四路SPDT开关
ADG333A
特点
44 V电源最大额定值
V
SS
到V
DD
模拟信号范围
低导通电阻（ Ω 45最大值）
低ΔR
ON
（ 5 Ω最大）
低R
ON
比赛（ 4 Ω最大）
低功耗
快速开关时间
t
ON
< 175纳秒
t
关闭
< 145纳秒
低泄漏电流（5 nA的最大值）
低电荷注入（ 10件最大值）
先开后合式开关动作
功能框图
S1A
D1
S1B
IN1
S4A
D2
S4B
IN4
ADG333A
IN2
S2B
D2
S2A
IN3
S3B
D3
01212-001
S3A
开关所对于逻辑1输入
图1 。
应用
音频和视频切换
电池供电系统
测试设备
通信系统
概述
该ADG333A是由四个单片CMOS器件
独立可选的单刀双掷开关。它的设计上的
LC
2
MOS工艺，它提供了低功耗，
实现了高开关速度和低的导通电阻。
导通电阻曲线都非常平坦，在整个模拟输入
范围内，以确保良好的线性度和低失真的时候
切换音频信号。高开关速度也使得
部分适合视频信号切换。 CMOS结构
保证了超低的功耗，使得部分最好
适用于便携式，电池供电的仪器。
当他们在每个开关导电性能相同，在两个
方向，并具有延伸到所述的输入信号范围
电源供应器。在断开状态下，信号电平最高的
供应被阻断。所有的开关展品突破前先
开关动作在多路复用应用中使用。固有
在设计低电荷注入
产品亮点
1.
扩展信号范围。
该ADG333A制造在一个增强的LC
2
MOS
过程，从而延伸到增加的信号范围
电源轨。
低功耗。
低R
ON
.
单电源工作。
对于应用程序，当该模拟信号是单极的，该
ADG333A可以从一个单一的轨道电源来操作。
该器件具有一个12 V电源完全指定。
2.
3.
4.
REV 。一
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ADG333A
目录
规格................................................. .................................... 3
双电源................................................ ................................... 3
单电源................................................ ................................. 4
绝对最大额定值............................................... ............. 5
ESD注意事项................................................ .................................. 5
术语................................................. ..................................... 6
引脚配置和功能描述........................... 7
典型性能特征.............................................. 8
测试电路................................................ ..................................... 10
应用信息................................................ ................ 11
ADG333A电源电压............................................... ........ 11
电源排序............................................... .......... 11
外形尺寸................................................ ....................... 12
订购指南................................................ .......................... 12
修订历史
3月5日 - 修订版。 0到版本A
更新格式................................................ ..................通用
更改规格表.............................................. ...... 3
更新的外形尺寸............................................... ........ 12
更改订购指南.............................................. ............ 12
九十五分之十-版本0 ：初始版
版本A |第12页2
ADG333A
特定网络阳离子
双电源
V
DD
= +15 V, V
SS
= -15 V， GND = 0V，除非另有说明。
1
表1中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
R
ON
R
ON
R
ON
MATCH
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
动态特性
2
t
ON
t
关闭
突破前先延迟，T
开放
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
C
S
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
I
SS
V
DD
/V
SS
1
2
+25°C
-40 ° C至+ 85°C
V
SS
到V
DD
单位
V
= （典型值）
=最大
=最大
=最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
ns（最小值）
pC的典型值
pC的最大值
dB典型值
dB典型值
pF的典型值
pF的典型值
毫安（典型值）
最大mA
μA （典型值）
μA（最大值）
V MIN / V最大
测试条件/评论
20
45
V
D
= -10 V，I
S
= -1毫安
V
D
= -5 V，I
S
= -10毫安
V
D
= -10 V，I
S
= -10毫安
V
DD
= +16.5 V, V
SS
= –16.5 V
V
D
= ±15.5 V, V
S
= +15.5 V
图15
V
S
= V
D
= ±15.5 V
图16
45
5
4
±0.1
±0.25
±0.1
±0.4
±3
±5
2.4
0.8
±0.005
±0.5
V
IN
= 0 V或V
DD
90
175
80
145
10
2
10
72
85
7
26
0.05
0.25
0.01
1
R
L
= 300 , C
L
= 35 pF的;
V
S
= ± 10 V ;图17
R
L
= 300 , C
L
= 35 pF的;
V
S
= ± 10 V ;图17
R
L
= 300 , C
L
= 35 pF的;
V
S
= + 5V;图18
V
D
= 0 V ，R
D
= 0 , C
L
= 10nF的;
V
DD
= +15 V, V
SS
= -15 V ;图19
R
L
= 75 , C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
V
S
= 2.3 V有效值;图20
R
L
= 75 , C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
V
S
= 2.3 V有效值;图21
数字输入= 0 V或5 V
0.35
5
±3/±20
|V
DD
| = |V
SS
|
温度范围如下： B版本： -40 ° C至+ 85°C 。
通过设计保证;不受生产测试。
版本A |第12页3
ADG333A
单电源
V
DD
= +12 V, V
SS
= 0V ±10％ ，GND = 0V ，除非另有说明。
1
表2中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
罗恩
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
动态特性
2
t
ON
t
关闭
突破前先延迟，T
开放
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
C
S
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
V
DD
1
2
+25°C
-40 ° C至+ 85°C
0 V至V
DD
单位
V
= （典型值）
=最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
ns（最小值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
pF的典型值
pF的典型值
毫安（典型值）
最大mA
V MIN / V最大
测试条件/评论
35
75
±0.1
±0.25
±0.1
±0.4
V
D
= 1 V ， 10 V，I
S
= -1毫安
V
DD
= 13.2 V
V
D
= 12.2 V/1 V, V
S
= 1 V/12.2 V
图15
V
S
= V
D
= 12.2 V/1 V
图16
±3
±5
2.4
0.8
±0.005
±0.5
V
IN
= 0 V或V
DD
110
200
100
180
10
5
72
85
12
25
0.05
0.25
R
L
= 300 , C
L
= 35 pF的;
V
S
= 8 V ;图17
R
L
= 300 , C
L
= 35 pF的;
V
S
= 8 V ;图17
R
L
= 300 , C
L
= 35 pF的;
V
S
= 5 V ;图18
V
D
= 6 V ，R
D
= 0 W，C
L
= 10nF的;
V
DD
= 12 V, V
SS
= 0 V ;图19
R
L
= 75 , C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
V
S
= 1.15 V有效值;图20
R
L
= 75 , C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
V
S
= 1.15 V有效值;图21
V
DD
= 13.5 V
数字输入= 0 V或5 V
0.35
±3/±30
温度范围如下： B版本： -40 ° C至+ 85°C 。
通过设计保证;不受生产测试。
版本A |第12页4
ADG333A
绝对最大额定值
T
A
= 25_C除非另有说明。
表3中。
参数
V
DD
到V
SS
V
DD
到GND
V
SS
到GND
模拟，数字输入
1
连续电流，S或D
峰值电流，S或D（脉冲在
1毫秒，10％占空比的最大值）
工作温度范围
工业（B版）
存储温度范围
结温
θ
JA
，热阻抗
PDIP封装
SOIC封装
SSOP封装
焊接温度，焊接
（10秒）的
焊接温度，焊接
气相（60秒）
红外（ 15秒）
焊接温度，焊接
气相（60秒）
红外（ 15秒）
1
民
+44 V
0.3 V至+30 V
+0.3 V至-30 V
V
SS
- 2 V到V
DD
+ 2 V或20 mA时，
以先到为准科幻RST
20毫安
40毫安
注意，超出上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有等级;该器件在这些或任何功能操作
上述其他条件下的作战指示
本规范的部分，是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
器件的可靠性。
表4.真值表
-40 ° C至+ 85°C
-65 ° C至+ 125°C
150°C
103°C/W
74°C/W
130°C/W
260°C
逻辑
0
1
开关A
关闭
On
交换机B
On
关闭
215°C
220°C
215°C
220°C
过电压在IN ，S或D由内部二极管钳位。当前应
限于给出的最大额定值。
ESD警告
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易堆积在
人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然这款产品的特点
专用ESD保护电路，永久性的损害可能在遇到高能量发生装置
静电放电。因此，适当的ESD防范措施建议，以避免性能
下降或功能丧失。
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