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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1117页 > ADG1604
1 Ω典型导通电阻，± 5 V ，
+ 12V ， + 5V和+ 3.3V ， 4 ： 1多路复用器
ADG1604
特点
1 Ω典型导通电阻
0.2 Ω导通电阻平坦度
± 3.3 V至± 8 V双电源供电
3.3 V至16 V单电源供电
无V
L
提供所需
3 V逻辑兼容输入
轨到轨工作
每个通道的连续电流
LFCSP封装： 504毫安
TSSOP封装： 315毫安
14引脚TSSOP和16引脚，采用4 mm× 4 mm LFCSP封装
功能框图
ADG1604
S1
S2
D
S3
S4
1 4
解码器
07982-001
A0
A1
EN
图1 。
应用
通信系统
医疗系统
音频信号路由
视频信号路由
自动测试设备
数据采集系统
电池供电系统
采样保持系统
继电器的替代品
概述
该ADG1604是一个互补型金属氧化物半导体
（CMOS）模拟多路复用器和开关的四个输入给一个
一个共同的输出，D ，如通过3位二进制地址确定
线A0 ，A1和EN 。在EN引脚为逻辑0禁用该设备。
每个开关进行同样在两个方向开启时，
并具有延伸到电源的输入信号范围。在
在OFF状态下，信号电平的电源被阻止。
所有开关展品先开后合的开关动作。
固有的设计是低电荷注入为最小
瞬态开关数字输入时。
这些开关的电阻超低使他们的理想
用于数据采集和溶液增益开关应用
低导通电阻和失真是重要的。导通电阻曲线
都非常平坦，在整个模拟输入范围，确保卓越
线性度和低失真切换音频信号时。
采用CMOS结构确保了超低功耗，
因而非常适合于便携式和电池 - 零件
电动器械。
产品亮点
1.
2.
3.
4.
5.
6.
1.6 Ω最大导通电阻随温度。
最小失真： THD + N = 0.007 ％ 。
3 V逻辑兼容数字输入： V
INH
= 2.0 V, V
INL
= 0.8 V.
无V
L
逻辑电源要求。
超低功耗： <16西北。
14引脚TSSOP和16引脚，采用4 mm× 4 mm LFCSP封装。
第0版
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而，没有
责任承担ADI公司供其使用，也为专利或其他任何侵权行为
第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更，恕不另行通知。没有
获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。
商标和注册商标均为其各自所有者的财产。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781.329.4700
www.analog.com
传真： 781.461.3113
2009 ADI公司保留所有权利。
ADG1604
目录
特点................................................. ............................................. 1
应用................................................. ...................................... 1
功能框图............................................... ............... 1
概述................................................ ......................... 1
产品亮点................................................ ........................... 1
修订历史................................................ ............................... 2
规格................................................. .................................... 3
± 5 V双电源............................................. ............................ 3
12 V单电源.............................................. .......................... 4
5 V单电源.............................................. ............................ 5
3.3 V单电源.............................................. ......................... 6
每通道， S或连续电流D .................................. 7
绝对最大额定值............................................... ............. 8
ESD注意事项................................................ ................................... 8
引脚配置和功能描述............................ 9
典型性能特征........................................... 10
测试电路................................................ ..................................... 13
术语................................................. ................................... 16
外形尺寸................................................ ....................... 17
订购指南................................................ .......................... 17
修订历史
1月9日 - 修订版0 ：初始版
第0版|第20页2
ADG1604
特定网络阳离子
± 5 V双电源供电
V
DD
= +5 V ± 10%, V
SS
= -5V ± 10％ ，GND = 0V ，除非另有说明。
表1中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻匹配通道间（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
源关闭泄漏，我
S
（关闭）
流掉泄漏，我
D
（关闭）
渠道渗漏，我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流I
INL
还是我
INH
数字输入电容，C
IN
动态特性
1
过渡时间，t
过渡
t
ON
（ EN ）
t
关闭
（ EN ）
突破前先延时，T
D
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
总谐波失真+噪声（ THD + N）
-3 dB带宽
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
V
DD
/V
SS
1
25°C
-40 ° C至
+85°C
-40 ° C至
+125°C
V
DD
到V
SS
单位
V
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
nA的典型值
测试条件/评论
1
1.2
0.04
0.08
0.2
0.25
±0.1
±0.2
±0.1
±0.2
±0.2
±0.4
1.4
0.09
0.29
1.6
0.1
0.34
V
S
= -4.5 V，I
S
= -10毫安;参见图22
V
DD
= ±4.5 V, V
SS
= ±4.5 V
V
S
= -4.5 V，I
S
= -10毫安
V
S
= -4.5 V，I
S
= -10毫安
V
DD
= +5.5 V, V
SS
= 5.5 V
V
S
= ±4.5 V, V
D
=
4.5 V ;参见图23
V
S
= ±4.5V, V
D
=
4.5 V ;参见图23
V
S
= V
D
= ± 4.5 V ;参见图24
±1
±2
±2
±8
±16
±16
2.0
0.8
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
％ （典型值）
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
μA （典型值）
μA（最大值）
V最小/最大
0.005
±0.1
8
150
278
116
146
186
234
50
140
70
70
0.007
15
63
270
360
0.001
1.0
±3.3/±8
V
IN
= V
GND
或V
DD
336
166
277
376
177
310
28.5
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 2.5 V ;参见图29
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 2.5 V ;参见图31
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 2.5 V ;参见图31
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 2.5 V ;参见图30
V
S
= 0 V ，R
S
= 0 Ω, C
L
= 1 nF的;参见图32
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
见图25
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
参见图27
R
L
= 110 Ω ， 5伏峰 - 峰值中，f = 20 Hz至20 kHz ;
见图28
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 pF的;参见图26
V
S
= 0 V ， F = 1兆赫
V
S
= 0 V ， F = 1兆赫
V
S
= 0 V ， F = 1兆赫
V
DD
= +5.5 V, V
SS
= 5.5 V
数字输入= 0 V或V
DD
通过设计保证，不受生产测试。
第0版|第20页3
ADG1604
12 V单电源供电
V
DD
= 12 V ± 10%, V
SS
= 0V ，GND = 0V ，除非另有说明。
表2中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻匹配通道间（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
源关闭泄漏，我
S
（关闭）
流掉泄漏，我
D
（关闭）
渠道渗漏，我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流I
INL
还是我
INH
数字输入电容，C
IN
动态特性
1
过渡时间，t
过渡
t
ON
（ EN ）
t
关闭
（ EN ）
突破前先延时，T
D
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
总谐波失真+噪声
-3 dB带宽
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
I
DD
V
DD
1
25°C
-40 ° C至
+85°C
-40 ° C至
+125°C
0 V至V
DD
单位
V
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
％ （典型值）
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
μA （典型值）
μA（最大值）
μA （典型值）
μA（最大值）
V最小/最大
测试条件/评论
0.95
1.1
0.03
0.06
0.2
0.23
±0.1
±0.2
±0.1
±0.2
±0.2
±0.4
1.25
0.07
0.27
1.45
0.08
0.32
V
S
= 0 V至10 V，I
S
= -10毫安;参见图22
V
DD
= 10.8 V, V
SS
= 0 V
V
S
= 10 V，I
S
= -10毫安
V
S
= 0 V至10 V，I
S
= -10毫安
V
DD
= 13.2 V, V
SS
= 0 V
V
S
= 1 V/10 V, V
D
= 10 V / 1 V ;参见图23
V
S
= 1 V/10 V, V
D
= 10 V / 1 V ;参见图23
V
S
= V
D
= 1伏或10伏;参见图24
±1
±2
±2
±8
±16
±16
2.0
0.8
0.001
±0.1
8
100
161
80
95
144
173
25
125
70
70
0.013
19
60
270
350
0.001
1
230
360
3.3/16
V
IN
= V
GND
或V
DD
192
104
205
220
111
234
18
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 8 V ;参见图29
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 8 V ;参见图31
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 8 V ;参见图31
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 8 V ;参见图30
V
S
= 6 V ，R
S
= 0 Ω, C
L
= 1 nF的;参见图32
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
见图25
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
参见图27
R
L
= 110 Ω ， 5 Vp-p的中，f = 20 Hz至20 kHz ;
见图28
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 pF的;参见图26
V
S
= 6 V ， F = 1兆赫
V
S
= 6 V ， F = 1兆赫
V
S
= 6 V ， F = 1兆赫
V
DD
= 12 V
数字输入= 0 V或V
DD
数字输入= 5 V
通过设计保证，不受生产测试。
第0版|第20页4
ADG1604
5 V单电源
V
DD
= 5 V ± 10%, V
SS
= 0V ，GND = 0V ，除非另有说明。
表3中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻匹配通道间（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
源关闭泄漏，我
S
（关闭）
流掉泄漏，我
D
（关闭）
渠道渗漏，我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流I
INL
还是我
INH
数字输入电容，C
IN
动态特性
1
过渡时间，t
过渡
t
ON
（ EN ）
t
关闭
（ EN ）
突破前先延时，T
D
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
总谐波失真+噪声
-3 dB带宽
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
V
DD
1
25°C
-40 ° C至
+85°C
-40 ° C至
+125°C
0 V至V
DD
单位
V
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
％ （典型值）
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
μA （典型值）
μA（最大值）
V最小/最大
测试条件/评论
1.7
2.15
0.05
0.09
0.4
0.53
±0.05
±0.2
±0.05
±0.2
±0.1
±0.4
2.4
0.12
0.55
2.7
0.15
0.6
V
S
= 0 V至4.5 V，I
S
= -10毫安;参见图22
V
DD
= 4.5 V, V
SS
= 0 V
V
S
= 0 V至4.5 V，I
S
= -10毫安
V
S
= 0 V至4.5 V，I
S
= -10毫安
V
DD
= 5.5 V, V
SS
= 0 V
V
S
= 1 V/4.5 V, V
D
= 4.5 V / 1 V ;参见图23
V
S
= 1 V/4.5 V, V
D
= 4.5 V / 1 V ;参见图23
V
S
= V
D
= 1 V或4.5 V ;参见图24
±1
±2
±2
±8
±16
±16
2.0
0.8
0.001
±0.1
8
175
283
135
174
228
288
30
70
70
70
0.09
16
70
300
400
0.001
1
3.3/16
V
IN
= V
GND
或V
DD
337
194
342
380
212
385
21
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 2.5 V ;参见图29
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 2.5 V ;参见图31
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 2.5 V ;参见图31
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 2.5 V ;参见图30
V
S
= 2.5 V ，R
S
= 0 Ω, C
L
= 1 nF的;参见图32
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 100千赫;
见图25
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 100千赫;
参见图27
R
L
= 110 Ω ， F = 20 Hz到20 kHz ，V
S
= 3.5 V P-P ;
见图28
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 pF的;参见图26
V
S
= 2.5 V ， F = 1兆赫
V
S
= 2.5 V ， F = 1兆赫
V
S
= 2.5 V ， F = 1兆赫
V
DD
= 5.5 V
数字输入= 0 V或V
DD
通过设计保证，不受生产测试。
第0版|第20页5
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