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 215℃
红外（ 15秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 220℃
笔记
1
条件超过上述“绝对最大额定值”，可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上的任何其他条件，在上市运作
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
只有一个绝对最大额定值可在任一时间施加。
2
过压IN ，S或D由内部二极管钳位。当前应
限于给出的最大额定值。
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。
虽然ADG333A具有专用ESD保护电路，可能永久的损坏
发生在受到高能静电放电设备。因此，适当的ESD
预防措施建议，以避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
订购指南
表一，表真相
模型
ADG333ABN
ADG333ABR
ADG333ABRS
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
封装选项*
N-20
R-20
RS-20
逻辑
0
1
开关A
关闭
ON
交换机B
ON
关闭
* N =塑料DIP ， R =小外形集成电路（ SOIC ） 。 RS =收缩型小外形
封装（ SSOP ） 。
–4–
第0版
ADG333A
术语
S
D
IN
R
ON
R
ON
R
ON
MATCH
I
S
（关闭）
I
D
（关闭）
I
D
, I
S
（上）
V
D
(V
S
)
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
源终端。可以是输入或输出。
漏极。可以是输入或输出。
逻辑控制输入。
D和S之间的欧姆电阻
R
ON
变化，由于在模拟的变化
输入电压以恒定的负载电流。
在R的区别
ON
任何两种
通道。
源极漏电流的开关
“OFF”。
漏极漏电流与开关
“OFF”。
信道的泄漏电流与开关
“ON”。
在端D ，S模拟电压
“ OFF”开关的源极电容。
“ OFF”开关漏极电容。
C
D
, C
S
（上）
t
ON
“ON”的开关电容。
采用数字化控制IN-之间的延迟
付诸表决，并输出开关上。
t
关闭
采用数字化控制IN-之间的延迟
放和输出的开关关闭。
t
开放
打破化妆前的延迟时，开关
配置为多路复用器。
V
INL
最大输入电压为逻辑“0”。
V
INH
最小输入电压为逻辑“ 1”。
输入电流的数字输入。
I
INL
(I
INH
)
相声
衡量无用信号是
从一个通道相连通，以另一
作为寄生电容的结果。
关断隔离
耦合的无用信号的测量
通过一个“关”的开关。
电荷注入衡量的毛刺脉冲传递
从数字输入到模拟输出
期间切换。
引脚配置
DIP / SOIC / SSOP
IN1 1
S1A 2
D1 3
S1B 4
V
SS
5
GND 6
20 IN4
19 S4A
18 D4
17 S4B
ADG333A
16 V
DD
TOP VIEW 15 NC
（不按比例）
14 S3B
S2B 7
D2 8
S2A 9
IN2 10
13 D3
12 S3A
11 IN3
NC =无连接
第0版
–5–
四路SPDT开关
ADG333A
特点
44 V电源最大额定值
V
SS
到V
DD
模拟信号范围
低导通电阻（ Ω 45最大值）
低ΔR
ON
（ 5 Ω最大）
低R
ON
比赛（ 4 Ω最大）
低功耗
快速开关时间
t
ON
< 175纳秒
t
关闭
< 145纳秒
低泄漏电流（5 nA的最大值）
低电荷注入（ 10件最大值）
先开后合式开关动作
功能框图
S1A
D1
S1B
IN1
S4A
D2
S4B
IN4
ADG333A
IN2
S2B
D2
S2A
IN3
S3B
D3
01212-001
S3A
开关所对于逻辑1输入
图1 。
应用
音频和视频切换
电池供电系统
测试设备
通信系统
概述
该ADG333A是由四个单片CMOS器件
独立可选的单刀双掷开关。它的设计上的
LC
2
MOS工艺，它提供了低功耗，
实现了高开关速度和低的导通电阻。
导通电阻曲线都非常平坦，在整个模拟输入
范围内，以确保良好的线性度和低失真的时候
切换音频信号。高开关速度也使得
部分适合视频信号切换。 CMOS结构
保证了超低的功耗，使得部分最好
适用于便携式，电池供电的仪器。
当他们在每个开关导电性能相同，在两个
方向，并具有延伸到所述的输入信号范围
电源供应器。在断开状态下，信号电平最高的
供应被阻断。所有的开关展品突破前先
开关动作在多路复用应用中使用。固有
在设计低电荷注入
产品亮点
1.
扩展信号范围。
该ADG333A制造在一个增强的LC
2
MOS
过程，从而延伸到增加的信号范围
电源轨。
低功耗。
低R
ON
.
单电源工作。
对于应用程序，当该模拟信号是单极的，该
ADG333A可以从一个单一的轨道电源来操作。
该器件具有一个12 V电源完全指定。
2.
3.
4.
REV 。一
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。
但是，没有责任承担由Analog Devices供其使用，也不对任何
侵犯第三方专利或其他权利，可能导致其使用的。
规格如有变更，恕不另行通知。没有获发牌照以暗示
或者以其他方式在ADI公司的任何专利或专利权。商标
注册商标均为其各自所有者的财产。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781.329.4700
www.analog.com
传真： 781.461.3113
2005 ADI公司保留所有权利。
ADG333A
目录
规格................................................. .................................... 3
双电源................................................ ................................... 3
单电源................................................ ................................. 4
绝对最大额定值............................................... ............. 5
ESD注意事项................................................ .................................. 5
术语................................................. ..................................... 6
引脚配置和功能描述........................... 7
典型性能特征.............................................. 8
测试电路................................................ ..................................... 10
应用信息................................................ ................ 11
ADG333A电源电压............................................... ........ 11
电源排序............................................... .......... 11
外形尺寸................................................ ....................... 12
订购指南................................................ .......................... 12
修订历史
3月5日 - 修订版。 0到版本A
更新格式................................................ ..................通用
更改规格表.............................................. ...... 3
更新的外形尺寸............................................... ........ 12
更改订购指南.............................................. ............ 12
九十五分之十-版本0 ：初始版
版本A |第12页2
ADG333A
特定网络阳离子
双电源
V
DD
= +15 V, V
SS
= -15 V， GND = 0V，除非另有说明。
1
表1中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
R
ON
R
ON
R
ON
MATCH
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
动态特性
2
t
ON
t
关闭
突破前先延迟，T
开放
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
C
S
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
I
SS
V
DD
/V
SS
1
2
+25°C
-40 ° C至+ 85°C
V
SS
到V
DD
单位
V
= （典型值）
=最大
=最大
=最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
ns（最小值）
pC的典型值
pC的最大值
dB典型值
dB典型值
pF的典型值
pF的典型值
毫安（典型值）
最大mA
μA （典型值）
μA（最大值）
V MIN / V最大
测试条件/评论
20
45
V
D
= -10 V，I
S
= -1毫安
V
D
= -5 V，I
S
= -10毫安
V
D
= -10 V，I
S
= -10毫安
V
DD
= +16.5 V, V
SS
= –16.5 V
V
D
= ±15.5 V, V
S
= +15.5 V
图15
V
S
= V
D
= ±15.5 V
图16
45
5
4
±0.1
±0.25
±0.1
±0.4
±3
±5
2.4
0.8
±0.005
±0.5
V
IN
= 0 V或V
DD
90
175
80
145
10
2
10
72
85
7
26
0.05
0.25
0.01
1
R
L
= 300 , C
L
= 35 pF的;
V
S
= ± 10 V ;图17
R
L
= 300 , C
L
= 35 pF的;
V
S
= ± 10 V ;图17
R
L
= 300 , C
L
= 35 pF的;
V
S
= + 5V;图18
V
D
= 0 V ，R
D
= 0 , C
L
= 10nF的;
V
DD
= +15 V, V
SS
= -15 V ;图19
R
L
= 75 , C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
V
S
= 2.3 V有效值;图20
R
L
= 75 , C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
V
S
= 2.3 V有效值;图21
数字输入= 0 V或5 V
0.35
5
±3/±20
|V
DD
| = |V
SS
|
温度范围如下： B版本： -40 ° C至+ 85°C 。
通过设计保证;不受生产测试。
版本A |第12页3
ADG333A
单电源
V
DD
= +12 V, V
SS
= 0V ±10％ ，GND = 0V ，除非另有说明。
1
表2中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
罗恩
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
动态特性
2
t
ON
t
关闭
突破前先延迟，T
开放
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
C
S
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
V
DD
1
2
+25°C
-40 ° C至+ 85°C
0 V至V
DD
单位
V
= （典型值）
=最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
ns（最小值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
pF的典型值
pF的典型值
毫安（典型值）
最大mA
V MIN / V最大
测试条件/评论
35
75
±0.1
±0.25
±0.1
±0.4
V
D
= 1 V ， 10 V，I
S
= -1毫安
V
DD
= 13.2 V
V
D
= 12.2 V/1 V, V
S
= 1 V/12.2 V
图15
V
S
= V
D
= 12.2 V/1 V
图16
±3
±5
2.4
0.8
±0.005
±0.5
V
IN
= 0 V或V
DD
110
200
100
180
10
5
72
85
12
25
0.05
0.25
R
L
= 300 , C
L
= 35 pF的;
V
S
= 8 V ;图17
R
L
= 300 , C
L
= 35 pF的;
V
S
= 8 V ;图17
R
L
= 300 , C
L
= 35 pF的;
V
S
= 5 V ;图18
V
D
= 6 V ，R
D
= 0 W，C
L
= 10nF的;
V
DD
= 12 V, V
SS
= 0 V ;图19
R
L
= 75 , C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
V
S
= 1.15 V有效值;图20
R
L
= 75 , C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
V
S
= 1.15 V有效值;图21
V
DD
= 13.5 V
数字输入= 0 V或5 V
0.35
±3/±30
温度范围如下： B版本： -40 ° C至+ 85°C 。
通过设计保证;不受生产测试。
版本A |第12页4
ADG333A
绝对最大额定值
T
A
= 25_C除非另有说明。
表3中。
参数
V
DD
到V
SS
V
DD
到GND
V
SS
到GND
模拟，数字输入
1
连续电流，S或D
峰值电流，S或D（脉冲在
1毫秒，10％占空比的最大值）
工作温度范围
工业（B版）
存储温度范围
结温
θ
JA
，热阻抗
PDIP封装
SOIC封装
SSOP封装
焊接温度，焊接
（10秒）的
焊接温度，焊接
气相（60秒）
红外（ 15秒）
焊接温度，焊接
气相（60秒）
红外（ 15秒）
1
民
+44 V
0.3 V至+30 V
+0.3 V至-30 V
V
SS
- 2 V到V
DD
+ 2 V或20 mA时，
以先到为准科幻RST
20毫安
40毫安
注意，超出上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有等级;该器件在这些或任何功能操作
上述其他条件下的作战指示
本规范的部分，是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
器件的可靠性。
表4.真值表
-40 ° C至+ 85°C
-65 ° C至+ 125°C
150°C
103°C/W
74°C/W
130°C/W
260°C
逻辑
0
1
开关A
关闭
On
交换机B
On
关闭
215°C
220°C
215°C
220°C
过电压在IN ，S或D由内部二极管钳位。当前应
限于给出的最大额定值。
ESD警告
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易堆积在
人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然这款产品的特点
专用ESD保护电路，永久性的损害可能在遇到高能量发生装置
静电放电。因此，适当的ESD防范措施建议，以避免性能
下降或功能丧失。
版本A |第12页5
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