【4 Ω RON，三/四路SPDT±15 V/+12 V/±5 ViCMOS工艺开关ADG1433/A】,IC型号ADG1434YCPZ-REEL,ADG1434YCPZ-REEL PDF资料,ADG1434YCPZ-REEL经销商,ic,电子元器件-51电子网

4 Ω R

，三/四路SPDT

±15 V/+12 V/±5 V

iCMOS工艺

开关

ADG1433/ADG1434

特点

4.7 Ω最大导通电阻@ 25°C

0.5 Ω导通电阻平坦度

33 V电源最大额定值

在± 15 V / + 12 V / ± 5 V完全指定

3 V逻辑兼容输入

轨到轨工作

先开后合式开关动作

16 / 20引脚TSSOP和4mm × 4毫米LFCSP_VQ包

功能方框图

ADG1433

S1A

S1B

S3B

S2B

S2A

逻辑

S3A

应用

继电器更换

音频和视频路由

自动测试设备

数据采集系统

温度测量系统

航空电子学

电池供电系统

通信系统

医疗设备

IN1 IN2 IN3 EN

示于开关

“1”输入逻辑。

06181-001

图1. ADG1433 TSSOP和LFCSP_VQ

ADG1434

S1A

S1B

IN1

IN2

S2B

S2A

S4A

S4B

IN4

S2B

IN3

S3B

S3A

S2A

S1A

S1B

ADG1434

S4A

S4B

S3B

S3A

逻辑

06181-002

示于开关

“1”输入逻辑。

示于开关

“1”输入逻辑。

图2. ADG1434 TSSOP

图3. ADG1434 LFCSP_VQ

概述

该ADG1433和ADG1434均为单芯片工业CMOS

（采用iCMOS ）模拟开关，包括三个独立

可选的单刀双掷（ SPDT ）开关和4个

独立可选的单刀双掷开关，分别。

所有通道表现出先开后合式开关动作的

防止短路瞬时切换频道时。一个EN

输入的ADG1433 （ LFCSP和TSSOP封装）和

ADG1434 （仅LFCSP封装）被用来使能或禁止

装置。禁用时，所有通道被关闭。

该

iCMOS工艺

模块化的制造工艺结合了高

电压，互补金属氧化物半导体（CMOS）

和双极性技术。它使一个广泛的发展

中能33 V工作电压高性能模拟集成电路的范围

在一个足迹，没有其他产生高电压的部件有

之所以能够实现。与采用传统的模拟IC

第0版

信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而，没有

责任承担ADI公司供其使用，也为专利或其他任何侵权行为

第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更，恕不另行通知。没有

获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。

商标和注册商标均为其各自所有者的财产。

CMOS工艺，

iCMOS工艺

组件可以承受高电源

同时还能提升性能，大幅电压

更低的功耗，并减小封装尺寸。

导通电阻和对这些电阻平坦度的超低

交换机使他们的数据采集和增益的理想解决方案

切换的应用，其中的低失真是重要的。

iCMOS工艺

建设，确保超低功耗，使得零部件

非常适合于便携式和电池供电的仪器。

产品亮点

4.7 Ω最大导通电阻。

0.5 Ω导通电阻平坦度。

3 V逻辑兼容数字输入V

= 2.0 V, V

= 0.8 V.

16 / 20引脚TSSOP和4mm × 4毫米LFCSP_VQ封装。

一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.

联系电话： 781.329.4700

www.analog.com

传真： 781.461.3113

06181-101

IN1 IN2 IN3 IN4 EN

ADG1433/ADG1434

特点................................................. ............................................. 1

应用................................................. ...................................... 1

功能框图............................................... .............. 1

概述................................................ ......................... 1

产品亮点................................................ ........................... 1

修订历史................................................ ............................... 2

规格................................................. .................................... 3

15 V双电源.............................................. ............................ 3

12 V单电源.............................................. .......................... 5

5 V双电源.............................................. .............................. 6

绝对最大额定值............................................... ............. 7

热阻................................................ ....................... 7

ESD注意事项................................................ ................................... 7

引脚配置和功能描述............................ 8

ADG1433........................................................................................8

ADG1434........................................................................................9

典型性能特征........................................... 10

测试电路................................................ ..................................... 13

术语................................................. ................................... 15

外形尺寸................................................ ....................... 16

订购指南................................................ .......................... 17

修订历史

10月6日 - 修订版0 ：初始版

第0版|第20页2

ADG1433/ADG1434

特定网络阳离子

15 V双电源供电

= +15 V ± 10%, V

=发-15V ± 10％，GND = 0V ，除非另有说明。

表1中。

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻，R

导通电阻之间的匹配

渠道， ΔR

导通电阻平坦度，R

平（ON）的

漏电流

源关闭泄漏，我

（关闭）

流掉泄漏，我

（关闭）

渠道渗漏，我

（上）

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流I

INL

还是我

INH

数字输入电容，C

动态特性

过渡时间，t

TRANS

突破前先延时，T

（ EN ）

关闭

（ EN ）

电荷注入

关断隔离

通道到通道的串扰

总谐波失真， THD + N

dB带宽

插入损耗

（关闭）

, C

（上）

电源要求

+25°C

40°C

+85°C

40°C

+125°C

到V

4.7

0.5

0.78

0.5

0.72

±0.04

±0.3

±0.04

±0.3

±0.05

±0.4

5.7

0.85

0.77

6.7

1.1

0.92

单位

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

μA （典型值）

μA（最大值）

pF的典型值

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最小值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

pC的典型值

dB典型值

％（典型值）

兆赫（典型值）

dB典型值

pF的典型值

μA （典型值）

μA（最大值）

μA （典型值）

μA（最大值）

测试条件/评论

= -10 V，I

= -10毫安;参见图25

= +13.5 V, V

= 13.5 V

= -10 V，I

= -10毫安

= -10 V，I

= -10毫安

= +16.5 V, V

= 16.5 V

= ±10 V, V

= ± 10 V ;参见图26

= ±10 V, V

= ± 10 V ;参见图26

= V

= ± 10 V ;参见图27

±0.6

±0.8

±3

±8

2.0

0.8

±0.005

±0.1

140

170

140

170

0.025

200

0.24

0.001

260

440

第0版|第20页3

= V

GND

或V

200

230

200

230

= 100 Ω, C

= 35 pF的

= 10 V ，见图28

= 100 Ω, C

= 35 pF的

= V

= 10 V ;参见图29

= 100 Ω, C

= 35 pF的

= 10 V ，见图30

= 100 Ω, C

= 35 pF的

= 10 V ;参见图30

= 0 V ，R

= 0 Ω, C

= 1 nF的，见图31

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 1MHz时，见图32

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 1MHz时，见图34

= 110 Ω ， 15 V P-P中，f = 20 Hz至20 kHz ，

见图35

= 50 Ω, C

= 5 pF的，见图33

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 1MHz时，见图33

F = 1 MHz的

= +16.5 V, V

16.5

数字输入= 0 V或V

数字输入= 5 V

ADG1433/ADG1434

参数

+25°C

0.001

40°C

+85°C

40°C

+125°C

±4.5/±16.5

单位

μA （典型值）

μA（最大值）

V最小/最大

测试条件/评论

数字输入= 0 V ， 5 V或V

GND = 0 V

温度范围Y的版本： -40 ° C至+ 125°C 。

通过设计保证，不受生产测试。

第0版|第20页4

ADG1433/ADG1434

12 V单电源供电

= 12 V ± 10%, V

= 0V ，GND = 0V ，除非另有说明。

表2中。

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻，R

导通电阻之间的匹配

渠道， ΔR

导通电阻平坦度，R

平（ON）的

漏电流

源关闭泄漏，我

（关闭）

流掉泄漏，我

（关闭）

渠道渗漏，我

, I

（上）

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流I

INL

还是我

INH

数字输入电容，C

动态特性

过渡时间，t

TRANS

突破前先延时，T

（ EN ）

关闭

（ EN ）

电荷注入

关断隔离

通道到通道的串扰

dB带宽

插入损耗

（关闭）

, C

（上）

电源要求

+25°C

-40 ° C至

+85°C

-40 ° C至

+125°C

0到V

单位

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

μA （典型值）

μA（最大值）

pF的典型值

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最小值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

pC的典型值

dB典型值

兆赫（典型值）

dB典型值

pF的典型值

μA （典型值）

μA（最大值）

μA （典型值）

μA（最大值）

V最小/最大

测试条件/评论

0.55

0.82

1.5

2.5

±0.04

±0.3

±0.04

±0.3

±0.06

±0.4

9.5

0.85

2.5

11.2

1.1

2.8

= 0 V至10 V，I

= -10毫安，参见图25

= 10.8 V, V

= 0 V

= 0 V至10 V，I

= -10毫安

= 0 V至10 V，I

= -10毫安

= 13.2 V

= 1 V/10 V, V

= 10 V / 1 V ，见图26

= 1 V/10 V, V

= 10 V / 1 V ，见图26

= V

= 1 V或10 V ，见图27

±0.6

±0.8

±3

±8

2.0

0.8

±0.005

±0.1

200

255

210

270

–70

135

0.5

0.002

260

440

5/16.5

= V

GND

或V

310

350

320

360

105

= 100 Ω, C

= 35 pF的

= 8 V ，见图28

= 100 Ω, C

= 35 pF的

= V

= 8 V ，见图29

= 100 Ω, C

= 35 pF的

= 8 V ，见图30

= 100 Ω, C

= 35 pF的

= 8 V ，见图30

= 6 V ，R

= 0 Ω, C

= 1 nF的，见图31

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 1MHz时，见图32

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 1MHz时，见图34

= 50 Ω, C

= 5 pF的，见图33

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 1MHz时，见图33

F = 1 MHz的

= 13.2 V

数字输入= 0 V或V

数字输入= 5 V

= 0 V ， GND = 0 V

温度范围Y的版本： -40 ° C至+ 125°C 。

通过设计保证，不受生产测试。

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