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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1290页 > ADG1634BRUZ-REEL7
4.5 Ω R
ON
，三/四路SPDT ± 5 V ，
+ 12V ， + 5V和+ 3.3V开关
ADG1633/ADG1634
特点
4.5 Ω典型导通电阻
1 Ω导通电阻平坦度
高达206 mA的连续电流
± 3.3 V至± 8 V双电源供电
3.3 V至16 V单电源供电
无V
L
提供所需
3 V逻辑兼容输入
轨到轨工作
ADG1633
16引脚TSSOP和16引脚3 mm × 3 mm LFCSP封装
ADG1634
20引脚TSSOP和20引脚，采用4 mm× 4 mm LFCSP封装
功能方框图
ADG1633
S1A
D1
S1B
S3B
D3
S2B
D2
S2A
逻辑
S3A
IN1 IN2 IN3 EN
示于开关
A 1输入逻辑。
08319-001
应用
通信系统
医疗系统
音频信号路由
视频信号路由
自动测试设备
数据采集系统
电池供电系统
采样保持系统
继电器的替代品
图1. ADG1633 TSSOP和LFCSP_VQ
ADG1634
S1A
D1
S1B
IN1
IN2
S2B
D2
S2A
S4A
D4
S4B
IN4
IN3
S3B
D3
S3A
概述
该ADG1633和ADG1634均为单芯片工业CMOS
（ iCMOS ）模拟开关，包括三个独立
可选的单刀双掷（ SPDT ）开关，
四个独立可选的单刀双掷开关，分别。
所有通道表现出先开后合式开关动作的
防止短路瞬时切换频道时。一
EN输入的ADG1633 （ LFCSP和TSSOP封装）和
（仅LFCSP封装） ADG1634用于启用或禁用
的设备。禁用时，所有通道均关断。
对这些电阻和导通电阻的平坦度的超低
交换机使他们的数据采集和增益的理想解决方案
切换的应用，其中的低失真是重要的。
iCMOS工艺
建设，确保超低功耗，使得零部件
非常适合于便携式和电池供电的仪器。
示于开关
A 1输入逻辑。
图2. ADG1634 TSSOP
ADG1634
S1A
D1
S1B
S2B
D2
S2A
逻辑
S4A
D4
S4B
S3B
D3
S3A
示于开关
A 1输入逻辑。
图3. ADG1634 LFCSP_VQ
第0版
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责任承担ADI公司供其使用，也为专利或其他任何侵权行为
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2009 ADI公司保留所有权利。
08319-003
IN1 IN2 IN3 IN4 EN
08319-002
ADG1633/ADG1634
目录
特点................................................. ............................................. 1
应用................................................. ...................................... 1
概述................................................ ......................... 1
功能框图............................................... .............. 1
修订历史................................................ ............................... 2
规格................................................. .................................... 3
± 5 V双电源............................................. ............................ 3
12 V单电源.............................................. .......................... 4
5 V单电源.............................................. ............................ 5
3.3 V单电源.............................................. ......................... 6
每通道， S或连续电流D .................................. 7
绝对最大额定值............................................... ............. 8
ESD注意事项................................................ ................................... 8
引脚配置和功能描述............................ 9
典型性能特征........................................... 11
测试电路................................................ ..................................... 14
术语................................................. ................................... 16
外形尺寸................................................ ....................... 17
订购指南................................................ .......................... 19
修订历史
7月9日 - 修订版0 ：初始版
第0版|第20页2
ADG1633/ADG1634
特定网络阳离子
± 5 V双电源供电
V
DD
= +5 V ± 10%, V
SS
= -5V ± 10％ ，GND = 0V ，除非另有说明。
表1中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻匹配通道间（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
源关闭泄漏，我
S
（关闭）
流掉泄漏，我
D
（关闭）
渠道渗漏，我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流I
INL
还是我
INH
数字输入电容，C
IN
动态特性
1
过渡时间，t
过渡
t
ON
（ EN ）
t
关闭
（ EN ）
突破前先延时，T
D
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
总谐波失真+噪声（ THD + N）
-3 dB带宽
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
V
DD
/V
SS
1
25°C
-40 ° C至
+85°C
-40 ° C至
+125°C
V
DD
到V
SS
单位
V
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
nA的典型值
测试条件/评论
4.5
5
0.12
0.25
1
1.3
±0.01
±0.1
±0.02
±0.15
±0.02
±0.15
7
0.3
1.7
8
0.35
2
V
S
= -4.5 V，I
S
= -10毫安;参见图26
V
DD
= ±4.5 V, V
SS
= ±4.5 V
V
S
= -4.5 V，I
S
= -10毫安
V
S
= -4.5 V，I
S
= -10毫安
V
DD
= +5.5 V, V
SS
= 5.5 V
V
S
= ±4.5 V, V
D
=
4.5
V ;参见图27
V
S
= ±4.5V, V
D
=
4.5
V ;参见图27
V
S
= V
D
= ± 4.5 V ;参见图28
±1.5
±2
±2
±12
±20
±20
2.0
0.8
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
nA的典型值
μA（最大值）
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
％ （典型值）
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
μA （典型值）
μA（最大值）
V最小/最大
±1
±0.1
8
161
200
61
79
162
199
44
12.5
64
64
0.3
103
19
33
57
0.001
1.0
±3.3/±8
V
IN
= V
GND
或V
DD
236
88
232
264
98
259
30
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 2.5 V ;参见图29
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 2.5 V ;参见图31
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 2.5 V ;参见图31
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 2.5 V ;参见图30
V
S
= 0 V ，R
S
= 0 Ω, C
L
= 1 nF的;参见图32
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
见图33
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
见图35
R
L
= 110 Ω, V
S
= 5V峰 - 峰值中，f = 20Hz到
20千赫;见图36
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 pF的;参见图34
V
S
= 0 V ， F = 1兆赫
V
S
= 0 V ， F = 1兆赫
V
S
= 0 V ， F = 1兆赫
V
DD
= +5.5 V, V
SS
= 5.5 V
数字输入= 0 V或V
DD
通过设计保证，但未经生产测试。
第0版|第20页3
ADG1633/ADG1634
12 V单电源供电
V
DD
= 12 V ± 10%, V
SS
= 0V ，GND = 0V ，除非另有说明。
表2中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻匹配通道间（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
源关闭泄漏，我
S
（关闭）
流掉泄漏，我
D
（关闭）
渠道渗漏，我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流I
INL
还是我
INH
数字输入电容，C
IN
动态特性
1
过渡时间，t
过渡
t
ON
（ EN ）
t
关闭
（ EN ）
突破前先延时，T
D
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
总谐波失真+噪声（ THD + N）
-3 dB带宽
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
TSSOP
LFCSP
V
DD
1
25°C
-40 ° C至
+85°C
-40 ° C至
+125°C
0 V至V
DD
单位
V
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
测试条件/评论
4
4.5
0.12
0.25
0.9
1.2
±0.01
±0.1
±0.02
±0.15
±0.02
±0.15
6.5
0.3
1.6
7.5
0.35
1.9
V
S
= 0 V至10 V，I
S
= -10毫安;参见图26
V
DD
= 10.8 V, V
SS
= 0 V
V
S
= 10 V，I
S
= -10毫安
V
S
= 0 V至10 V，I
S
= -10毫安
V
DD
= 13.2 V, V
SS
= 0 V
V
S
= 1 V/10 V, V
D
= 10 V / 1 V ;参见图27
V
S
= 1 V/10 V, V
D
= 10 V / 1 V ;参见图27
V
S
= V
D
= 1伏或10伏;参见图28
±1.5
±2
±2
±12
±20
±20
2.0
0.8
±1
±0.1
8
127
151
31
38
128
152
45
nA的典型值
μA（最大值）
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
％ （典型值）
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
μA （典型值）
μA（最大值）
μA （典型值）
μA（最大值）
μA （典型值）
μA（最大值）
V最小/最大
V
IN
= V
GND
或V
DD
182
43
180
205
47
200
30
12.4
64
64
0.3
109
19
32
56
0.001
1.0
300
480
375
600
3.3/16
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 8 V ;参见图29
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 8 V ;参见图31
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 8 V ;参见图31
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 8 V ;参见图30
V
S
= 6 V ，R
S
= 0 Ω, C
L
= 1 nF的;参见图32
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;见图33
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;见图35
R
L
= 110 Ω, V
S
= 5V峰 - 峰值中，f = 20 Hz至20 kHz ;
见图36
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 pF的;参见图34
V
S
= 6 V ， F = 1兆赫
V
S
= 6 V ， F = 1兆赫
V
S
= 6 V ， F = 1兆赫
V
DD
= 12 V
数字输入= 0 V或V
DD
数字输入= 5 V
数字输入= 5 V
通过设计保证，但未经生产测试。
第0版|第20页4
ADG1633/ADG1634
5 V单电源
V
DD
= 5 V ± 10%, V
SS
= 0V ，GND = 0V ，除非另有说明。
表3中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻匹配通道间（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
源关闭泄漏，我
S
（关闭）
流掉泄漏，我
D
（关闭）
渠道渗漏，我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流I
INL
还是我
INH
数字输入电容，C
IN
动态特性
1
过渡时间，t
过渡
t
ON
（ EN ）
t
关闭
（ EN ）
突破前先延时，T
D
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
总谐波失真+噪声（ THD + N）
-3 dB带宽
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
V
DD
1
25°C
-40 ° C至
+85°C
-40 ° C至
+125°C
0 V至V
DD
单位
V
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
nA的典型值
μA（最大值）
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
％ （典型值）
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
μA （典型值）
μA（最大值）
V最小/最大
测试条件/评论
8.5
10
0.15
0.3
1.7
2.3
±0.01
±0.1
±0.02
±0.15
±0.02
±0.15
12.5
0.35
2.7
14
0.4
3
V
S
= 0 V至4.5 V，I
S
= -10毫安;参见图26
V
DD
= 4.5 V, V
SS
= 0 V
V
S
= 0 V至4.5 V，I
S
= -10毫安
V
S
= 0 V至4.5 V，I
S
= -10毫安
V
DD
= 5.5 V, V
SS
= 0 V
V
S
= 1 V/4.5 V, V
D
= 4.5 V / 1 V ;参见图27
V
S
= 1 V/4.5 V, V
D
= 4.5 V / 1 V ;参见图27
V
S
= V
D
= 1 V或4.5 V ;参见图28
±1.5
±2
±2
±12
±20
±20
2.0
0.8
±1
±0.1
8
199
254
68
90
201
256
57
5
64
64
0.27
104
21
37
62
0.001
1.0
3.3/16
V
IN
= V
GND
或V
DD
303
102
300
337
110
333
37
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 2.5 V ;参见图29
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 2.5 V ;参见图31
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 2.5 V ;参见图31
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 2.5 V ;参见图30
V
S
= 2.5 V ，R
S
= 0 Ω, C
L
= 1 nF的;参见图32
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 100千赫;见图33
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 100千赫;见图35
R
L
= 110 Ω ， F = 20 Hz到20 kHz ，V
S
= 3.5 V P-P ;
见图36
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 pF的;参见图34
V
S
= 2.5 V ， F = 1兆赫
V
S
= 2.5 V ， F = 1兆赫
V
S
= 2.5 V ， F = 1兆赫
V
DD
= 5.5 V
数字输入= 0 V或V
DD
通过设计保证，但未经生产测试。
第0版|第20页5
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