【2.1 Ω导通电阻， ±15 V / + 12 V / ± 5 ViCMOS工艺双通道SPST开关A】,IC型号ADG1423BRMZ-REEL7,ADG1423BRMZ-REEL7 PDF资料,ADG1423BRMZ-REEL7经销商,ic,电子元器件-51电子网

2.1 Ω导通电阻， ±15 V / + 12 V / ± 5 V

iCMOS工艺

双通道SPST开关

ADG1421/ADG1422/ADG1423

特点

2.1 Ω导通电阻

0.5 Ω最大导通电阻平坦度

高达250 mA的连续电流

在+12 V ，± 15 V ， ± 5 V

无V

提供所需

3 V逻辑兼容输入

轨到轨工作

10引脚MSOP和10引脚3 mm × 3 mm LFCSP封装包

功能框图

ADG1421

IN1

IN2

08487-001

开关所对于逻辑0输入

图1. ADG1421功能框图

应用

自动测试设备

数据采集系统

继电器的替代品

电池供电系统

采样保持系统

音频信号路由

视频信号路由

通信系统

ADG1422

IN1

IN2

08487-002

08487-003

开关所对于逻辑0输入

图2. ADG1422功能框图

概述

该ADG1421 / ADG1422 / ADG1423包含两个独立的

单刀/单掷（ SPST）开关。该ADG1421和

ADG1422的唯一不同在于，数字控制逻辑被反转。

该ADG1421开关的接通与逻辑1的

合适的控制输入，并且逻辑0是所必需的

ADG1422 。该ADG1423有一个开关，数字控制

逻辑类似于ADG1421的;逻辑反转上

其他开关。该ADG1423展品突破前先

开关动作在多路复用应用中使用。每

开关导电性能相同，在两个方向上时，和

具有延伸到所述电源的输入信号范围。在

断开条件下，信号电平的电源被阻止。

该

iCMOS

（工业CMOS ）模块化制造工艺

结合了高电压，互补金属氧化物半导体

（CMOS）和双极型技术。它使开发

范围广泛的高性能模拟集成电路可为33 V

在足迹的操作，没有其他代高电压

部分已经实现。与采用传统CMOS模拟IC

流程

iCMOS工艺

组件可以承受高电源电压

同时还能提升性能大大降低，

功耗，并减小封装尺寸。

ADG1423

IN1

IN2

开关所对于逻辑0输入

图3. ADG1423功能框图

导通电阻曲线都非常平坦，在整个模拟输入

范围确保卓越的线性度和低失真的时候

切换音频信号。该

iCMOS工艺

结构确保

超低功耗，使得部分非常适合

便携式和电池供电的仪器。

产品亮点

2.4 Ω最大导通电阻为25 ℃。

最小的失真。

3 V逻辑兼容数字输入： V

INH

= 2.0 V, V

INL

= 0.8 V.

无V

逻辑电源要求。

10引脚MSOP和10引脚3 mm × 3 mm LFCSP封装包。

第0版

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传真： 781.461.3113

ADG1421/ADG1422/ADG1423

特点................................................. ............................................. 1

应用................................................. ...................................... 1

概述................................................ ......................... 1

功能框图............................................... ............... 1

产品亮点................................................ ........................... 1

修订历史................................................ ............................... 2

规格................................................. .................................... 3

± 15 V双电源............................................. .......................... 3

+ 12V单电源............................................. ........................ 4

± 5 V双电源............................................. ............................ 5

连续电流每通道，S或D .................................. 6

绝对最大额定值............................................... ............. 7

热阻................................................ ....................... 7

ESD注意事项................................................ ................................... 7

引脚配置和功能描述.............................. 8

典型性能特征.............................................. 9

测试电路................................................ ..................................... 12

术语................................................. ................................... 14

外形尺寸................................................ ....................... 15

订购指南................................................ .......................... 15

修订历史

10月9日 - 修订版0 ：初始版

第0版|第16页2

ADG1421/ADG1422/ADG1423

特定网络阳离子

± 15 V双电源供电

= +15 V ± 10%, V

=发-15V ± 10％，GND = 0V ，除非另有说明。

表1中。

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻，R

导通电阻匹配通道间， ΔR

导通电阻平坦度，R

平（ON）的

漏电流

源关闭泄漏，我

（关闭）

流掉泄漏，我

（关闭）

渠道渗漏，我

, I

（上）

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流I

INL

还是我

INH

数字输入电容，C

动态特性

关闭

突破前先延时，T

（仅ADG1423 ）

电荷注入

关断隔离

通道到通道的串扰

总谐波失真+噪声

-3 dB带宽

插入损耗

（关闭）

, C

（上）

25°C

-40 ° C至

+85°C

-40 ° C至

+125°C

到V

2.1

2.4

0.02

0.1

0.4

0.5

±0.1

±0.5

±0.1

±0.5

±0.2

±1

2.8

0.12

0.6

3.2

0.13

0.65

单位

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

μA （典型值）

μA（最大值）

pF的典型值

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最小值）

pC的典型值

dB典型值

％（典型值）

兆赫（典型值）

dB典型值

pF的典型值

测试条件/评论

= -10 V，I

= -10毫安;参见图23

= +13.5 V, V

= 13.5 V

= -10 V，I

= -10毫安

= -10 V，I

= -10毫安

= +16.5 V, V

= 16.5 V

= ±10 V, V

= ± 10 V ;参见图24

= ±10 V, V

= ± 10 V ;参见图24

= V

= ± 10 V ;参见图25

±2

±75

2.0

0.8

0.005

±0.1

115

145

115

145

0.016

180

0.12

= V

GND

或V

180

165

210

190

= 300 Ω, C

= 35 pF的

= 10 V ;参见图26

= 300 Ω, C

= 35 pF的

= 10 V ;参见图26

= 300 Ω, C

= 35 pF的

= V

= 10 V ;参见图27

= 0 V ，R

= 0 Ω, C

= 1 nF的;

见图28

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 1MHz的;

见图29

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 1MHz的;

见图30

= 10 kΩ的， 5 V RMS ， F = 20 Hz到20 kHz ;

参见图32

= 50 Ω, C

= 5 pF的;参见图31

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 1MHz的;

参见图31

F = 1兆赫; V

= 0 V

F = 1兆赫; V

= 0 V

F = 1兆赫; V

= 0 V

第0版|第16页3

ADG1421/ADG1422/ADG1423

参数

电源要求

25°C

0.002

-40 ° C至

+85°C

-40 ° C至

+125°C

单位

μA （典型值）

μA（最大值）

μA （典型值）

μA（最大值）

μA （典型值）

μA（最大值）

V最小/最大

测试条件/评论

= +16.5 V, V

= 16.5 V

数字输入= 0 V或V

数字输入= 5 V

数字输入= 0 V ， 5 V或V

接地= 0 V

1.0

120

190

0.002

1.0

±4.5/±16.5

通过设计保证，不受生产测试。

+ 12V单电源供电

= 12 V ± 10%, V

= 0V ，GND = 0V ，除非另有说明。

表2中。

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻，R

导通电阻匹配通道间， ΔR

导通电阻平坦度，R

平（ON）的

漏电流

源关闭泄漏，我

（关闭）

流掉泄漏，我

（关闭）

渠道渗漏，我

, I

（上）

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流I

INL

还是我

INH

数字输入电容，C

动态特性

关闭

突破前先延时，T

（仅ADG1433 ）

电荷注入

关断隔离

通道到通道的串扰

-3 dB带宽

25°C

-40 ° C至

+85°C

-40 ° C至

+125°C

0 V至V

4.6

0.03

0.15

1.2

1.5

±0.05

±0.5

±0.05

±0.5

±0.1

±1

5.5

0.17

1.75

6.2

0.18

1.9

单位

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

μA （典型值）

μA（最大值）

pF的典型值

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最小值）

pC的典型值

dB典型值

兆赫（典型值）

第0版|第16页4

测试条件/评论

= 0 V至10 V，I

= -10毫安;参见图23

= 10.8 V, V

= 0 V

= 0 V至10 V，I

= -10毫安

= 0V至10V ，我

= -10毫安

= 13.2 V, V

= 0 V

= 1 V/10 V, V

= 10 V / 1 V ;参见图24

= 1 V/10 V, V

= 10 V / 1 V ;参见图24

= V

= 1伏或10伏;参见图25

±2

±75

2.0

0.8

0.005

±0.1

180

230

130

165

140

= V

GND

或V

295

205

340

235

= 300 Ω, C

= 35 pF的

= 8 V ;参见图26

= 300 Ω, C

= 35 pF的

= 8 V ;参见图26

= 300 Ω, C

= 35 pF的

= V

= 8 V ;参见图27

= 6 V ，R

= 0 Ω, C

= 1 nF的;

见图28

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 1MHz的;

见图29

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 1MHz的;

见图30

= 50 Ω, C

= 5 pF的;参见图31

ADG1421/ADG1422/ADG1423

参数

插入损耗

（关闭）

, C

（上）

电源要求

25°C

0.26

0.001

-40 ° C至

+85°C

-40 ° C至

+125°C

单位

dB典型值

pF的典型值

μA （典型值）

μA（最大值）

μA （典型值）

μA（最大值）

V最小/最大

测试条件/评论

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 1MHz的;

参见图31

F = 1兆赫; V

= 6 V

F = 1兆赫; V

= 6 V

F = 1兆赫; V

= 6 V

= 13.2 V

数字输入= 0 V或V

数字输入= 5 V

接地= 0 V ，V

= 0 V

1.0

120

190

5/16.5

通过设计保证，不受生产测试。

± 5 V双电源供电

= +5 V ± 10%, V

= -5V ± 10％，GND = 0V ，除非另有说明。

表3中。

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻，R

导通电阻匹配通道间， ΔR

导通电阻平坦度，R

平（ON）的

漏电流

源关闭泄漏，我

（关闭）

流掉泄漏，我

（关闭）

渠道渗漏，我

, I

（上）

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流I

INL

还是我

INH

数字输入电容，C

25°C

-40 ° C至

+85°C

-40 ° C至

+125°C

到V

4.5

5.2

0.04

0.18

1.3

1.6

±0.05

±0.5

±0.05

±0.5

±0.1

±1

±2

±75

2.0

0.8

0.005

±0.1

6.2

0.2

1.85

0.21

单位

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

μA （典型值）

μA（最大值）

pF的典型值

测试条件/评论

= -4.5 V，I

= -10毫安;参见图23

= +4.5 V, V

= 4.5 V

= ± 4.5V ;我

= -10毫安

= -4.5 V，I

= -10毫安

= +5.5 V, V

= 5.5 V

= ±4.5 V, V

4.5

V ;参见图24

= ±4.5 V, V

4.5

V ;参见图24

= V

= ± 4.5 V ;参见图25

= V

GND

或V

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